JP2009194135A - Die bonding method and die bonder - Google Patents

Die bonding method and die bonder Download PDF

Info

Publication number
JP2009194135A
JP2009194135A JP2008032931A JP2008032931A JP2009194135A JP 2009194135 A JP2009194135 A JP 2009194135A JP 2008032931 A JP2008032931 A JP 2008032931A JP 2008032931 A JP2008032931 A JP 2008032931A JP 2009194135 A JP2009194135 A JP 2009194135A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
bonding
bonding film
dicing tape
cutting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008032931A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuma Sekiya
一馬 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2008032931A priority Critical patent/JP2009194135A/en
Priority to US12/363,489 priority patent/US20090209066A1/en
Publication of JP2009194135A publication Critical patent/JP2009194135A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0843—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0004—Cutting, tearing or severing, e.g. bursting; Cutter details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent bonding films adhered to an adjacent die from adhering after a dicing tape is extended, when a device with the bonding films stuck to the back is picked up from the dicing tape for die bonding. <P>SOLUTION: The bonding film B is stuck to the back of a wafer and is stuck to the dicing tape T stuck to a dicing frame F for supporting the wafer by the dicing frame F; a scheduled division line is cut and the bonding film B is cut incompletely to allow a portion remaining uncut to remain; the dicing tape T is extended to break the portion remaining uncut in the bonding film B; and the die D with the bonding film B stuck thereto is picked up from the dicing tape T for bonding to a mount substrate 85. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、裏面にボンディングフィルムが貼着されたダイのボンディング方法及びその方法の実施に使用することができるダイボンダに関するものである。   The present invention relates to a die bonding method in which a bonding film is attached to the back surface and a die bonder that can be used for carrying out the method.

ＩＣ、ＬＳＩ等が作り込まれたダイがストリートによって区画されて表面に複数形成されたウェーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置等によってストリートが切断されることによって個々のダイに分割され、各種電子機器に利用されている。   A wafer in which a die in which IC, LSI or the like is built is divided by a street and formed on the surface is divided into individual dies by cutting the street by a dicing device, a laser processing device, etc. Has been used.

ダイに分割される前のウェーハの裏面にはボンディングフィルムが貼着され、ストリートを切断する際にストリートと共にボンディングフィルムも併せて切断することにより、裏面にボンディングフィルムが貼着されたダイが形成される。そして、各ダイは、ボンディングフィルムによってリードフレーム等のマウント対象の基板にダイボンディングされる。   A bonding film is attached to the back side of the wafer before being divided into dies, and when the street is cut, the bonding film is also cut together with the street to form a die having the bonding film attached to the back side. The Each die is die-bonded to a mounting target substrate such as a lead frame by a bonding film.

ところが、切削装置を用いてウェーハと共にボンディングフィルムを切断すると、ボンディングフィルムからヒゲ状のバリが生じ、そのバリがワイヤーボンディングの際にワイヤーの断線を引き起こす原因となるという問題がある。   However, when the bonding film is cut together with the wafer using a cutting device, there is a problem that a whisker-like burr is generated from the bonding film, and the burr causes a wire breakage during wire bonding.

また、レーザー加工装置を用いてウェーハと共にボンディングフィルムを切断すると、ボンディングフィルムが溶融してダイシングテープと溶着されてしまい、ダイをピックアップできなくなるという問題がある。   Further, when the bonding film is cut together with the wafer using the laser processing apparatus, the bonding film is melted and welded to the dicing tape, and there is a problem that the die cannot be picked up.

そこで本出願人は、切削装置やレーザー加工装置を用いた切断を行う切断工程において、ウェーハについてはストリートに沿って完全切断し、ウェーハの裏面に接着されたボンディングフィルムについては切り残し部が残存するように不完全切断をすることにより、ボンディングフィルムにバリが発生するのを防止したりボンディングフィルムが溶融するのを防止し、その後、ダイシングテープを伸張させて切り残し部を破断することにより個々のダイに分割する技術を提案し、特許出願した（例えば特許文献１参照）。   Therefore, the present applicant cuts the wafer completely along the street in a cutting process using a cutting device or a laser processing device, and leaves an uncut portion of the bonding film bonded to the back surface of the wafer. Incomplete cutting as described above prevents burrs from being generated in the bonding film and prevents the bonding film from melting, and then the dicing tape is stretched to break the uncut portions. A technique of dividing into dies was proposed and a patent application was filed (see, for example, Patent Document 1).

特開２００７−２９４６５１号公報JP 2007-294651 A

しかし、ダイシングテープを伸張させることにより個々のダイに分割しても、その後、ダイがダイシングテープに貼着されたままの状態でウェーハカセット等に収容されて時間が経過すると、隣接するボンディングフィルム同士が接着されてしまい、ダイボンディング工程においてダイをダイシングテープからピックアップすることができなくなるという問題がある。   However, even if the dicing tape is divided into individual dies by extending the dicing tape, if the die is housed in a wafer cassette or the like with the dicing tape still attached to the die, the adjoining bonding films are Is bonded, and the die cannot be picked up from the dicing tape in the die bonding step.

そこで、本発明が解決しようとする課題は、裏面にボンディングフィルムが貼着されたデバイスをダイシングテープからピックアップしてダイボンディングする場合において、ダイシングテープを伸張させた後に隣接するダイに接着されたボンディングフィルム同士が接着されてしまうのを防止し、ダイシングテープからのダイのピックアップを円滑に行うことである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is that when a device having a bonding film attached to the back surface is picked up from a dicing tape and die-bonded, the dicing tape is stretched and bonded to an adjacent die. It is to prevent the films from being bonded to each other and to smoothly pick up the die from the dicing tape.

第一の発明は、ダイの裏面にダイボンド用のボンディングフィルムを貼着し、ボンディングフィルムを介してダイをマウント対象の基板にボンディングするダイボンディング方法に関するもので、複数のダイが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハの裏面にボンディングフィルムを貼着すると共に、ダイシングフレームに貼着されたダイシングテープにボンディングフィルムを貼着してウェーハをダイシングフレームに支持させるボンディングフィルム貼着工程と、分割予定ラインを切断すると共にボンディングフィルムを不完全切断して切り残し部を残存させる切断工程と、ダイシングテープを伸張させてボンディングフィルムの切り残し部を破断すると共に、ボンディングフィルムが貼着されたダイをダイシングテープからピックアップしてダイを基板にボンディングするダイボンディング工程とから構成される。   The first invention relates to a die bonding method in which a die bonding bonding film is attached to the back surface of a die, and the die is bonded to a substrate to be mounted via the bonding film. Bonding film is attached to the back side of the formed wafer, bonding film is attached to the dicing tape attached to the dicing frame, and the wafer is supported on the dicing frame, and the bonding schedule is scheduled to be divided Cutting the line and cutting the bonding film incompletely, leaving the uncut portion, and extending the dicing tape to break the uncut portion of the bonding film and dicing the die to which the bonding film is attached tape Composed of the die bonding process of bonding the die to the substrate by Luo pickup.

切断工程には、例えば切削ブレードまたはレーザー光を使用することができる。切断工程におけるボンディングフィルムの切り残し部の厚さは２０μｍ以下とすることが望ましい。また、ダイボンディング工程においては、ボンディングフィルムは１０℃以下に冷却されることが望ましい。   For example, a cutting blade or a laser beam can be used for the cutting process. The thickness of the uncut portion of the bonding film in the cutting process is desirably 20 μm or less. In the die bonding step, the bonding film is desirably cooled to 10 ° C. or lower.

第二の発明は、裏面にボンディングフィルムが貼着されボンディングフィルムがダイシングテープに貼着されダイシングフレームに支持されたダイをピックアップしてマウント対象の基板にボンディングするダイボンダに関するもので、ダイシングフレームを支持するフレーム支持手段と、ダイシングテープを伸張させてボンディングフィルムを破断するテープ伸張手段と、ボンディングフィルムを冷却する冷却手段と、伸張されたダイシングテープからボンディングフィルムが貼着されたダイをピックアップしてマウント対象の基板にボンディングするピックアップボンディング部とを少なくとも備える。   The second invention relates to a die bonder for picking up a die supported by a dicing frame by bonding a bonding film on the back surface and bonding film to a dicing tape and bonding the die to the substrate to be mounted. Frame supporting means, tape extending means for breaking the bonding film by extending the dicing tape, cooling means for cooling the bonding film, and picking up and mounting the die to which the bonding film is adhered from the expanded dicing tape A pickup bonding unit for bonding to a target substrate;

本発明は、切断工程ではウェーハの分割予定ラインを完全切断すると共にボンディングフィルムについては完全切断せずに切り残し部を残存させ、ダイボンディング工程においてダイシングテープの伸張による切り残し部の破断による個々のダイへの分割及びダイボンディングを行うようにしたため、隣接するダイに貼着されたボンディングフィルム同士が接着されてしまい、ダイがピックアップできなくなるという問題を解決することができる。   The present invention completely cuts the wafer splitting line in the cutting step and leaves the uncut portion of the bonding film without cutting completely. In the die bonding step, the individual portions of the uncut portion due to the extension of the dicing tape are broken. Since the division into the dies and the die bonding are performed, it is possible to solve the problem that the bonding films attached to the adjacent dies are bonded to each other and the die cannot be picked up.

図１に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１には、分割予定ライン（ストリート）Ｓによって区画されて集積回路が作りこまれたダイＤが複数形成されている。このウェーハＷの裏面Ｗ２には、ダイボンド用のボンディングフィルムＢが貼着される。このボンディングフィルムＢは、ダイアタッチフィルムと呼ばれているフィルム状の接着材であり、例えばエポキシ系樹脂とアクリル系樹脂系とを混合して構成され、その厚さは３０〜１００μｍ程度であり、加熱して押圧することによりウェーハＷの裏面Ｗ２に接着することができる。   As shown in FIG. 1, on the surface W1 of the wafer W, a plurality of dies D partitioned by scheduled division lines (streets) S and formed with integrated circuits are formed. A bonding film B for die bonding is attached to the back surface W2 of the wafer W. This bonding film B is a film-like adhesive called a die attach film, and is formed by mixing, for example, an epoxy resin and an acrylic resin system, and has a thickness of about 30 to 100 μm. By heating and pressing, the wafer W can be bonded to the back surface W2.

次に、ウェーハＷに貼着されたボンディングフィルムＢ側をダイシングテープＴの粘着面に貼着する。ダイシングテープＴの粘着面の外周部分にはリング状のダイシングフレームＦが貼着されているため、ウェーハＷをダイシングテープＴに貼着すると、ウェーハＷは、ダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦに支持された状態となる（ボンディングフィルム貼着工程）。   Next, the bonding film B side attached to the wafer W is attached to the adhesive surface of the dicing tape T. Since a ring-shaped dicing frame F is attached to the outer peripheral portion of the adhesive surface of the dicing tape T, when the wafer W is attached to the dicing tape T, the wafer W is attached to the dicing frame F via the dicing tape T. It will be in the state supported (bonding film sticking process).

次に、例えば図２に示す切削装置１を用いて、ウェーハＷの分割予定ラインＳを切断する。この切削装置１は、ウェーハを保持するチャックテーブル２と、チャックテーブル２に保持されたウェーハを切削する切削手段３とを備えている。   Next, the division | segmentation scheduled line S of the wafer W is cut | disconnected, for example using the cutting device 1 shown in FIG. The cutting apparatus 1 includes a chuck table 2 that holds a wafer and a cutting means 3 that cuts the wafer held on the chuck table 2.

チャックテーブル２は、ダイシングテープＴを介してウェーハＷを吸引保持する保持面２０と、ダイシングフレームＦを固定する固定部２１とを有している。   The chuck table 2 includes a holding surface 20 that sucks and holds the wafer W via the dicing tape T, and a fixing portion 21 that fixes the dicing frame F.

切削手段３は、Ｙ軸方向の軸心を有するスピンドル３０と、スピンドル３０を回転可能に支持するハウジング３１と、スピンドル３０に装着された切削ブレード３２と、スピンドル３０を回転駆動するモータ３３とから構成される。   The cutting means 3 includes a spindle 30 having an axis in the Y-axis direction, a housing 31 that rotatably supports the spindle 30, a cutting blade 32 that is mounted on the spindle 30, and a motor 33 that rotationally drives the spindle 30. Composed.

ハウジング３１の側部には、ウェーハの切削すべき位置を検出してその位置と切削ブレード３２との位置合わせを行うアライメント手段４が固定されている。アライメント手段４は、チャックテーブル２に保持されたウェーハの表面を撮像する撮像手段４０を備えている。   Alignment means 4 is fixed to the side of the housing 31 to detect the position of the wafer to be cut and align the position with the cutting blade 32. The alignment unit 4 includes an imaging unit 40 that images the surface of the wafer held on the chuck table 2.

チャックテーブル２は、切削送り手段５によってＸ軸方向に切削送りされる構成となっている。切削送り手段５は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ５０と、ボールネジ５０と平行に配設された一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０の一端に連結されたモータ５２と、内部のナットがボールネジ５０に螺合すると共に下部がガイドレール５１に摺接する移動基台５３と、移動基台５３に固定されチャックテーブル２を回動させる回転駆動部５４とから構成され、モータ５２によって駆動されてボールネジ５０が回動するのに伴い、移動基台５３及び回転駆動部５４がガイドレール５１にガイドされてＸ軸方向に移動する構成となっている。   The chuck table 2 is configured to be cut and fed in the X-axis direction by the cutting feed means 5. The cutting feed means 5 includes a ball screw 50 having an axis in the X-axis direction, a pair of guide rails 51 arranged in parallel to the ball screw 50, a motor 52 connected to one end of the ball screw 50, and an internal nut. The moving base 53 is engaged with the ball screw 50 and the lower part is in sliding contact with the guide rail 51, and the rotation driving unit 54 is fixed to the moving base 53 and rotates the chuck table 2, and is driven by the motor 52. As the ball screw 50 rotates, the moving base 53 and the rotation drive unit 54 are guided by the guide rail 51 and move in the X-axis direction.

切削手段３は、切り込み送り手段６によってＺ軸方向に移動可能となっていると共に、割り出し送り手段７によってＹ軸方向に移動可能となっている。切り込み送り手段６は、
Ｚ軸方向に配設されたボールネジ６０と、ボールネジ６０と平行に配設された一対のガイドレール６１と、ボールネジ６０の一端に連結されたパルスモータ６２と、切削手段３を支持すると共に内部のナットがボールネジ６０に螺合し側部がガイドレール６１に摺接する支持部６３とから構成されており、パルスモータ６２によって駆動されてボールネジ６０が回動するのに伴い、支持部６３がガイドレール６１にガイドされて昇降して切削手段３も昇降する構成となっている。 The cutting means 3 can be moved in the Z-axis direction by the cutting feed means 6 and can be moved in the Y-axis direction by the index feeding means 7. The cutting feed means 6
A ball screw 60 arranged in the Z-axis direction, a pair of guide rails 61 arranged parallel to the ball screw 60, a pulse motor 62 connected to one end of the ball screw 60, and the cutting means 3 are supported and the internal The nut is engaged with the ball screw 60, and the side portion is configured by a support portion 63 that is slidably contacted with the guide rail 61. The support portion 63 is driven by the pulse motor 62 to rotate the ball screw 60. Guided by 61, the cutting means 3 is also raised and lowered.

また、割り出し送り手段７は、Ｙ軸方向に配設されたボールネジ７０と、ボールネジ７０と平行に配設された一対のガイドレール７１と、ボールネジ７０の一端に連結されたパルスモータ７２と、ボールネジ６０及びガイドレール６１を側面に有すると共に上部にパルスモータ６２を有し内部のナットがボールネジ７０に螺合し下部がガイドレール７１に摺接する移動基台７３とから構成されており、パルスモータ７２によって駆動されてボールネジ７０が回動するのに伴い、移動基台７３がガイドレール７１にガイドされてＹ軸方向に移動して切削手段３もＹ軸方向に移動する構成となっている。   The index feeding means 7 includes a ball screw 70 arranged in the Y-axis direction, a pair of guide rails 71 arranged in parallel to the ball screw 70, a pulse motor 72 connected to one end of the ball screw 70, a ball screw 60 and a guide rail 61 on the side, a pulse motor 62 on the upper side, an internal nut screwed into the ball screw 70, and a lower base slidably contacting the guide rail 71, and a pulse motor 72. The moving base 73 is guided by the guide rail 71 and moved in the Y-axis direction as the ball screw 70 is rotated by the movement of the cutting means 3 in the Y-axis direction.

ダイシング対象のウェーハＷは、ダイシングフレームＦと一体となって支持された状態でチャックテーブル２の保持面に保持され、ダイシングフレームＦは、固定部２１に固定される。こうしてウェーハＷがチャックテーブル２に保持されると、切削送り手段５がチャックテーブル２を＋Ｘ方向に駆動することにより、ウェーハＷが撮像手段４０の直下に移動する。そして、ここでアライメント手段４によって切削すべき分割予定ラインＳが検出され、切削ブレード３２とのＹ軸方向の位置合わせがなされる。そして更にチャックテーブル２が同方向に移動すると共に、切削ブレード３２が高速回転しながら切り込み送り手段６によって駆動されて切削手段３が下降することにより、検出された分割予定ラインＳが切削され切断される。   The wafer W to be diced is held on the holding surface of the chuck table 2 while being supported integrally with the dicing frame F, and the dicing frame F is fixed to the fixing portion 21. When the wafer W is thus held on the chuck table 2, the cutting feed means 5 drives the chuck table 2 in the + X direction, so that the wafer W moves directly below the imaging means 40. Then, the division line S to be cut is detected by the alignment means 4 here, and the Y-axis direction alignment with the cutting blade 32 is performed. Further, the chuck table 2 further moves in the same direction, and the cutting blade 32 is driven by the cutting feed means 6 while rotating at a high speed, and the cutting means 3 is lowered, whereby the detected division planned line S is cut and cut. The

また、割り出し送り手段７によって切削手段３を分割予定ラインＳの間隔ずつ割り出し送りしながら同様の切削を行うと、同方向の分割予定ラインＳがすべて完全切断される。更に、チャックテーブル２を９０度回転させてから同様の切削を行うと、すべての分割予定ラインＳが切断される。   Further, when the same cutting is performed while the indexing means 7 indexes and feeds the cutting means 3 at intervals of the planned division lines S, all the planned division lines S in the same direction are completely cut. Further, when the same cutting is performed after the chuck table 2 is rotated 90 degrees, all the division lines S are cut.

このようにして行う切削時は、切り込み送り手段６によって切削ブレード３２の切り込み深さを精密に制御することにより、図３に示すように、ウェーハＷの分割予定ラインＳについては完全に切断して表裏面を貫通する切削溝Ｇを形成するが、ボンディングフィルムＢについては切り残し部Ｂ１が残存するように不完全切断とする。例えば、切り残し部Ｂ１の厚さが２０μｍ以下となるようにする。なお、レーザー加工装置を用いて分割予定ラインＳにレーザー光を照射することによっても切断工程を遂行することができる（切断工程）。   At the time of cutting performed in this manner, the cutting depth of the cutting blade 32 is precisely controlled by the cutting feed means 6 so that the division line S of the wafer W is completely cut as shown in FIG. A cutting groove G penetrating the front and back surfaces is formed, but the bonding film B is incompletely cut so that the uncut portion B1 remains. For example, the thickness of the uncut portion B1 is set to 20 μm or less. Note that the cutting step can also be performed by irradiating the laser beam to the division line S using a laser processing apparatus (cutting step).

切断工程の終了後は、ダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦに支持され切削後も全体としてウェーハ形状が維持されたウェーハＷを、例えば図４〜７に示すダイボンダ８に搬送する。   After the cutting process is completed, the wafer W supported by the dicing frame F via the dicing tape T and maintaining the wafer shape as a whole after cutting is transferred to, for example, the die bonder 8 shown in FIGS.

図４に示すように、ダイボンダ８は、ダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦと一体となったウェーハＷが載置される載置部８０と、載置部８０を移動させる駆動部８１と、吸着部８２０においてダイを吸着してピックアップしマウント対象の基板にダイボンディングするピックアップボンディング部８２と、撮像によりピックアップすべきダイを検出するダイ検出部８３とを備えている。   As shown in FIG. 4, the die bonder 8 includes a mounting unit 80 on which the wafer W integrated with the dicing frame F is mounted via the dicing tape T, a driving unit 81 that moves the mounting unit 80, The adsorption unit 820 includes a pickup bonding unit 82 that adsorbs and picks up a die and die-bonds to a substrate to be mounted, and a die detection unit 83 that detects a die to be picked up by imaging.

載置部８０は、ダイシングテープＴを介してウェーハＷを下方から支持する円筒状のダイ支持台８００と、ダイシングフレームＦを下方から支持するフレーム支持手段８０１と、フレーム支持手段８０１の外側面に複数配設されダイシングフレームＦを固定する複数のフレーム固定部８０２と、ダイ支持台８００の内側に配設されダイ支持台８００に支持された被支持物を冷却する冷却手段８０３とから構成される。   The mounting portion 80 is formed on a cylindrical die support base 800 that supports the wafer W from below via the dicing tape T, frame support means 801 that supports the dicing frame F from below, and an outer surface of the frame support means 801. A plurality of frame fixing portions 802 that are arranged in plural and fix the dicing frame F, and a cooling means 803 that cools a supported object that is arranged inside the die support base 800 and supported by the die support base 800. .

駆動部８１は、フレーム支持手段８０１を昇降させる複数の昇降駆動部８１０と、載置部８０を回転させる回転駆動部８１１と、載置部８０をＸ軸方向に移動させるＸ軸駆動部８１２と、載置部８０をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させるＹ軸駆動部８１３とから構成される。   The drive unit 81 includes a plurality of lift drive units 810 that lift and lower the frame support unit 801, a rotation drive unit 811 that rotates the placement unit 80, and an X-axis drive unit 812 that moves the placement unit 80 in the X-axis direction. The Y-axis drive unit 813 moves the mounting unit 80 in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.

昇降駆動部８１０は、エアシリンダ８１０ａとピストン８１０ｂとからなり、ピストン８１０ｂの上端部はフレーム支持手段８０１に固定されており、ピストン８１０ｂの昇降に伴ってフレーム支持手段８０１が昇降する構成となっている。   The elevating drive unit 810 includes an air cylinder 810a and a piston 810b. The upper end of the piston 810b is fixed to the frame support unit 801, and the frame support unit 801 moves up and down as the piston 810b moves up and down. Yes.

回転駆動部８１１は、エアシリンダ８１０ａ及びダイ支持台８００が固定されたターンテーブル８１１ａと、ターンテーブル８１１ａの外周に巻き付けたベルト８１１ｂと、ベルト８１１ｂを駆動してターンテーブル８１１ａを回転させる駆動源８１１ｃとから構成され、ターンテーブル８１１ａの回転によりダイ支持台８００、昇降駆動部８１０及びフレーム支持手段８０１が回転する構成となっている。   The rotation drive unit 811 includes a turntable 811a to which the air cylinder 810a and the die support base 800 are fixed, a belt 811b wound around the outer periphery of the turntable 811a, and a drive source 811c that drives the belt 811b to rotate the turntable 811a. The die support base 800, the elevating drive unit 810, and the frame support means 801 are rotated by the rotation of the turntable 811a.

Ｘ軸駆動部８１２は、Ｘ軸方向の軸心を有する図示しないボールネジと、ボールネジと平行に配設されたガイドレール８１２ａと、ボールネジを回動させるパルスモータ８１２ｂと、図示しない内部のナットがボールネジに螺合すると共に下部がガイドレール８１２ａに摺接するＸ軸移動台座８１２ｃとから構成され、パルスモータに駆動されてボールネジが回動するのに伴いＸ軸移動台座８１２ｃがガイドレール８１２ａにガイドされてＸ軸方向に移動する構成となっている。   The X-axis drive unit 812 includes a ball screw (not shown) having an axis in the X-axis direction, a guide rail 812a arranged in parallel with the ball screw, a pulse motor 812b for rotating the ball screw, and an internal nut (not shown) And an X-axis moving base 812c whose lower part is in sliding contact with the guide rail 812a. The X-axis moving base 812c is guided by the guide rail 812a as the ball screw rotates by being driven by a pulse motor. It is configured to move in the X-axis direction.

Ｙ軸駆動部８１３は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ８１３ａと、ボールネジ８１３ａと平行に配設されたガイドレール８１３ｂと、ボールネジ８１３ａを回動させるパルスモータ８１３ｃと、図示しない内部のナットがボールネジ８１３ａに螺合すると共に下部がガイドレール８１３ｂに摺接するＹ軸移動台座８１３ｄとから構成され、パルスモータ８１３ｃに駆動されてボールネジ８１３ａが回動するのに伴いＹ軸移動台座８１３ｄがガイドレール８１３ｂにガイドされてＹ軸方向に移動する構成となっている。   The Y-axis drive unit 813 includes a ball screw 813a having an axis in the Y-axis direction, a guide rail 813b disposed in parallel to the ball screw 813a, a pulse motor 813c that rotates the ball screw 813a, and an internal nut (not shown). The Y-axis moving pedestal 813d is screwed into the ball screw 813a and the lower part is in sliding contact with the guide rail 813b. The Y-axis moving pedestal 813d is driven by the pulse motor 813c and the Y-axis moving pedestal 813d is rotated by the guide rail 813b. It is configured to move in the Y-axis direction while being guided by.

ダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦに支持された複数のダイＤは、全体としてウェーハ形状を維持した状態で、図５に示すように、ピックアップ装置８のダイ支持台８００に載置される。一方、ダイシングフレームＦは、フレーム支持手段８０１に載置されると共にフレーム固定部８０２によって押さえつけられて固定される。   The plurality of dies D supported by the dicing frame F via the dicing tape T are placed on the die support base 800 of the pickup device 8 as shown in FIG. On the other hand, the dicing frame F is placed on the frame support means 801 and is pressed and fixed by the frame fixing portion 802.

次に、図６に示すように、ダイ支持台８００の位置を変えずにピストン８１０ｂを下げてフレーム支持手段８０１を下降させることによりフレームＦを下降させて、ダイシングテープＴを伸張させる。そうすると、ボンディングフィルムＢに残存していた切り残し部Ｂ１（図３参照）が破断し、ボンディングフィルムＢがダイごとに分割される。そして、個々のダイＤの裏面にそれぞれボンディングフィルムＢが貼着されそのボンディングフィルムがダイシングテープＴに貼着された状態となる。このとき、ダイ支持台８００とフレーム支持手段８０１と昇降駆動８１０とで、ダイシングテープＴを伸張させてボンディングフィルムＢを破断するテープ伸張手段８４が構成される。   Next, as shown in FIG. 6, the dicing tape T is extended by lowering the frame F by lowering the piston 810b and lowering the frame support means 801 without changing the position of the die support base 800. If it does so, uncut part B1 (refer FIG. 3) which remained in the bonding film B will fracture | rupture, and the bonding film B will be divided | segmented for every die | dye. And the bonding film B is each affixed on the back surface of each die | dye D, and the bonding film will be in the state affixed on the dicing tape T. FIG. At this time, the die support base 800, the frame support means 801, and the lift drive 810 constitute a tape extension means 84 that extends the dicing tape T and breaks the bonding film B.

こうしてダイシングテープＴを伸張させた状態で、次に、撮像部８３によりピックアップすべきダイを検出し、そのダイの直上にピックアップボンディング部８２の吸着部８２０を移動させて下降させ、検出したダイＤをボンディングフィルムＢと共に吸着する。そして、ダイＤを吸着した状態で吸着部８２０を上昇させることにより、ボンディングフィルムＢが裏面に貼着されたダイＤをダイシングテープＴから剥離してピックアップする。このとき、冷却部８０３から冷風を送風する等としてボンディングフィルムＢを例えば１０℃以下とすると、ピックアップをより円滑に行うことができる。また、針状の棒を用いて下方からダイシングテープＴを介してピックアップ対象のダイを突き上げてダイを剥離しやすい状態としてもよい。   Next, with the dicing tape T extended, the die to be picked up is detected by the imaging unit 83, and the suction unit 820 of the pickup bonding unit 82 is moved and lowered directly above the die, and the detected die D Is adsorbed together with the bonding film B. Then, by lifting the adsorbing portion 820 while adsorbing the die D, the die D having the bonding film B adhered to the back surface is peeled off from the dicing tape T and picked up. At this time, if the bonding film B is set to 10 ° C. or less, for example, by blowing cool air from the cooling unit 803, the pickup can be performed more smoothly. Moreover, it is good also as a state which pushes up the die | dye to be picked up from the downward direction through the dicing tape T using a needle-shaped stick | rod, and can peel a die | dye easily.

図７に示すように、ダイボンダ８は、リードフレーム等のマウント対象の基板８５を保持して水平方向に移動可能な保持部８６を備えており、吸着部８２０に吸着されピックアップされたダイＤは、ピックアップボンディング部８２の回動及び下降により、基板８５の所定の位置に移動する。そして、保持部８６が前後左右に移動することにより基板８５を所定の位置に位置決めした状態で、吸着部８２０が下降し吸着を解除すると、そのダイＤがボンディングフィルムＢを介して基板８５の所定の位置にダイボンディングされる。ダイシングテープＴに貼着されたすべてのダイＤは、それぞれが、ピックアップされてすぐにそのまま基板８５にダイボンディングされる（ダイボンディング工程）。   As shown in FIG. 7, the die bonder 8 includes a holding portion 86 that holds a substrate 85 to be mounted such as a lead frame and is movable in the horizontal direction. The die D picked up and picked up by the suction portion 820 is Then, the substrate is moved to a predetermined position on the substrate 85 by the rotation and lowering of the pickup bonding unit 82. Then, when the suction portion 820 is lowered and the suction is released in a state where the substrate 85 is positioned at a predetermined position by moving the holding portion 86 back and forth, and right and left, the die D passes through the bonding film B and the predetermined portion of the substrate 85 is fixed. Die-bonded at the position. All the dies D adhered to the dicing tape T are die-bonded to the substrate 85 as they are as they are picked up (die bonding step).

こうして、ダイシングテープの伸張により間隔が広がった状態でピックアップしたダイＤを搬送してそのままダイボンディングするようにすることで、隣接するボンディングフィルム同士が接着されるのを防止することができ、ピックアップ及びダイボンディングを円滑に行うことができ、生産性が向上する。   In this way, by transporting the die D picked up in a state where the interval is widened by extension of the dicing tape and performing die bonding as it is, it is possible to prevent the bonding films adjacent to each other from being bonded. Die bonding can be performed smoothly and productivity is improved.

ウェーハ、ボンディングフィルム及びダイシングフレームが貼着されたダイシングテープを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the dicing tape with which the wafer, the bonding film, and the dicing frame were stuck. 切削装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a cutting device. 切断工程終了後のウェーハ及びボンディングフィルムの一部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows a part of wafer and bonding film after a cutting process end. ダイボンダの一例の一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of example of a die bonder. ダイボンダにおいてダイを保持した状態を略示的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the state holding die | dye in a die bonder. ダイボンダにおいてダイシングテープを伸張させた状態を略示的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the state which extended the dicing tape in the die bonder. ダイのピックアップからダイボンディングまでを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows from die pick-up to die bonding.

符号の説明Explanation of symbols

Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面 Ｓ：分割予定ライン Ｄ：ダイ
Ｗ２：裏面
Ｂ：ボンディングフィルム
Ｔ：ダイシングテープ Ｆ：ダイシングフレーム
１：切削装置
２：チャックテーブル
２０：保持面 ２１：固定部
３：切削手段
３０：スピンドル ３１：ハウジング ３２：切削ブレード ３３：モータ
４：アライメント手段 ４０：撮像手段
５：切削送り手段
５０：ボールネジ ５１：ガイドレール ５２：モータ ５３：移動基台
５４：回転駆動部
６：切り込み送り手段
６０：ボールネジ ６１：ガイドレール ６２：パルスモータ ６３：支持部
７：割り出し送り手段
７０：ボールネジ ７１：ガイドレール ７２：パルスモータ ７３：移動基台
８：ダイボンダ
８０：載置部
８００：ダイ支持台
８０１：フレーム支持手段
８０２：フレーム固定部
８０３：冷却手段
８１：駆動部
８１０：昇降駆動部
８１０ａ：エアシリンダ ８１０ｂ：ピストン
８１１：回転駆動部
８１１ａ：ターンテーブル ８１１ｂ：ベルト ８１１ｃ：駆動源
８１２：Ｘ軸駆動部
８１２ａ：ガイドレール ８１２ｂ：パルスモータ ８１２ｃ：Ｘ軸移動台座
８１３：Ｙ軸駆動部
８１３ａ：ボールネジ ８１３ｂ：ガイドレール ８１３ｃ：パルスモータ
８１３ｄ：Ｙ軸移動台座
８２：ピックアップボンディング部
８３：ダイ検出部
８４：テープ伸張部
８５：基板
８６：保持部 W: Wafer W1: Front surface S: Divided line D: Die W2: Back surface B: Bonding film T: Dicing tape F: Dicing frame 1: Cutting device 2: Chuck table 20: Holding surface 21: Fixed portion 3: Cutting means 30 : Spindle 31: Housing 32: Cutting blade 33: Motor 4: Alignment means 40: Imaging means 5: Cutting feed means 50: Ball screw 51: Guide rail 52: Motor 53: Moving base 54: Rotation drive unit 6: Cut feed means 60: Ball screw 61: Guide rail 62: Pulse motor 63: Support unit 7: Indexing feeding means 70: Ball screw 71: Guide rail 72: Pulse motor 73: Moving base 8: Die bonder 80: Placement unit 800: Die support table 801 : Frame support means 802: Frame fixing part 803: Cooling hand 81: Drive unit 810: Lifting drive unit 810a: Air cylinder 810b: Piston 811: Rotation drive unit 811a: Turntable 811b: Belt 811c: Drive source 812: X-axis drive unit 812a: Guide rail 812b: Pulse motor 812c: X-axis Moving base 813: Y-axis drive unit 813a: Ball screw 813b: Guide rail 813c: Pulse motor 813d: Y-axis moving base 82: Pickup bonding unit 83: Die detection unit 84: Tape extension unit 85: Substrate 86: Holding unit

Claims (5)

ダイの裏面にダイボンド用のボンディングフィルムを貼着し、該ボンディングフィルムを介して該ダイをマウント対象の基板にボンディングするダイボンディング方法であって、
複数のダイが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハの裏面にボンディングフィルムを貼着すると共に、ダイシングフレームに貼着されたダイシングテープに該ボンディングフィルムを貼着して該ウェーハを該ダイシングフレームに支持させるボンディングフィルム貼着工程と、
該分割予定ラインを切断すると共に該ボンディングフィルムを不完全切断して切り残し部を残存させる切断工程と、
ダイシングテープを伸張させて該ボンディングフィルムの切り残し部を破断すると共に、該ボンディングフィルムが貼着されたダイを該ダイシングテープからピックアップして該ダイを該基板にボンディングするダイボンディング工程と
から構成されるダイボンディング方法。 A die bonding method in which a bonding film for die bonding is attached to the back surface of a die, and the die is bonded to a substrate to be mounted through the bonding film,
A bonding film is attached to the back surface of a wafer formed by dividing a plurality of dies by division lines, and the bonding film is attached to a dicing tape attached to a dicing frame to attach the wafer to the dicing frame. Bonding film sticking process to be supported on,
A cutting step of cutting the planned dividing line and cutting the bonding film incompletely to leave an uncut portion,
The dicing tape is stretched to break the uncut portion of the bonding film, and the die bonding step of picking up the die attached with the bonding film from the dicing tape and bonding the die to the substrate. Die bonding method. 前記切断工程は、切削ブレードまたはレーザー光を使用して遂行される
請求項１に記載のダイボンディング方法。 The die bonding method according to claim 1, wherein the cutting step is performed using a cutting blade or a laser beam. 前記切断工程におけるボンディングフィルムの切り残し部の厚さは２０μｍ以下である
請求項１または２に記載のダイボンディング方法。 The die bonding method according to claim 1 or 2, wherein a thickness of the uncut portion of the bonding film in the cutting step is 20 µm or less. 前記ダイボンディング工程において、前記ボンディングフィルムは１０℃以下に冷却される
請求項１、２または３に記載のダイボンディング方法。 The die bonding method according to claim 1, wherein the bonding film is cooled to 10 ° C. or less in the die bonding step. 裏面にボンディングフィルムが貼着され該ボンディングフィルムがダイシングテープに貼着されダイシングフレームに支持されたダイをピックアップしてマウント対象の基板にボンディングするダイボンダであって、
該ダイシングフレームを支持するフレーム支持手段と、該ダイシングテープを伸張させて該ボンディングフィルムを破断するテープ伸張手段と、該ボンディングフィルムを冷却する冷却手段と、伸張されたダイシングテープから該ボンディングフィルムが貼着されたダイをピックアップして該マウント対象の基板にボンディングするピックアップボンディング部と
を少なくとも備えたダイボンダ。 A die bonder for bonding a bonding film to a mounting target substrate by picking up a die that is bonded to a back surface and the bonding film is bonded to a dicing tape and supported by a dicing frame,
A frame supporting means for supporting the dicing frame, a tape extending means for breaking the bonding film by extending the dicing tape, a cooling means for cooling the bonding film, and the bonding film attached from the extended dicing tape. A die bonder comprising at least a pick-up bonding part for picking up a bonded die and bonding the picked-up die to a substrate to be mounted.
JP2008032931A 2008-02-14 2008-02-14 Die bonding method and die bonder Pending JP2009194135A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008032931A JP2009194135A (en) 2008-02-14 2008-02-14 Die bonding method and die bonder
US12/363,489 US20090209066A1 (en) 2008-02-14 2009-01-30 Die bonding method and die bonder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008032931A JP2009194135A (en) 2008-02-14 2008-02-14 Die bonding method and die bonder

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009194135A true JP2009194135A (en) 2009-08-27

Family

ID=40955500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008032931A Pending JP2009194135A (en) 2008-02-14 2008-02-14 Die bonding method and die bonder

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20090209066A1 (en)
JP (1) JP2009194135A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021157470A1 (en) * 2020-02-06 2021-08-12 東レエンジニアリング株式会社 Cutting device, bonding material transfer device, and mounting device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093549B2 (en) 2013-07-02 2015-07-28 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bond heads for thermocompression bonders, thermocompression bonders, and methods of operating the same
JP2017168736A (en) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社ディスコ Processing method for wafer
JP6887722B2 (en) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ Wafer processing method and cutting equipment
WO2018227453A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Goertek Inc. Method for transferring micro-light emitting diodes, micro-light emitting diode device and electronic device
JP7143023B2 (en) * 2018-08-06 2022-09-28 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP7191458B2 (en) * 2018-08-06 2022-12-19 株式会社ディスコ Wafer processing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006203023A (en) * 2005-01-21 2006-08-03 Renesas Technology Corp Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing equipment for semiconductor
JP2007294651A (en) * 2006-04-25 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing adhesion film mounted on wafer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006203023A (en) * 2005-01-21 2006-08-03 Renesas Technology Corp Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing equipment for semiconductor
JP2007294651A (en) * 2006-04-25 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing adhesion film mounted on wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021157470A1 (en) * 2020-02-06 2021-08-12 東レエンジニアリング株式会社 Cutting device, bonding material transfer device, and mounting device

Also Published As

Publication number Publication date
US20090209066A1 (en) 2009-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101386339B1 (en) Method for manufacturing device
JP2009194135A (en) Die bonding method and die bonder
JP5595716B2 (en) Processing method of optical device wafer
JP4630692B2 (en) Laser processing method
JP2009064905A (en) Extension method and extension apparatus
KR20090049534A (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR102028765B1 (en) Method for dividing circular plate-like object
JP5623791B2 (en) Processing method of sapphire substrate
JP2007305687A (en) Dicing method and dicing device of wafer
US7825009B2 (en) Manufacturing method for devices
JP6034219B2 (en) Wafer processing method
JP2011091293A (en) Method for processing wafer
JP2015126054A (en) Method of processing wafer
KR20170049397A (en) Wafer processing method
JP2006245209A (en) Manufacturing method of semiconductor chip
JP2015015359A (en) Method for processing wafer
JP2005109155A (en) Processing method of semiconductor wafer
JP2016086089A (en) Wafer processing method
KR20110058667A (en) Manufacturing method of optical device
KR100428945B1 (en) Semiconductor wafer sawing machine
JP5623795B2 (en) Processing method of sapphire substrate
KR20110112200A (en) Method of processing optical device wafer
KR20100005864A (en) Method for picking-up device mounted with adhesive film
JP2005158782A (en) Method for working semiconductor wafer
JP2011222698A (en) Method of processing optical device wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120626

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130205