KR100471399B1 - 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법 - Google Patents

상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광전도성 고분자와 비선형 광학 고분자 및 전하 발생체를 포함하고 있으며, 광굴절 효율과 상안정성이 우수하고 가공이 용이한 광굴절 고분자 재료로써, 정보 저장 및 처리 그리고 영상 처리 장치의 재료로 응용 가능한 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 입사된 광을 전도하는 광전도성 고분자 물질과; 입사된 광을 굴절시켜 주는 선형 전기 광학 특성 고분자(비선형 광학 고분자) 물질과; 입사된 광에 반응하여 전하를 생성하는 전하 발생체와; 상기 조성물의 혼합물을 가소시켜 주는 가소제를 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물을 제공한다.

Description

상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법{Photorefractive Polymer Materials with High Stability And Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광전도성 고분자와 비선형 광학 고분자 및 전하 발생체를 포함하고 있으며, 광굴절 효율과 상안정성이 우수하고 가공이 용이한 광굴절 고분자 재료로써, 정보 저장 및 처리 그리고 영상 처리 장치의 재료로 응용 가능한 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
현재까지 개발되어 상용화된 광 기록 매체로는 ROM(read only memory)형인 CD, LD, DVD 및 WORM(write only read many)형의 CD-R 그리고, 소거(Erasable)형 등이 있다. 이들 광기록 매체는 기존의 자기 기록 매체에 비해 정보 저장 밀도가 높고, 기계적인 접촉이 없어 정보의 보존 능력이 우수한 장점이 있으나 근본적으로 2차원적인 정보 저장 방식이므로 이들 저장 매체의 저장 밀도는 조만간 그 한계에 도달할 것으로 예상되고 있다.
반면에 광굴절 고분자를 이용하여 정보를 저장하는 경우에는 전체 영상을 3차원 홀로그램 형식으로 저장하였다가 그대로 복원할 수 있기 때문에 정보 처리의 고속화가 가능하며, 정확한 브래그(Bragg) 각에서만 회절되는 빔에 의해 정보가 입력 및 출력되기 때문에 여러 각으로 입사하는 중첩에 의해 한 지점에 여러 개의 홀로그램을 기록할 수 있어서 정보 저장의 고밀도화가 가능하다.
따라서, 광굴절 고분자는 고밀도 정보 기억 소자뿐만 아니라 광 영상처리, 광통신, 컴퓨터 영상 전송, 광배선, 광스위치, 광필터 등에 응용될 수 있어 광굴절 고분자의 개발은 정보 통신의 발달에 크게 기여할 것으로 기대된다.
광굴절 고분자 물질은 광전도 특성과 선형 전기 광학 특성을 동시에 나타내는 물질이다. 두 개의 레이저빔이 광굴절 물질에서 교차되어 간섭될 때 매질에는 밝은 부분과 어두운 부분으로 이루어진 간섭 무늬가 생성된다. 광굴절 고분자는 광전도 특성을 나타내기 때문에 밝은 빛을 받은 부분에서는 전하가 생성되어 외부에서 가해주는 전기장이나 열적인 확산에 의해서 이동되고, 절연특성을 나타내는 어두운 부분을 만나게 되면 더 이상 이동하지 못하고 축적된다.
따라서, 두 빔에 의한 간섭 무늬 패턴과 어긋난 패턴으로 내부 전기장이 생성되고, 전장의 세기에 따라 굴절율의 세기가 변화하는 선형 전기 광학 특성에 의해서 광굴절 고분자의 굴절율이 내부 전기장의 세기에 따라 변화한다. 이렇게 변화된 굴절율은 광굴절 고분자의 열처리 등을 통해 고정됨으로써 정보가 저장된다.
광굴절 고분자가 광굴절 특성을 나타내기 위해서는 전하의 생성, 전달 기능과 비선형 전기 광학 특성을 나타내는 기능을 함께 필요로 하는데, 기존의 광굴절 고분자는 광전도성 고분자나 비선형 광학 고분자에 이들 각 특성을 나타내는 단분자 물질을 도입하는 복합체 형태와, 새로운 합성을 통해 하나의 고분자에 이들 기능을 모두 도입하는 경우로 크게 분류될 수 있다.
전자의 문제점은 시간에 따른 단분자의 상분리 및 결정화로 인한 광굴절 특성의 저하가 심각하다는 점이며, 후자는 최적의 조성을 맞추는 것이 어렵다는 문제점을 안고 있다.
광굴절 고분자가 기존의 자기 기록 방식의 정보 저장 매체를 대체하기 위해서는 정보 저장량이 테라비트(Terabit)급이 되어야 하며, 정보 저장 밀도는 최소한 10Gigabit/cm3(1024 ×1024 ×10000)이상이 되어야 한다. 또한, 정보의 기록 속도는 1Gigabit/sec 이상이 되어야 한다.
테라비트급의 정보 저장 매체는 10000번 정도의 홀로그램이 중첩되어야 하는 데 광굴절 물질의 회절 효율은 중첩된 홀로그램의 수의 제곱에 반비례하기 때문에 광굴절 효율이 높지 않으면 홀로그램을 여러 번 중첩할 수 없고 저장밀도도 낮아진다. 따라서, 우선적으로 광굴절 효율이 높은 광굴절 고분자를 개발하는 것이 매우 중요하다.
그러나, 기존의 연구 결과에 의하면 광굴절 고분자의 광굴절 효율을 높이기 위해서 광전도성 고분자에 비선형 광학 물질과 광감응 물질의 함량을 조절하여 복합체를 제조하는 경우 상분리로 인하여 광굴절 효율이 시간에 따라 감소하는 경향을 나타내며, 이는 기록 속도를 높이기 위하여 고분자의 주 사슬을 유연하게 설계하는 경우 더욱 심화되는 문제점을 안고 있다.
또한, 한번 기록된 정보는 재입력되기 전까지는 유지되어야 하는데, 광굴절 고분자는 사슬의 열운동에 의해 안정성이 취약한 약점을 가지고 있다. 그리고, 상분리 문제를 해결하기 위하여 하나의 고분자 사슬에 모든 기능을 포함하고 있는 고분자를 합성하는 경우 성분 조절이 어렵고 물성의 최적화가 용이하지 않은 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 그 목적은 본 발명은 광전도성 고분자와 비선형 광학 고분자 및 전하 발생체를 포함하여 조성됨으로써, 광굴절 효율과 상안정성이 우수하고 가공이 용이한 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 입사된 광을 전도하는 광전도성 고분자 물질과; 입사된 광을 굴절시켜 주는 선형 전기 광학 특성 고분자(비선형 광학 고분자) 물질과; 입사된 광에 반응하여 전하를 생성하는 전하 발생체를 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물을 제공한다.
그리고, 상기 광전도성 고분자 물질과 선형 전기 광학 특성 고분자 물질의 종류에 따라 필름 가공을 용이하게 하기 위한 가소성 확보를 위하여 상기 조성물의 혼합물을 가소시켜 주는 가소제를 더 포함한다.
상기 광전도성 고분자 물질은 5 ∼ 95중량%의 폴리비닐카바졸, 폴리실록산카바졸, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리알킬티오펜 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드 또는 공중합체 및 이들의 유도체로 이루어진다.
상기 선형 전기 광학 특성 고분자 물질은 5 ∼ 95중량%의 아조그룹이나 스틸벤그룹을 곁가지에 갖는 폴리메틸메타크레이트, 폴리우레탄 등으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드 또는 공중합체 및 이들의 유도체로 이루어진다.
여기서, 상기 광전도성 고분자 물질과 선형 전기 광학 특성 고분자 물질의 함량을 각각 5 ∼ 95중량%로 한정하는 이유는 다음과 같다.
광전도성 고분자 물질의 경우에 필름 형성을 위한 최소한의 양이 약 5중량%이며, 최대량의 한정을 95중량%로 하는 이유는 선형 전기 광학 특성 고분자 물질이 광전도성 고분자 물질과 혼합되어 선형 전기 광학 특성을 나타내기 위한 최소한의 함량이 5중량%로 한정되기 때문에 95중량%로 한정한 것이다.
선형 전기 광학 특성 고분자 물질의 경우에 선형 전기 광학 특성을 나타내기 위한 최소한의 함량이 5중량% 이상이어야 하기 때문에 하한치를 5중량%로 한정하였으며, 상한치는 혼합되는 광전도성 고분자 물질의 함량이 최소한 5중량%이상이 되어야만 필름 형성이 가능하기 때문에 95중량%로 한정하였다.
상기 전하 생성체는 0.05 ∼ 2.00중량%의 플루오린(buckminsterfullerene C60), TNF(2,4,7-trinitro-9-fluorenone) 등과 같이 광반응에 의하여 전하를 생성하는 물질 중에서 선택된 1종으로 이루어진다.
상기 전하 생성체의 함량을 0.05 ∼2.00중량%로 한정한 이유는 하한치보다 낮으면 전기 광학 특성이 나타나지 않으며, 상한치보다 많으면 전하 발생체간의 착체 현상으로 인하여 광전도성이 저하되기 때문이다.
상기 가소제는 40중량% 이하의 에틸카바졸(ethylcarbazole; ECZ); 디메틸(DMP), 디에틸(DEP), 디이소부틸(DIBP), 디부틸(DBP), 디헵틸(DHP), 디2-에틸헥실(DOP), 디이소옥틸(DIOP), 디n-옥틸(DnOP), 디노닐(DNP), 디이소데실(DIDP), 디트리데실(DTDP), 디시크로헥실(DCHP)의 프탈산 에스텔 중 어느 하나와; 부틸벤질(BBP), 부틸라울일(BLP), 메틸올레인(MOP)의 프탈산혼기에스텔 중 어느 하나와; 아디핀산디옥틸(DOA), 이디핀 산디이소데실(DIDA), 아제라이난디옥틸(DOZ), 세바신산디부틸(DBS), 세바신산디옥틸(DOS), 테트라히드로프탈산디옥틸(DOTP)의 지방족 2염기산 중의 어느 하나와; 에스텔, 디에틸렌글리콜디벤조에이트(DEDB), 디펜타엘리슬리톨헥산에스텔(707), 헥타에리슬리톨에스텔 등의 글리콜 중 어느 하나와; 에스텔, 올레인산부틸(BO), 아세틸리시놀산에틸(MAR), 염소화지방산메틸, 메톡시 염소화지방산 에틸(ISP-R)의 지방산 에스텔 중의 어느 하나와; 트리클레딜(TCP), 트리옥틸(TOP), 옥틸디페닐(2EDP), 트리페닐(TPP), 트리클로로에틸(TCEP), 클레딜디페닐(CDPP)의 인산에스텔 중 어느 하나 중에서 선택된 1종으로 이루어진다.
상기 가소제의 경우에 그 함량이 많을수록 필름의 기계적 물성이 저하되므로, 상기 상한치 범위 내에서 상기 광전도성 고분자 물질과 전기 광학 특성 고분자 물질의 종류에 따라서 적절한 성형성이 가능한 함량을 첨가하면 되며, 가소성이 충분한 고분자 물질의 경우에는 가소제를 첨가하지 않아도 된다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 입사된 광을 전도하는 광전도성 고분자 물질과, 입사된 광을 굴절시켜 주는 선형 전기 광학 특성 고분자(비선형 광학 고분자) 물질과, 입사된 광에 반응하여 전하를 생성하는 전하 발생체를 혼합 조성하여 조성물을 얻는 단계와; 상기 조성물을 공용매에 용해시켜 용액을 얻는 단계와; 상기 용액을 투명전극이 코팅된 투명 기판에 캐스팅하고, 상기 공용매를 증발시켜 혼합물을 얻는 단계와; 상기 혼합물을 고온에서 가압 성형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 제조 방법을 아울러 제공한다.
그리고, 상기 광전도성 고분자 물질과 선형 전기 광학 특성 고분자 물질의 종류에 따라 필름 가공을 용이하게 하기 위한 가소성 확보를 위하여 상기 혼합물을 조성할 때에 가소성을 높여주는 가소제를 추가적으로 더 포함하여 혼합한다.
상기 공용매는 클로로벤젠과 사이클로헥사논 중 적어도 1종이고, 상기 조성물은 상기 공용매에 대하여 5 ∼30중량% 비율로 용해되는데, 고분자 물질의 농도가 너무 묽으면 필름의 두께가 너무 얇게 형성되고, 농도가 너무 진하면 고른 두께를 가지는 필름을 형성하기 어렵다.
그리고, 상기 투명 전극은 인듐틴옥사이드이고, 상기 고온 가압 성형 단계는 상기 조성물을 조성하는 고분자 물질의 유리 전이 온도보다 높은 온도 즉, 약 120 ∼ 140℃의 열을 가하면서 프레싱하여 성형한다.
아래에 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
(a) 광전도성 고분자
본 발명에 사용되는 광전도성 고분자로는 폴리비닐카바졸, 폴리실록산카바졸, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리알킬티오펜 등에서 1종 혹은 2종 이상의 블랜드 또는 이들의 공중합체 및 그 유도체가 사용될 수 있으며, 바람직하기로는 폴리비닐카바졸, 폴리실록산카바졸 또는 폴리파라페닐렌비닐렌을 사용하는 것이 좋으며, 상기 광전도성 고분자 물질의 수평균 분자량은 10,000 ∼ 500,000인 것이 바람직하다.
(b) 선형 전기 광학 특성 고분자(비선형 광학 고분자)
본 발명에 사용되는 선형 전기 광학 특성 고분자로는 아조그룹이나 스틸벤그룹을 곁가지에 갖는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리우레탄 등으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드 또는 공중합체들이 사용될 수 있으며, 이 중 스틸바졸륨 염형의 색소를 곁가지에 갖고 있는 폴리우레탄을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 선형 광학 특성 고분자 물질의 수평균 분자량은 10,000 ∼300,000인 것이 바람직하다.
(c) 전하 생성체
본 발명에 사용되는 전하 생성체로는 플루오린(buckminsterfullerene; C60), TNF(2,4,7-trinitro-9-fluorenone)등이 사용될 수 있다.
(d) 가소제
본 발명에 사용되는 가소제로는 에틸카바졸(ethylcarbazole; ECZ), 부틸벤질프탈레이트(butyl benzyl phthalate; BBP)등이 사용될 수 있으며 상안정성을 위하여 함량이 적은 것이 바람직하다.
본 발명에 사용된 광굴절 고분자 샘플을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 일반적인 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 광굴절 고분자의 각 재료인 광전도성 고분자, 선형 전기 광학 고분자, 전하 생성체, 가소제 등을 적절한 비율로 공용매에 녹여서 제조된 용액을 투명 전극(인듐틴옥사이드가 스퍼터링되어 있는 유리판)위에 캐스팅하여 도포한 후 건조시켜 고온에서 압착하여 제조하는 방법을 이용한다.
1. 제 1, 2실시예
(a) 광전도성 고분자
본 발명의 제 1, 2실시예에 사용된 광전도성 고분자로는 수평균 분자량이 110,000인 폴리비닐카바졸이다.
(b) 선형전기광학 고분자
본 발명의 제 1, 2실시예에 사용된 선형 전기 광학 고분자는 수평균 분자량이 23,000이고, 중량 평균 분자량이 39,000인 아조벤젠기(Disperse red 1)를 곁가지에 갖는 폴리메틸메타크릴레이트 계열의 고분자(화학식 1 참조), 또는 수평균 분자량이 12,000인 스틸바졸륨 염형의 색소(헤미시아닌형 색소: hemicyanine dye)를 곁가지에 갖는 폴리우레탄 계열의 고분자(화학식 2 참조)이다.
(c) 전하생성체
본 발명의 제 1, 2실시예에 사용된 전하 생성체는 플루오린(buckminster fullerene; C60)이다.
(d) 가소제
본 발명의 제 1, 2실시예에 사용된 가소제는 에틸카바졸(ethyl carbazole)이다.
본 발명의 제 1, 2실시예에 따른 실시예 1, 2와 비교 실시예 A, B의 비교는 다음과 같다.
아래의 표 1에 나타난 조성으로 광굴절 고분자 샘플을 제조하고, 이득 계수를 측정하여 표 1에 나타내었다. 광굴절 고분자 물질을 조성하기 위하여 광전도성 고분자 물질은 폴리비닐카바졸, 선형 전기 광학 특성 고분자 물질로는 폴리메타크릴레이트 그라프트 디스퍼스 레드 원(Disperse Red 1)의 블랜드, 전하 생성체로는 플루오린(C60), 가소제로는 에틸카바졸을 표 1에 나타낸 것과 같은 양으로 첨가하고 공용매인 클로로벤젠에 20중량%로 녹여 제조된 균일한 용액을 투명전극인 인듐틴옥사이드가 스퍼터링되어 있는 유리판 위에 캐스팅 하여, 공용매를 증발시킨 후 140℃에서 고온으로 프레싱하여 제조하였다.
제조된 광굴절 고분자 샘플을 40V/㎛ 세기의 외부 전장을 가하여 접촉 폴링한 후, 이광파 혼합 실험 장치를 이용하여 광굴절 고분자 시료의 광굴절 특성을 측정하였다.
그리고, 표 2에는 상기 제 1, 2실시예에 대한 비교 실시예 A, B로써, (a) 폴리비닐카바졸과 (b) 디스퍼스 레드 원 (c) 플루오린 및 (d) 에틸 카바졸로 이루어진 광 굴절 복합체에 대한 광굴절 특성을 상기 방법과 같이 측정하여 나타내었다.
실시예 1 실시예 2
(a) 폴리비닐카바졸(중량%) 63.1 63.1
(b) 선형전기광학고분자(중량%) 16.7 16.7
(c) C60(중량%) 0.2 0.2
(d) 가소제 (중량%) 20 20
제조후 측정일까지 소요시간 1일 15일
이득계수(cm-1) 10.5 10.2
비교 실시예 A 비교 실시예 B
(a) 폴리비닐카바졸(중량%) 74.8 74.8
(b) Disperse Red 1(중량%) 5 5
(c) C60(중량%) 0.2 0.2
(d) 가소제 (중량%) 20 20
제조후 측정일까지 소요시간 1일 15일
이득계수(cm-1) 4.2 3.5
2. 제 3실시예
표 3에 나타난 조성으로 광굴절 고분자 샘플을 제조하고, 이득 계수를 측정하여 표 3에 나타내었다. 광굴절 고분자 물질은 (a)폴리비닐카바졸과 (b) 폴리우레탄 그래프트 헤미시아닌형 색소의 블랜드에 (c) 플루오린 및 (d) 에틸 카바졸을 표 3에 나타낸 것과 같은 양으로 첨가하고, 공용매인 클로로벤젠/사이클로헥사논에 20중량%로 녹여 제조된 균일한 용액을 인듐틴옥사이드가 스퍼터링되어 있는 유리판 위에 캐스팅하여 공용매를 증발시킨 후 120℃에서 고온으로 프레싱하여 제조하였다.
제조된 광굴절 고분자 샘플을 40V/㎛ 세기의 외부 전장을 가하여 접촉 폴링한 후 이광파 혼합 실험 장치를 이용하여 광굴절 고분자 시료의 광굴절 특성을 측정하였다.
상기한 방식으로 제조된 광굴절 고분자 샘플의 광굴절 특성을 비교하여 보면 광전도성 고분자와 선형 전기 광학 고분자를 블랜드한 경우가(표 1) 광전도성 고분자와 단분자인 선형 전기 광학 염료로 복합체를 이룬 경우보다(표 2) 시간에 따른 광굴절 특성의 안정성이 높은 것으로 나타났다.
그리고, 광전도성 고분자와 선형 전기 광학 고분자의 광굴절 특성은 선형 전기 광학 고분자를 변화시킴으로써 향상 가능하다는 것을 확인할 수 있었다(표 3).
이로 인하여 상기 방식으로 제조된 광굴절 고분자 블랜드 물질은 상안정성이 기존의 광굴절 고분자 복합체에 비해 우수하여 광정보 저장 매체나 영상 처리 매체용 재료로써 유용하게 사용될 수 있을 것으로 판단된다.
실시예 1 실시예 3
(a) 폴리비닐카바졸(중량%) 63.1 63.1
(b) 선형전기광학고분자(중량%) 16.7 16.7
(c) C60(중량%) 0.2 0.2
(d) 가소제 (중량%) 20 20
이득계수(cm-1) 10.5 54.5
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명은 광굴절 효율과 상안정성이 우수하며, 가공이 용이하여 정보 저장 및 처리, 영상 처리 분야 등에 응용할 수 있다.
특히, 본 발명을 차세대 저장 매체인 홀로그램을 이용한 정보 저장 매체에 응용할 경우 하드디스크나 기존의 광기록 매체에 비해 월등히 향상된 기록 밀도 및 데이터 보존 안정성을 제공한다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

Claims (14)

  1. 폴리비닐카바졸, 폴리실록산카바졸, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리알킬티오펜 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드, 상기 중에서 선택된 2종 이상의 공중합체 또는 그 유도체 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어진 광전도성 물질과;
    아조그룹과 스틸벤그룹 중 어느 하나를 곁가지에 갖는 폴리메틸메타크레이트, 폴리우레탄 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드, 상기 중에서 선택된 2종 이상의 공중합체 또는 그 유도체 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어진 선형 전기 광학 물질과;
    플루오린(buckminsterfullerene; C60), TNF(2,4,7-trinitro-9-fluorenone) 중에서 선택된 1종으로 이루어진 전하 발생체와;
    가소제를 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물.
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  7. 제 1항에 있어서, 상기 가소제는 에틸카바졸(ethylcarbazole; ECZ); 디메틸(DMP), 디에틸(DEP), 디이소부틸(DIBP), 디부틸(DBP), 디헵틸(DHP), 디2-에틸헥실(DOP), 디이소옥틸(DIOP), 디n-옥틸(DnOP), 디노닐(DNP), 디이소데실(DIDP), 디트리데실(DTDP), 디시크로헥실(DCHP)의 프탈산 에스텔 중 어느 하나와; 부틸벤질(BBP), 부틸라울일(BLP), 메틸올레인(MOP)의 프탈산혼기에스텔 중 어느 하나와; 아디핀산디옥틸(DOA), 이디핀 산디이소데실(DIDA), 아제라이난디옥틸(DOZ), 세바신산디부틸(DBS), 세바신산디옥틸(DOS), 테트라히드로프탈산디옥틸(DOTP)의 지방족 2염기산 중 어느 하나와; 에스텔, 디에틸렌글리콜디벤조에이트(DEDB), 디펜타엘리슬리톨헥산에스텔(707), 헥타에리슬리톨에스텔 등의 글리콜 중 어느 하나와; 에스텔, 올레인산부틸(BO), 아세틸리시놀산에틸(MAR), 염소화지방산메틸, 메톡시 염소화지방산 에틸(ISP-R)의 지방산 에스텔 중의 어느 하나와; 트리클레딜(TCP), 트리옥틸(TOP), 옥틸디페닐(2EDP), 트리페닐(TPP), 트리클로로에틸(TCEP), 클레딜디페닐(CDPP)의 인산에스텔 중 어느 하나 중에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물.
  8. 폴리비닐카바졸, 폴리실록산카바졸, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리알킬티오펜 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드, 상기 중에서 선택된 2종 이상의 공중합체 또는 그 유도체 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어진 광전도성 물질과, 아조그룹과 스틸벤그룹 중 어느 하나를 곁가지에 갖는 폴리메틸메타크레이트, 폴리우레탄 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 블랜드, 상기 중에서 선택된 2종 이상의 공중합체 또는 그 유도체 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어진 선형 전기 광학 물질과, 플루오린(buckminsterfullerene; C60), TNF(2,4,7-trinitro-9-fluorenone) 중에서 선택된 1종으로 이루어진 전하 발생체와, 가소제를 혼합 조성하여 조성물을 얻는 단계와;
    상기 조성물의 필름 가공성을 높이기 위한 가소성 확보를 위하여 상기 조성물을 가소시켜 주는 가소제를 혼합하여 혼합물을 얻는 단계와;
    상기 혼합물을 공용매에 대하여 용해시켜 용액을 얻는 단계와;
    상기 용액을 투명전극이 코팅된 투명 기판에 캐스팅하고, 상기 공용매를 증발시켜서 혼합물을 얻는 단계; 및
    상기 혼합물을 고온에서 가압 성형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 제조 방법.
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  11. 제 8항에 있어서, 상기 공용매는 클로로벤젠과 사이클로헥사논 중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 제조 방법.
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  13. 제 8항에 있어서, 상기 투명 전극은 인듐틴옥사이드인 것을 특징으로 하는 상안정성이 우수한 광굴절 고분자 조성물 제조 방법.
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