KR100476288B1

KR100476288B1 - 액정배향막의제조방법

Info

Publication number: KR100476288B1
Application number: KR1019970042552A
Authority: KR
Inventors: 야스후미 이이무라; 미찌노리 니시까와; 야스오 마쓰끼
Original assignee: 제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 2005-06-16
Also published as: JPH1073821A; KR19980019150A; JP3603292B2

Abstract

정전기가 발생하지 않고, 생산성이 우수하며, 동시에 높은 표시 품위의 액정 배향 성능을 구비한 액정 배향막의 제조 방법을 제공한다.

액정 분자를 수직 배향시키는 박막을 기판상에 형성하는 공정 및 이 형성된 박막에 직선 편광 광선을 조사하는 공정을 갖는 액정 배향막의 제조 방법.

Description

액정 배향막의 제조 방법 {Process for Preparation of Liquid Crystal Aligning Film}

본 발명은 액정 배향막의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 러빙처리를 실시하지 않고, 직선편광 광선의 조사에 의하여 프리틸트각을 제어하는 것이 가능한 액정 배향막을 제조하는 방법에 관한 것이다.

종래에는, 정(正)의 유전 이방성을 갖는 네마틱형 액정을, 액정 배향막을 갖는 투명전극이 부착된 기판에 샌드위치 구조로 만들고, 액정 분자의 장축이 기판 간에 90。 이상 연속적으로 비틀 수 있도록 만든 TN(Twisted Nematic)형, STN(Super Twisted Nematic)형 액정셀을 갖는 액정표시 소자가 알려져 있다.

상기, 액정셀에서의 액정을 배향시키는 수단은, 기판 표면에 유기막을 형성하고, 이어서 그 유기막 표면을 레이욘 등의 천으로 한 방향으로 문질러서 액정 배향성을 부여하는(러빙 처리를 실시) 방법, 기판 표면에 산화 규소를 사방(斜方) 증착하는 방법, 랑뮤어 블로젯법(LB법)을 사용하여 장쇄 알킬기를 갖는 분자막을 형성하는 방법 등이 있으나, 처리하는 기판의 사이즈에 제약이 있거나, 처리 시간이나 처리 비용 면에서 공업적으로는 러빙처리에 의한 액정의 배향이 일반적이다.

그러나, 액정의 배향을 러빙처리에 의해 실시하면, 러빙처리 공정 중에 정전기가 발생하기 쉬워지는 문제가 있다. 정전기가 발생하면, 배향막 표면에 먼지가 부착하여, 표시 불량이 발생하는 원인이 되고, 또한, TFT(thin film transister) 소자를 갖는 액정셀인 경우, 발생한 정전기에 의해 TFT 소자의 회로 파괴가 일어나고, 수율 저하의 원인이 되기도 한다. 또한, 현재 점점 고정밀 미세화되는 액정표시 소자에 있어서는 화소 밀도가 높아지기 때문에 러빙처리의 균일성이 문제가 된다.

또, 상기 문제를 해결하기 위하여, 폴리비닐신나메이트를 배향막에 사용하여, 직선편광 광선을 조사시켜 액정 분자를 배향시키는 방법 (Jpn. J. Appl. Phys., 21, 2155 - 2164 (1992) 참조)이 제안되어 있으나, 수득되는 프리틸트 각이 작으므로, 전압 인가시에 액정표시 소자에 배향 불량이 생긴다는 문제가 생긴다.

본 발명의 목적은 정전기가 발생하지 않고, 생산성도 우수한 액정 배향능을 구비한 액정 배향막의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 종래의 문제점을 해결하여, 러빙 처리를 실시하지 않고, 동시에 높은 표시 품위의 액정 배향막의 제조 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적 및 이점은 아래의 설명에 의해 분명해질 것이다.

본 발명에 의하면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은 액정분자를 수직 배향시키는 박막을 기판 상에 형성하는 공정 및 이 형성된 박막에 직선편광 광선을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 배향막의 제조 방법에 의해 달성된다.

< 발명의 실시의 형태 >

이하, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다.

본 발명의 액정 배향막은 액정 분자를 수직 배향시키는 박막으로 이루어진다. 이와 같은 박막을 형성하는 재료로서는 분지쇄상 또는 직쇄상 알킬 골격, 불소 원자 및 지환식 골격으로부터 선택되는 적어도 하나의 골격을 함유하는 폴리아미도이미드산, 그 이미드화 중합체, 폴리아미드, 폴리아믹산, 그 이미드화 중합체, 아크릴 수지 및 실리콘 수지, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서 특히, 아래에 표시되는 유기기 중 적어도 하나의 유기기(이하, " 특정 유기기 "라 한다.)를 함유하는 폴리아믹산 및(또는) 그 이미드화 중합체가 장기간에 걸쳐 양호한 액정의 배향성을 나타내어 바람직하다.

① 주쇄 또는 측쇄에 탄소수 4 이상의 분지쇄상 또는 직쇄상 알킬 골격을 갖는 방향족기.

② 불소 원자를 갖는 유기기.

③ 주쇄 또는 측쇄에 탄소수 4 이상의 지환식 골격을 갖는 방향족기.

상기 폴리아믹산 및 그 이미드화 중합체는 예를 들면, 테트라카르복시산 2 무수물과 디아민 화합물을 유기용매 중에서 반응시켜, 또는 이것을 다시 필요에 따라 탈수 폐환하여 합성할 수 있다. 이 때, 특정 유기기를 갖는 테트라카르복시산 2 무수물 및(또는) 디아민 화합물을 사용함으로써, 액정 분자를 수직 배향시키는 박막을 형성하는 폴리아믹산 또는 그 이미드화 중합체를 합성할 수 있다.

[테트라카르복시산 2 무수물]

상기 폴리아믹산의 합성에 사용되는, 특정 유기기를 갖는 테트라카르복시산 2 무수물로서 예를 들면, 1, 4-부탄디올-비스(안히드로트리멜리테이트), 1, 6-헥산디올-비스(안히드로트리멜리테이트), 1, 8-옥탄디올-비스(안히드로트리멜리테이트), 1, 10-데칸디올-비스(안히드로트리멜리테이트), 1, 12-도데칸디올-비스(안히드로트리멜리테이트) 등의 분지쇄상 또는 직쇄상 알킬 골격을 갖는 방향족 테트라카르복시산 2 무수물 ;

3, 3', 4, 4'-퍼플루오로이소프로필리덴디프탈산 2 무수물 등의 불소 원자를 갖는 테트라카르복시산 2 무수물 ;

1, 4-시클로헥산디올-비스(안히드로트리멜리테이트), 3, 6-비스(안히드로트리멜리테이트)콜레스탄, 아래 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 등의 지환식 골격을 갖는 방향족 테트라카르복시산 2 무수물이 있다. 이들은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.

또한, 상기 폴리아믹산의 합성에 있어서는, 상기 특정 유기기를 갖는 테트라카르복시산 2 무수물 및(또는) 특정 유기기를 갖는 디아민과 병용하여, 그 외의 테트라카르복시산 2 무수물을 사용할 수 있다.

이들 그 외의 테트라카르복시산 2 무수물로서는 예를 들면, 부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 3-디메틸-1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 3-디클로로-1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 2, 3, 4-시클로펜탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 2, 4, 5-시클로헥산테트라카르복시산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-디시클로헥실테트라카르복시산 2 무수물, 2, 3, 5-트리카르복시시클로펜틸아세트산 2 무수물, 3, 5, 6-트리카르복시노르보르난-2-아세트산 2 무수물, 2, 3, 4, 5-테트라히드로푸란테트라카르복시산 2 무수물, 5-(2, 5-디옥소테트라히드로푸랄)-3-메틸-3-시클로헥센-1, 2-디카르복시산 2 무수물, 비시클로[2. 2. 2]-옥트-7-엔-2, 3, 5, 6-테트라카르복시산 2 무수물 등의 지방족 또는 지환식 테트라카르복시산 2 무수물;

1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-5-메틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-5-에틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-7-메틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c] 푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-7-에틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-8-메틸-5-( 테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-8-에틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 하기 식 (I)으로 표시되는 화합물 및 하기 식 (II)로 표시되는 화합물 등의 방향환을 갖는 지방족 테트라카르복시산 2 무수물 ;

식 중, R¹ 및 R³은, 방향환을 갖는 2 가의 유기기이고, R²및 R⁴는 수소 원자 또는 알킬기이며, 복수로 존재하는 R²및 R⁴는 각각 같거나 달라도 좋다.

피로멜리트산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'- 벤조페논테트라카르복시산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-비페닐술폰테트라카르복시산 2 무수물, 1, 4, 5, 8-나프탈렌테트라카르복시산 2 무수물, 2, 3, 6, 7-나프탈렌테트라카르복시산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-비페닐에테르테트라카르복시산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-디메틸디페닐실란테트라카르복시산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-테트라페닐실란테트라카르복시산 2 무수물, 1, 2, 3, 4-푸란테트라카르복시산 2 무수물, 4, 4'-비스(3, 4-디카르복시페녹시)디페닐술피드 2 무수물, 4, 4'-비스(3, 4-디카르복시페녹시)디페닐술폰 2 무수물, 4, 4'-비스(3, 4-디카르복시페녹시)디페닐프로판 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-비페닐테트라카르복시산 2 무수물, 비스(프탈산)페닐포스핀옥사이드 2 무수물, p-페닐렌-비스(트리페닐프탈산) 2 무수물, m-페닐렌-비스(트리페닐프탈산) 2 무수물, 비스(트리페닐프탈산)-4, 4'-디페닐에테르 2 무수물, 비스(트리페닐프탈산)-4, 4'-디페닐메탄 2 무수물, 에틸렌글리콜-비스(안히드로트리멜리테이트), 프로필렌글리콜-비스(안히드로트리멜리테이트), 2, 2-비스(4-히드록시페닐)프로판-비스(안히드로트리멜리테이트) 등의 방향족 테트라카르복시산 2 무수물을 들 수 있다. 이들은 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.

이들의 그 외의 테트라카르복시산 2 무수물 중, 부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 3-디메틸-1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 2, 3, 4-시클로펜탄테트라카르복시산 2 무수물, 2, 3, 5-트리카르복시시클로펜틸아세트산 2 무수물, 5-(2, 5-디옥소테트라히드로푸랄)-3-메틸-3-시클로헥센-1, 2-디카르복시산 2 무수물, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-8-메틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 비시클로[2, 2, 2]-옥트-7-엔-2, 3, 5, 6-테트라카르복시산 2 무수물, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 피로멜리트산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-벤조페논테트라카르복시산 2 무수물, 3, 3', 4, 4'-비페닐술폰테트라카르복시산 2 무수물, 1, 4, 5, 8-나프탈렌테트라카르복시산 2 무수물, 아래 화학식 4 내지 6으로 표시되는 화합물 및 아래 화학식 7로 표시되는 화합물이 양호한 액정 배향성을 발현할 수 있다는 관점에서 바람직하며, 특히 바람직한 것으로는 1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 1, 3-디메틸-1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물, 2, 3, 5-트리카르복시시클로펜틸아세트산 2 무수물, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 1, 3, 3a, 4, 5, 9b-헥사히드로-8-메틸-5-(테트라히드로-2, 5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1, 2-c]푸란-1, 3-디온, 피로멜리트산 2 무수물 및 아래 화학식 4로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

[디아민 화합물]

상기 폴리아믹산의 합성에 사용되는, 특정 유기기를 갖는 디아민 화합물로서는 예를 들면, 3, 5-디아미노벤조산 옥타데실, 1, 4-비스(4-아미노페녹시)부탄, 1, 6-비스(4-아미노페녹시)헥산, 1, 8-비스(4-아미노페녹시)옥탄, 1, 10-비스(4-아미노페녹시)데칸, 1, 12-비스(4-아미노페녹시)도데칸 등의 분지상 또는 직쇄상 알킬 골격을 갖는 방향족 디아민 ;

2, 2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 4, 4'-디아미노-2, 2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐, 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2, 2'-비스[4-(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 4, 4'-비스[4-(4-아미노-2-트리플루오로메틸)페녹시]옥타플루오로비페닐 및 아래 화학식 8로 표시된는 화합물 등의 불소 원자를 갖는 디아민 ;

1, 4-비스(4-아미노페녹시) 시클로헥산 및 아래 화학식 9 내지 15로 표시되는 화합물 등의 지환식 골격을 갖는 방향족 디아민을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

상기 폴리아믹산의 합성에 있어서는, 상기 특정 유기기를 갖는 테트라카르복시산 2 무수물 및(또는) 상기 특정 유기기를 갖는 디아민을 병용하여, 그 외의 디아민을 사용할 수 있다. 이들 그 외의 디아민으로서는 예를 들면, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4, 4'-디아미노디페닐메탄, 3, 4'-디아미노디페닐메탄, 3, 3'-디아미노디페닐메탄, 3, 5-디아미노벤조산, 4, 4'-디아미노디페닐에탄, 4, 4'-디아미노디페닐술폰, 4, 4'-디아미노디페닐에테르, 4, 4'-디아미노디페닐술피드, 1, 5-디아미노나프탈렌, 3, 3-디메틸-4, 4'-디아미노비페닐, 5-아미노-1-(4'-아미노페닐)-1, 3, 3-트리메틸인단, 6-아미노-1-(4'-아미노페닐)-1, 3, 3-트리메틸인단, 4, 4'-디아미노벤즈아닐리드, 3, 4'-디아미노디페닐에테르, 3, 3'-디아미노벤조페논, 3, 4'-디아미노벤조페논, 4, 4'-디아미노벤조페논, 2, 7-디아미노플루오렌, 4, 4'-메틸렌-비스(2-클로로아닐린), 2, 2', 5, 5'-테트라클로로-4, 4'-디아미노비페닐, 2, 2'-디클로로-4, 4'-디아미노-5, 5'-디메톡시비페닐, 3, 3'-디메톡시-4, 4'-디아미노비페닐, 2, 2-비스[ 4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 1, 4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4, 4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 1, 3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1, 3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 9, 9-비스(4-아미노페닐)-10-히드로안트라센, 9, 9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4, 4'-(p-페닐렌디이소프로필리덴)비스아닐린, 4, 4'-(m-페닐렌디이소프로필리덴)비스아닐린 등의 방향족 디아민 ;

디아미노테트라페닐티오펜 등의 방향환에 결합된 2 개의 아미노기와 상기 아미노기의 질소 원자 이외의 헤테로 원자를 갖는 방향족 디아민 ;

1, 1-메타크실렌디아민, 1, 3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1, 4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1, 2-에틸렌디아민,1, 3-프로판디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 노나메틸렌디아민, 4, 4-디아미노헵타메틸렌디아민, 1, 4-디아미노시클로헥산, 1, 2-디아미노시클로헥산, 1, 3-디아미노시클로헥산, 이소포론디아민, 테트라히드로디시클로펜타디에닐렌디아민, 헥사히드로-4, 7-메타노인다닐렌디메틸렌디아민, 트리시클로[6. 2. 1. 0^2.7]-운데실렌디메틸디아민, 4, 4'-메틸렌비스(시클로헥실아민) 등의 지방족 또는 지환식 디아민;

1, 1-메타크실렌디아민,1, 3-프로판디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 노나메틸렌디아민, 4, 4-디아미노헵타메틸렌디아민, 1, 4-디아미노시클로헥산, 이소포론디아민, 테트라히드로디시클로펜타디에닐렌디아민, 헥사히드로-4, 7-메타노인다닐렌디메틸렌디아민, 트리시클로[6. 2. 1. 0^2.7]-운데실렌디메틸디아민, 4, 4'-메틸렌비스(시클로헥실아민) 등의 지방족 또는 지환식 디아민 ;

아래 식 (III)으로 표시되는 모노치환 페닐렌디아민류:

(식 중, R⁵는 -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 및 -CO-로부터 선택되는 2 가의 유기기이고, R⁶은 스테로이드 골격 또는 트리플루오로메틸기를 갖는 1 가의 유기기이다.) ;

아래 식 (IV)으로 표시되는 디아미노오르가노실록산 ;

(식 중, R⁷은 탄소수 1 내지 12의 탄화 수소기이고, 복수로 존재하는 R⁷은, 각각 같거나 달라도 좋으며, p는 1 내지 3의 정수이고, q은 1 내지 20의 정수이다. )

아래 화학식 16으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 디아민 화합물은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

(식 중, z는 1 내지 5의 정수이다. )

이들 그외의 디아민 화합물 중, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4, 4'-디아미노디페닐메탄, 3, 4'-디아미노디페닐메탄, 3, 3'-디아미노디페닐메탄, 4, 4'-디아미노디페닐술피드, 1, 5-디아미노나프탈렌, 2, 7-디아미노플루오렌, 4, 4'-디아미노디페닐에테르, 2, 2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 9, 9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4, 4'-(p-페닐렌디이소프로필리덴)비스아닐린, 4, 4'-(m-페닐렌디이소프로필리덴)비스아닐린, 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 1, 4-디아미노시클로헥산, 1, 3-디아미노시클로헥산, 4, 4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 1, 4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4, 4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, m-크실렌디아민 및 상기 화학식 16으로 표시되는 화합물이 바람직하다.

[폴리아믹산]

폴리아믹산의 합성 반응에 제공되는 테트라카르복시산 2 무수물과 디아민 화합물의 사용 비율은, 총 디아민 화합물에 함유된 아미노기 1 당량에 대하여, 총 테트라카르복시산 2 무수물의 산무수물기가 0.2 내지 2 당량이 되는 비율이 바람직하며, 더욱 바람직하게는, 0.3 내지 1.2 당량이 되는 비율이다.

폴리아믹산의 합성 반응은 유기 용매 중에서 통상 0 내지 150 ℃, 바람직하게는 0 내지 100 ℃의 반응 온도에서 1 내지 48 시간에 걸쳐 실시된다. 상기 유기 용매로서는, 반응에서 생성되는 반응물을 용해시킬 수 있는 것이면, 특별한 제한은 없다. 예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈, N, N-디메틸아세트아미드, N, N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 테트라메틸요소, 헥사메틸포스포트리아미드 등의 비프로톤계 극성 용매 ; m-크레졸, 크실레놀, 페놀, 할로겐화 페놀 등의 페놀계 용매를 들 수 있다. 유기 용매의 사용량은 통상, 테트라카르복시산 2 무수물 및 디아민 화합물의 총량이, 반응 용액의 전량에 대하여 0.1 내지 30 중량 %가 되도록 하는 것이 바람직하다.

또, 상기 유기 용매에는 폴리아믹산의 빈용매인 알코올류, 케톤류, 에스테르류, 에테르류, 할로겐화 탄화 수소류, 탄화 수소류 등을, 생성되는 폴리아믹산이 석출되지 않은 범위에서 병용할 수 있다. 이와 같은 빈용매로서는, 예를 들면, 메틸 알콜, 에틸 알콜, 이소프로필 알콜, 시클로헥산올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 1, 4-부탄디올, 트리에틸렌 글리콜, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 옥살산 디에틸, 말론산 디에틸, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르, 에틸렌글리콜 메틸페닐에테르, 에틸렌글리콜 에틸페닐에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-에틸프로피온산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 히드록시아세트산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산 메틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 3-에틸-3-메톡시부탄올, 2-메틸-2-메톡시부탄올, 2-에틸-2-메톡시부탄올, 3-메틸-3-에톡시부탄올, 3-에틸-3-에톡시부탄올, 2-메틸-2-메톡시부탄올, 2-에틸-2-에톡시부탄올, 테트라히드로푸란, 디클로로메탄, 1, 2-디클로로에탄, 1, 4-디클로로부탄, 트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 헥산, 헵탄, 옥탄, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.

이상의 합성 반응에 의해, 폴리아믹산을 용해하여 이루어진 반응 용액이 수득된다. 그리하여, 이 반응액을 대량의 빈용매 중에 가하여 석출물을 얻고, 이 석출물을 감압 건조함으로써 폴리아믹산을 수득할 수 있다. 또한, 이 폴리아믹산을 다시 유기 용매에 용해시키고, 이어서 빈용매로 석출하는 공정을 1 회 또는 수회 실시함으로써 폴리아믹산의 정제를 실시할 수 있다.

[이미드화 중합체]

본 발명의 액정 배향막을 구성하는 이미드화 중합체는, 상기 폴리아믹산을 탈수 폐환함으로써 조제할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서, "이미드화 중합체"는 폴리이미드 및(또는) 폴리이소이미드를 의미한다. 폴리아믹산의 탈수폐환은 (i) 폴리아믹산을 가열하는 방법에 의해, 또는 (ii) 폴리아믹산을 유기 용매에 용해시키고 이 용액 중에 탈수제 및 탈수폐환 촉매를 첨가하여 필요에 따라 가열하는 방법에 의해 실시된다.

상기 (i)의 폴리아믹산을 가열하는 방법에서의 반응 온도는 통상 50 내지 200 ℃이며, 바람직하게는 60 내지 170 ℃이다. 반응 온도가 50 ℃ 미만에서는 탈수 폐환 반응이 충분히 진행되지 않으며, 반응 온도가 200 ℃를 초과하면 수득되는 이미드화 중합체의 분자량이 저하될 수도 있다.

한편, 상기 (ii)의 폴리아믹산의 용액 중에 탈수제 및 탈수폐환 촉매를 첨가하는 방법에 있어서, 탈수제로서는 예를 들면, 무수아세트산, 무수프로피온산, 무수트리플루오로아세트산 등의 산 무수물을 사용할 수 있다. 탈수제의 사용량은 중합체 A의 반복 단위 1 몰에 대하여 0.01 내지 20 몰이 바람직하다. 또한, 탈수폐환 촉매로서는 예를 들면, 피리딘, 콜리딘, 루티딘, 트리에틸아민 등의 3 급 아민을 사용할 수 있다. 그러나, 이것으로 한정되는 것은 아니다.

탈수폐환 촉매의 사용량은, 사용하는 탈수제 1 몰에 대하여 0.01 내지 10 몰이 바람직하다. 또, 탈수폐환 반응에 사용되는 유기 용매로서는, 폴리아믹산의 합성에 사용되는 것으로 예시한 유기 용매를 들 수 있다. 그리고, 탈수폐환 반응의 반응 온도는 통상 0 내지 180 ℃, 바람직하게는 10 내지 150 ℃이다. 또한, 이와 같이하여 수득되는 반응 용액에 대하여, 폴리아믹산의 정제 방법과 동일한 조작을 실시함으로써 이미드화 중합체를 정제할 수 있다.

[말단 수식형의 중합체]

본 발명의 액정 배향막을 구성하는 폴리아믹산 및(또는) 이미드화 중합체는, 분자량이 조절된 말단 수식형의 것도 좋다. 이 말단 수식형의 중합체를 사용함으로써 본 발명의 효과를 손상시키지 않고, 중합체 용액으로 이루어지는 박막 형성제의 도포 특성 등을 개선할 수 있다. 이와 같은 말단 수식형의 것은 폴리아믹산을 합성할 때에, 산-무수물, 모노아민 화합물, 모노이소시아네이트 화합물 등을 반응계에 첨가함으로서 합성할 수 있다.

여기서, 산-무수물으로서 예를 들면, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 이타콘산, n-데실숙신산 무수물, n-도데실숙신산 무수물, n-테트라데실숙신산 무수물, n-헥사데실숙신산 무수물 등을 들 수 있다. 또, 모노아민 화합물으로서 예를 들면, 아닐린, 시클로헥실아민, n-부틸아민, n-펜틸아민, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민, n-운데실아민, n-도데실아민, n-트리데실아민, n-테트라데실아민, n-펜타데실아민, n-헥사데실아민, n-헵타데실아민, n-옥타데실아민, n-에이코실아민 등을 들 수 있다. 또한, 모노이소시아네이트 화합물으로서는 예를 들면, 페닐이소시아네이트, 나프틸이소시아네이트 등을 들 수 있다.

[중합체의 대수 점도]

본 발명에 사용되는 박막 형성제를 구성하는 중합체는, 그 대수 점도 (η1n)의 값이 바람직하게는 0.05 내지 10 ㎗ / g, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎗ / g 이다. 여기서, 대수 점도 (η1n)의 값은, N-메틸-2-피롤리돈을 용매로서 사용하여, 중합체의 농도가 0.5 g /100 ㎖ 인 용액에 대하여 30 ℃에서의 점도를 측정하며, 아래 수학식 1로 표시되는 식에 의해 구해지는 것이다.

<수학식 1>

[박막 형성제]

본 발명에 사용되는 박막 형성제에 있어서의 중합체의 함유 비율은, 점성, 휘발성 등을 고려하여 선택되지만, 바람직하게는 박막 형성제 전체에 대하여 0.1 내지 20 중량 %, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 중량 %의 범위이다. 즉, 중량체 용액으로 이루어지는 박막 형성제는, 인쇄법, 스핀 코트법 등에 의해 기판 표면에 도포하고, 이어서 이것을 건조함으로써 배향막 재료인 박막이 형성되는 것이지만, 중합체의 함유 비율이 0.1 중량 % 미만인 경우에는, 이 박막의 막 두께가 지나치게 작게 되어 양호한 액정 배향막을 수득할 수 없는 경우가 있으며, 20 중량%를 초과하는 경우에는 박막의 막 두께가 지나치게 두꺼워져서 양호한 액정 배향막을 얻기 어렵고, 또한, 박막 형성제의 점도가 증대하여 도포 특성이 떨어지는 경우가 있다.

중합체를 용해시키는 유기 용매로서는, 중합체를 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 폴리아믹산의 합성 반응이나 탈수폐환 반응에 사용되는 것으로서 예시한 용매를 들 수 있다. 또한, 폴리아믹산의 합성 반응시에 병용할 수 있는 것으로서 예시한 빈용매도 적절히 선택하여 병용할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 박막 형성제에는, 중합체와 도포되는 기판 표면과의 접착성을 향상시키는 관점에서, 관능성 실란 함유 화합물이나 에폭시기 함유 화합물이 배합되어도 좋다. 이와 같은 관능성 실란 함유 화합물로서는, 예를 들면, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, N-트리메톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, 10-트리메톡시실릴-1, 4, 7-트리아자데칸, 10-트리에톡시실릴-1, 4, 7-트리아자데칸, 9-트리메톡시실릴-3, 6-디아자노닐아세테이트, 9-트리에톡시실릴-3, 6-디아자노닐아세테이트, N-벤질-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-벤질-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.

또, 에폭시기 함유 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 1, 6-헥산디올 디글리시딜에테르, 글리세린 디글리시딜에테르, 2, 2-디브로모네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 1, 3, 5, 6-테트라글리시딜-2, 4-헥산디올, N, N, N', N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 1, 3-비스(N, N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산 등을 바람직한 것으로 들 수 있다.

이들 관능성 실란 함유 화합물이나 에폭시기 함유 화합물의 배합 비율은 중합체 100 중량부에 대하여 통상, 40 중량부 이하, 바람직하게는 0.1 내지 30 중량부이다.

[액정 표시 소자]

본 발명을 이용하여 예를 들어 아래의 방법에 의해 액정 표시 소자를 제조할 수 있다.

(1) 패터닝(pattern)된 투명 도전막이 설치된 기판의 투명 도전막에, 상기 박막 형성제를 예를 들면, 롤코터법, 스피너법, 인쇄법 등의 방법에 의해 도포하고, 이어서 도포면을 가열함으로서 박막을 형성한다. 여기에 기판으로서는 예를 들면, 플로트 유리, 소다 유리 등의 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트 등의 플라스틱 필름으로 이루어진 투명 기판을 사용할 수 있다. 기판의 일면에 설치된 투명 도전막으로서는, SnO₂로 제조되는 NESA막, In₂O₃ - SnO₂로 제조되는 ITO막 등을 사용할 수 있다. 이들의 투명 도전막의 패터닝에는 포토·에칭법, 미리 마스크를 사용하는 방법 등이 사용된다.

박막 형성제를 도포할 때에는, 기판 및 투명 도전막과 도막과의 접착성을 더욱 양호하게 하기 위하여, 기판 및 투명 도전막 상에 미리 관능성 실란 함유 화합물, 티타네이트 등을 도포할 수도 있다. 또한 가열 온도는, 80 내지 250 ℃이며, 바람직하게는 120 내지 200 ℃이다. 형성되는 박막의 막 두께는 통상 0.001 내지 1 ㎛, 바람직하게는 0.005 내지 0.5 ㎛이다.

(2) 이어서 형성된 박막에, 직선편광 광선을 조사하고, 경우에 따라서는 다시 150 내지 250 ℃의 온도에서 가열처리를 실시하여, 프리틸트 각이 제어된 액정 배향막을 형성한다. 본 발명에서 사용되는 광선은 150 nm 내지 450 nm의 파장을 갖는 것으로서, 그 중에서도 190 nm 내지 380 nm의 파장을 갖는 자외선이 바람직하다.

상기 광원으로서 예를 들면, 저압 수은 램프, 고압 수은 램프, 중수소 램프, 메탈할라이드 램프, 아르곤 공명 램프, 제논 램프, 제논-수은 램프, 엑시머 레이저 등이 사용된다.

직선편광 광선을 상기 박막에 조사하는데는, 상기 광원에서 조사된 광선을 편광판이나 글란 편광자를 박막과 광원 사이에 배치함으로서 달성된다.

박막으로의 직선편광 광선의 조사 각도는 통상, 박막 표면에 대하여 90。 미만이다. 조사 각도가 90。이면, 액정 분자의 프리틸트각의 방향을 제어할 수가 없다. 직선편광 광선의 조사 각도 및 조사 강도는 박막을 구성하는 중합체의 종류나 발현하고자 하는 프리틸트각의 크기 등에 의해 임의로 선택할 수 있다.

또한, 조사하는 직선편광 광선의 방향, 직선편광 광선의 각도 및 직선편광 광선의 조사 강도를 변화시켜, 박막에 복수회의 직선편광 광선을 조사함으로써 액정분자의 배향 방향과 프리틸트각을 액정배향막 면내에서 변화시켜, 액정표시 소자의 시야각 특성을 개선하는 것이 가능하다.

(3) 상기와 같이 하여 직선편광 광선을 조사한 액정 배향막 형성 기판을 2 장 제작하고, 각각의 액정 배향막에 있어서의 편광축 방향이 직교 또는 역평행이 되도록, 2 장의 기판을 간극(셀 갭)을 두고 대향시켜, 2 장의 기판의 주변부를 시일(seal)제를 사용하여 부착시키고, 기판의 표면 및 시일제에 의해 구획된 셀 갭내에 액정을 충전하여, 충전 구멍을 봉하여 액정셀을 구성한다. 그리하여, 액정셀의 외표면 즉, 액정셀을 구성하는 각각의 기판의 다른 면에, 편광판을 그 편광 방향이 당해 기판의 한 면에 형성된 액정 배향막의 편광축 방향과 일치 또는 직교하도록 부착시킴으로써 액정표시 소자가 수득된다.

상기 시일제로서는 예를 들면, 경화제 및 스페이서로서의 산화 알루미늄 구(球)를 함유한 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.

상기 액정으로서는, 네마틱형 액정, 스멕틱형 액정을 들 수 있으며, 그 중에서도 네마틱형 액정이 바람직하며, 예를 들면, 시프 베이스계 액정, 아조옥시계 액정, 비페닐계 액정, 페닐시클로헥산계 액정, 에스테르계 액정, 터페닐계 액정, 비페닐시클로헥산계 액정, 피리미딘계 액정, 디옥산계 액정, 비시클로옥탄계 액정, 큐반계 액정 등이 사용된다. 또한, 이들의 액정에, 예를 들면, 콜레스틸클로라이드, 콜레스테릴노나에이트, 콜레스테릴카보네이트 등의 콜레스테릭 액정이나 상품명 "C-15", "CB-15" (멜크사 제)로서 판매되고 있는 바와 같은 카이랄제 등을 첨가하여 사용할 수도 있다. 다시, p-데실옥시벤질리덴-p-아미노-2-메틸부틸신나메이트 등의 강유전성 액정도 사용할 수 있다.

또, 액정셀의 외측에 사용되는 편광판으로서는 폴리비닐알콜을 연신 배향하면서, 요오도를 흡수시킨 H막이라 불리어지는 편광막을 아세트산 셀룰로스 보호막으로 양측에서 보호한 편광판 또는 H막 그 자체로 이루어진 편광판 등을 들 수 있다.

<실시예>

이하, 본 발명을 실시예로서 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 제한되는 것은 아니다.

이하의 실시예 및 비교예에 의해 제작된 각 액정표시 소자에서의 평가 방법을 아래에 나타낸다.

[액정의 배향성]

액정표시 소자에 전압을 온·오프 했을 때의 액정셀 중의 이상 도메인의 유무를 편광 현미경으로 관찰하고, 이상 도메인이 없는 경우를 "양호"라 판단하였다.

[액정표시 소자의 프리틸트각]

액정표시 소자의 프리틸트각은, [T.J. Schffer et al. , J. Appl. Phys. , 19, 2013 (1980)]에 기재된 방법에 준하여, He-Ne 레이저광을 사용하는 결정 회전법에 의해 측정하였다.

합성예 1

2, 3, 5-트리카르복시시클로펜틸아세트산 2 무수물 224.17 g (1.00 몰) 및 상기 식 (12)로 표시되는 디아민 520.78 g (1.00 몰)을 N-메틸-2-피롤리돈 2800 g에 용해하여, 이 용액을 60 ℃에서 6 시간 반응시켰다. 이어서, 수득된 반응 용액을 많은 과잉의 순수에 주입하여 반응 생성물을 침전시겼다. 그 후, 고형분을 분리하여 순수로 세정하고, 감압 하의 40 ℃에서 15 시간 건조시킴으로써 대수 점도 (η1n) 0.76 ㎗ / g의 폴리아믹산 (A-1) 692.8 g을 수득하였다.

합성예 2

합성예 1에서 수득된 폴리아믹산 (A-1) 30.0 g을 N-메틸-2-피롤리돈 570 g에 용해하여, 피리딘 33.3 g 및 무수 아세트산 25.8 g을 첨가하여 110 ℃에서 3 시간 탈수 폐환시켰다. 이어서, 합성예 1과 동일하게 실시하여, 반응 생성물의 침전·분리·세정·건조를 실시함으로써 대수 점도 (η1n) 0.75 ㎗ / g의 이미드화 중합체 (B-1) 28.0 g을 수득하였다.

합성예 3

합성예 1에 있어서, 테트라카르복시산 2 무수물로서 1, 3-디메틸-1, 2, 3, 4-시클로부탄테트라카르복시산 2 무수물 224.17 g (1.00 몰)을 사용한 것 이외는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 대수 점도 (η1n) 0.68 ㎗ / g의 폴리아믹산 (A-2) 692.7 g을 수득하였다.

합성예 4

합성예 1에 있어서, 디아민으로서 3, 5-디아민 벤조산 옥타데실 404.64 (1.00 몰)을 사용한 것 이외는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 대수 점도 (η1n) 0.66 ㎗ / g의 폴리아믹산 (A-3) 565.8 g을 수득하였다.

실시예 1

(1) 박막 형성제의 조제

합성예 1에서 수득된 폴리아믹산 (A-1) 5.0 g을 N-메틸-2-피롤리돈에 용해시켜, 고형분 농도 4 중량 %의 용액으로 하고, 그 용액을 공경(孔徑) 1 ㎛의 필터로 여과하여, 박막 형성제를 조제하였다.

(2) 액정표시 소자의 제작

① 두께 1.1 mm의 유리 기판의 일면에 설치한 ITO막으로 이루어지는 투명 도전막 상에, 액정 배향막 도포용의 인쇄기를 사용하여 본 발명의 박막 형성제를 도포하고, 180 ℃에서 1 시간 건조함으로서 박막을 형성하였다.

② 형성된 박막 면에, 글란 편광자를 통하여 고압 수은 램프의 광선을, 박막에 대하여 45。의 각도로 조사하였다.

③ 상기와 같이 실시하여 직선편광 광선이 조사된 액정 배향막 형성 기판을 2장 제작하고, 각각의 기판의 외연부(外緣部)에, 17 ㎛의 산화 알루미늄 구(球)를 함유하는 에폭시 수지를 스크린 인쇄 도포한 후, 각각의 액정 배향막에서의 직선편광 광선의 편광축이 역병행 되도록 2 장의 기판을 간극을 두고 대향 배치하여, 외연부 끼리를 닿게 접촉시켜 압착하여 접착제를 경화시켰다.

④ 기판의 표면 및 외연부의 접착제에 의해 구획된 셀 갭 내에, 네막틱형 액정 [MLC-2001] (멜크 자판사제)을 주입 충전하고, 이어서, 주입공을 에폭시계 접착제로 봉하여 액정셀을 구성하였다. 그 후, 액정셀의 외표면에, 편광 방향이 상기 기판의 일면에 형성된 액정 배향막에서의 직선편광 광선의 편광축과 일치되도록 편광판을 부착시킴으로서, 액정표시 소자를 제작하였다.

직선편광 광선의 조사 에너지량 (254 nm에서의 측정)을 0 내지 10 J / ㎠로 변량한 경우의 액정표시 소자의 프리틸트각을 도 1 에 나타낸다. 또한, 직선편광 광선을 조사한 액정표시 소자의 액정 배향성은 모두 양호하였다.

실시예 2

실시예 1에 있어서, 폴리아믹산(A-1) 대신 이미드화 중합체(B-1)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 액정표시 소자를 제작하였다.

직선편광 광선의 조사 에너지량 (254 nm에서의 측정)을 0 내지 10 J / ㎠로 변량한 경우의 액정표시 소자의 프리틸트각을 도 2에 나타낸다. 또한, 직선편광 광선을 조사한 액정표시 소자의 액정 배향성은 모두 양호하였다.

실시예 3

실시예 1에 있어서, 폴리아믹산(A-1) 대신 폴리아믹산(A-2)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 액정표시 소자를 제작하였다.

직선편광 광선의 조사 에너지량 (254 nm에서의 측정)을 0 내지 10 J / ㎠로 변량한 경우의 액정표시 소자의 프리틸트각을 도 3에 나타낸다. 또한, 직선편광 광선을 조사한 액정표시 소자의 액정 배향성은 모두 양호하였다.

실시예 4

실시예 1에 있어서, 폴리아믹산(A-1) 대신 폴리아믹산(A-3)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 액정표시 소자를 제작하였다.

직선편광 광선의 조사 에너지량 (254 nm에서의 측정)을, 0 내지 10 J / ㎠로 변량한 경우의 액정표시 소자의 프리틸트각을 도 4 에 나타낸다. 또한, 직선편광 광선을 조사한 액정표시 소자의 액정 배향성은 모두 양호하였다.

참고예 1

실시예 1에 있어서, 폴리아믹산(A-1) 대신 폴리비닐신나메이트를 사용하고, 도막의 건조를 100 ℃에서 실시한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실시하여 액정표시 소자를 제작하였다.

직선편광 광선의 조사 에너지량 (254 nm에서의 측정)을 0 내지 10 J / ㎠로 변량한 경우의 액정표시 소자를 제작했으나, 프리틸트각은 발현하지 않고, 전압 인가시에 액정 분자의 배향 불량이 관찰되었다.

본 발명에 의하면, 러빙 처리를 실시하지 않고, 따라서 정전기가 발생하지 않으며, 동시에 높은 표시 품위의 액정표시 소자를 제공하는 액정 배향막을 제조하는 방법이 얻어진다.

본 발명의 액정 배향막의 제조 방법을 이용하여 제작한 액정표시 소자는, TN형 액정표시 소자를 위시하여, 사용되는 액정을 선택함으로서, IPS (In Plane Switching)형, STN (Super Twisted Nematic)형, SH (Super Homeotropic)형, OCB (Optically Compensated Birefringence)형, 강유전성 및 반강유전성의 액정표시 소자 등에도 바람직하게 사용할 수 있다.

다시, 본 발명의 방법에 의해 수득되는 액정 배향막을 갖는 액정표시 소자는, 액정의 배향막 및 신뢰성이 우수하며, 여러 장치에 유효하게 사용될 수 있으며, 예를 들면, 탁상 계산기, 손목 시계, 탁상 시계, 계수 표시판, 워드 프로세서, 퍼스널 컴퓨터 및 액정 텔레비젼 등의 표시 장치에 사용된다.

도 1은 실시예 1에서 프리틸트각의 직선편광 광선의 조사 에너지량 의존성을 나타낸다.

도 2는 실시예 2에서 프리틸트각의 직선편광 광선의 조사 에너지량 의존성을 나타낸다.

도 3은 실시예 3에서 프리틸트각의 직선편광 광선의 조사 에너지량 의존성을 나타낸다.

도 4는 실시예 4에서 프리틸트각의 직선편광 광선의 조사 에너지량 의존성을 나타낸다.

Claims

액정 분자를 수직 배향시키는 박막을 기판상에 형성하는 공정 및 이 형성된 박막에 직선편광 광선을 조사하는 공정을 포함하며,

박막을 형성하는 재료가 ① 주쇄 또는 측쇄에 탄소수 4 이상의 분지쇄상 또는 직쇄상 알킬 골격을 갖는 방향족기, ② 불소 원자를 갖는 유기기, 및 ③ 주쇄 또는 측쇄에 탄소수 4 이상의 지환식 골격을 갖는 방향족기로 이루어진 유기기 중 하나 이상의 유기기를 함유하는 테트라카르복시산 2 무수물과 디아민 화합물을 반응시켜 얻어지는 폴리아믹산 및 그 이미드화 중합체인 액정 배향막의 제조 방법.
제1항에 있어서, 디아민 화합물이 하기 화학식 9 내지 15로 표시되는 지환식 골격을 갖는 방향족 디아민인 액정 배향막의 제조 방법.

<화학식 9>

<화학식 10>

<화학식 11>

<화학식 12>

<화학식 13>

<화학식 14>

<화학식 15>
제1항 또는 제2항에 기재된 액정 배향막의 제조 방법에 의해 얻어진 액정 배향막을 구비하는 액정 표시 소자.