KR100428945B1 - Semiconductor wafer sawing machine - Google Patents

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KR100428945B1
KR100428945B1 KR10-2001-0035698A KR20010035698A KR100428945B1 KR 100428945 B1 KR100428945 B1 KR 100428945B1 KR 20010035698 A KR20010035698 A KR 20010035698A KR 100428945 B1 KR100428945 B1 KR 100428945B1
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 쏘잉(sawing) 장치에 관한 것으로서 일 방향과 수직하는 다른 방향에 각각 평행하도록 형성되어 소자가 형성된 영역을 한정하는 다수 개의 스크라이브 라인을 갖는 웨이퍼가 실장되며 θ축을 따라 회전되는 진공 척을 포함하고 상기 웨이퍼를 X축을 따라 이동시키는 제 1 이송수단과; 상기 웨이퍼를 상기 일 방향 또는 다른 방향의 스크라이브 라인을 따라 상기 X축 방향으로 이동시키면서 냉각수가 공급되는 블레이드를 사용하여 단위 소자인 각각의 칩들로 분리되게 쏘잉하는 절단수단과; 상기 웨이퍼와 상기 블레이드의 초기 정렬 상태를 촬상하고 상기 웨이퍼의 절단되는 부분에 고압의 공기를 분사시켜 잔류하는 냉각수를 제거하면서 촬상하여 모니터에 나타내는 모니터링수단과, 상기 절단수단과 모니터링수단이 실장되며 상기 웨이퍼의 상기 일 방향의 스크라이브 라인이 절단된 후 상기 블레이드를 상기 일 방향의 다음 스크라이브 라인과 일치되게 Y축을 따라 이동시키는 제 2 이송수단과, 상기 제 2 이송수단이 일측면에 고정되며 상기 블레이드가 상기 웨이퍼에 접촉 또는 분리되도록 Z축을 따라 상하로 이동되도록 하는 제 3 이송수단을 포함한다. 따라서, 쏘잉시 불량이 발생되면 공정을 중단시키고 불량을 제거한 후 공정을 진행하므로 수율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 쏘잉 공정 중에 불량 검사를 동시에 진행할 수 있으므로 쏘잉 공정 후 별도의 검사 공정을 필요로 하지 않게 된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer sawing apparatus, wherein a vacuum chuck in which a wafer having a plurality of scribe lines formed to be parallel to each other in a direction perpendicular to one direction and defining an area in which an element is formed is mounted and rotated along a θ axis. A first conveying means comprising: and moving the wafer along an X axis; Cutting means for sawing the wafer separately into chips as unit elements by using a blade to which the coolant is supplied while moving the wafer along the scribe line in one direction or the other direction; The monitoring means displayed on the monitor by imaging the wafer and the blades by initializing the wafer and removing the remaining coolant by spraying high pressure air to the cut portion of the wafer, and the cutting means and the monitoring means are mounted. A second transfer means for moving the blade along the Y axis to be aligned with the next scribe line in the one direction after the scribe line in the one direction is cut, and the second transfer means is fixed to one side and the blade And a third transfer means configured to move up and down along the Z axis to be in contact with or separated from the wafer. Therefore, if a defect occurs during sawing, the process is stopped after removing the defect and the process is progressed to improve the yield. Also, since the defect inspection can be simultaneously performed during the sawing process, a separate inspection process is not required after the sawing process. Will not.

Description

반도체 웨이퍼 쏘잉 장치{Semiconductor wafer sawing machine}Semiconductor wafer sawing machine {Semiconductor wafer sawing machine}

본 발명은 반도체 웨이퍼 쏘잉(sawing) 장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체 웨이퍼를 각각의 칩들로 분리하는 쏘잉 공정을 진행하면서 웨이퍼의 쏘잉되는 부분의 상태를 육안으로 검사할 수 있는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer sawing apparatus, and more particularly, to a semiconductor wafer sawing apparatus capable of visually inspecting the state of a sawed portion of a wafer while performing a sawing process of separating the semiconductor wafer into individual chips. will be.

반도체소자의 제조에 있어서 웨이퍼(wafer)에 전기회로로 이루어진 소자를 형성한 후 이 웨이퍼를 단위 소자인 각각의 칩(chip)들로 분리한다. 그리고, 분리된 칩들을 리드 프레임(lead frame)에 실장하고 와이어 본딩(wire bonding) 및 몰딩(molding)한 후 리드 프레임을 절단 및 절곡하여 패키징(packaging)을 완료한다.In the manufacture of a semiconductor device, a device consisting of an electrical circuit is formed on a wafer, and the wafer is separated into individual chips as unit devices. Then, the separated chips are mounted in a lead frame, wire bonding and molding, and the lead frame is cut and bent to complete packaging.

상기에서 웨이퍼를 단위 소자인 각각의 칩(chip)들로 분리하는 것을 쏘잉 또는 다이싱(dicing) 공정이라 한다.In the above, separating the wafer into individual chips, which are unit devices, is called a sawing or dicing process.

쏘잉 공정은 웨이퍼 상에 소자의 제조 공정을 완료한 후, 먼저, 웨이퍼 상태에서 각각의 칩들을 전기적으로 검사하여 불량품을 선별한다. 그리고, 쏘잉시 칩들이 분산되지 않도록 웨이퍼의 소자가 형성되지 않은 배면에 접착 테이프를 접착하고 각각의 칩으로 분리한다.After the sawing process completes the manufacturing process of the device on the wafer, first, each chip in the wafer state is electrically inspected to sort out defective products. Then, the adhesive tape is adhered to the back surface where the elements of the wafer are not formed so that the chips are not dispersed during the sawing, and separated into individual chips.

상기에서 칩 분리는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 사용하여 웨이퍼의 칩 영역이 아닌 다수 개의 스크라이브 라인(scribe line)을 따라 쏘잉하므로써 이루어진다. 다수 개의 스크라이브 라인은 일 방향으로 다수 개가 평행하고 이 일 방향과 수직하는 다른 방향으로 다수 개가 평행한 매트릭스(matric) 상으로 형성된다.In the above, chip separation is accomplished by using a semiconductor wafer sawing device to saw along a plurality of scribe lines rather than the chip region of the wafer. The plurality of scribe lines are formed in a matrix shape in which a plurality of parallel lines are parallel in one direction and a plurality of parallel lines in another direction perpendicular to the one direction.

종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 X축 방향으로 이송되는 프레임 상에 진공 척(vacuum chuck)이 설치되며, 이 진공 척 상에 배면에 접착 테이프가 접착된 가공될 웨이퍼가 실장된다.In the semiconductor wafer sawing apparatus according to the prior art, a vacuum chuck is installed on a frame conveyed in the X-axis direction, and a wafer to be processed with an adhesive tape adhered to the back is mounted on the vacuum chuck.

그리고, 회전에 의해 웨이퍼를 쏘잉하도록 다이아몬드가 코팅(coating)된 원판 형상의 블레이드(blade)가 설치된다. 블레이드는 Y축 및 Z축 방향으로 이동이 가능하다. 즉, 블레이드 쏘잉시 웨이퍼의 쏘잉될 스크라이브 라인과 접촉되게 Z축을 따라 하강하며, 또한, 쏘잉 후 Z축을 따라 상승시킨다. 그리고, 웨이퍼가 실장된 진공 척을 X축 방향으로 이동시키면서 블레이드로 웨이퍼를 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉한 후 평행하는 다음 스크라이브 라인을 따라 쏘잉하기 위해 Z축을 따라 상승시킨 다음 Y축 방향으로 이동시킨다.Then, a disk-shaped blade coated with diamond is installed to saw the wafer by rotation. The blade is movable in the Y-axis and Z-axis directions. That is, when the blade is sawed, it descends along the Z axis to be in contact with the scribe line to be sawed of the wafer, and is also raised along the Z axis after the sawing. Then, while moving the wafer-mounted vacuum chuck in the X-axis direction, the blade is sawed along the scribe line in one direction, and then raised along the Z-axis to saw along the next parallel scribe line, then moved in the Y-axis direction. Let's do it.

상기에서 웨이퍼를 쏘잉하기 전에 진공 척을 X축 및 θ축을 따라, 그리고, 블레이드를 Y축을 따라 미세하게 이동하여 초기 위치를 정렬하여야 한다. 초기 위치 정렬시 광원으로 웨이퍼의 초기 위치에 빛을 조사하면서 카메라로 촬상하여 모니터의 화면을 보면서 정렬할 수 있다.Before sawing the wafer, the vacuum chuck must be aligned along the X and θ axes, and the blade finely moved along the Y axis to align the initial position. In the initial position alignment, the light source may be aligned with the camera by imaging the camera while irradiating light to the initial position of the wafer.

그리고, 초기 위치 정렬된 웨이퍼를 진공 척을 X축으로 이동시키면서 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉한다. 웨이퍼를 일 방향의 다수 개의 스크라이브 라인을 따라 순차적으로 쏘잉한 후 진공 척을 θ축을 따라 90°회전시켜 다른 방향의 쏘잉되지 않은 다수 개의 스크라이브 라인을 따라 다시 순차적으로 쏘잉하여 쏘잉 공정을 완료한다.Then, the initially aligned wafer is sawed along a scribe line in one direction while moving the vacuum chuck on the X axis. After the wafer is sequentially sawed along a plurality of scribe lines in one direction, the vacuum chuck is rotated 90 ° along the θ axis to sequentially saw again along the plurality of non-sawed scribe lines in another direction to complete the sawing process.

상기에서 쏘잉 공정에서 블레이드는 수만 RPM(Revolutions Per Minute), 예를 들면, 30,000 ∼ 60,000 RPM 정도의 고속으로 회전하면서 웨이퍼를 쏘잉하므로 많은 열이 발생되어 코팅된 다이아몬드가 탄화된다. 또한, 웨이퍼가 쏘잉되면서 발생되는 실리콘 입자들이 비산(飛散)되어 장비를 오염시킨다. 그러므로, 웨이퍼를 칩으로 분리하기 위한 쏘잉시 냉각수 공급 노즐을 통해 냉각수를 공급하여 블레이드를 냉각시켜 다이아몬드의 탄화를 방지할 뿐만 아니라 웨이퍼의 쏘잉에 의해 발생되는 실리콘 입자들의 비산을 방지한다.In the sawing process, the blade rotates at a high speed of about tens of thousands of revolutions per minute (RPM), for example, 30,000 to 60,000 RPM, so that a lot of heat is generated to carbonize the coated diamond. In addition, silicon particles generated as the wafer is sawn are scattered and contaminate the equipment. Therefore, during sawing to separate the wafer into chips, cooling water is supplied through the cooling water supply nozzle to cool the blades to prevent carbonization of the diamond as well as to prevent the scattering of silicon particles generated by the sawing of the wafer.

그러나, 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 웨이퍼 쏘잉시 노즐을 통해 공급되는 냉각수가 웨이퍼의 표면에 잔류하게 되어 광원에서 조사되는 빛이 물에 의해 반사 및 굴절된다. 그러므로, 촬상시 카메라의 초점이 웨이퍼 표면에 맞추어지지 않게 되어 쏘잉되는 부분의 상태가 카메라에 의해 촬상되지 않으므로 모니터에 의한 검사를 할 수 없다. 이에, 쏘잉시 정렬되지 않아 불량이 발생되면 불량을 해소할 수 없어 수율이 저하될 뿐만 아니라 쏘잉 후 불량을 검사하는 별도의 공정이 필요한 문제점이 있었다.However, in the semiconductor wafer sawing apparatus according to the prior art, the coolant supplied through the nozzle during the wafer sawing is left on the surface of the wafer so that the light irradiated from the light source is reflected and refracted by the water. Therefore, the focus of the camera does not focus on the wafer surface at the time of imaging, and therefore the state of the portion to be shot is not captured by the camera, so that inspection by the monitor cannot be performed. Thus, when a misalignment occurs when the sawing is not aligned, the defect cannot be solved, and the yield is lowered, and a separate process of inspecting the defect after the sawing has been required.

따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 쏘잉시 불량이 발생되어도 불량을 해소할 수 있어 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer sawing apparatus capable of eliminating defects and improving yield even when defects occur during wafer sawing.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 쏘잉시 불량 검사를 동시에 진행할 수 있는반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer sawing apparatus capable of simultaneously performing defect inspection during wafer sawing.

상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 일 방향과 수직하는 다른 방향에 각각 평행하도록 형성되어 소자가 형성된 영역을 한정하는 다수 개의 스크라이브 라인을 갖는 웨이퍼가 실장되며 θ축을 따라 회전되는 진공 척을 포함하고 상기 웨이퍼를 X축을 따라 이동시키는 제 1 이송수단과; 상기 웨이퍼를 상기 일 방향 또는 다른 방향의 스크라이브 라인을 따라 상기 X축 방향으로 이동시키면서 냉각수가 공급되는 블레이드를 사용하여 단위 소자인 각각의 칩들로 분리되게 쏘잉하는 절단수단과; 상기 웨이퍼와 상기 블레이드의 초기 정렬 상태를 촬상하고 상기 웨이퍼의 절단되는 부분에 고압의 공기를 분사시켜 잔류하는 냉각수를 제거하면서 촬상하여 모니터에 나타내는 모니터링수단과, 상기 절단수단과 모니터링수단이 실장되며 상기 웨이퍼의 상기 일 방향의 스크라이브 라인이 절단된 후 상기 블레이드를 상기 일 방향의 다음 스크라이브 라인과 일치되게 Y축을 따라 이동시키는 제 2 이송수단과, 상기 제 2 이송수단이 일측면에 고정되며 상기 블레이드가 상기 웨이퍼에 접촉 또는 분리되도록 Z축을 따라 상하로 이동되도록 하는 제 3 이송수단을 포함한다.A semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention for achieving the above objects is a wafer having a plurality of scribe lines formed to be parallel to each other in the direction perpendicular to one direction to define the region in which the element is formed is mounted and rotated along the θ axis First conveying means including a vacuum chuck and moving said wafer along an X axis; Cutting means for sawing the wafer separately into chips as unit elements by using a blade to which the coolant is supplied while moving the wafer along the scribe line in one direction or the other direction; The monitoring means displayed on the monitor by imaging the wafer and the blades by initializing the wafer and removing the remaining coolant by spraying high pressure air to the cut portion of the wafer, and the cutting means and the monitoring means are mounted. A second transfer means for moving the blade along the Y axis to be aligned with the next scribe line in the one direction after the scribe line in the one direction is cut, and the second transfer means is fixed to one side and the blade And a third transfer means configured to move up and down along the Z axis to be in contact with or separated from the wafer.

상기에서 모니터링수단은, 바람직하게, 웨이퍼를 촬상하는 카메라와, 카메라의 광원으로 이용되는 조명기와, 고압 공기를 공급하는 공기노즐을 포함한다.The monitoring means preferably comprises a camera for imaging the wafer, an illuminator used as a light source of the camera, and an air nozzle for supplying high pressure air.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치의 개략 사시도.1 is a schematic perspective view of a semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 절단수단의 확대 단면도.2 is an enlarged cross-sectional view of the cutting means shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 모니터링수단의 확대 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view of the monitoring means shown in FIG.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 쏘잉 상태를 도시한 단면도.4 is a cross-sectional view showing a sawing state using a semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

11 : 웨이퍼 13 : 진공 척11: wafer 13: vacuum chuck

15 : 제 1 이송수단 17 : 제 1 이송대15: first transfer means 17: first transfer table

19 : 제 1 모터 21 : 제 1 이송축19: first motor 21: first feed shaft

23 : 제 1 가이드 레일 25 : 제 2 이송수단23: first guide rail 25: second conveying means

27 : 제 2 이송대 29 : 제 2 모터27: 2nd conveyance table 29: 2nd motor

31 : 제 2 이송축 33 : 제 2 가이드 레일31: second feed shaft 33: second guide rail

35 : 제 3 이송수단 37 : 제 3 이송대35: third transfer means 37: third transfer table

39 : 제 3 모터 41 : 제 3 이송축39: third motor 41: third feed shaft

43 : 제 4 가이드 레일 45 : 절단수단43: fourth guide rail 45: cutting means

47 : 블레이드 49 : 냉각수 공급노즐47: blade 49: coolant supply nozzle

51 : 촬상수단 53 : 카메라51: imaging means 53: camera

55 : 조명장치 57 : 공기 노즐55 lighting device 57 air nozzle

59 : 모니터59: monitor

이하, 첨부된 도면에 의하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치의 개략 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된절단수단의 확대 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 모니터링수단의 확대 단면도이다.1 is a schematic perspective view of a semiconductor wafer sawing apparatus, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the cutting means shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the monitoring means shown in FIG.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 제 1, 제 2 및 제 3 이송수단(15)(25)(35), 절단수단(45) 및 모니터링수단(51)을 포함한다.The semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention includes first, second and third transfer means 15, 25, 35, cutting means 45 and monitoring means 51.

제 1 이송수단(15)은 X축을 따라 이동하는 제 1 이송대(17)와, 배면에 접착 테이프(도시되지 않음)가 접착되며 쏘잉 가공될 웨이퍼(11)가 실장되는 진공 척(13), 제 1 모터(19), 제 1 이송축(21) 및 제 1 가이드 레일(guide rail : 23)로 구성된다.The first transfer means 15 is a vacuum chuck 13 on which a first transfer table 17 moving along an X axis, an adhesive tape (not shown) is adhered to the rear surface, and a wafer 11 to be sawed is mounted thereon, It consists of a 1st motor 19, the 1st feed shaft 21, and the 1st guide rail 23. As shown in FIG.

제 1 이송대(17)는 제 1 이송축(21)을 따라 X축으로 이동함에 따라 웨이퍼(11)가 실장되는 진공 척(13)도 동일하게 이동된다. 또한, 진공 척(13)은 제 1 이송대(17)에 대해 θ축을 따라 X축에 대해 좌측 또는 우측으로 90°회전된다.As the first transfer table 17 moves along the first transfer shaft 21 along the X axis, the vacuum chuck 13 on which the wafer 11 is mounted is also moved in the same manner. In addition, the vacuum chuck 13 is rotated 90 degrees to the left or right with respect to the X axis along the θ axis with respect to the first conveyance table 17.

상기에서 제 1 이송축(21)은 X축 방향으로 길게 연장되는 스크루 봉(screw rod)으로 이루어져 제 1 이송대(17)의 하부와 나사 결합되고, 제 1 가이드 레일(23)은 제 1 이송축(21)을 사이에 두고 평행하게 연장되어 제 1 이송대(17)의 하부와 축 결합된다.In the above, the first feed shaft 21 is composed of a screw rod (long) extending in the X-axis direction is screwed with the lower portion of the first feed table 17, the first guide rail 23 is a first feed It extends in parallel with the shaft 21 therebetween and is axially coupled with the lower part of the 1st conveyance 17.

제 1 모터(19)는 제 1 이송축(21)을 회전시키는 것으로, 이에 의해 제 1 이송대(17)이 제 1 가이드 레일(23)을 따라 슬라이딩(sliding)되면서 X축을 따라 이동된다.The first motor 19 rotates the first feed shaft 21, whereby the first feed table 17 slides along the first guide rail 23 and moves along the X axis.

제 2 이송수단(25)은 제 2 이송대(27)와, 제 2 모터(29), 제 2 이송축(31) 및 제 2 가이드 레일(33)로 구성된다.The second conveying means 25 is composed of a second conveying table 27, a second motor 29, a second conveying shaft 31 and a second guide rail 33.

상기에서 제 2 이송대(27)는 웨이퍼(11)를 쏘잉하는 절단수단(45)과, 웨이퍼(11)의 정렬 상태를 모니터(59)에 나타내도록 촬상하는 촬상수단(51)이 실장된다.In the above, the second transfer table 27 is mounted with cutting means 45 for sawing the wafer 11 and imaging means 51 for picking up the wafer 11 to show the alignment state of the wafer 11.

제 2 이송축(31)은 Y축 방향으로 길게 연장되는 스크루 봉으로 이루어져 제 2 이송대(27)의 하부와 나사 결합되고, 제 2 가이드 레일(33)은 제 2 이송축(31)을 사이에 두고 평행하게 연장되어 제 2 이송대(27)의 하부와 축 결합된다.The second feed shaft 31 is composed of a screw rod extending in the Y-axis direction and screwed with the lower portion of the second feed table 27, the second guide rail 33 between the second feed shaft 31 It extends in parallel to the axis and is coupled to the lower portion of the second carriage 27.

제 2 모터(29)는 제 2 이송축(31)을 회전시키는 것으로, 이에 의해 제 2 이송대(27)가 제 2 가이드 레일(33)을 따라 슬라이딩(sliding)되면서 Y축을 따라 이동된다. 그러므로, 제 2 이송대(27) 상에 실장된 절단수단(45) 및 촬상수단(51)도 Y축을 따라 이동된다.The second motor 29 rotates the second feed shaft 31, whereby the second feed table 27 is moved along the Y axis while sliding the second feed table 27 along the second guide rail 33. Therefore, the cutting means 45 and the imaging means 51 mounted on the second transfer table 27 are also moved along the Y axis.

제 3 이송수단(35)은 제 3 이송대(37)와, 제 3 모터(39), 제 3 이송축(41) 및 제 3 가이드 레일(43)로 구성된다.The third transfer means 35 is composed of a third transfer table 37, a third motor 39, a third transfer shaft 41, and a third guide rail 43.

상기에서 제 3 이송대(37)는 Z축을 따라 상하로 이동되는 것으로 일측면에 제 2 이송수단(25)이 고정되게 설치된다.In the above, the third transfer table 37 is moved up and down along the Z axis so that the second transfer means 25 is fixed to one side.

제 3 이송축(41)은 Z축 방향으로 상하로 길게 연장되는 스크루 봉으로 이루어져 제 3 이송대(37)의 타측면과 나사 결합되고, 제 3 가이드 레일(43)은 제 3 이송축(41)을 사이에 두고 평행하게 연장되어 제 3 이송대(37)의 타측면과 축 결합된다.The third feed shaft 41 is composed of a screw rod extending vertically in the Z-axis direction and is screwed with the other side of the third feed table 37, the third guide rail 43 is the third feed shaft 41 ) Extends in parallel with each other and is axially coupled to the other side of the third transfer table 37.

제 3 모터(39)는 제 3 이송축(41)을 회전시키는 것으로, 이에 의해 제 3 이송대(37)가 제 3 가이드 레일(43)을 따라 Z축을 따라 상하로 슬라이딩되면서 이동된다. 그러므로, 제 3 이송대(37)의 일측면에 고정되게 설치된 제 2 이송수단(25)도 Z축을 따라 상하로 이동되며, 이에 의해, 제 2 이송대(27) 상에 실장된 절단수단(45) 및 촬상수단(51)도 Z축을 따라 상하로 이동된다.The third motor 39 rotates the third feed shaft 41, whereby the third feed table 37 is moved while sliding up and down along the Z axis along the third guide rail 43. Therefore, the second conveying means 25 fixedly installed on one side of the third conveying table 37 is also moved up and down along the Z axis, whereby the cutting means 45 mounted on the second conveying table 27. ) And the imaging means 51 are also moved up and down along the Z axis.

절단수단(45)은 도 2에 도시된 바와 같이 표면에 다이아몬드가 코팅된 원판 형상의 블레이드(47)와, 웨이퍼(11) 쏘잉시 블레이드(47)에 냉각수를 공급하는 다수 개의 냉각수 공급노즐(49)로 구성된다. 또한, 절단수단(45)은 웨이퍼(11) 쏘잉시 블레이드(47)를 회전시키는 회전 모터(도시되지 않음)를 더 포함한다.As shown in FIG. 2, the cutting means 45 includes a disk-shaped blade 47 coated with diamonds on its surface, and a plurality of cooling water supply nozzles 49 for supplying cooling water to the blade 47 when sawing the wafer 11. It is composed of In addition, the cutting means 45 further includes a rotating motor (not shown) for rotating the blade 47 when sawing the wafer 11.

상기에서 블레이드(47)는 회전 모터에 의해 30,000 ∼ 60,000 RPM(Revolutions Per Minute) 정도의 고속으로 회전하면서 웨이퍼(11)를 쏘잉하는 데, 이에 의해 많은 열이 발생되어 블레이드(47)의 온도가 증가된다.As described above, the blade 47 saw the wafer 11 while rotating at a high speed of about 30,000 to 60,000 RPM (Revolutions Per Minute) by a rotating motor, whereby a lot of heat is generated to increase the temperature of the blade 47. do.

그러므로, 블레이드(47)의 표면에 코팅된 다이아몬드가 탄화되어 경도가 낮아지게 된다. 따라서, 웨이퍼(11) 쏘잉시 다수 개의 냉각수 공급노즐(49)을 통해 공급되는 냉각수에 의해 블레이드(47)에 발생되는 열을 냉각시키므로 표면에 코팅된 다이아몬드가 탄화되는 것을 방지한다. 또한, 냉각수는 웨이퍼(11) 쏘잉시 발생되는 실리콘 입자의 비산을 방지한다. 상기에서 다수 개의 냉각수 공급노즐(49)은 냉각수를 블레이드(47)의 양측면과 절단하는 부분의 모서리에 공급하도록 설치된다.Therefore, the diamond coated on the surface of the blade 47 is carbonized and the hardness becomes low. Therefore, the heat generated in the blade 47 is cooled by the coolant supplied through the plurality of coolant supply nozzles 49 when the wafer 11 is sawed, thereby preventing the diamond coated on the surface from being carbonized. In addition, the cooling water prevents the scattering of the silicon particles generated when the wafer 11 is sawed. The plurality of cooling water supply nozzles 49 are installed to supply cooling water to both side surfaces of the blade 47 and to corners of the cutting portion.

모니터링수단(51)은 도 3에 도시된 바와 같이 카메라(53), 조명기(55), 공기 노즐(57) 및 모니터(59)를 포함한다.The monitoring means 51 comprises a camera 53, an illuminator 55, an air nozzle 57 and a monitor 59 as shown in FIG. 3.

상기에서 카메라(53)는 진공 척(13)에 실장된 웨이퍼(11)의 정렬 상태 및 쏘잉 상태를 촬상하며, 조명기(55)는 웨이퍼(11) 촬상시 광원으로 사용되고, 모니터(59)는 웨이퍼(11)의 촬상된 부분을 확대하여 화면으로 표시하여 웨이퍼(11)의 정렬 상태 및 쏘잉 상태를 확인할 수 있도록 한다. 또한, 공기 노즐(57)은 웨이퍼(11) 쏘잉시 쏘잉되는 부분 상의 냉각수를 제거하기 위한 고압의 공기를 공급한다.In the above, the camera 53 captures an alignment state and a sawing state of the wafer 11 mounted on the vacuum chuck 13, the illuminator 55 is used as a light source when the wafer 11 is captured, and the monitor 59 is a wafer. The picked-up part of (11) is enlarged and displayed on a screen so that the alignment state and the sawing state of the wafer 11 can be confirmed. In addition, the air nozzle 57 supplies high pressure air for removing the coolant on the portion to be sawn when sawing the wafer 11.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 쏘잉 상태를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a sawing state using a semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention.

상기에서 블레이드(47)를 고속으로 회전시켜 진공 척(13)에 실장된 웨이퍼(11)를 쏘잉한다. 이 때, 다수 개의 냉각수 공급노즐(49)을 통해 블레이드(47)에 냉각수를 공급하여 표면에 코팅된 다이아몬드가 열에 의해 탄화되는 것을 방지한다. 또한, 냉각수는 웨이퍼(11) 쏘잉시 발생되는 실리콘 입자의 비산을 방지한다.In the above, the blade 47 is rotated at a high speed to saw the wafer 11 mounted on the vacuum chuck 13. At this time, the cooling water is supplied to the blade 47 through the plurality of cooling water supply nozzles 49 to prevent the diamond coated on the surface from being carbonized by heat. In addition, the cooling water prevents the scattering of the silicon particles generated when the wafer 11 is sawed.

또한, 웨이퍼(11) 쏘잉시 쏘잉되는 부분에 공기 노즐(57)을 통해 고압의 공기를 공급하여 쏘잉될 부분에 잔류하는 냉각수를 제거하면서 카메라(55)로 촬상하고 모니터(59)를 통해 모니터한다. 상기에서 웨이퍼(11)의 쏘잉될 부분에 냉각수가 없으므로 카메라의 초점이 맞지 않는 현상이 방지된다. 그러므로, 웨이퍼(11)가 쏘잉되는 상황이 카메라(53)에 의해 선명하게 촬상되고 모니터(59)에 의해 화면으로 표시된다. 따라서, 웨이퍼(11) 쏘잉시 쏘잉 상태를 확인할 수 있다.In addition, when the wafer 11 is sawed, the high-pressure air is supplied to the portion to be sawed through the air nozzle 57 to remove the coolant remaining in the portion to be sawed, and the image is captured by the camera 55 and monitored through the monitor 59. . Since the coolant is not in the portion to be sawed of the wafer 11 in the above, the phenomenon that the camera is out of focus is prevented. Therefore, the situation in which the wafer 11 is sawed is clearly captured by the camera 53 and displayed on the screen by the monitor 59. Therefore, the sawing state can be confirmed when sawing the wafer 11.

상술한 구성의 반도체 웨이퍼 쏘잉장치의 동작을 설명한다.The operation of the semiconductor wafer sawing apparatus of the above-described configuration will be described.

진공 척(13)에 웨이퍼(11)를 실장한다. 그리고, 웨이퍼(11)의 초기 위치와블레이드(47)의 위치를 카메라(53)로 촬상하고 모니터(59)를 통해 모니터한다. 이 때, 웨이퍼(11)의 초기 위치와 블레이드(47)의 위치가 오정렬되어 있다면 제 1 이송대(17)와 진공 척(15)을 각각 X축 및 θ축을 따라 미세하게 이동시키며, 또한, 제 2 이송대(27)를 Y축을 따라 미세하게 이동시켜 정렬한다.The wafer 11 is mounted on the vacuum chuck 13. Then, the initial position of the wafer 11 and the position of the blade 47 are captured by the camera 53 and monitored by the monitor 59. At this time, if the initial position of the wafer 11 and the position of the blade 47 are misaligned, the first carriage 17 and the vacuum chuck 15 are finely moved along the X axis and the θ axis, respectively. 2 Move the carriage 27 finely along the Y axis to align it.

제 3 이송대(37)를 Z축을 따라 하부로 이동시켜 블레이드(47)를 웨이퍼(11)와 접촉시킨다. 그리고, 제 1 이송대(17)를 X축을 따라 이동시키면서 블레이드(47)로 웨이퍼(11)를 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉한다. 즉, 제 1 모터(19)의 구동에 의해 제 1 이송축(21)을 회전시켜 제 1 이송대(17)를 제 1 가이드 레일(23)을 따라 슬라이딩(sliding)되면서 X축 방향으로 이동시키면서 절단수단(47) 내의 회전 모터(도시되지 않음)를 구동시켜 블레이드(47)를 30,000 ∼ 60,000 RPM 정도의 고속으로 회전시켜 웨이퍼(11)를 쏘잉한다.The third carriage 37 is moved downward along the Z axis to bring the blade 47 into contact with the wafer 11. Then, the wafer 11 is sawed along the scribe line in one direction with the blade 47 while the first transfer table 17 is moved along the X axis. That is, the first feed shaft 21 is rotated by the driving of the first motor 19 to move the first feed table 17 along the first guide rail 23 while moving in the X-axis direction. A rotating motor (not shown) in the cutting means 47 is driven to rotate the blade 47 at a high speed of about 30,000 to 60,000 RPM to saw the wafer 11.

이 때, 냉각수 공급노즐(57)을 통해 블레이드(47)에 냉각수를 공급하여 표면에 코팅된 다이아몬드가 열에 의해 탄화되는 것을 방지한다. 또한, 냉각수는 웨이퍼(11) 쏘잉시 발생되는 실리콘 입자의 비산을 방지한다.At this time, the cooling water is supplied to the blade 47 through the cooling water supply nozzle 57 to prevent the diamond coated on the surface from being carbonized by heat. In addition, the cooling water prevents the scattering of the silicon particles generated when the wafer 11 is sawed.

또한, 웨이퍼(11) 쏘잉시 쏘잉되는 부분에 공기 노즐(57)을 통해 고압의 공기를 공급하면서 이 부분을 카메라(53)로 촬상하고 모니터(59)를 통해 모니터링한다. 이 때, 웨이퍼(11)의 쏘잉될 부분에 잔류하는 냉각수는 공기 노즐(57)을 통해 공급되는 고압의 공기에 의해 다른 부분으로 이동하게 된다. 그러므로, 웨이퍼(11)의 쏘잉될 부분에 냉각수가 없어 카메라의 초점이 맞추어지므로 선명하게 촬상되고, 이에 의해 모니터(59)가 웨이퍼(11)의 쏘잉되는 상황을 선명하게 나타낸다.In addition, while supplying high-pressure air through the air nozzle 57 to the portion to be sawed when the wafer 11 is sawed, this portion is captured by the camera 53 and monitored through the monitor 59. At this time, the cooling water remaining in the portion to be sawed of the wafer 11 is moved to another portion by the high pressure air supplied through the air nozzle 57. Therefore, since the camera focuses because there is no cooling water in the portion to be sawed of the wafer 11, the image is captured clearly, thereby clearly displaying the situation in which the monitor 59 is sawed by the wafer 11.

따라서, 웨이퍼(11) 쏘잉시 스크라이브 라인 이외의 칩영역을 쏘잉하는 등의 불량이 발생되면 공정을 중단시키고 정렬한 후 다시 공정을 진행할 수 있으므로 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 쏘잉 공정시 불량 검사를 동시에 진행할 수 있으므로 쏘잉 공정 후 별도의 검사 공정이 필요없다.Therefore, when a defect such as sawing a chip region other than a scribe line occurs when the wafer 11 is sawed, the process may be stopped and aligned, and the process may be performed again, thereby improving yield. In addition, since the defect inspection can be performed at the same time during the sawing process, there is no need for a separate inspection process after the sawing process.

상기에서 웨이퍼(11)를 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉한 후 제 3 이송대(37)를 Z축을 따라 상부로 이동시켜 블레이드(47)를 웨이퍼(11)와 이격시킨다. 그리고, 제 2 이송대(27)를 Y축을 따라 이동시켜 블레이드(47)가 웨이퍼(11)의 다음 스크라이브 라인과 일치되도록 한다. 그리고, 제 3 이송대(37)를 Z축을 따라 하강시켜 블레이드(47)를 웨이퍼(11)와 접촉시킨 후 계속해서 쏘잉을 진행한다.After the wafer 11 is sawed along a scribe line in one direction, the third carrier 37 is moved upward along the Z axis to space the blade 47 from the wafer 11. Then, the second carriage 27 is moved along the Y axis so that the blade 47 coincides with the next scribe line of the wafer 11. Then, the third transfer table 37 is lowered along the Z axis to bring the blade 47 into contact with the wafer 11, and then sawing is continued.

이와 같이 웨이퍼(11)를 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 순차적으로 쏘잉한 후 진공 척(13)을 θ축을 따라 X축에 대해 좌측 또는 우측으로 90°회전시켜 수직하는 다른 방향의 쏘잉되지 않은 다수 개의 스크라이브 라인을 따라 다시 순차적으로 쏘잉하여 쏘잉 공정을 완료한다. 즉, 제 3 이송대(37)를 Z축을 따라 상부로 이동시켜 블레이드(47)를 웨이퍼(11)와 이격시킨 후 진공 척(13)을 θ축을 따라 X축에 대해 좌측 또는 우측으로 90°회전시키고, 다시, 제 3 이송대(37)를 Z축을 따라 하강시켜 블레이드(47)를 웨이퍼(11)와 접촉시키고 쏘잉을 진행한다.As such, the wafer 11 is sequentially sawed along a scribe line in one direction, and the vacuum chuck 13 is rotated 90 ° along the θ axis to the left or the right about the X axis, and then the plurality of non-sawed holes in different directions are vertical. Saw again sequentially along the scribe line to complete the sawing process. That is, the third carriage 37 is moved upward along the Z axis to separate the blade 47 from the wafer 11, and then the vacuum chuck 13 is rotated 90 ° left or right with respect to the X axis along the θ axis. Then, the third transfer table 37 is lowered along the Z-axis to bring the blade 47 into contact with the wafer 11 and to perform sawing.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 진공 척에 웨이퍼를 실장하고 이 웨이퍼의 초기 위치와 블레이드의 위치를 카메라로 촬상하고 모니터를 통해 모니터링하면서 정렬한다. 그리고, 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 쏘잉하는 데, 이 블레이드 표면에 코팅된 다이아몬드의 열에 의한 탄화와 웨이퍼쏘잉에 의해 발생되는 실리콘 입자의 비산을 방지하도록 냉각수를 공급하면서, 이 웨이퍼의 쏘잉될 부분이 카메라의 초점이 맞추어져 선명하게 촬상되어 모니터가 쏘잉 상태를 선명하게 나타낼 수 있도록 고압의 공기를 공급하여 잔류하는 냉각수를 다른 부분으로 이동시킨다.As described above, the semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention mounts a wafer on a vacuum chuck and aligns the initial position of the wafer and the position of the blade with a camera and monitors it through a monitor. Then, the blade is used for sawing the wafer, and the portion to be sawed of the wafer is cameraed while supplying cooling water to prevent carbonization caused by heat of diamond coated on the blade surface and scattering of silicon particles caused by wafer sawing. Is focused and sharply captured so that the monitor can clearly see the sawing state by supplying high-pressure air to move the remaining coolant to another part.

따라서 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 쏘잉시 불량이 발생되면 공정을 중단시키고 불량을 제거한 후 공정을 진행하므로 수율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 쏘잉 공정 중에 불량 검사를 동시에 진행할 수 있으므로 쏘잉 공정 후 별도의 검사 공정을 필요로 하지 않는 잇점이 있다.Therefore, the semiconductor wafer sawing apparatus according to the present invention can improve the yield by stopping the process and removing the defects when the failure occurs during the sawing process, and can also improve the yield during the sawing process at the same time, so after the sawing process The advantage is that no separate inspection process is required.

Claims (2)

일 방향과 수직하는 다른 방향에 각각 평행하도록 형성되어 소자가 형성된 영역을 한정하는 다수 개의 스크라이브 라인을 갖는 웨이퍼가 실장되며 θ축을 따라 회전되는 진공 척을 포함하고 상기 웨이퍼를 X축을 따라 이동시키는 제 1 이송수단과;A wafer having a plurality of scribe lines mounted to be parallel to each other in a direction perpendicular to one direction and defining a region in which an element is formed, and including a vacuum chuck which is rotated along the θ axis and moves the wafer along the X axis; Transfer means; 상기 웨이퍼를 상기 일 방향 또는 다른 방향의 스크라이브 라인을 따라 상기 X축 방향으로 이동시키면서 냉각수가 공급되는 블레이드를 사용하여 단위 소자인 각각의 칩들로 분리되게 쏘잉하는 절단수단과;Cutting means for sawing the wafer separately into chips as unit elements by using a blade to which the coolant is supplied while moving the wafer along the scribe line in one direction or the other direction; 상기 웨이퍼와 상기 블레이드의 초기 정렬 상태를 촬상하고 상기 웨이퍼의 절단되는 부분에 고압의 공기를 분사시켜 잔류하는 냉각수를 제거하면서 촬상하여 모니터에 나타내는 모니터링수단과;Monitoring means for imaging an initial alignment state of the wafer and the blade, and imaging the wafer while removing the remaining coolant by injecting a high-pressure air to the cut portion of the wafer and displaying it on a monitor; 상기 절단수단과 모니터링수단이 실장되며 상기 웨이퍼의 상기 일 방향의 스크라이브 라인이 절단된 후 상기 블레이드를 상기 일 방향의 다음 스크라이브 라인과 일치되게 Y축을 따라 이동시키는 제 2 이송수단과;Second conveying means mounted with the cutting means and the monitoring means and moving the blade along the Y axis to coincide with the next scribe line in the one direction after the scribe line in the one direction of the wafer is cut; 상기 제 2 이송수단이 일측면에 고정되며 상기 블레이드가 상기 웨이퍼에 접촉 또는 분리되도록 Z축을 따라 상하로 이동되도록 하는 제 3 이송수단을 포함하는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치.And a third transfer means fixed to one side of the second transfer means to move the blade up and down along the Z axis so as to contact or separate the blade. 청구항 1에 있어서 상기 모니터링수단은 상기 웨이퍼를 촬상하는 카메라와,상기 카메라의 광원으로 이용되는 조명기와, 상기 고압 공기를 공급하는 공기노즐을 포함하는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치.The semiconductor wafer sawing apparatus of claim 1, wherein the monitoring unit comprises a camera for photographing the wafer, an illuminator used as a light source of the camera, and an air nozzle for supplying the high pressure air.
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