KR100421519B1 - 반도체제조에사용되는린싱수를정제하는방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 제조 회수물내에 존재하는 친수성 유기 오염물과 과산화수소가 85 중량% 이상의 탄소농도 및 1.5 : 1 내지 20 : 1 의 탄소/수소 원자비를 갖는 거대망상형 술폰화 비닐 방향족 중합체의 열분해생성물에 흡착되어 제거된다. 그러한 열분해생성물은, 소수성 표면을 갖고 있음에도 불구하고, 상기 오염물들에 대해서 높은 흡착 능력을 나타내며, 통상적인 활성탄보다 현저하게 높은 제거율을 제공한다.

Description

반도체 제조에 사용되는 린싱수를 정제하는 방법{PROCESS FOR PURIFYING RINSING WATER USED IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURE}
본 발명은, 흡착에 의해서 반도체 제조 회수물로부터 친수성 유기오염물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
집적회로(칩)의 제조 과정에서, 특정한 작업후에는, 특히 식각후에는 다양한 케미칼(chemical)과 고도의 순수(純水)로 웨이퍼를 린싱(rinsing)해 주어야 한다. 대량으로 발생된 회수물은, 유기물 및 무기물을 함유하고 있어서, 초순수(超純水) 제조 회로로 직접 재순환하는 것이 불가능할 정도의 품질을 갖고 있다. 그러나, 초순수 회로내에서는 5 ppb 미만의 TOC (전체 유기 탄소 함량) 값을 달성하는 것이 필수적인데, 역삼투압, 혼상식 필터, 탈휘발, 자외선 방사, 한외여과 같은 종래의 방법으로는, 반도체 제조시에 발생되는 유기 오염물을 충분히 제거할 수 없기 때문에, 반도체 제조시에 발생되는 그러한 유기 오염물로 인하여 회수물의 재순환이 상당히 방해받게 된다.
전형적인 반도체 회수물은, 예컨대 불화물, 염화물, 질화물, 황산염, 인산염, 암모늄 이온, 과산화수소, 이소프로판올, 아세톤, N-메틸피롤리돈(methylpyrrolidone), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 아세트산, 디메틸 산화황, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 등과 같은 무기물과 유기물을 포함하는데, 대체로, 이소프로판올, 아세톤, N-메틸피롤리돈, 불화수소산, 염화수소산, 황산, 인산, 과산화수소, 암모니아, 불화 암모늄, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 등을 주성분으로 한다. 그러한 회수물은 약 10 내지 2,000 ㎲/㎝ 의 전기전도도 및 0.1 내지 20 ppm 의 TOC 값을 가지며, 일반적으로 약 2∼9 의 pH 를 나타내고, 대개 7 미만의 pH 를 나타낸다.
비용과 환경보호 및 물부족을 감안하면, 일반적으로 통상의 원수(原水)보다 오염물을 현저히 적게 함유하는 회수물의 경우에는, 반도체 제조시 한 번 더 사용될 수 있는 정도로 처리하는 것이 바람직하다.
현재, 회수물의 처리에는, 이온교환 방법, 역삼투압 방법, 활성탄상의 흡착, 생물학적 방법 및 한외여과법이 이용된다. 예컨대, 유리(遊離) 미네랄산과 유기산은 통상적으로 약염기성이나 강염기성의 음이온 교환 수지를 통하여 제거된다. 게다가, 초순수 장치의 메이크업(make-up) 용수 처리 장치에 내장되기도 하는 역삼투압 장치를, 기존의 이온교환 단계와 함께 조합하여 사용하면, 대체로, 무기물 및 유기물의 산, 염기, 및 염을 충분히 제거할 수 있다. 반면에, 이소프로판올, 아세톤, N-메틸피롤리돈, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 디메틸 산화황 등과 같은 친수성 유기 화합물과 과산화수소는, 대개 50∼70% 만이 제거되며, 역삼투압 단계에서조차도 5ppb 미만의 TOC 요구치에 훨씬 못 미치는 정도로 제거된다. 이론상으로는, 활성탄으로 추가 처리하면 그러한 화합물의 농도를 더 낮출 수는 있지만, 그러한 방법을 사용한다해도 만족스러운 분리를 달성하는 것이 불가능할 경우가 많으며, 적어도 매우 어렵다.
종래의 방법은, 다수의 정제법을 조합하여 사용해야 하며, 그렇게 하더라도특히 유기 오염물의 농도가 비교적 높을 경우에는 만족스러운 결과를 달성할 수 없을 때가 많고, 및/또는 바이오파울링(biofouling)이 생물학적 단계 또는 활성탄 여과의 하류 단계에 역효과를 줄 수 있다는 결점을 갖고 있다.
반면에, US-A-4040990, JP-A-62/197308, US-A-4839331, EP-A-0604110, 및 EP-A-0623557 호는, 예컨대, 합성 중합체(polymer)의 열분해에 의해 얻어지고, 활성탄에 비해 더 소수성의 표면을 갖고 있으며, 따라서 소수성 유기 화합물, 특히 탄화수소와 할로겐화된 탄화수소를, 활성탄보다 더 효과적으로 흡착할 수 있는 석탄이 많은 흡착제를 개시한다. 그러한 제품은, 예컨대 앰버소브(Ambersorb)라는 상표명(미국 필라델피아 롬앤하스(Rohm and Hass)사 제조)으로 상용화되어 있다.
또한, EP-A-0285321 호는, 예컨대 저장의 결과로서 원수나 정제수내에 발열 물질로서 존재할 수 있는 세균내독소(지질다당류)를 제거하기 위해서, 흡착제로서 가교결합된 중합체의 열분해생성물의 사용을 개시한다. 예컨대, 가교결합된 중합체로서 적당한 것으로는, 필요하다면 술폰화 또는 클로로메틸화된 후 아민화되어 이온 교환수지를 제공할 수 스틸렌-디비닐벤젠 공중합체(copolymer)가 있다. 또한, EP-A-285321 호에 기술된 바와 같이, 상기 방법은, 저장된 물을, 후속하는 여과 단계 이전에 열분해 생성물과 접촉하게 함으로써, 고도의 순수를 제조 및 저장하는 수처리 방법에도 사용될 수 있다. 그러나, 그러한 경우에 있어, 초순수를 제조하기 위한 시작 물질은 원수이고, 흡착 단계는 저장된 고도의 순수내에 존재하는 발열물질을 제거하는 역할만을 수행한다.
본 발명자는, 거대망상형 술폰화 비닐-방향족 중합체의 열분해생성물은, 활성탄보다 더 소수성의 표면을 갖고 있음에도 불구하고, 활성탄보다 훨씬 더 효과적으로, 반도체 제조 회수물에 존재하는 친수성의 유기 오염물과 과산화수소를 흡착할 수 있다는 놀라운 사실을 발견했다. 또한, 상기 열분해생성물상에 흡착된 오염물은 활성탄상에 흡착된 오염물보다 훨씬 더 쉽게 흡착표면에서 제거될 수 있다는 사실을 발견하였다.
따라서, 본 발명은, 반도체 제조 회수물로부터, 15℃ 에서 10 중량% 이상으로 물과 혼화하기 쉬운 친수성 유기 오염물 및/또는 과산화수소를 흡착하여 제거하는 방법에 관한 것이며, 상기 반도체 회수물을, 85 중량% 이상의 탄소 함량 및 1.5:1 ∼ 20:1 의 탄소/수소 원자 비율을 갖는, 거대망상형 술폰화 비닐-방향족 중합체의 열분해생성물의 베드(bed)를 통해 통과시키는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법을 이용하면, 훨씬 더 높은 제거율이 달성될 뿐만 아니라, 보통은 열분해생성물의 흡착능력이 통상적인 활성탄의 흡착능력보다 더 높다는 사실을 발견하였다. 특히 소수성 열분해생성물이 친수성 화합물에 대하여 우수한 흡착성을 나타내리라고는 예상할 수 없었고, 회수물내에 존재하는 오염물의 양이 수 ppm 에 불과하기 때문에, 예컨대 60 ㎝ 의 칼럼 높이(베드의 층 높이)를 갖는 단일 흡착 단계에서도, 90%를 훨씬 넘는 제거율이 달성된다는 점은 특히 놀라운 사실이었다. 따라서, 필요하다면 2개 이상의 흡착 단계를 연속으로 실시하고 및/또는 바람직하게는 기존의 메이크업(make-up) 용수 처리 방법과 조합한다면, 본 발명에 따른 방법을 이용하여 5ppb 미만의 TOC 요구치를 쉽게 달성할 수 있다. 또한,본 발명에 따라 사용될 수 있는 열분해생성물은, 일반적으로 재생되지 않는 활성탄에 비해, 쉽게 재생될 수 있다는 장점을 가진다.
본원에서 "친수성 유기 오염물" 이라 함은, 반도체 제조 회수물내에 존재할 수 있으며, 15℃ 에서 10 중량% 이상으로 물과 혼화하기 쉬운 비(非)이온성 유기 화합물을 칭하며, 특히, 반도체 제조에 사용되는, 이소프로판올, 아세톤, N-메틸피롤리돈, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 아세트산, 디메틸 산화황 및 프로필렌 글리콜 에테르 아세테이트 같은 용매, 그 중에서도 특히 이소프로판올, 아세톤, 및 N-메틸피롤리돈 같은 용매로서, 20℃에서 액체 상태로 존재하는 비이온성 유기 화합물을 칭한다.
본원에서 "비닐-방향족 중합체" 라 함은, 비닐-방향족 단량체(monomer)의 중합반응에 의해 얻어진 중합체를 칭한다.
본원에서 "거대망상" 이라 표현된 것은, 해 중합체가 25 ㎚ 이상의 기공(pore)을 상당한 정도 갖고 있음을 의미한다.
본 발명에 유용하게 사용될 수 있는 열분해생성물은, 85 중량% 이상의 탄소 함량과, 1.5 : 1 ∼ 20 : 1, 바람직하게는 2 : 1 ∼ 10 : 1 의 탄소/수소 원자비를 가진다. 그러한 열분해생성물은, 예컨대 US-A-4040990, US-A-4839331 및 JP-A-62/197308 에 개시된 방법에 따라, 기술에서 거대망상형 술폰화 비닐-방향족 중합체로부터 열적인 열화(thermal degradtation)를 제어함으로써 얻어질 수 있다.
시작 물질로서의 중합체로는, 스틸렌, 비닐톨루엔, 에틸비닐벤젠, 비닐크실렌, 및 비닐피리딘 같은 모노에틸린계 불포화 단량체와, 디비닐벤젠, 트리비닐벤젠, 디비닐톨루엔, 및 디비닐피리딘 같은 폴리에틸렌계 불포화 단량체의 단일중합체(homopolymer) 또는 공중합체(copolymer)가 적절하다. 그러나, 일반적으로는, 모노에틸렌계 및 폴리에틸렌계로 불포화 중합체의 공중합체가 바람직하며, 75∼90 중량부의 스틸렌과 25∼10 중량부의 디비닐벤젠을 중합하여 얻어진 스틸렌-디비닐벤젠 공중합체가 특히 바람직하다.
중합은, 예컨대 US-A-4040990 및 US-A-4839331 호에 개시된 바와 같은 공지 방법에 따라서 실시될 수 있는데, US-A-4224415 호에 개시된 서스펜션(suspension) 중합이 바람직하다.
그와 마찬가지로, 폴리머의 술폰화도, 고온에서, 농축 황산, 발연 황산(oleum), 삼산화황(sulphur trioxide) 또는 클로로술폰산(chlorosulphonic acid)을 사용하는 공지된 방법으로 실시될 수 있다. 적절한 조건은, 예컨대 US-A-2366007, US-A-2500149, US-A-4224415, 및 US-A-4839331 에 개시되어 있다.
술폰화된 중합체의 열분해는, 예컨대 US-A-4040990 및 US-A-4839331 호에 개시된 바와 같이, 그 중합체를, 불활성 가스 분위기(예컨대, 질소, 헬륨, 네온, 및/또는 아르곤)에서 약 300∼1200℃, 바람직하게는 400∼800℃ 로 약 0.3∼2 시간 동안 가열함으로써 실시될 수 있다. 필요하다면, 상기 불활성 가스를 이산화탄소, 산소 또는 수증기 같은 활성 가스와 혼합하여 사용할 수 있으며, 또는 활성 가스에서 약 300∼1200℃ 로 가열하는 후처리(after-treatment)를 실시할 수도 있지만, 일반적으로는, 활성 가스로 처리되지 않는 열분해생성물이, 친수성 유기 오염물에 대하여 더 우수한 흡착성을 나타낸다.
중합체의 열분해 과정에서는, 중합체에 기 존재하는 기공에 더하여 미세기공이 형성되는데, 이는 열분해시 대개 유지된다. 기공의 크기에 대한 IUPAC 의 정의에 따르면, 열분해생성물내의 기공은, 25㎚ 이상의 반경을 갖는 거대기공, 1∼25㎚ 의 반경을 갖는 중간기공, 및 1㎚ 미만의 반경을 갖는 미세기공으로 구분될 수 있는데, 흡착은 주로 미세기공에서 발생되는 것으로 추정되며, 그에 반해 중간기공과 거대기공은 미세기공으로의 운반을 돕는 것으로 추정된다.
본 발명에 따른 흡착 방법에 있어서는, 기공의 비체적이 약 0.1 ml/g 이상,특히 약 0.13 ml/g(예컨대, 0.20∼0.25 ml/g) 이상인 거대기공과, 기공의 비체적이 약 0.1 ml/g 이상, 특히 약 0.12 ml/g(예컨대, 0.13∼0.20 ml/g) 이상인 중간기공을 갖는 열분해생성물을 사용함이 바람직하다. 또한, 일반적으로, 기공의 비체적이 약 0.1 ml/g 이상, 특히 약 0.2 ml/g(예컨대, 0.2∼0.4 ml/g) 이상인 미세기공을 갖는 열분해생성물을 사용함이 바람직하다. 각 경우의 기공 부피는, 마이크로메트릭스 2400 기공측정기(Micromeritics 2400 porosimeter)상의 질소 흡착 등온선으로부터 얻은 값에 대응한다. 그러나, 기공 부피가 반드시 상기와 같아야 하는 것은 아니며, 그보다 더 작은 기공 부피를 갖는 열분해생성물도 원칙적으로는 적당하다.
또한, 본 발명자는, 반도체 제조 회수물내에 존재하는 친수성 유기 오염물에 대한 상대적으로 소수성인 열분해생성물의 흡착성은, 그 열분해 생성물 표면의 소수성이 커질수록 더 증가한다는 놀라운 사실을 발견했다. 본 발명에 따른 방법에서는, 친수성 유기 오염물의 흡착에 있어서, 실온 (24℃) 및 94% 의 상대습도에서,열분해생성물 1 g 당 300㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물을 이용할 때 특히 적절한 결과를 보여주었고, 열분해생성물 1 g 당 200㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물을 이용할 때 최적의 결과를 보였다는 점으로부터 그러한 사실을 알아낼 수 있었다. 반면에, 과산화수소의 흡착에 있어서는, 상대적으로 덜 소수성인 열분해생성물이 더 적절한 경향을 보여주는데, 관찰 결과에 의하면, 실온(24℃) 및 94% 의 상대습도에서, 열분해생성물 1 g 당 200 ㎎ 이상의 물, 예컨대 200∼400 ㎎ 의 물, 바람직하게는 200∼300 ㎎ 의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물이, 열분해생성물 1 g 당 200 ㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물보다, 대체로 더 적절한 결과를 보여주었다.
따라서, 친수성 유기 오염물 및 과산화수소를 제거하려면, 열분해생성물 1 g 당 200 ㎎ 이상의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물과, 200 ㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물의 2가지 열분해생성물을 사용함이 바람직하다. 그렇게 하여 친수성 유기 오염물 및 과산화수소를 제거하려면, 회수물을, 상기 2가지 열분해생성물의 혼합물 베드를 통해서 통과시키거나, 상기 2가지 열분해생성물 각각에 대한 별도의 베드를 순서에 관계없이 연속으로 통과시킴으로서 실시될 수 있다.
열분해생성물은 화학적, 열적, 및 물리적으로 매우 안정하다. 일반적으로,열분해생성물은, 약 100∼2000 ㎡/g, 보통은 약 500∼1200 ㎡/g 의 비표면적을 가지며, 예컨대, 약 0.2∼1.5 ㎜, 바람직하게는 약 0.3∼1.0 ㎜ 의 평균 입자크기를 갖는 거의 구형인 입자의 형태로 사용될 수 있다. 적절한 열분해생성물로는, 예컨대, 앰버소브(Ambersorb) 348F, 앰버소브 572, 앰버소브 575, 앰버소브 563, 및앰버소브 564(미국 필라델피아 롬앤하스(Rohm and Haas)사 제조) 라는 명칭으로 상용화된 것이 있는데, 상기 열거된 것들은 모두 친수성 유기 오염물 및 과산화수소의 흡착용으로 적절하다. 그러나, 친수성 유기 오염물의 흡착용으로는 앰버소브 563 및/또는 앰버소브 564 를 사용하고, 과산화수소의 흡착용으로는 앰버소브 572 및/또는 앰버소브 575 를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 흡착에 대한 종래의 방법에 따라 실시될 수 있는데, 열분해생성물 베드는, 업플로우(up flow) 방법 또는 다운플로우(down flow) 방법에서 작동될 수 있는 칼럼(column) 또는 흡착 필터내에 배치되는 것이 바람직하다. 일반적으로, 베드 높이로는, 약 30 ㎝ 이상, 예컨대 약 60∼150 ㎝ 가 권장된다. 제거율을 높이기 위해서는, 베드 높이를 높이는 것도 원칙적으로 가능하지만, 그러한 경우에 있어서, 2개 이상의 열분해생성물 베드를 직렬로 연결하여 사용하는 것이 일반적으로 더 유리하다. 열분해생성물 베드의 하류에는 약염기성 음이온 교환기가 있는 것이 바람직할 수 있다.
새로운 열분해생성물을 사용하려 할 때는, 작업 개시 전의 수일 동안, 열분해생성물의 베드를 통하여 이온이 제거된 물을 통과시켜서, 그 열분해생성물을 수화(水化)시킬 것이 권장되는데, 그렇게 하려면, 처음에는 상기 베드를 통해 고온의 물을 통과시키고, 추가적인 처리는 실온에서 실시되는 것이 바람직하다.
열분해생성물이 오래 사용되어 기능이 약해지거나, 제거율이 특정값, 예컨대 90% 이하로 내려가면, 회수물 공급을 중단시키고 그 열분해생성물을 재생시킬 수 있으며, 재생후 막바로든 나중에든 그 열분해생성물은 재사용될 수 있다. 재생은, 그 열분해생성물을 통해 약 100∼250℃ 의 증기를 통과시킴에 의해 실시됨이 바람직한데, 일반적으로, 약 12 베드 부피(응결상태로 측정시) 미만의 증기를 이용하면 흡착된 오염물을 실질적으로 충분히 제거할 수 있다.
작업시의 유속은, 예컨대, 시간당 약 5∼40 베드 부피의 회수물이고, 재생시의 유속은, 시간당 약 0.1∼2.0 베드 부피의 증기(응결상태로 측정시)이다.
재생시에도 회수물의 처리가 중단되지 않게 하기 위해서는, 2 개 또는 3 개의 열분해생성물 베드를 제공하여, 하나의 베드에 대해 재생이 실시되는 동안, 나머지 하나 또는 두 개의 베드에 대해서는 회수물의 처리가 실시되도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 흡착 방법에 대해서, 하기의 실시예를 통하여 더 상세히 설명하고자 한다.
실시예 1
(A)앰벌라이트(Amberlite) XAD 16(롬앤하스사 제조)와 (B)활성탄 BD(켐비론(Chemviron)사 제조)를 비교예로 하고, (C)앰버소브 572(롬앤하스사 제조)와 (D)앰버소브 563(롬앤하스사 제조)를 본 발명에 따른 실시예로 하여, 40 ㎝ 의 직경과 1.5 m 의 높이를 갖는 투명한 폴리비닐클로라이드로 된 4 개의 칼럼에, 상기 4 종의 흡착제중의 한 가지씩을 각각 60 ㎝ 의 베드 높이(베드 높이 BV = 0.75 ℓ)까지 주입하였다. 상기 칼럼내를 수화(水化)시키기 위해, 이온이 제거된 물을, 1 ℓ/h 의 유속으로 7 일간 새로운 흡착제내로 통과시켰다. 그 후, 각각의 경우에 대해서, 약 10∼20 ppm 의 과산화수소를 함유하고, 5.2∼6.5 ppm 의 TOC 함량을 가지며, 1:1 의 중량비로 아세톤과 이소프로판올을 포함하는 물을, 20∼22℃ 의 온도에서 5 BV/h 의 유속으로, 상기 칼럼을 통해 통과시킨 다음, 흘러나오는 물에 대하여 TOC 값과 과산화수소 함량을 측정하였다. 각각의 경우에 있어서 야간에는 물공급을 중단하였다. 공급 흐름(feed stream)내의 TOC 값, 제거율이 90% 로 떨어질때까지의 흡착량에 대한 실험치, 및 과산화수소 제거율(H2O2의 감소율)을 표 1 에 나타내었다. 상기 공급 흐름내의 TOC 값을 근거로 한 TOC 제거율로서 % 흡착율을 취하고, 이를, 공급수(供給水)의 베드 부피에 대하여 도시한 결과를 도 1 에 나타내었다. 상기 결과를 통하여, 본 발명에 따른 열분해생성물을 이용하면, 현저히 더 높은 TOC 제거율과 더 많은 흡착량을 달성할 수 있음을 알 수 있다.
표 1
흡착제 공급 흐름내의 TOC 의 ppm 열분해생성물 1ℓ당TOC 흡착량(단위: g) H2O2감소율
(A)앰벌라이트 XAD 16(B)활성탄 BD(C)앰버소브 572(D)앰브소브 563 5.26.56.15.2 0.030.080.261.93 5내지 10%100%100%40%

Claims (13)

  1. 반도체 제조 회수물로부터, 15℃에서 10 중량% 이상으로 물과 혼화하기 쉬운 친수성 유기 오염물 및/또는 과산화수소를, 흡착에 의해 제거하는 방법으로서, 상기 반도체 제조 회수물을, 85 중량% 이상의 탄소 함량과 1.5:1 ∼ 20:1 의 탄소/수소 원자비를 갖는, 거대망상형 술폰화 비닐-방향족 중합체의 열분해생성물의 베드를 통하여 통과시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 25 ㎚를 초과하는 반경 및 0.1 ㎖/g 이상의 비체적을 갖는 거대기공과, 1∼25 ㎚ 의 반경 및 0.1 ㎖/g 이상의 비체적을 갖는 중간기공을 갖는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 25 ㎚를 초과하는 반경 및 0.13 ㎖/g 이상의 비체적을 갖는 거대기공과, 1∼25 ㎚ 의 반경 및 0.12 ㎖/g 이상의 비체적을 갖는 중간기공을 갖는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 1 ㎚ 미만의 반경 및 0.1 ㎖/g 이상의 비체적을 갖는 미세기공을 갖는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 1 ㎚ 미만의 반경 및 0.2 ㎖/g 이상의 비체적을 갖는 미세기공을 갖는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 2:1 ∼ 10:1 의 탄소/수소 원자비를 갖는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상대 습도가 94% 이고 실온 상태에 공기로부터, 열분해생성물 1 g 당 300 ㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 친수성 유기 오염물을 제거하기 위해서, 상대 습도가 94% 이고 실온 상태에 공기로부터, 열분해생성물 1 g 당 200 ㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 과산화수소를 제거하기 위해서, 상대 습도가 94% 이고 실온 상태에 있는 공기로부터, 열분해생성물 1 g 당 200 ㎎ 미만의 물을 흡착할 수 있는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 스틸렌-디비닐벤젠 공중합체의 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 75∼90 : 10∼25 의 스틸렌/디비닐벤젠 중량비를 갖는 스틸렌-디비닐벤젠 공중합체의 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 0.2 ∼ 1.5 ㎜ 의 평균 입자크기를 갖는 열분해생성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 열분해생성물을 재생시키기 위해서, 상기 반도체 제조 회수물 공급을 중단시키고, 온도가 100 ∼ 250 ℃ 인 증기를, 상기 열분해생성물 베드를 통해 통과시키는 것을 특징으로 하는 방법.
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