KR100441622B1 - 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 챔버내 오염물질을 흡입하여 필터링한 후 외부로 정화된 공기를 배출하는 장치에 있어서, 상기 챔버로부터 배출되는 오염물질을 제공받아 유해물질을 걸러내는 병렬 연결의 제 1 및 제 2 필터와, 상기 챔버로부터 배출되는 오염물질의 배출 압력을 감지 및 표시하는 압력검출수단과, 상기 제 1 및 제 2 필터의 전후단에 각각 설치되어 상기 압력검출수단의 검출압력에 따라 상반된 비례 제어신호를 제공받아 선택적으로 개폐되는 복수의 필터링밸브와, 상기 제 1 및 제 2 필터를 클리닝하기 위한 가스를 공급하는 클리닝가스공급수단과, 상기 클리닝가스공급수단과 제 1 및 제 2 필터 사이와 각 필터의 후단에 각기 설치되어 외부 제어신호에 따라 개폐되어 클리닝가스를 제 1 및 제 2 필터로 공급하는 복수의 클리닝밸브와, 상기 제 1 및 제 2 필터의 후단에 설치된 필터링밸브와 클리닝밸브를 통해 유출되는 정화 공기를 외부로 배출시키는 배출팬, 및 상기 압력검출수단에서 출력되는 압력관련 신호를 제공받아 복수의 필터링밸브를 각기 제어하여 제 1 또는 제 2 필터를 개별 또는 동시 가동함과 아울러 상기 복수의 클리닝밸브를 제어하여 제 1 및 제 2 필터를 클리닝하는 컨트롤러를 구비함으로써, 필터의 가동율을 증대시킴과 아울러 필터를 주기적으로 클리닝하여 필터링 효율과 필터 수명을 향상시킨 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치를 제공한다.
Description
본 발명은 오염물질 배출 장치에 관한 것으로, 특히 챔버내의 웨이퍼 처리 공정 중에 발생하는 오염분말과 오염 가스를 필터를 통해 걸러내어 배출함과 아울러 필터를 주기적으로 클리닝하여 필터링 효율과 수명을 향상시킨 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정을 반복 수행함으로써 반도체 칩으로 제작되고, 이들 반도체 칩 제조 공정 중 확산, 식각, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 챔버 내부에서 필요한 공정가스를 공급하여 이들 공정가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응토록 하여 회로를 형성하는 것이다.
이와 같이 사용되는 공정가스는 대부분이 독성이 강하고, 챔버를 부식시키는 부식성이 강한 가스로 챔버내에 방치할 경우 챔버를 부식시켜 사용 사이클을 단축시키고, 또한 별도의 정화 과정없이 외부로 유출될 경우 심각한 환경오염과 안전사고를 초래하게 된다.
또한, 챔버내 웨이퍼 에칭 중 발생되는 에칭가스의 부산물 및 미반응 가스가 웨이퍼에 의해 실려나오면서 챔버 내부가 부식됨으로써, 웨이퍼의 손상 및 챔버내의 주기적인 클리닝으로 생산성 및 시간적인 손실이 발생할 뿐만 아니라 챔버내의 노화발생 및 웨이퍼의 수율이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 챔버내의 웨이퍼 처리 공정 중에 발생하는 오염분말과 오염가스를 필터를 통해 걸러내어 배출함과 아울러 필터링가스로 필터를 주기적으로 클리닝하여 필터링 효율과 필터 수명을 향상시킨 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 필터를 복수개 설치한 후 흡입구의 압력에 따라 복수개의 필터를 선택 가동하고 배출팬의 회전수를 적절하게 제어함으로써, 가동률을 증대시킴과 아울러 공정상의 런-페일(Run-fail)을 개선할 수 있는 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 적용된 오염물질 필터링 및 배출장치를 설명하기 위해
도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 의한 필터링 및 배출장치를 나타낸 개략적인 블록도이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 오염물질 필터링 및 배출장치를 도시한
구성도이고,
도 4는 도 3의 클리닝가스공급수단과 그 밸브를 나타낸 세부 구성도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
101: 제 1 배관 102: 제 2 배관
110: 제 1 필터 111∼115: 필터부재
118,128: 분말배출구 120: 제 2 필터
121∼125: 필터부재 131∼137: 필터링밸브
140: 압력검출수단 147: 인버터
150: 클리닝가스공급수단 161∼167: 클리닝밸브
170: 배출팬 180: 컨트롤러
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은, 본 발명은 챔버내 오염물질을 흡입하여 필터링한 후 외부로 정화된 공기를 배출하는 스크러브 장치에 있어서, 상기 챔버로부터 배출되는 오염물질을 제공받아 유해물질을 걸러내는 병렬 연결의 제 1 및 제 2 필터와, 상기 챔버로부터 배출되는 오염물질의 배출 압력을 감지 및 표시하는 압력검출수단과, 상기 제 1 및 제 2 필터의 전후단에 각각 설치되어 상기 압력검출수단의 검출압력에 따라 그에 해당하는 비례 제어신호를 제공받아 선택적으로 개폐되는 복수의 필터링밸브와, 상기 제 1 및 제 2 필터를 클리닝하기 위한 가스를 공급하는 클리닝가스공급수단과, 상기 클리닝가스공급수단과 제 1 및 제 2 필터 사이와 각 필터의 후단에 각기 설치되어 외부 제어신호에 따라 개폐되어 클리닝가스를 제 1 및 제 2 필터로 공급하는 복수의 클리닝밸브와, 상기 제 1및 제 2 필터의 후단에 설치된 필터링밸브와 클리닝밸브를 통해 유출되는 정화 공기를 외부로 배출시키는 배출팬, 및 상기 압력검출수단에서 출력되는 압력관련 신호를 제공받아 복수의 필터링밸브를 각기 제어하여 제 1 또는 제 2 필터를 개별 또는 동시 가동함과 아울러 메모리에 미리 설정된 프로그램에 따라 상기 복수의 클리닝밸브를 제어하여 제 1 및 제 2 필터를 클리닝하는 컨트롤러를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 살펴보고자 한다.
도 1은 본 발명에 적용된 오염물질 필터링 및 배출장치를 설명하기 위해 도시한 도면으로, 웨이퍼처리장비인 챔버(10)와 배출펌프(50) 및 필터링 및 배출장치(100)를 나타냈다.
반도체 웨이퍼는 챔버내에서 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정을 반복 수행함으로써 반도체 칩으로 제작하는 바, 이때 챔버(10)내에서 웨이퍼의 처리 공정에 필요한 가스(Cl2, F2, HF 등)를 공급하고, 이들 가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응토록 하여 소정 회로를 형성한다.
이때, 종래에는 웨이퍼 처리 중 웨이퍼상에 오염물질이 흡착되어 별도의 세척공정을 통해 웨이퍼를 세정하거나, 가스는 별도의 중대형 스크러브(Scrub) 장치를 통해 필터링하거나 외부로 배출하게 된다.
따라서, 본 발명은 챔버(10)와 외부 배출구 사이에 배출펌프(50) 및 필터링 및 배출장치(100)를 설치하여 챔버(10)내에서 발생하는 오염물질과 가스를 흡입하여 걸러낸 후 외부로 정화된 공기를 배출하게 된다.
이와 같은 필터링 및 배출장치(100)를 챔버(10)와 연통되도록 일측단에 설치한 후 챔버(10)내의 오염물질과 가스를 흡입하여 필터링한 후 외부로 배출함과 아울러 필터링 및 배출장치(100)의 내부에 있는 클리닝수단으로 필터를 주기적으로 자동 클리닝함으로써, 필터의 교체 주기 및 효율을 향상시킨다.
아울러, 필터링 및 배출장치(100)의 세부 구성은 도 2와 같다.
도 2는 본 발명에 의한 필터링 및 배출장치를 나타낸 개략적인 블록도로서, 제 1 필터(110), 제 2 필터(120), 압력검출수단(140), 필터링밸브(131∼137), 클리닝가스공급수단(150), 클리닝밸브(161∼167), 배출팬(170) 및 컨트롤러(180)를 구비한다.
챔버(10)내 오염물질을 흡입하여 필터링한 후 외부로 정화된 공기를 배출하는 스크러브 장치에 있어서, 상기 제 1 필터(110)는 전단에 설치된 배출펌프(50)로 인해 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질을 제공받아 유해물질을 걸러내도록 이루어져 있고, 상기 제 2 필터(120)는 제 1 필터(110)와 병렬로 연결되어 있어 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질을 걸러내도록 이루어져 있다.
상기 압력검출수단(140)은, 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질의 배출 압력을 감지하는 압력감지부(141)와, 상기 압력감지부(141)의 출력신호에 따라 배출 압력을 표시하는 압력표시부(145)로 이루어져 있다.
상기 필터링밸브(131∼137)는 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 전후단에 각각 설치되어 압력검출수단(140)의 검출압력에 따라 그에 해당하는 비례 제어신호를 제공받아 선택적으로 개폐되어 제 1(110) 또는 제 2 필터(120)로 오염물질을 공급하는 복수의 밸브로 이루어져 있다.
상기 클리닝가스공급수단(150)은 외부로부터 공급되는 클리닝가스(Purge Gas)를 제공받아 일차 저장하여 출력하도록 이루어져 있고, 클리닝밸브(161∼167)는 클리닝가스공급수단(150)과 제 1 및 제 2 필터(110, 120) 사이와 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 후단에 각기 연결되어 외부 제어신호에 따라 개폐되어 제 1 및 제 2 필터(110, 120)로 클리닝가스를 공급하는 복수의 밸브로 이루어져 있다.
상기 배출팬(170)은 배출구(Outlet)에 설치되어 소정의 팬모터 제어신호에 따라 구동되어 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 후단에 설치된 필터링밸브(131∼137)와 클리닝밸브(161∼167)를 통해 유출되는 정화공기를 외부로 배출시키도록 이루어져 있다.
그리고, 컨트롤러(180)는 압력검출수단(140)에서 출력되는 압력관련 신호를 제공받아 복수의 필터링밸브(131∼137)를 각기 제어하여 제 1 또는 제 2 필터(110, 120)를 개별 또는 동시 가동함과 아울러 메모리(185)에 미리 설정된 프로그램에 따라 상기 복수의 클리닝밸브(161∼167)를 제어하여 제 1 및 제 2 필터(110, 120)를 클리닝하도록 제어한다.
미설명한 부호 147은 인버터(147)로서, 압력검출수단(140)으로부터 출력되는 신호를 반전시켜 배출팬(170)의 모터 구동을 제어하도록 이루어져 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 오염물질 필터링 및 배출장치를 도시한 구성도로서, 제 1 배관(101), 제 1 필터(110), 제 2 필터(120),압력검출수단(140), 필터링밸브(131∼137), 제 2 배관(102), 클리닝가스공급수단(150), 클리닝밸브(161∼167), 배출팬(170) 및 컨트롤러(180)를 구비한다.
상기 제 1 배관(101)은 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질을 흡입구(Inlet)를 통해 제공받아 제 1 및 제 2 필터(110, 120)를 통해 필터링한 후 배출구(Outlet)를 통해 배출하는 오염물질과 오염가스 흐름 통로이고, 제 1 필터(110)는 제 1 배관(101)상에 설치되어 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질을 제공받아 유해물질을 걸러내는 복수의 필터부재(111∼115)로 이루어져 있고, 제 2 필터(120)는 제 1 배관(101)상에 제 1 필터(110)와 병렬로 설치되어 있어 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질을 걸러내는 복수의 필터부재(121∼125)로 이루어져 있다.
상기 압력검출수단(140)은, 챔버(10)로부터 배출되는 오염물질의 배출 압력을 감지하는 압력감지기(Pressure Transmitter)와, 상기 압력감지기의 출력신호에 따라 배출 압력을 표시하는 압력표시기(Pressure Indicating Control Annunciator)로 이루어져 있다.
상기 필터링밸브(131∼137)는 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 전후단에 제 1 배관(101)상에 각각 설치되어 압력검출수단(140)의 검출압력에 따라 그에 해당하는 비례 제어신호를 제공받아 선택적으로 개폐되어 제 1 또는 제 2 필터(110, 120)로 오염물질을 공급하는 복수의 에어밸브로 이루어져 있다.
상기 제 2 배관(102)은 외부와 배출팬(170) 측의 제 1 배관(101) 사이에 설치되어 외부로부터 공급되는 클리닝가스를 클리닝가스공급수단(150)과클리닝밸브(161∼167)를 통해 제 1 및 제 2 필터(110, 120)로 공급하여 각 필터를 클리닝한 후 배출팬(170)의 배출구(Outlet)측으로 배출하는 클리닝가스 흐름 통로이고, 클리닝가스공급수단(150)은 제 2 배관(102)상에 설치되어 외부로부터 공급되는 클리닝가스(Purge Gas)를 제공받아 일차 저장하는 버퍼탱크(151)로 이루어져 있고, 클리닝밸브(161∼167)는 도 4와 같이 클리닝가스공급수단(150)과 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 각 필터부재(111∼115, 121∼125) 사이와 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 후단에 각기 연결되어 외부 제어신호에 따라 개폐되어 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 각 필터부재(111∼115, 121∼125)로 클리닝가스를 공급하는 복수의 솔레노이드밸브(161-1∼161-5, 165-1∼165-5) 및 에어밸브(163, 167)로 이루어져 있다. 그리고, 상기 필터부재(111∼115, 121∼125)의 외면에 테프론(TEFRON) 코팅을 적용하여 클리닝 효율을 향상시키는 것이 바람직하다.
상기 배출팬(170)은 배출구(Outlet)측에 설치되어 소정의 팬모터 제어신호에 따라 구동되어 제 1 및 제 2 필터(110, 120)의 후단에 설치된 필터링밸브(131∼137)와 클리닝밸브(161∼167)를 통해 유출되는 정화공기를 외부로 배출시키도록 이루어져 있다.
그리고, 컨트롤러(180)는 압력검출수단(140)에서 출력되는 압력관련 신호를 제공받아 복수의 필터링밸브(131∼137)를 각기 제어하여 제 1 또는 제 2 필터(110, 120)를 개별 또는 동시 가동함과 아울러 메모리(185)에 미리 설정된 프로그램에 따라 상기 복수의 클리닝밸브(161∼167)를 제어하여 제 1 및 제 2 필터(110, 120)를 클리닝하도록 제어한다.
미설명한 부호 147은 압력검출수단(140)으로부터 출력되는 신호를 반전시켜 배출팬(170)의 모터 구동을 제어하는 인버터이고, 부호 105, 155는 제 1 및 제 2 배관(101, 102)상에 설치된 각종 보조밸브이고, 부호 118 및 128은 필터링과정에서 필터의 바닥에 축적된 오염분말을 인출하는 분말배출구이다.
이와 같이 구성된 본 발명의 동작 과정을 살펴보면 다음과 같다.
챔버(10)에 있는 오염물질과 오염가스는 배출펌프(50)에 의해 필터링 및 배출장치(100)의 흡입구(Inlet)측으로 배출된다.
이때, 압력검출수단(140)은 흡입구((Inlet)의 압력을 검출하여 흡입구의 압력이 일정하도록 인버터(147)를 통해 배출팬(170)의 작동 주파수를 제어함과 아울러 컨트롤러(180)는 압력검출수단(140)을 통해 현재 흡입구(Inlet)의 압력관련 신호를 제공받아 메모리(185)에 미리 설정된 기준 압력데이터와 상호 비교한 후 그에 해당하는 제어신호를 복수의 필터링밸브(131∼137)로 각각 출력하는 데, 흡입구(Inlet)의 압력에 변화가 없도록 각 필터(110, 120)의 필터링밸브(131∼137)들을 서로 상반되게 비례 제어하게 된다.
만약, 흡입구(Inlet)의 압력이 높을 경우 복수의 필터링밸브(131∼137)를 모두 개방하여 제 1 필터(110)와 제 2 필터(120)를 모두 가동시키게 되며, 흡입구의 압력이 일정 기준이하일 경우에는 제 1 필터(110) 및 제 2 필터(120)의 각 필터링밸브(131∼137)를 서로 상반되게 비례 제어하여 어느 한 필터 중심으로 가동시키게 된다.
이어, 흡입구(Inlet)를 통해 흡입된 오염물질은 제 1 배관(101)과 필터링밸브(131, 135)를 통해 제 1 필터(110) 또는/ 및 제 2 필터(120)로 유입된다.
상기 필터(110, 120) 내부로 유입된 오염물질은 필터내부에 있는 필터부재(111∼115, 121∼125)에 의해 필터링되고 필터링 후 분말과 같은 오염물질은 필터 내부의 하단에 축적되게 되며, 정화된 가스와 공기는 필터링밸브(133, 137)와 제 1 배관(101)을 통해 배출팬(170)측으로 배출되게 된다.
만약, 흡입구(Inlet)측의 압력이 낮아 제 1 필터(110)만 가동시킬 때는 제 1 필터(110)측의 필터링밸브(131, 133)만 완전개방 또는 거의 개방하는 상태가 될 것이고, 제 2 필터(120)측의 필터링밸브(135, 137)는 완전폐쇄 또는 거의 폐쇄하는 상태가 될 것이다.
이와 같은 방식으로 흡입구의 압력에 따라 복수의 필터(110, 120)를 번갈아 가며 작동시킴으로써, 반도체 제조 공정에서 생성된 오염물질 및 오염가스를 효과적으로 처리할 수 있고, 필터링 과정에서 필터의 내부 하단에 축적된 오염분말은 분말배출구(118, 128)를 통해 정기적으로 제거(Sweep)해주면 필터 내부를 청결한 상태로 유지할 수 있다.
그리고, 필터(110, 120)의 필터링 효율 및 수명을 향상시키기 위하여 필터를 주기적으로 청소해 주는 것이 필요한 데, 필터 내부에 있는 복수의 필터부재(111∼115, 121∼125)로 강한 질소(N2) 또는 에어와 같은 클리닝가스(Purge Gas)를 분출하여 필터부재(111∼115, 121∼125)를 청소하게 된다.
즉, 컨트롤러(180)는 미리 설정된 필터 클리닝시간이 되면, 도 3 및 도 4와같이 제어신호를 출력하여 필터링밸브(131∼137)를 모두 폐쇄시킨 상태에서 제 1 필터(110) 또는 제 2 필터(120)의 복수의 클리닝밸브(161-1∼161-5, 165-1∼165-5)를 설정 시간동안 순차적으로 개폐시키면서 필터부재(111∼115, 121∼125)를 자동으로 클리닝하게 된다.
상기 필터부재(111∼115, 121∼125)를 클리닝한 가스 또는 에어는 제 1 및 제 2 필터(120)의 후단에 설치된 클리닝밸브(163, 167)와 제 2 배관(102)을 통해 배출구(Outlet)측으로 배출된다.
이때, 복수의 클리닝밸브(161-1∼161-5, 165-1∼165-5)를 모두 동시에 개방하게 되면 클리닝가스의 분출 압력이 낮아 클리닝 효율이 저하되므로, 제 1 필터(110) 또는 제 2 필터(120)의 복수의 클리닝밸브(161, 165)를 순차적으로 개폐시키면서 클리닝하는 것이 바람직하다.
그리고, 복수의 필터(110, 120) 중 한 개의 필터만 가동시킬 때에 나머지 한 개의 필터를 클리닝하면 되므로, 필터 시스템의 가동을 중단시키지 않고서도 필터부재를 클리닝할 수 있다.
상기에서 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만, 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다.
따라서, 본 발명에서는 필터를 복수개 설치한 후 흡입구의 압력에 따라 복수개의 필터를 선택 가동하여 웨이퍼처리 공정 중에 발생하는 오염분말과 오염가스를 필터를 통해 걸러내어 배출함과 아울러 필터링가스로 필터를 주기적으로 클리닝함으로써, 필터 시스템의 가동률을 증대시킴과 아울러 공정상의 런-페일(Run-fail)을 개선하고, 필터링 효율과 필터 수명을 보다 더 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 필터 중 한 개의 필터만 가동시킬 때에 나머지 한 개의 필터를 클리닝하면 되므로, 필터 시스템의 가동을 중단시키지 않고서도 필터부재를 클리닝할 수 있어 시스템의 보다 효율적으로 운용하여 가동률과 생산성을 극대화시킬 수 있다.
Claims (5)
- 챔버내 오염물질을 흡입하여 필터링한 후 외부로 정화된 공기를 배출하는 스크러브 장치에 있어서:상기 챔버로부터 배출되는 오염물질을 제공받아 유해물질을 걸러내는 병렬 연결의 제 1 및 제 2 필터;상기 챔버로부터 배출되는 오염물질의 배출 압력을 감지 및 표시하는 압력검출수단;상기 제 1 및 제 2 필터의 전후단에 각각 설치되어 상기 압력검출수단의 검출압력에 따라 그에 해당하는 비례 제어신호를 제공받아 선택적으로 개폐되는 복수의 필터링밸브;상기 제 1 및 제 2 필터를 클리닝하기 위한 가스를 공급하는 클리닝가스공급수단;상기 클리닝가스공급수단과 제 1 및 제 2 필터 사이와 각 필터의 후단에 각기 설치되어 외부 제어신호에 따라 개폐되어 클리닝가스를 제 1 및 제 2 필터로 공급하는 복수의 클리닝밸브;상기 제 1 및 제 2 필터의 후단에 설치된 필터링밸브와 클리닝밸브를 통해 유출되는 정화 공기를 외부로 배출시키는 배출팬; 및상기 압력검출수단에서 출력되는 압력관련 신호를 제공받아 복수의 필터링밸브를 각기 제어하여 제 1 또는 제 2 필터를 개별 또는 동시 가동함과 아울러 메모리에 미리 설정된 프로그램에 따라 상기 복수의 클리닝밸브를 제어하여 제 1 및 제 2 필터를 클리닝하는 컨트롤러;를 구비한 것을 특징으로 하는 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 제 1 필터 및 제 2 필터는, 필터내부의 하단측에 축적된 오염분말을 배출하는 분말배출구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 컨트롤러는 흡입구의 압력이 일정하도록 상기 제 1 필터 및 제 2 필터의 각 필터링밸브를 서로 상반되게 비례 제어하는 것을 특징으로 하는 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 클리닝가스공급수단과 제 1 및 제 2 필터 사이에 위치한 복수의 클리닝밸브는 설정시간에 따라 순차적으로 개폐되며 각 필터부재로 클리닝가스를 공급하는 솔레노이드 밸브인 것을 특징으로 하는 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 클리닝가스는, 질소가스인 것을 특징으로 하는 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치.
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR101255510B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2013-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 배기 시스템 및 그 제어 방법 |
| KR101981899B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2019-05-23 | 주식회사 기가레인 | 클리닝 기능이 구비된 반도체 공정 장비 및 이를 이용한 반도체 공정 장비의 클리닝 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08269721A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Kawasaki Steel Corp | Ｃｖｄ装置の排気ガス除塵方法 |
| KR19990004094A (ko) * | 1997-06-27 | 1999-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법 |
| JP2000107554A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-18 | Japan Pionics Co Ltd | 排ガスの浄化方法及び浄化装置 |
| KR20000017110U (ko) * | 1999-02-13 | 2000-09-25 | 윤종용 | 가스 스크러버 |
| KR20010011027A (ko) * | 1999-07-24 | 2001-02-15 | 윤종용 | 배기 가스 처리 시스템 |
-
2001
- 2001-10-11 KR KR10-2001-0062675A patent/KR100441622B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08269721A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Kawasaki Steel Corp | Ｃｖｄ装置の排気ガス除塵方法 |
| KR19990004094A (ko) * | 1997-06-27 | 1999-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법 |
| JP2000107554A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-18 | Japan Pionics Co Ltd | 排ガスの浄化方法及び浄化装置 |
| KR20000017110U (ko) * | 1999-02-13 | 2000-09-25 | 윤종용 | 가스 스크러버 |
| KR20010011027A (ko) * | 1999-07-24 | 2001-02-15 | 윤종용 | 배기 가스 처리 시스템 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190052311A (ko) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 김영민 | 폐가스 처리장치 및 이를 이용하는 폐가스 처리시스템 |
| KR102011577B1 (ko) | 2017-11-08 | 2019-08-16 | 주식회사 에스알디글로벌 | 폐가스 처리장치 및 이를 이용하는 폐가스 처리시스템 |
| KR102096623B1 (ko) | 2019-07-29 | 2020-04-02 | 주식회사 세미안 | 오스뮴 가스 누출 방지 장치 및 방법 |
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