KR100461996B1 - 반도체처리장비용형상기억합금리프트핀 - Google Patents

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Abstract

리프트 핀들이 형상기억합금으로 되어 있는 반도체 처리 장치에서 사용되는 리프트 핀 장치가 개시된다. 상기 리프트 핀들은 상기 리프트 핀들로 하여금 영구적인 변형없이 실제적인 구부러지는 힘에 견디도록 하는 초탄성 및/또는 형상 기억 효과를 보여주며, 상기 리프트 핀들이 변형되는 경우 단지 상기 리프트 핀들을 적당한 온도로 가열함으로써 상기 리프트 핀들을 똑바로 펴는 것이 가능하다.

Description

반도체 처리 장비용 형상기억합금 리프트 핀
본 발명은 반도체 웨이퍼들 또는 평판 디스플레이 기판들과 같은 기판들을 리프팅하기 위한 리프트 핀 장치에 관한 것이다.
식각, 레지스트 스트립핑, 불활성화, 증착 등이 수행되는, 반도체 이온 주입, 스퍼터링, 급 열처리(rapid thermal processing: RTP), 사진인쇄, 화학기상증착 및 평판 디스플레이 제작 공정을 위한 다양한 장비가 존재한다. 이러한 시스템에 있어서, 리프트 핀 메카니즘에 의해 기판을 운반 및/또는 지지하는 것이 필요하다. 이러한 리프트 핀 메카니즘은 기판들의 이송, 열처리, 화학처리, 광학처리 및 다른 처리시 기판들을 임시로 지지하는 데 사용될 수 있다.
플라스마 발생은 이러한 다양한 반도체 제조 공정에 사용된다. 플라스마 발생 장비는 공동으로 소유된 미국특허 번호 4,340,462에 개시된 형태와 같은 평행 플레이트 리액터, 공동으로 소유된 미국특허 번호 5,200,232에 개시된 형태와 같은 전자 사이클로트론 공진(electron cyclotron resonance: ECR) 시스템 및 공동으로 소유된 미국특허 번호 4,948,458에 개시된 형태와 같은 유도 결합 플라스마 시스템을 포함한다. 이러한 플라스마 처리 시스템에 있어서, 플라스마 처리 챔버의 일부내에 기판 홀더상에 처리될 기판을 지지하는 것이 통상적이다. 더욱이 기계적인 및/또는 정전기적인 클램핑 메카니즘에 의해 기판 홀더상에 기판을 홀딩시키는 것이 통상적이다. 기계적인 클램핑 시스템의 예는 미국특허 번호 4,615,755에 개시되어 있고 정전기적인 척킹(electrostatic chucking: ESC) 장치는 미국특허 번호 4,554,611에 개시되어 있다.
웨이퍼와 같은 기판을 기판 처리 챔버로 이송하기 위하여, 미국특허 번호들 4,431,473, 4,790,258, 4,842,683 및 5,215,619에 개시된 형태와 같은 로봇 팔 및 리프트 핀 장치들을 활용하는 것이 통상적이다. 웨이퍼를 기판 홀더상에 내리기 위하여, 4개의 리프트 핀들이 웨이퍼 형태의 기판과 동심인 원형 패턴내에 정렬되어 있는 미국특허 번호 4,431,473에 개시되어 있는 형태와 같은 리프트 핀 장치를 사용하는 것이 통상적이다. 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(2)는 로봇 팔(4)상에 지지되어 있고 4개의 리프트 핀들(6)을 갖는 리프트 핀 메카니즘(8)이 웨이퍼(2) 밑에 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 리프트 핀 메카니즘은 입구 로드 록(12), 기판 처리 챔버(14) 및 출구 로드 록(16)을 구비한 반도체 처리 장치(10)에 활용될 수 있다.
리프트 핀 장치가 갖는 문제점은 리프트 핀 장치가 매우 정밀하고 리프트 핀들은 다양한 환경하에서 구부러지기가 매우 쉽다는 것이다. 예를 들어, 리프트 핀들은 기판 홀더 보전, 기판 핸들링 조정, 핸들러/ESC/클램프의 오동작 및 기판 운반 시스템의 수동 조작동안 구부러질 수 있다. 일단 구부러지면, 리프트 핀들은 수리를 위해 제거되어야 한다. 보통 리프트 핀 어셈블리는, 어떤 수리도 매우 정밀하고 정교한 동조작을 요구할 것이기 때문에 완전히 교체되어야 한다. 더욱이 리프트 핀들의 구부러짐과 관련된 문제들은 (1) 감소된 시스템 업 시간, (2) 더 길어진 평균 수복 시간(mean time to repair: MTTR), (3) 증가된 보전/부품 비용 및 (4) 처리기에서의 가능한 증가된 입자 레벨의 원인이 된다.
더 내구성이 있고 종래의 리프트 핀 장치의 단점을 없애는 리프트 핀 장치에 대한 요구가 당 기술분야에 있다. 따라서 리프트 핀들이 더 긴 MTTR 및/또는 원위치의 수리 잠재력을 제공하는 리프트 핀 장치는 당 기술분야의 오래 계속된 문제를 극복할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 형상기억합금 리프트 핀들을 일체화할 수 있는 종래의 리프트 핀 장치의 사시도를 보여준다.
도 2는 종래의 반도체 처리 장치의 단면도를 보여준다.
도 3은 본 발명에 의한 리프트 핀 장치의 단면도를 보여준다.
본 발명은 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀들을 제공하며, 각 리프트 핀은 기억된 형상을 갖는 형상기억합금으로 되어 있다. 형상기억합금은 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변형가능하고, 형상기억합금이 오스테나이트 상태로 변형하는 온도로 리프트 핀을 가열함으로써 리프트 핀이 변형된 형상에서 기억된 형상으로 복원가능한 것이 바람직하다. 상기 형상기억합금은 주위온도보다 높거나 낮은 마텐자이트에서 오스테나이트로의 변형 온도를 가질수 있다.
상기 리프트 핀은 기판 처리 장치의 기판 홀더의 일부를 형성하는 리프터 상에 지지되며 상기 리프터는 상부 및 하부 사이에서 수직으로 이동가능한 것이 바람직하다. 상기 리프트 핀이 상기 리프터가 상부에 있을 때 상기 기판 홀더의 기판 지지면 위에 위치하는 상부면을 구비하고, 상기 리프터가 하부에 있을 때 상기 리프트 핀의 상부면이 상기 기판 지지면 밑에 있도록 상기 리프터는 이동가능하다. 따라서, 리프터가 하부에서 상부로 이동할 때, 상기 리프트 핀의 일부는 상기 기판 홀더에 있는 리프트 핀 구멍을 통과한다. 리프트 핀 구멍이 또한 가스의 적당한 흐름을 허용하기 위하여 상기 기판의 하부로 열 이송 가스를 공급하는 기능을 하는 경우, 상기 리프트 핀은 상기 리프트 핀 구멍의 55% 내지 75%를 채우는 단면을 가질 수 있다. 상기 리프트 핀은 상기 리프터에 맞는 직선으로 신장하는 실린더형 핀 프레스일 수 있고 상기 리프터는 플라스틱, 세라믹, 금속 또는 그것의 조합물과 같은 다양한 물질로 형성될 수 있다.
본 발명은 또한 기판 처리 챔버내에서 기판을 하나의 지지면에서 다른 지지면으로 이동시키고 임의로 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 있어서, 상기 방법은, (1) 기판이 기판 처리 챔버내의 처리 위치로 이송되도록 처리될 기판을 지지하는 로봇 팔을 움직이는 단계, (2) 각 리프트 핀들은 필수성분으로서 기억된 형상을 갖는 형상기억합금을 포함하며, 복수의 리프트 핀을 갖는 리프터를, 상기 기판이 상기 리프트 핀들의 상단에 지지되는 상부 위치까지 올리는 단계, (3) 상기 로봇 팔을 상기 기판으로부터 떨어져 안으로 들여놓는 단계, (4) 상기 기판이 상기 기판 처리 챔버에 있는 기판 홀더상에 지지되는 하부로 상기 리프터를 내리는 단계, (5) 상기 기판을 상기 기판 홀더에 고정시키는 단계, (6) 상기 기판을 처리하는 단계, (7) 상기 기판을 푸는 단계, (8) 상기 리프터를 상부까지 올리는 단계 및 (9) 상기 기판을 상기 기판 처리 챔버 밖으로 이송하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에 있어서, 기판 처리 장치의 한 처리 위치에서 다른 처리 위치로 상기 기판을 이송하는 동안 상기 기판은 리프트 핀들 상에 지지된다. 예를 들어, 상기 과정은 (1) 상기 기판이 제 1 처리 위치에서 스테이징 위치로 이송되도록 이송될 기판을 지지하는 로봇 팔을 움직이는 단계, (2) 각 리프트 핀들은 필수성분으로서 기억된 형상을 갖는 형상기억합금을 포함하며, 복수의 리프트 핀을 갖는 리프터를, 상기 기판이 상기 리프트 핀들의 상단에 지지되는 상부 위치까지 올리는 단계, (3) 상기 로봇 팔을 상기 기판으로부터 떨어져 안으로 들여놓는 단계, (4) 제 2 로봇 팔을 상기 기판을 수신하기 위한 위치로 움직이는 단계, (5) 상기 기판이 상기 제 2 로봇 팔에 의해 지지되도록 상기 리프터를 하부로 내리는 단계 및 (6) 상기 기판을 스테이징 위치에서 제 2 처리 위치로 이송하는 단계를 포함한다.
상기 이송 및 처리 단계는, 상기 리프트 핀들에 대해 주위보다 높거나 낮은 온도에서 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변형가능한 형상기억합금을 활용하여 수행될 수 있고, 상기 리프트 핀은 상기 형상기억합금이 상기 리프트 핀에 열을 가하거나 오스테나이트 상태로 변하는 온도로 상기 리프트 핀을 노출시키는 온도에서 상기 장비를 작동시킴으로써 변형된 형상에서 기억된 형상으로 복원될 수 있다. 따라서, 상기 과정은, 상기 형상기억합금이 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변하는 온도까지 상기 리프트 핀을 가열함으로써 변형된 형상에서 기억된 조건으로 적어도 하나의 상기 리프트 핀들을 복원시키는 단계를 포함할 수 있다.
기판 처리 챔버에서 상기 기판을 처리하는 경우에 있어서 상기 기판 처리 단계는 저온, 주위 또는 높은 온도에서 수행될 수 있다. 이러한 과정에 있어서, 각 리프트 핀은 상기 리프트 핀 구멍의 55% 내지 75%를 채우는 단면을 가질 수 있다. 상기 핀들과 상기 구멍들간의 공간은 상기 기판의 온도 제어를 허용하기 위하여 상기 기판과 상기 기판 홀더 사이에 공급될 압축 냉각 가스를 허용한다.
본 발명은 기판 처리 장비용 리프트 핀 메카니즘을 제공하며, 상기 리프트 핀들은, 손상된 리프트 핀들을 리프트 핀 장치로부터 제거하지 않고 다시 똑바로 펴지도록 하는 매우 높은 탄성력과 가능한 열 복원력을 갖는다. 본 발명에 의하면, 리프트 핀들은 니켈-티타늄 시스템(예를 들어, 니티놀, 부가적인 합금 요소를 가지거나 가지지 않는 53-57 중량 % 니켈을 갖는 NiTi 합금)에 근거한 초탄성 및/또는 형상기억합금으로 되어 있다. 이러한 물질들은 실질적인 구부러짐을 일으키기에 충분한 기계적인 변형(예를 들어 3% 변형)을 당한다면 그 물질이 변형을 일으키는 힘이 제거되자마자 그것의 원래 형상으로 즉시 돌아가는 "초탄성 효과"를 나타낸다. 따라서, 리프트 핀 장치에 있어서 초탄성 합금의 가는 와이어들이 영구적인 뒤틀림없이 상기 리프트 핀들의 극적인 구부러짐을 조정할 리프트 핀 장치를 제공하는 데 사용될 수 있다. 더욱이 만약 리프트 핀들이 변형된다면 상기 합금의 열복원 특성은 상기 리프트 핀들의 원래 형상을 복원시키는 데 사용될 수 있다.
초탄성 효과는 응력 유도 마텐자이트의 형성을 통해 일어난다고 알려져 있다. 즉, 응력 유도 마텐자이트를 나타내는 형상기억합금이 (오스테나이트 상태가 초기에 안정되도록 하는)Ms 보다 높은 온도에서 그러나 (마텐자이트 형성이 응력하에서 조차 일어날 수 있는 최대 온도)Md보다 낮은 온도에서 응력이 가해질 때, 그것은 처음에 탄성적으로 변형되고 임계 응력에서 응력 유도 마텐자이트의 형성에 의해 탄성적으로 변형을 시작한다. 응력을 풀면 응력 유도 마텐자이트는 오스테나이트로 돌아오고 상기 물질은 그것의 원래 형상으로 복귀한다. 따라서 대부분의 종래 물질들이 1% 만큼 작은 변형을 당할 때 영구적으로 변형되는 반면에, 상기 물질은, 3% 보다 높은 변형 가능하게는 6% 또는 8%만큼의 변형으로부터 탄성적으로 복원될 수 있다. 그러나, 만약 응력의 양이 상기 응력이 제거된 후, 형상기억합금 물질을 변형된 형상으로 놔두기에 충분하고, 상기 금속을 제공하는 것이 "기억된" 형상을 가지며 변형의 레벨이 너무 크다면, 상기 물질을 오스테나이트 상태로 가열함으로써 상기 물질을 그것의 원래 기억된 형상으로 복원할 수 있다.
형상기억합금과 응력 유도 마텐사이트 변형의 효과에 대한 논의는 미국특허 번호 4,665,906 및 T.W. Duerig et al.의 "Designing With the Shape Memory Effect" Material Research Society Publication, MRS Int'l Mtg. on Adv. Mats., Vol. 9(1980)에 제공되어 있다. 더욱이 형상기억합금의 열-처리는, K. Otsuka et al.의 논문 "Development of Energy-Saving Materials Using Superelasticity" SPEY 14(January 1985)에 설명된 바와 같이, 형상 기억 효과를 나타나게 하는 높은 온도 단상을 얻기 위하여 물에 신속하게 냉각시키는 단계에 계속되는 고온에서의 용해-처리에 의해 형상 기억의 열-처리가 일반적으로 행해져왔다. 그러나 이러한 합금의 초탄성은 Otsuka et al.에 설명된 바와 같이 양호한 침전물을 생성하기 위하여 상기 물질을 에이징함으로써 증강될 수 있다.
형상기억합금이 마텐사이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변하는 온도는 적합한 열 기계적인 처리 및/또는 형상기억합금을 합금함으로써 조정될 수 있다. 예를 들어, 미국특허 번호 4,894,100은 Ni-Ti-V 합금을 개시하고 있고, Ms 온도는 Ni/Ti 비 및 V 내용물을 변경시킴으로써 조정될 수 있다. 상기 4,894,100 특허는 -150-20℃의 Ms가 Ni/Ti 비를 1.0-1.06까지 조정함으로써 제공될 수 있는 반면에, 20-70℃의 Ms는 Ni/Ti 비를 0.96-1.02까지 조정함으로써 제공될 수 있다고 개시하고 있다. 이러한 합금이 냉각처리된 후, 425-525℃에서 열처리될 때, -10-20℃의 Ms가 제공될 수 있다. 따라서, 다양한 합금들 및 그것의 열기계적인 처리들이 본 발명에 따른 리프팅 핀들을 제공하기 위하여 활용될 수 있다.
본 발명에 의하면, 리프트 핀들은 적당한 열기계적인 처리에 의해 기억된 형상으로 형성되는 니티놀과 같은 형상기억합금으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 리프트 핀들은 25℃보다 높지 않은 예를 들면 5℃의 Ms를 갖는 직선으로 신장하는 실린더형 니티놀 핀들일 수 있다. 그러나 원한다면 리프트 핀들은 25℃보다 높은 Ms를 가질수 있다. 바람직한 실시예에 의하면, 리프트 핀들은, 상기 리프트 핀들이 정상적으로 오스테나이트 조건에 있는 환경에서 작동된다. 따라서, 상기 리프트 핀들이 응력 유도 마텐사이트를 형성하기 위한 능력의 결과로서 초탄성 효과를 보여줄 것이다. 그러나, 리프트 핀들은 또한, 상기 리프트 핀들이 마텐사이트 조건에 있는 환경에서 사용될 수 있다. 어느 환경에서건 만약 리프트 핀들이 탄성 한계를 넘는 마텐사이트 상태로 변형된다면 리프트 핀들은 상기 리프트 핀들을 오스테나이트 상태로 가열함으로써 단순히 그들의 기억된 형상으로 복원될 수 있다.
리프트 핀 장치는 로드 록 및/또는 기판 처리 챔버들에서와 같은 기판 처리 장치의 다양한 부분에서 사용될 수 있다. 상기 기판은, 로봇 팔 또는 다른 적당한 메카니즘에 의해 리프트 핀들이 로봇 팔의 지지면의 기판을 리프트하고, 로봇 팔이철수되며 상기 기판이 동일한 또는 다른 로봇 팔, 기판 홀더등의 지지면상에 내려지는 위치로 이송될 수 있다.
기판 처리 챔버는 기판 홀더 위에 지지되는 기판상에서 식각, 증착, 레지스트 스트립핑, 사진 인쇄, CVD, RTP, 이온 주입 또는 스퍼터링 등과 같은 다양한 처리들을 수행하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 만약 기판이 반도체 웨이퍼를 포함한다면, 폴리실리콘, 산화물 또는 알루미늄이나 텅스텐과 같은 금속 층의 식각이 기판 처리 챔버에서 수행될 수 있다. 산화물 식각인 경우, 기판 처리 챔버내의 온도는 약 -20℃와 같은 0℃ 미만으로 유지될 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 만약 리프트 핀들이 5℃의 Ms를 가진다면, 리프트 핀들은 식각 공정중에 마텐사이트 상태에 있을 것이고, 만약 리프트 핀들이, 그것의 기판 처리 챔버로의 또는 챔버로부터의 이송동안 또는 기판 홀더와의 접촉 동안 웨이퍼의 이동 및/또는 웨이퍼를 지지하는 결과로서 구부러진다면, 리프트 핀들은 기판 처리 챔버로 하여금 리프트 핀들을 룸 온도까지 가열하도록 함으로써 단순히 그들의 원래 기억된 직선 상태로 복원될 수 있다. 따라서, 리프트 핀들은 마텐사이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변할 것이고 리프트 핀들은 마텐사이트 상태에서 오스테나이트 상태로의 상 변화의 결과로서 자동적으로 똑바로 펴질 것이다. 기억된 형상을 열복원하기 위한 가열은 또한 상기 리프트 핀들을 통해 충분한 전류를 인가하거나 상기 리프트 핀들을 가열 총으로 가열하는 것과 같은 다른 기술에 의해 달성될 수 있다.
기판 처리 챔버에서 기판의 처리 동안, 기판은 어떤 적당한 제제 장치에 의해 기판 홀더 상에서 지지될 수 있다. 예를 들어, 기판 홀더는 기판을 기판 홀더에 고정시키기 위하여 정전기적인 척킹 또는 ESC 장치를 일체화할 수 있다. 대안적으로 기판을 기판 홀더에 홀딩시키기 위하여 기계적인 고정 장치가 제공될 수 있다. 예를 들어, 만약 기판이 반도체 웨이퍼를 포함한다면, 클램핑 링이 기판을 기판 홀더에 고정시키기 위해 사용될 수 있다.
몇몇 기판 처리 과정동안, 기판의 하부와 기판 홀더 사이에 헬륨 가스를 흐르게 함으로써 기판의 배면 및 역방향의 면을 냉각시키는 것이 통상적이다. 리프트 핀들이 기판 홀더위의 기판을 올리기 위하여 통과하는 구멍들은 헬륨가스가 기판의 하부와 접촉된 기판 홀더를 통과하도록 허용하는 부가적인 기능을 할 수 있다. 본 발명에 의하면, 리프트 핀들은, 리프터 어셈블리가 바닥 위치에 있을 때 기판 홀더에 있는 구멍들에서 적어도 부분적으로 남으며, 리프트 핀들과 구멍들간의 틈새는 충분한 헬륨이 기판의 배면으로 흐를수 있도록 유지된다.
이제 다음 예를 참조하여 본 발명을 설명하도록 한다. 그러나 본 발명은 다른 리프트 핀 장치들에서 구현될 수 있고, 대안적인 리프트 핀 치수들, 단면들, 팁 외형들 및 Ms 온도 및 리프트 핀 장치의 부분들이 당업자에게 명백할 것이다.
예
도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 의하면, 리프트 핀들은 5℃의 Ms를 갖는 니티놀로 되어 있고, 리프트 핀들(20)은 리프터(22)의 4개의 구멍들에 맞는 가는 와이어 프레스를 포함한다. 리프터(22)는 리프터(22)를 압축 또는 기계적인 액츄에이터(26)에 부착하기 위한 나사가 통과하는 중앙공(24)을 포함한다. 본 실시예에 있어서, 리프터(22)는 약 0.2인치의 두께와 약 1.6인치의 직경을 가지며, 리프트 핀들(20)은 리프터(22) 외주의 안쪽 약 0.1인치에 위치한다. 따라서, 리프트 핀들은 약 1.4인치 간격을 두고 대각선으로 떨어져있다. 리프터는 또한, 리프터(22)가 플라스마 처리 장치에 조립될 때, 리프터(22)를 액츄에이터(26)에 있는 대응 구멍(30)과 정렬할 목적으로 정렬 구멍(28)을 포함한다. 리프트 핀들은 약 1인치의 길이와 약 0.03인치의 직경을 가지고 있다. 리프트 핀들은 기판 처리 챔버에 있는 기판 홀더(34)내의 대응 구멍들(32)을 통과하며 기판 홀더에 있는 이러한 구멍들은 약 0.04인치의 직경을 가지고 있다. 따라서, 기판 처리 챔버에서 처리되는 기판(36)의 역방향의 면과 접촉하는 헬륨가스와 같은 적합한 냉각가스의 통과를 허용하기 위하여 충분한 틈새가 리프트 핀들과 기판 홀더에 있는 구멍들(32)의 안쪽 주변 사이에 제공된다. 리프팅 핀의 단면과 기판 홀더에 있는 대응 구멍의 단면의 비는 55% 내지 75%일 수 있으며 약 60%인 것이 바람직하다. 그러나, 리프트 핀 구멍들이 기판과 기판 홀더 사이에 헬륨가스와 같은 어떤 냉각가스를 공급하는 데 사용되지 않는 경우에는 리프트 핀들과 리프트 핀 구멍들 사이에는 어떤 양의 틈새도 제공될 수 있다.
상술한 것은 본 발명의 원리, 바람직한 실시예들 및 동작 형태를 설명하였다. 하지만, 본 발명은 논의된 특정의 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 따라서, 상술한 실시예들은 제한적이기 보다는 실례로서 간주되어야 하며, 다음 청구항들에 의해 정의되는 바와 같이 본 발명의 범위를 벗어남없이 당업자에 의해 그러한 실시예들에 있어서 변형들이 만들어 질 수 있다는 것은 인정되어야 한다.

Claims (24)

  1. 필수성분으로서 기억된 형상을 갖는 형상기억합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변형가능하고, 상기 리프트 핀은, 상기 리프트 핀을 상기 형상기억합금이 오스테나이트 상태로 변하는 온도로 가열함으로써 변형된 형상에서 상기 기억된 형상으로 복원가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 주위온도보다 낮은 마텐자이트 상태로부터 오스테나이트 상태로의 변형온도를 갖는 니켈 티타늄 합금인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리프트 핀은 기판 처리 챔버의 기판 홀더의 일부를 형성하는 리프터 상에 지지되며, 상기 리프터는 상부 및 하부 사이에서 수직으로 이동가능하고, 상기 리프트 핀은 상기 리프터가 상부에 있을 때 상기 기판 홀더의 기판 지지면 위에 위치하는 상부면을 구비하며 상기 리프트 핀의 상부면은 상기 리프터가 하부에 있을 때 상기 기판 지지면 밑에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 일부는, 상기 리프터가 하부에서 상부로 이동할 때, 상기 기판 홀더에 있는 구멍을 통과하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 리프트 핀은 상기 리프트 핀 구멍의 55% 내지 75%를 채우는 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 리프트 핀은 기판 처리 장치의 리프터 상에 지지되며, 상기 리프터는 수직으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 리프트 핀은 리프트 핀 메카니즘의 리프터에 맞는 직선으로 신장하는 실린더형 핀 프레스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 리프터는 플라스틱, 세라믹 또는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 리프트 핀 메카니즘의 리프트 핀.
  10. 기판 처리 챔버내의 처리 위치로 처리될 기판을 이동시키는 단계;
    각 리프트 핀들은 필수성분으로서 기억된 형상을 갖는 형상기억합금을 포함하며, 복수의 리프트 핀을 갖는 리프터를, 상기 기판이 상기 리프트 핀들의 상단에 지지되는 상부 위치까지 올리는 단계;
    상기 기판이 상기 기판 처리 챔버에 있는 기판 홀더상에 지지되는 하부로 상기 리프터를 내리는 단계;
    상기 기판을 처리하는 단계;
    상기 리프터를 상부까지 올리는 단계; 및
    상기 기판을 상기 기판 처리 챔버 밖으로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변형가능한 니켈 티타늄 합금이고, 상기 리프트 핀은, 상기 리프트 핀을 상기 형상기억합금이 오스테나이트 상태로 변하는 온도로 가열함으로써 변형된 형상에서 상기 기억된 형상으로 복원가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 기판을 처리하는 단계는 -20℃와 0℃ 사이의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 각 리프트 핀은 상기 리프터가 하부에서 상부로 이동할 때, 상기 기판 홀더에 있는 구멍을 통과하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 각 리프트 핀의 단면은 상기 구멍의 단면 크기의 적어도 55%인 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 각 리프트 핀의 단면은 상기 구멍의 단면의 75%보다 크지 않은 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 리프트 핀들은 상기 기판 홀더에 있는 구멍을 통하여 신장하고, 상기 리프터가 하부로 내려질 때 상기 리프트 핀의 적어도 일부는 상기 기판 홀더에 있는 리프트 핀 구멍에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 리프트 핀을 상기 형상기억합금이 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변하는 온도로 가열함으로써 상기 적어도 하나의 리프트 핀을 변형된 형상에서 상기 기억된 형상으로 복원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  18. 제 10 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 약 20℃ 내지 70℃의, 마텐자이트 상태로부터 오스테나이트 상태로의 변형온도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  19. 제 10 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 약 -150℃ 내지 20℃의, 마텐자이트 상태로부터 오스테나이트 상태로의 변형온도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버에서 기판을 처리하는 방법.
  20. 처리될 기판을 기판 처리 장치의 제 1 부분의 제 1 처리 위치로 이동시키는 단계;
    각 리프트 핀들은 필수성분으로서 기억된 형상을 갖는 형상기억합금을 포함하며, 복수의 리프트 핀을 갖는 리프터를, 상기 기판이 상기 리프트 핀들의 상단에 지지되는 상부 위치까지 올리는 단계;
    상기 기판이 지지면상에 지지되는 하부로 상기 리프터를 내림으로써 상기 기판을 제 2 처리 위치로 이동시키는 단계;
    상기 기판을 상기 기판 홀더에 고정시키는 단계;
    상기 기판을 처리하는 단계;
    상기 기판을 푸는 단계;
    상기 리프터를 상기 상부까지 올리는 단계; 및
    상기 기판을 상기 기판 처리 챔버 밖으로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에서 기판을 운반하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 마텐자이트 상태에서 오스테나이트 상태로 변형가능한 니켈 티타늄 합금이고, 상기 리프트 핀은, 상기 리프트 핀을 상기 형상기억합금이 오스테나이트 상태로 변하는 온도로 가열함으로써 변형된 형상에서 상기 기억된 형상으로 복원가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에서 기판을 운반하는 방법.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 약 20℃ 내지 70℃의, 마텐자이트 상태로부터 오스테나이트 상태로의 변형온도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에서 기판을 운반하는 방법.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 형상기억합금은 약 -150℃ 내지 20℃의,마텐자이트 상태로부터 오스테나이트 상태로의 변형온도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에서 기판을 운반하는 방법.
  24. 제 20 항에 있어서, 상기 지지면은 이동가능한 로봇팔의 상부면인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에서 기판을 운반하는 방법.
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