JP2000107554A - 排ガスの浄化方法及び浄化装置 - Google Patents
排ガスの浄化方法及び浄化装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常圧ＣＶＤ式半導体製造装置から排出され
る、多量のダスト及び有害ガスを含有する排ガスを浄化
する際に、ＣＶＤ装置の圧力変動幅を1ｍｍＨ ２Ｏ以下
に保持しながら浄化できる浄化方法及び浄化装置を開発
する。 【解決手段】 濾過器、除害筒、及びブロワからなる浄
化装置において、濾過器の下流に流量センサーを設け、
その信号によりブロワの回転数またはダンパーの開度を
変えることより流量を一定に制御する。
る、多量のダスト及び有害ガスを含有する排ガスを浄化
する際に、ＣＶＤ装置の圧力変動幅を1ｍｍＨ ２Ｏ以下
に保持しながら浄化できる浄化方法及び浄化装置を開発
する。 【解決手段】 濾過器、除害筒、及びブロワからなる浄
化装置において、濾過器の下流に流量センサーを設け、
その信号によりブロワの回転数またはダンパーの開度を
変えることより流量を一定に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は常圧ＣＶＤ式半導体
製造装置から排出される多量のダスト及び有害ガスを含
む排ガスから、ダスト及び有害ガスを除去するための浄
化方法及び浄化装置に関する。さらに詳細には、シリコ
ン酸化膜や、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などに代
表されるドープド酸化膜を成膜する常圧ＣＶＤ式半導体
製造装置から排出される多量のダスト及び有害ガスを含
む排ガスからダスト及び有害ガスを除去する技術に関す
るものであり、特に、排ガス浄化装置に設けられるガス
流の制御方法、及びその装置構成に関する。
製造装置から排出される多量のダスト及び有害ガスを含
む排ガスから、ダスト及び有害ガスを除去するための浄
化方法及び浄化装置に関する。さらに詳細には、シリコ
ン酸化膜や、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などに代
表されるドープド酸化膜を成膜する常圧ＣＶＤ式半導体
製造装置から排出される多量のダスト及び有害ガスを含
む排ガスからダスト及び有害ガスを除去する技術に関す
るものであり、特に、排ガス浄化装置に設けられるガス
流の制御方法、及びその装置構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年急速に発展した半導体製造工業では
各種のガスを用いて種々の成膜が行われている。ＣＶＤ
法は代表的な成膜方法として知られているが、その方式
を操作圧力で分類すると、減圧ＣＶＤ法と常圧ＣＶＤ法
に分けられる。減圧ＣＶＤ法ではＣＶＤチャンバーと排
ガス浄化装置の間のガス流路が真空ポンプなどで実質的
に絶縁されるため、浄化装置側でのガス流の乱れが生じ
てもＣＶＤチャンバーには伝達されないので、浄化装置
側における圧力の多少の乱れは許容できる。
各種のガスを用いて種々の成膜が行われている。ＣＶＤ
法は代表的な成膜方法として知られているが、その方式
を操作圧力で分類すると、減圧ＣＶＤ法と常圧ＣＶＤ法
に分けられる。減圧ＣＶＤ法ではＣＶＤチャンバーと排
ガス浄化装置の間のガス流路が真空ポンプなどで実質的
に絶縁されるため、浄化装置側でのガス流の乱れが生じ
てもＣＶＤチャンバーには伝達されないので、浄化装置
側における圧力の多少の乱れは許容できる。
【０００３】一方、常圧ＣＶＤ法においては、通常はＣ
ＶＤチャンバーと排ガス浄化装置の間にはブロワとバタ
フライバルブ、及び直径１００ｍｍ程度で、長さが数ｍ
から数十ｍの配管で接続されている。このため浄化装置
側でのガス流に乱れが生じると直ちにその乱れがＣＶＤ
チャンバーにまで伝達され、成膜の均一性や膜厚などに
重大な影響を及ぼすため、若干の圧力の乱れも許容され
ない。
ＶＤチャンバーと排ガス浄化装置の間にはブロワとバタ
フライバルブ、及び直径１００ｍｍ程度で、長さが数ｍ
から数十ｍの配管で接続されている。このため浄化装置
側でのガス流に乱れが生じると直ちにその乱れがＣＶＤ
チャンバーにまで伝達され、成膜の均一性や膜厚などに
重大な影響を及ぼすため、若干の圧力の乱れも許容され
ない。
【０００４】ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などを成
膜する常圧ＣＶＤ式半導体製造装置の場合は、ＣＶＤチ
ャンバーにおいて圧力変動幅の許容値は１ｍｍＨ２Ｏ程
度とされている。また、これらの半導体製造装置では、
原料ガスとしてシランやテトラエトキシシランなどのシ
ラン系ガスと、酸素やオゾン及びドーピングガスなどを
同時に使用して酸化膜又はドープ酸化膜を成膜させてい
る。このため、その排ガス中には未反応のシラン系ガス
や、酸素、オゾン及びドーピングガス、さらにはこれら
からの副生物ガスと共に、多量のＳｉＯ２粉末が含まれ
ている。したがって排ガス浄化装置では多量のＳｉＯ２
粉末と共に未反応のシラン系ガスやオゾン、及びドーピ
ングガス、さらにはこれらからの副成物ガスを、ＣＶＤ
装置での圧力変動幅を１ｍｍＨ２Ｏ以下に保持させた状
態で浄化処理する必要がある。
膜する常圧ＣＶＤ式半導体製造装置の場合は、ＣＶＤチ
ャンバーにおいて圧力変動幅の許容値は１ｍｍＨ２Ｏ程
度とされている。また、これらの半導体製造装置では、
原料ガスとしてシランやテトラエトキシシランなどのシ
ラン系ガスと、酸素やオゾン及びドーピングガスなどを
同時に使用して酸化膜又はドープ酸化膜を成膜させてい
る。このため、その排ガス中には未反応のシラン系ガス
や、酸素、オゾン及びドーピングガス、さらにはこれら
からの副生物ガスと共に、多量のＳｉＯ２粉末が含まれ
ている。したがって排ガス浄化装置では多量のＳｉＯ２
粉末と共に未反応のシラン系ガスやオゾン、及びドーピ
ングガス、さらにはこれらからの副成物ガスを、ＣＶＤ
装置での圧力変動幅を１ｍｍＨ２Ｏ以下に保持させた状
態で浄化処理する必要がある。
【０００５】このため、浄化装置の主要機器としては、
多量のＳｉＯ２粉末を除去するための濾過器、有害ガス
を除去する除害剤を充填した乾式除害筒、その下流に設
けた吸引用のブロワから構成されている。乾式除害筒
は、未反応のシラン系ガスや酸素、オゾン、及びドーピ
ングガス、副成物ガスを化学反応で除去するためのもの
である。さらに、濾過器入口部には、圧力センサーを設
けその信号により圧力調節器とインバータを介してブロ
ワの回転数を制御することで、排ガス浄化装置入口部の
圧力を一定に保つようにガス流れを制御する構成とした
除害装置が実用化されている。
多量のＳｉＯ２粉末を除去するための濾過器、有害ガス
を除去する除害剤を充填した乾式除害筒、その下流に設
けた吸引用のブロワから構成されている。乾式除害筒
は、未反応のシラン系ガスや酸素、オゾン、及びドーピ
ングガス、副成物ガスを化学反応で除去するためのもの
である。さらに、濾過器入口部には、圧力センサーを設
けその信号により圧力調節器とインバータを介してブロ
ワの回転数を制御することで、排ガス浄化装置入口部の
圧力を一定に保つようにガス流れを制御する構成とした
除害装置が実用化されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、濾過器
入口部の圧力センサーの信号により圧力調節器とインバ
ータを介してブロワの回転数を制御する方法は、濾過器
でＳｉＯ２粉末の堆積状況の変化などが生じても、常に
濾過器入口部の圧力を一定に保つことが原理的に可能で
あり、濾過器入口部の圧力変動幅を１ｍｍＨ２Ｏ程度に
一応は安定させることができる。
入口部の圧力センサーの信号により圧力調節器とインバ
ータを介してブロワの回転数を制御する方法は、濾過器
でＳｉＯ２粉末の堆積状況の変化などが生じても、常に
濾過器入口部の圧力を一定に保つことが原理的に可能で
あり、濾過器入口部の圧力変動幅を１ｍｍＨ２Ｏ程度に
一応は安定させることができる。
【０００７】このような機器構成の排ガス浄化装置をＮ
ＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などを成膜する常圧ＣＶ
Ｄ式半導体製造装置の浄化処理に実際に用いた場合にお
いても、通常は濾過器入口部の圧力変動幅を１ｍｍＨ２
Ｏ程度に安定させることができる。しかしながら、この
ような装置では、時として濾過器入口部の圧力変動幅が
１ｍｍＨ２Ｏを越えることがあり、それに連動して常圧
ＣＶＤ式半導体製造装置のＣＶＤチャンバーの圧力変動
幅が許容値を越えて、数ｍｍＨ２Ｏ程度になるという不
都合があり、その解決が強く望まれていた。
ＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などを成膜する常圧ＣＶ
Ｄ式半導体製造装置の浄化処理に実際に用いた場合にお
いても、通常は濾過器入口部の圧力変動幅を１ｍｍＨ２
Ｏ程度に安定させることができる。しかしながら、この
ような装置では、時として濾過器入口部の圧力変動幅が
１ｍｍＨ２Ｏを越えることがあり、それに連動して常圧
ＣＶＤ式半導体製造装置のＣＶＤチャンバーの圧力変動
幅が許容値を越えて、数ｍｍＨ２Ｏ程度になるという不
都合があり、その解決が強く望まれていた。
【０００８】すなわち本発明の目的は、ＮＳＧ膜、ＰＳ
Ｇ膜、ＢＰＳＧ膜などを成膜する常圧ＣＶＤ式半導体製
造装置から排出される、シラン系ガス、オゾン、ドーピ
ングガス、副生物ガス及び多量のＳｉＯ２粉末を含有す
る排ガスを、ＣＶＤチャンバーにおける圧力変動幅を１
ｍｍＨ２Ｏ以下に保持させた状態で浄化する方法、及び
浄化装置を開発することである。
Ｇ膜、ＢＰＳＧ膜などを成膜する常圧ＣＶＤ式半導体製
造装置から排出される、シラン系ガス、オゾン、ドーピ
ングガス、副生物ガス及び多量のＳｉＯ２粉末を含有す
る排ガスを、ＣＶＤチャンバーにおける圧力変動幅を１
ｍｍＨ２Ｏ以下に保持させた状態で浄化する方法、及び
浄化装置を開発することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、濾過器入
口部の圧力変動幅が通常は１ｍｍＨ２Ｏ程度に安定して
いるにも係わらず、時として濾過器入口部の圧力変動幅
及び常圧ＣＶＤ式半導体製造装置ＣＶＤチャンバーの圧
力変動幅が数ｍｍＨ２Ｏ程度に変動する原因を究明する
こと、及びこれらの問題点を解決するために鋭意研究を
重ねた。その結果、次のことが明らかとなった。すなわ
ち、従来のような濾過器入口部の圧力を検出してブロワ
を制御する方式では、通常は、濾過器入口部で検出した
微小な圧力変化に対応して浄化装置のブロワの回転数を
制御する機構と、ＣＶＤチャンバーの圧力を検出して半
導体製造装置側に設けられたバタフライバルブを制御す
る機構が設けられている。このため、条件によってはこ
れらの制御動作が干渉し合うこととなり、濾過器入口部
の圧力及び常圧ＣＶＤ式半導体製造装置のＣＶＤチャン
バーの圧力変動幅が数ｍｍＨ２Ｏ程度変動を生じるとい
う事実を究明した。
口部の圧力変動幅が通常は１ｍｍＨ２Ｏ程度に安定して
いるにも係わらず、時として濾過器入口部の圧力変動幅
及び常圧ＣＶＤ式半導体製造装置ＣＶＤチャンバーの圧
力変動幅が数ｍｍＨ２Ｏ程度に変動する原因を究明する
こと、及びこれらの問題点を解決するために鋭意研究を
重ねた。その結果、次のことが明らかとなった。すなわ
ち、従来のような濾過器入口部の圧力を検出してブロワ
を制御する方式では、通常は、濾過器入口部で検出した
微小な圧力変化に対応して浄化装置のブロワの回転数を
制御する機構と、ＣＶＤチャンバーの圧力を検出して半
導体製造装置側に設けられたバタフライバルブを制御す
る機構が設けられている。このため、条件によってはこ
れらの制御動作が干渉し合うこととなり、濾過器入口部
の圧力及び常圧ＣＶＤ式半導体製造装置のＣＶＤチャン
バーの圧力変動幅が数ｍｍＨ２Ｏ程度変動を生じるとい
う事実を究明した。
【００１０】また、従来の方式は圧力センサーを濾過器
の上流に設けて、濾過素子上に堆積するＳｉＯ２粉末に
より濾過器で発生する圧力損失の上昇を、ブロワの吸引
力を増大させることよって補正して濾過器上流部の圧力
を一定に保つシステムである。そのため、圧力センサー
がＳｉＯ２粉末の付着や詰まりにより誤信号を発するこ
とがあり、このこともＣＶＤチャンバーでの圧力変動の
原因となっている事実を究明した。さらに、従来の濾過
器入口部の圧力を検出してブロワの回転数を制御する方
式に替えて、流量センサーを濾過器の下流に配置して、
流量センサーの信号でブロワの回転数を制御し流量を一
定に保持する方式とすることによって、常圧ＣＶＤ式半
導体製造装置のＣＶＤチャンバーにおける圧力変動幅
を、１ｍｍＨ２Ｏ以下に保つことが可能であることを見
出し本発明に到達した。
の上流に設けて、濾過素子上に堆積するＳｉＯ２粉末に
より濾過器で発生する圧力損失の上昇を、ブロワの吸引
力を増大させることよって補正して濾過器上流部の圧力
を一定に保つシステムである。そのため、圧力センサー
がＳｉＯ２粉末の付着や詰まりにより誤信号を発するこ
とがあり、このこともＣＶＤチャンバーでの圧力変動の
原因となっている事実を究明した。さらに、従来の濾過
器入口部の圧力を検出してブロワの回転数を制御する方
式に替えて、流量センサーを濾過器の下流に配置して、
流量センサーの信号でブロワの回転数を制御し流量を一
定に保持する方式とすることによって、常圧ＣＶＤ式半
導体製造装置のＣＶＤチャンバーにおける圧力変動幅
を、１ｍｍＨ２Ｏ以下に保つことが可能であることを見
出し本発明に到達した。
【００１１】すなわち本発明は、常圧ＣＶＤ式半導体製
造装置から排出されるダスト及び有害ガスを含む排ガス
をブロワで吸引しながらダストを濾過器で除去し、次に
有害ガスを乾式除害剤に接触させて除去する排ガスの浄
化方法において、該濾過器より下流でガス流量を検出
し、その信号によってガス流量を一定に制御することを
特徴とする排ガスの浄化方法である。
造装置から排出されるダスト及び有害ガスを含む排ガス
をブロワで吸引しながらダストを濾過器で除去し、次に
有害ガスを乾式除害剤に接触させて除去する排ガスの浄
化方法において、該濾過器より下流でガス流量を検出
し、その信号によってガス流量を一定に制御することを
特徴とする排ガスの浄化方法である。
【００１２】また本発明は、常圧ＣＶＤ式半導体製造装
置から排出されるダスト及び有害ガスを含む排ガスをブ
ロワで吸引しながらダストを濾過器で除去し、次に有害
ガスを乾式除害剤に接触させて除去する排ガスの浄化装
置において、該濾過器より下流にガス流量センサーが設
けられ、該流量センサーからの信号によってガス流量を
一定に制御するフイードバック機構を備えたことを特徴
とする排ガスの浄化装置でもある。
置から排出されるダスト及び有害ガスを含む排ガスをブ
ロワで吸引しながらダストを濾過器で除去し、次に有害
ガスを乾式除害剤に接触させて除去する排ガスの浄化装
置において、該濾過器より下流にガス流量センサーが設
けられ、該流量センサーからの信号によってガス流量を
一定に制御するフイードバック機構を備えたことを特徴
とする排ガスの浄化装置でもある。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、常圧ＣＶＤ式半導体製
造装置から排出されるダスト及び有害ガスを含む排ガス
の浄化方法及び浄化装置に適用される。本発明は、濾過
器、除害筒、ブロワからなる排ガス浄化装置において、
濾過器又は除害筒の下流に流量センサーを設け、その信
号によりブロワの回転数を制御することによって、排ガ
ス浄化装置での排ガス流量を一定に保持させて常圧ＣＶ
Ｄ装置への圧力変動を１ｍｍＨ２Ｏ以下に保持するもの
である。すなわち本発明では、浄化装置側で流量制御を
行い、ＣＶＤ装置側では圧力制御を実施するか、又は浄
化装置側で流量制御を行い、ＣＶＤ装置側では圧力制御
を実施しない方法をとることによって、制御機器相互間
の干渉を皆無又は最小に止めることができる。
造装置から排出されるダスト及び有害ガスを含む排ガス
の浄化方法及び浄化装置に適用される。本発明は、濾過
器、除害筒、ブロワからなる排ガス浄化装置において、
濾過器又は除害筒の下流に流量センサーを設け、その信
号によりブロワの回転数を制御することによって、排ガ
ス浄化装置での排ガス流量を一定に保持させて常圧ＣＶ
Ｄ装置への圧力変動を１ｍｍＨ２Ｏ以下に保持するもの
である。すなわち本発明では、浄化装置側で流量制御を
行い、ＣＶＤ装置側では圧力制御を実施するか、又は浄
化装置側で流量制御を行い、ＣＶＤ装置側では圧力制御
を実施しない方法をとることによって、制御機器相互間
の干渉を皆無又は最小に止めることができる。
【００１４】また、本発明では流量センサーの取付け位
置を濾過器の下流にすることから、流量センサーがＳｉ
Ｏ２粉末の付着や詰まりによる誤信号を発することがな
い。したがって、従来のようなダストに起因するセンサ
ー部からの誤信号によってＣＶＤチャンバーに圧力変動
を生じることがない。ここで、濾過器の下流とは、濾過
素子以降のことを意味するものであり、濾過器内であっ
て濾過素子の二次側以降の部分も含まれるものである。
さらに濾過器の下流とは、濾過器と除害筒との間、ある
いは除害筒とブロワの間、ブロワ出口をも含むものであ
る。
置を濾過器の下流にすることから、流量センサーがＳｉ
Ｏ２粉末の付着や詰まりによる誤信号を発することがな
い。したがって、従来のようなダストに起因するセンサ
ー部からの誤信号によってＣＶＤチャンバーに圧力変動
を生じることがない。ここで、濾過器の下流とは、濾過
素子以降のことを意味するものであり、濾過器内であっ
て濾過素子の二次側以降の部分も含まれるものである。
さらに濾過器の下流とは、濾過器と除害筒との間、ある
いは除害筒とブロワの間、ブロワ出口をも含むものであ
る。
【００１５】このほか、ガス流量を一定に制御するフイ
ードバック機構として、流量センサーからの信号により
流量調節器、インバータを介してブロワの回転数を制御
することに変えて、ダンパーを設け、その開度によって
流量を制御することもできる。しかしながら、動力損失
の少ない点から、通常はブロワの回転数を制御する方法
が好ましい。
ードバック機構として、流量センサーからの信号により
流量調節器、インバータを介してブロワの回転数を制御
することに変えて、ダンパーを設け、その開度によって
流量を制御することもできる。しかしながら、動力損失
の少ない点から、通常はブロワの回転数を制御する方法
が好ましい。
【００１６】次に、本発明の実施形態の一例を図面によ
って例示し、具体的に説明する。図１に本発明の排ガス
浄化装置の一例を示す。図１において符号１から７は常
圧ＣＶＤ式半導体製造装置側に係わる部分である。１は
常圧ＣＶＤ式半導体製造装置のチャンバー、２は流量制
御部を介してＣＶＤ工程に使用する各種ガスの配管群で
ある。３及び３’は吸気口、４は一定の回転数で排気す
るブロワである。５は開度を調節することによりチャン
バー内の圧力を一定に制御するためのバタフライバルブ
である。６はチャンバー内の圧力を検出する圧力センサ
ーであり、７はチャンバー内の圧力信号を基にバタフラ
イバルブの開度を指令する圧力調節器である。８は常圧
ＣＶＤ式半導体製造装置と排ガスの浄化装置とを結ぶ配
管を示している。尚、図１中のＣＶＤ装置側のバタフラ
イバルブ、圧力センサー、圧力調節器からなる圧力制御
機構を動作させないで排ガスの浄化を実施することもで
きる。
って例示し、具体的に説明する。図１に本発明の排ガス
浄化装置の一例を示す。図１において符号１から７は常
圧ＣＶＤ式半導体製造装置側に係わる部分である。１は
常圧ＣＶＤ式半導体製造装置のチャンバー、２は流量制
御部を介してＣＶＤ工程に使用する各種ガスの配管群で
ある。３及び３’は吸気口、４は一定の回転数で排気す
るブロワである。５は開度を調節することによりチャン
バー内の圧力を一定に制御するためのバタフライバルブ
である。６はチャンバー内の圧力を検出する圧力センサ
ーであり、７はチャンバー内の圧力信号を基にバタフラ
イバルブの開度を指令する圧力調節器である。８は常圧
ＣＶＤ式半導体製造装置と排ガスの浄化装置とを結ぶ配
管を示している。尚、図１中のＣＶＤ装置側のバタフラ
イバルブ、圧力センサー、圧力調節器からなる圧力制御
機構を動作させないで排ガスの浄化を実施することもで
きる。
【００１７】排ガスの浄化装置には９で示す濾過器、１
０で示す有害ガス浄化用の乾式除害筒、その下流には１
１の流量センサー及び１２で示すブロワが設けられてい
る。流量センサーの信号を基に１３で示す流量調節器及
び１４で示すインバータを介してブロワの回転数を制御
することにより流量を一定に保持する構成となってい
る。
０で示す有害ガス浄化用の乾式除害筒、その下流には１
１の流量センサー及び１２で示すブロワが設けられてい
る。流量センサーの信号を基に１３で示す流量調節器及
び１４で示すインバータを介してブロワの回転数を制御
することにより流量を一定に保持する構成となってい
る。
【００１８】本発明に使用する濾過器に特に制限はない
が、ＳｉＯ２粉末を多量に処理する必要があることか
ら、自動的にＳｉＯ２粉末を払い落としができ、メンテ
ナンスの容易な構造のものが好ましい。例えば濾過素子
の二次側から逆洗用ガスをパルスジェット状に噴射し
て、その衝撃によりＳｉＯ２粉末を払い落とす構造とし
たものなどが好ましい。
が、ＳｉＯ２粉末を多量に処理する必要があることか
ら、自動的にＳｉＯ２粉末を払い落としができ、メンテ
ナンスの容易な構造のものが好ましい。例えば濾過素子
の二次側から逆洗用ガスをパルスジェット状に噴射し
て、その衝撃によりＳｉＯ２粉末を払い落とす構造とし
たものなどが好ましい。
【００１９】また、濾過素子の表面形状はＳｉＯ２粉末
が脱離し易いようにできるだけ単純なものが好ましく、
深い襞を有するプリーツ状など複雑な形状のものは好ま
しくない。また、成膜工程中に濾過素子の逆洗を行うと
ＣＶＤチャンバーで圧力変動を生じる。このため、濾過
器を複数系列設置してバルブの切り替えにより、濾過を
行う系列と、逆洗を行う系列とを絶縁できる構造とする
ことが好ましい。また、逆洗用ガスをパルスジェット状
に噴射する方法としては、多数の噴射ノズルを用いて、
濾過素子を部分的に分割して逆洗する方法（例えば、特
開平１０−６６８１６号公報）が好ましい。
が脱離し易いようにできるだけ単純なものが好ましく、
深い襞を有するプリーツ状など複雑な形状のものは好ま
しくない。また、成膜工程中に濾過素子の逆洗を行うと
ＣＶＤチャンバーで圧力変動を生じる。このため、濾過
器を複数系列設置してバルブの切り替えにより、濾過を
行う系列と、逆洗を行う系列とを絶縁できる構造とする
ことが好ましい。また、逆洗用ガスをパルスジェット状
に噴射する方法としては、多数の噴射ノズルを用いて、
濾過素子を部分的に分割して逆洗する方法（例えば、特
開平１０−６６８１６号公報）が好ましい。
【００２０】本発明に使用する有害ガス浄化用の乾式除
害筒に充填される除害剤に特に制限はなく、公知技術の
乾式除害剤を用いることができる。例えば二酸化マンガ
ンと酸化銅の混合物であるホプカライト触媒に水酸化カ
リウムを担持した除害剤（特開平８−２９４６１７号公
報）などが好適である。
害筒に充填される除害剤に特に制限はなく、公知技術の
乾式除害剤を用いることができる。例えば二酸化マンガ
ンと酸化銅の混合物であるホプカライト触媒に水酸化カ
リウムを担持した除害剤（特開平８−２９４６１７号公
報）などが好適である。
【００２１】本発明に使用する流量センサー、ブロワ、
流量調節器、インバータなどに特に制限はなく、市販さ
れているものを適宜選択して使用することができる。ま
た、流量センサー、ブロワなどの接ガス機器はＳｉＯ２
粉末が除去された状態のガスが流通する位置に設置され
るので、特別な粉塵対策を必要としない。さらに、流量
センサーを除害筒の下流に設置した場合には、有害ガス
も除去されているので、有害ガスによる腐食などの影響
を受けることがない点で好都合である。
流量調節器、インバータなどに特に制限はなく、市販さ
れているものを適宜選択して使用することができる。ま
た、流量センサー、ブロワなどの接ガス機器はＳｉＯ２
粉末が除去された状態のガスが流通する位置に設置され
るので、特別な粉塵対策を必要としない。さらに、流量
センサーを除害筒の下流に設置した場合には、有害ガス
も除去されているので、有害ガスによる腐食などの影響
を受けることがない点で好都合である。
【００２２】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに具体的に示
すが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 （実施例１）図１に示すフローと同等の機能を有するよ
うなテスト設備を試作した。図１中符号１にはＣＶＤチ
ャンバーに相当するものとして直径が５０ｃｍで内容積
が５０Ｌの塩化ビニル製の容器を用いた。２はＣＶＤ工
程に使用する各種ガス配管群に相当するものであり、流
量制御部を介した窒素ガス配管２本を設けた。このうち
１本は２５０Ｌ／ｍｉｎの一定流量に調整した。他の１
本は流量を０〜５０Ｌ／ｍｉｎに制御できるように調整
した。３及び３’は吸気口に相当するものであり、直径
３ｃｍの穴２個が設けられている。４は一定の回転数で
排気するブロワ（富士電機（株）製、ＶＦＣ−２０６Ａ
型）である。５は開度を調節することによりチャンバー
内の圧力を一定に制御するバタフライバルブ（（株）エ
ステック製、ＥＣ−５０００型）である。６はチャンバ
ー内の圧力を検出する圧力センサー（日本ＭＫＳ（株）
製、２２０ＤＤ型）である。７はチャンバー内の圧力信
号を基にバタフライバルブの開度を指令する圧力調節器
（（株）エステック製、ＰＣＵ−３０００型）を示して
いる。８は常圧ＣＶＤ式半導体製造装置と排ガスの浄化
装置とを結ぶ配管であり、５０Ａで、長さ２０ｍのステ
ンレス製配管である。
すが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 （実施例１）図１に示すフローと同等の機能を有するよ
うなテスト設備を試作した。図１中符号１にはＣＶＤチ
ャンバーに相当するものとして直径が５０ｃｍで内容積
が５０Ｌの塩化ビニル製の容器を用いた。２はＣＶＤ工
程に使用する各種ガス配管群に相当するものであり、流
量制御部を介した窒素ガス配管２本を設けた。このうち
１本は２５０Ｌ／ｍｉｎの一定流量に調整した。他の１
本は流量を０〜５０Ｌ／ｍｉｎに制御できるように調整
した。３及び３’は吸気口に相当するものであり、直径
３ｃｍの穴２個が設けられている。４は一定の回転数で
排気するブロワ（富士電機（株）製、ＶＦＣ−２０６Ａ
型）である。５は開度を調節することによりチャンバー
内の圧力を一定に制御するバタフライバルブ（（株）エ
ステック製、ＥＣ−５０００型）である。６はチャンバ
ー内の圧力を検出する圧力センサー（日本ＭＫＳ（株）
製、２２０ＤＤ型）である。７はチャンバー内の圧力信
号を基にバタフライバルブの開度を指令する圧力調節器
（（株）エステック製、ＰＣＵ−３０００型）を示して
いる。８は常圧ＣＶＤ式半導体製造装置と排ガスの浄化
装置とを結ぶ配管であり、５０Ａで、長さ２０ｍのステ
ンレス製配管である。
【００２３】図１において、９は濾過器であり、日鉄鉱
業（株）製、シンターラメラー濾過器ＨＳＬ−４５０−
４／５−ＫＢ型を用いた。１０は乾式除害筒（日本パイ
オニクス（株）製、パイオクリンカートリッジＰＣＳ−
６２Ｂ−ＰＮＳ型）である。１１は流量センサー（東京
計装（株）製、ＴＨ−１６００型）であり、１２はブロ
ワ（富士電機（株）製、ＶＦＣ−２０６Ａ型）である。
１３は流量調節器（山武ハネウェル（株）製、ＳＤＣ−
４０Ｂ型）であり、１４はインバータ（安川電機（株）
製、ＶＳ−６１６Ｇ５型）である。
業（株）製、シンターラメラー濾過器ＨＳＬ−４５０−
４／５−ＫＢ型を用いた。１０は乾式除害筒（日本パイ
オニクス（株）製、パイオクリンカートリッジＰＣＳ−
６２Ｂ−ＰＮＳ型）である。１１は流量センサー（東京
計装（株）製、ＴＨ−１６００型）であり、１２はブロ
ワ（富士電機（株）製、ＶＦＣ−２０６Ａ型）である。
１３は流量調節器（山武ハネウェル（株）製、ＳＤＣ−
４０Ｂ型）であり、１４はインバータ（安川電機（株）
製、ＶＳ−６１６Ｇ５型）である。
【００２４】以上の装置構成で流量調節器１３によりＣ
ＶＤチャンバー相当部が−２５ｍｍＨ ２Ｏになるように
ガス流量を調節した。その結果、ガス流量は４１５Ｌ／
ｍｉｎとなったが、このガス流量を一定に保つように浄
化装置側のブロワ回転数制御を開始した後、ＣＶＤチャ
ンバー相当部が−２５ｍｍＨ２Ｏの一定圧力となるよう
に、ダンパー開度の制御を開始した。この後ＣＶＤチャ
ンバー相当部の圧力指示値を記録しながらテスト１、テ
スト２を実施した。
ＶＤチャンバー相当部が−２５ｍｍＨ ２Ｏになるように
ガス流量を調節した。その結果、ガス流量は４１５Ｌ／
ｍｉｎとなったが、このガス流量を一定に保つように浄
化装置側のブロワ回転数制御を開始した後、ＣＶＤチャ
ンバー相当部が−２５ｍｍＨ２Ｏの一定圧力となるよう
に、ダンパー開度の制御を開始した。この後ＣＶＤチャ
ンバー相当部の圧力指示値を記録しながらテスト１、テ
スト２を実施した。
【００２５】テスト１は濾過器にＳｉＯ２粉末の付着し
ていない状態で、窒素ガスの導入量を２５０Ｌ／ｍｉｎ
から３００Ｌ／ｍｉｎへ変化させ、その後３００Ｌ／ｍ
ｉｎから２５０Ｌ／ｍｉｎへ変化させる操作を１０回繰
り返し、その間のＣＶＤチャンバー相当部の圧力指示値
を記録した。テスト２は窒素ガスの導入量を３００Ｌ／
ｍｉｎの一定にして、３の吸気口からＳｉＯ２粉末（日
本アエロジル（株）製、アエロジル１３０）を、３０分
間に１回の割合で供給した。１回の供給操作は１０分間
の間、ＳｉＯ２粉末を１０ｇ／ｍｉｎの割合で連続的に
供給した。この操作を１０回繰り返し、この間のＣＶＤ
チャンバー相当部の圧力変動状況を記録した。その結果
を表１に示す。
ていない状態で、窒素ガスの導入量を２５０Ｌ／ｍｉｎ
から３００Ｌ／ｍｉｎへ変化させ、その後３００Ｌ／ｍ
ｉｎから２５０Ｌ／ｍｉｎへ変化させる操作を１０回繰
り返し、その間のＣＶＤチャンバー相当部の圧力指示値
を記録した。テスト２は窒素ガスの導入量を３００Ｌ／
ｍｉｎの一定にして、３の吸気口からＳｉＯ２粉末（日
本アエロジル（株）製、アエロジル１３０）を、３０分
間に１回の割合で供給した。１回の供給操作は１０分間
の間、ＳｉＯ２粉末を１０ｇ／ｍｉｎの割合で連続的に
供給した。この操作を１０回繰り返し、この間のＣＶＤ
チャンバー相当部の圧力変動状況を記録した。その結果
を表１に示す。
【００２６】（実施例２）図１中の４で示すブロワと、
５で示すバタフライバルブを撤去してＣＶＤ装置側に相
当する圧力制御を無くしたほかは実施例１と同様として
テスト１、テスト２を実施した。その結果を表１に示
す。
５で示すバタフライバルブを撤去してＣＶＤ装置側に相
当する圧力制御を無くしたほかは実施例１と同様として
テスト１、テスト２を実施した。その結果を表１に示
す。
【００２７】（比較例１）図１中の１１で示す流量セン
サーと、１３で示す流量調節器を取り外し、代わりに濾
過器入口部に圧力センサー（長野計器（株）製、ＫＨ−
２５型）を設け、さらに圧力調節器を設けて、圧力セン
サー、圧力調節器及び１４で示すインバータを介してブ
ロワの回転数を制御するようにしたほかは実施例１と同
様にしてテスト１、テスト２を実施した。その結果を表
１に示す。
サーと、１３で示す流量調節器を取り外し、代わりに濾
過器入口部に圧力センサー（長野計器（株）製、ＫＨ−
２５型）を設け、さらに圧力調節器を設けて、圧力セン
サー、圧力調節器及び１４で示すインバータを介してブ
ロワの回転数を制御するようにしたほかは実施例１と同
様にしてテスト１、テスト２を実施した。その結果を表
１に示す。
【００２８】（比較例２）図１中の４で示すブロワと、
５で示すバタフライバルブを撤去してＣＶＤ装置側に相
当する部分での圧力制御をしないことにしたほかは比較
例１と同様にしてテスト１、テスト２を実施した。その
結果を表１に示す。
５で示すバタフライバルブを撤去してＣＶＤ装置側に相
当する部分での圧力制御をしないことにしたほかは比較
例１と同様にしてテスト１、テスト２を実施した。その
結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明の浄化方法及び浄化装置によっ
て、従来の圧力による調節に比較して、ＣＶＤ装置への
圧力変動の影響を著しく小さくすることができ、ＣＶＤ
チャンバーでの圧力変動幅を１ｍｍＨ２Ｏ以下に容易に
制御できるようになった。また、流量センサーを濾過器
の下流に設けることによって、ダストの付着あるいは詰
まりによる誤信号を発生することがなくなった。さら
に、流量センサーを除害筒の下流に設けた場合には有害
ガスによるセンサーの損傷による誤信号を発生すること
がなくなった。
て、従来の圧力による調節に比較して、ＣＶＤ装置への
圧力変動の影響を著しく小さくすることができ、ＣＶＤ
チャンバーでの圧力変動幅を１ｍｍＨ２Ｏ以下に容易に
制御できるようになった。また、流量センサーを濾過器
の下流に設けることによって、ダストの付着あるいは詰
まりによる誤信号を発生することがなくなった。さら
に、流量センサーを除害筒の下流に設けた場合には有害
ガスによるセンサーの損傷による誤信号を発生すること
がなくなった。
【図１】本発明の排ガス浄化装置の例図である。
【符号の説明】 １ 常圧ＣＶＤ式半導体製造装置のチャンバー ２ 配管郡 ３、３’ 吸気口 ４ ブロワ ５ バタフライバルブ ６ 圧力センサー ７ 圧力調節器 ８ 接続配管 ９ 濾過器 １０ 乾式除害筒 １１ 流量センサー １２ ブロワ １３ 流量調節器 １４ インバータ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｄ 53/86 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｂ Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｚ // Ｈ０１Ｌ 21/31 (72)発明者 島田 孝 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚工場内 Ｆターム(参考） 4D002 AA11 AA26 AC10 BA03 BA14 CA07 CA13 DA03 DA11 DA12 DA23 DA24 EA02 EA07 GA02 GA04 GB01 GB02 GB04 GB20 HA03 4D048 AA21 BA14Y BA28Y BA35Y BA41Y CC38 CD03 DA01 DA02 DA07 4K030 KA41 LA12 5F045 AE29 EE17 EG01 EG08 GB06 GB15
Claims (6)
- 【請求項１】 常圧ＣＶＤ式半導体製造装置から排出さ
れるダスト及び有害ガスを含む排ガスをブロワで吸引し
ながらダストを濾過器で除去し、次に有害ガスを乾式除
害剤に接触させて除去する排ガスの浄化方法において、
該濾過器より下流でガス流量を検出し、その信号によっ
てガス流量を一定に制御することを特徴とする排ガスの
浄化方法。 - 【請求項２】 ガス流量を一定に制御する方法が、ブロ
ワの回転数の制御による方法又はダンパーの開度による
方法である請求項1に記載の排ガスの浄化方法。 - 【請求項３】 ガス流量を検出する位置が除害筒の下流
である請求項1に記載の排ガスの浄化方法。 - 【請求項４】 常圧ＣＶＤ式半導体製造装置から排出さ
れるダスト及び有害ガスを含む排ガスをブロワで吸引し
ながらダストを濾過器で除去し、次に有害ガスを乾式除
害剤に接触させて除去する排ガスの浄化装置において、
該濾過器より下流にガス流量センサーが設けられ、該流
量センサーからの信号によってガス流量を一定に制御す
るフイードバック機構を備えたことを特徴とする排ガス
の浄化装置。 - 【請求項５】 ガス流量を一定に制御するフイードバッ
ク機構が、ガス流量センサーからの信号による、ブロワ
回転数の制御器又はダンパーである請求項４に記載の排
ガスの浄化装置。 - 【請求項６】 ガス流量センサーの設定位置が除害筒の
下流である請求項４に記載の排ガスの浄化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286992A JP2000107554A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 排ガスの浄化方法及び浄化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286992A JP2000107554A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 排ガスの浄化方法及び浄化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000107554A true JP2000107554A (ja) | 2000-04-18 |
Family
ID=17711626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10286992A Pending JP2000107554A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 排ガスの浄化方法及び浄化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000107554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100441622B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-07-23 | 주식회사 케이피씨 | 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치 |
| JP2006137984A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置の排ガス除害装置の運転方法 |
| SG156522A1 (en) * | 2002-12-18 | 2009-11-26 | Taiwan Semiconductor Mfg | Multi-phase pressure control valve for process chamber |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP10286992A patent/JP2000107554A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100441622B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-07-23 | 주식회사 케이피씨 | 챔버내 오염물질 필터링 및 배출장치 |
| SG156522A1 (en) * | 2002-12-18 | 2009-11-26 | Taiwan Semiconductor Mfg | Multi-phase pressure control valve for process chamber |
| JP2006137984A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置の排ガス除害装置の運転方法 |
| JP4607551B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2011-01-05 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置の排ガス除害装置の運転方法 |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050531 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061201 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080730 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |