KR100389129B1 - 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 센터링 보정, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트는 물론 웨이퍼 센터링 보정 수행중 웨이퍼 손상 여부와 관련한 디텍팅까지 병행되도록 한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너에 관한 것으로, 본 발명에 의하여, 웨이퍼의 센터링을 조절하는 과정에서 웨이퍼의 에지 브로큰 유무 또한 판별할 수 있도록 함으로써 웨이퍼 센터링 및 웨이퍼 플랫존 얼라인먼트까지 종료된 웨이퍼가 소정 프로세스를 진행하면서 브로큰되는 것을 방지한다.

Description

멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너{Multi-function wafer aligner}

본 발명은 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 센터링 보정, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트는 물론 웨이퍼 센터링보정 수행중웨이퍼 손상 여부와 관련한 디텍팅까지 병행되도록 한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너에 관한 것이다.

최근들어 급속한 개발이 진행되어 단위 면적당 집적할 수 있는 데이터의 양 및 방대한 데이터를 단시간내 처리할 수 있는 기능을 갖는 고집적/고성능 반도체 제품이 생산되어 정보 처리 산업, 컴퓨터 산업, 정보 통신 산업 및 우주 항공 산업에 이르기까지 폭넓게 적용되고 있는 실정이다.

이와 같이 산업 전반에 걸쳐 중요한 역할을 수행하고 있는 반도체 제품을 제작하기 위해서는 순수 실리콘 웨이퍼를 제작하는 공정, 웨이퍼에 복수개의 반도체칩을 생산하는 공정, 반도체 칩이 외부 기기와 전기적 신호 입출력이 되도록 하는 패키징 공정 및 테스트 공정 등이 필수적으로 포함한다.

이들 중 반도체 칩을 생산하는 공정은 다시 매우 정밀한 복수개의 반도체 제조 공정, 예를 들면, 웨이퍼상에 소정 특성을 갖는 다양한 종류의 반도체 박막을 증착하여 형성하는 박막 형성 공정, 형성된 반도체 박막 중 일부를 선택적으로 제거하는 박막 에칭 공정, 웨이퍼 또는 기 형성된 반도체 박막의 박막 특성을 향상시키기 위한 불순물을 주입하는 이온주입공정 등의 공정을 포함한다.

이와 같이 다수 종류로 구성된 정밀한 반도체 칩 제조 공정은 통상 생산성의 극대화, 수율 향상을 위하여 소정 직경을 갖는 웨이퍼에 복수개의 반도체 칩이 동시에 형성되는데, 복수개의 반도체 공정을 거치면서 웨이퍼에 다수개의 반도체 칩을 형성하기 위해서는 전제조건으로 각 반도체 제조 설비에 투입되는 웨이퍼가 항상 각 반도체 제조 설비의 지정된 위치에 고정된 상태에서 공정이 진행되어야한다.

이를 위해서 원통 형태의 잉곳으로부터 원판 형태로 슬라이드된 웨이퍼에는 일부가 절단되어 웨이퍼의 위치를 인식할 수 있도록 하는 프랫존이 형성되고, 반도체 제조 설비에는 웨이퍼가 반도체 제조 설비에 투입되기 이전에 웨이퍼의 플랫존 및 센터링이 요구되는 바 대로 정확하게 보정하는 설비를 필요로 한다.

이하, 이와 같은 설비는 다양한 명칭으로 제작, 판매되고 있지만 이와 같은 역할을 수행하는 설비를 “웨이퍼 얼라이너”라 통칭하기로 한다.

웨이퍼 얼라인먼트 공정을 진행하기위해서는 로트(lot) 단위로 웨이퍼 카세트에 수납된 웨이퍼를 웨이퍼 이송 암(wafer transfer arm)이 언로딩하여 회전하는 회전척(chuck)에 안착시킨 상태에서 웨이퍼를 소정 속도로 회전시키면서 감지 센서에 의하여 웨이퍼의 편심량을 판별하고, 편심량이 판별될 경우 편심량은 웨이퍼 이송 암에 의하여 편심량을 보정된다.

이후, 편심량이 보정된 웨이퍼가 안착된 회전척이 다시 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼 플랫존 얼라인먼트가 수행되고, 웨이퍼 플랫존 얼라인먼트가 종료된 웨이퍼는 웨이퍼 이송 암에 의하여 반도체 제조 설비 또는 웨이퍼 카세트로 다시 이송된다.

이어서, 별도의 웨이퍼 이송 암에 의하여 센터링 및 플랫존 얼라인먼트가 종료된 웨이퍼는 실제 소정 반도체 제조 공정이 진행되는 프로세스 설비로 이송된다.

이와 같이, 프로세스 설비로 이송된 웨이퍼는 통상 정전기력에 의하여 웨이퍼척에 안착된 상태로 특정 프로세스가 진행되는 바, 특정 프로세스가 진행, 특정프로세스가 진행되는 도중 또는 특정 프로세스가 진행 완료 후 웨이퍼를 언로딩하는 과정에서 웨이퍼의 브로큰이 빈번하게 발생하여 일련의 반도체 공정이 진행된 웨이퍼를 더이상 사용할 수 없게되는 치명적인 문제점이 발생되고 있다.

이와 같은 웨이퍼의 브로큰은 다양한 원인에 의하여 발생하지만, 특히 선행공정을 진행하는 과정에서 웨이퍼의 에지(edge)에 크랙 또는 에지중 일부가 파손된 상태에서 웨이퍼가 후속 공정을 진행하는 반도체 제조 설비로 이송된 후 정전척에 안착되는 과정, 공정 진행 도중, 정전척으로 언로딩 되는 과정에서 웨이퍼의 에지크랙, 에지가 부분 브로큰된 부분에 응력이 과도하게 집중되는 원인이 주류를 이루는 바, 이를 방지하기 위해서는 웨이퍼에 현재 반도체 제조 공정을 진행하기 이전에 웨이퍼의 손상 여부를 철저하게 디텍팅(detecting)해야만 한다.

따라서, 본 발명의 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 임의의 반도체 제조 공정이 수행되기 이전에 웨이퍼의 손상 여부를 정확하기 디텍팅할 수 있도록 함에 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 손상 여부를 반도체 제조 공정이 진행되기 전에 수행되는 웨이퍼의 센터링, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트 공정 도중 디텍팅할 수 있도록 함에 있다.

본 발명의 또다른 목적은 상세하게 후술될 본 발명의 상세한 설명에 의하여 보다 명확해질 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너와 웨이퍼 카세트, 프로세스 설비의 관계를 도시한 블록도.

도 2는 본 발명에 의한 멀티 펑선 웨이퍼 얼라이너의 사시도.

도 3은 본 발명에 의한 멀티 펑션 유닛과 웨이퍼의 관계를 도시한 사시도.

도 4 및 도 5는 본 발명에 의한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너에 의하여 웨이퍼 센터링을 수행할 때를 도시한 개념도.

도 6 내지 도 8은 본 발명에 의한 멀티 펑션 유닛의 디텍팅용 수광 센서와 깨짐이 발생하지 않은 웨이퍼의 관계를 도시한 도면.

도 9는 깨짐이 발생한 웨이퍼의 부분 절개 사시도.

도 10 내지 도 12는 본 발명에 의한 멀티 펑션 유닛의 디텍팅용 수광 센서와 깨짐이 발생한 웨이퍼의 관계를 도시한 도면.

이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너는 적어도 1 매 이상의 웨이퍼가 수납된 웨이퍼 카세트와, 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼를 소정 거리 이송하는 웨이퍼 이송 수단과, 웨이퍼 이송 수단으로부터 이송된 웨이퍼가 안착된 상태로 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전 척, 웨이퍼 회전 척에 안착된 웨이퍼의 에지를 포함하는 일측면으로부터 소정 거리 이격된 곳에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 발광 소자, 웨이퍼의 에지를 포함하는 타측면으로부터 소정 거리 이격된 곳에 발광 소자와 일대일 대응되도록 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 제 1 수광 소자와, 웨이퍼의 에지로부터 난반사된 발광 소자의 빛을 디텍팅하는 제 2 수광 소자와, 발광 소자, 제 1 수광 소자, 제 2 수광 소자가 설치되는 서포트 블록을 포함하는 멀티 펑선 유닛과, 제 1 수광 소자의 온/오프 결과에 따라서 웨이퍼의 센터링 및 플랫존 얼라이너를 판단 및 제 2 수광소자의 온/오프 결과에 따라서 웨이퍼의 에지 손상을 판단하는 중앙처리유닛을 포함한다.

이하, 본 발명에 의한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너 및 이를 이용한 손상된 웨이퍼 디텍팅 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 의한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너(100)는 도 1에 도시된 바와 같이 프로세스 설비(200)에 의하여 소정 반도체 제조 공정이 진행될 웨이퍼가 적어도 1 매 이상 수납된 웨이퍼 카세트(300)에 수납된 웨이퍼를 언로딩하여 웨이퍼의 센터링 정렬, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트, 웨이퍼의 손상 디텍팅을 수행하는 역할을 한다.

이후, 웨이퍼의 센터링 정렬, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트, 웨이퍼의 손상 디텍팅이 종료된 후 디텍팅 결과 손상이 없으면 웨이퍼는 다시 웨이퍼 카세트(300)에 로딩된 후 프로세스 설비(300)로 이송된다.

첨부된 도 2에는 이와 같이 웨이퍼의 센터링 정렬, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트, 웨이퍼의 손상 디텍팅을 수행하는 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너(100)의 전체적은 구성을 설명하기 위한 사시도가 도시되어 있다.

본 발명에 의한 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너(100)는 전체적으로 보아 베이스 몸체(110), 웨이퍼 카세트 안착 유닛(120), 웨이퍼 트랜스퍼(130), 멀티 펑션 유닛(140) 및 중앙처리장치로 구성된다.

구체적으로 베이스 몸체(110)는 소정 면적을 갖는 육면체 형상으로 베이스 몸체(110)의 상면 소정 위치에는 웨이퍼 카세트 안착 유닛(120)이 설치되고, 웨이퍼 카세트 안착 유닛(120)과 인접한 곳에는 웨이퍼 트랜스퍼(130)가 설치되며, 웨이퍼 트랜스퍼(130)와 인접한 곳에는 멀티 펑션 유닛(140)이 설치된다.

이때, 웨이퍼 카세트 안착 유닛(120)은 웨이퍼가 적어도 1 매 이상 수납된 웨이퍼 카세트가 안착되는 유닛으로, 웨이퍼 카세트 안착 유닛(120)은 도시되지 않은 웨이퍼 카세트 엘리베이터에 의하여 1 매의 웨이퍼 단위로 업-다운(up-down)된다.

한편, 웨이퍼 카세트 안착 유닛(120)과 인접한 곳에 설치된 웨이퍼 트랜스퍼(130)는 앞서 설명한 웨이퍼 카세트(300)로부터 멀티 펑션 유닛(140)으로 웨이퍼를 이송 또는 멀티 펑션 유닛(140)으로부터 웨이퍼 카세트(300)로 웨이퍼를이송하는 역할을 수행하기에 적합한 구성을 갖는다.

한편, 웨이퍼 트랜스퍼(130)에 의하여 웨이퍼를 공급받는 멀티 펑션 유닛(140)은 웨이퍼의 센터링, 웨이퍼의 플랫존 얼라인먼트, 웨이퍼의 손상 디텍팅 기능을 복합적으로 수행한다.

이를 구현하기 위한 멀티 펑션 우닛(140)은 다시 도 2 또는 도 3을 참조하였을 때, 웨이퍼 회전 유닛(141), 웨이퍼 센터링 및 웨이퍼 플랫존의 위치를 보정하는 위치 보정 센서 유닛(144), 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145), 위치 보정 센서 유닛(144) 및 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)이 설치되는 센서 몸체(149)로 구성된다.

여기서, 위치 보정 센서 유닛(144) 및 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)은 모두 중앙처리장치(10)에 전기적으로 연결된다.

보다 구체적으로, 웨이퍼 회전 유닛(141)은 도시되는 않은 회전력 발생 유닛, 회전력 발생 유닛에 설치되어 회전하는 회전축(141a), 회전축(141a)의 단부에 설치되어 웨이퍼(1)를 수평 방향으로 회전시키는 회전 척(141b)으로 구성된다.

이때 회전 척(141b)에는 웨이퍼(1)가 안착된 상태로 회전될 때, 웨이퍼(1)와 회전 척(141b)의 회전 슬립이 발생하지 않도록 웨이퍼(1)를 진공압으로 고정하는 진공홀이 적어도 1 개 이상 형성된다.

이와 같은 구성을 갖는 웨이퍼 회전 유닛(141)과 인접한 곳에는 센서 몸체(149)가 베이스 몸체(110)에 지지되도록 설치된다.

센서 몸체(149)는 웨이퍼(1)가 회전 척(141b)의 측면으로부터 회전 척(141b)방향을 슬라이드 되면서 회전 척(141b)의 상면에 안착되었을 때 웨이퍼(1)의 에지(edge)가 삽입되기에 적합한 구성을 갖는다.

구체적으로, 이를 구현하기 위한 센서 몸체(149)는 웨이퍼(1)의 에지가 개재되기에 충분한 간격을 갖도록 소정 깊이를 갖는 웨이퍼 삽입홈(149a)이 측면에 형성된 블록(block) 형상을 갖으며, 이와 같은 현상을 갖는 센서 몸체(149)는 베이스 몸체(110)에 연결 로드에 의하여 다시 고정된다.

한편, 이와 같은 형상을 갖는 센서 몸체(149) 중 웨이퍼 삽입홈(149a)의 밑면 및 상면에는 다시 앞서 간략하게 설명한 위치 보정 센서 유닛(144)이 설치된다.

구체적으로, 위치 보정 센서 유닛(144)은 다시 발광 센서 패드(142) 및 수광 센서 패드(143)로 구성된다.

보다 구체적으로, 발광 센서 패드(142)는 소정 면적을 갖는 베이스 플레이트(142a), 베이스 플레이트(142a)의 상면에 매트릭스 형태로 매우 조밀하게 설치된 복수개의 발광 센서(142b)로 구성된다.

이때, 발광 센서(142b)의 설치 개수는 얻고자하는 웨이퍼(1)의 센터링 정밀도 및 플랫존 얼라인먼트 정밀도에 비례하며, 발광 센서(142b)에서 발생한 빛은 빛이 진행하면서 퍼짐 및 회절이 작으며 직진성이 뛰어난 광원을 선택하여 사용하도록 한다.

한편, 발광 센서 패드(142)와 대향하는 곳에는 수광 센서 패드(143)가 설치된다.

수광 센서 패드(143)는 발광 센서 패드(142)의 면적과 대등한 면적을 갖는베이스 플레이트(143a), 베이스 플레이트(143a)의 상면에 매트릭스 형태로 매우 조밀하게 설치된 복수개의 수광 센서(143b)로 구성되는 바, 이때 수광 센서(143b)는 발광 센서(142b)와 일대일 대응되도록 설치된다.

이때, 임의의 발광 센서(124b)로부터 발생한 빛이 대응하는 수광 센서(143b)에 입력될 경우, 수광 센서(143b)로부터는 소정 크기의 전류 흐름이 발생되고, 발생한 전류는 다시 인터페이스 유닛(11) 및 연산 유닛(12)을 통하여 디지털 신호의 형태로 중앙처리유닛(19)로 입력된다.

이때, 인터페이스 유닛(11) 및 연산 유닛(12)을 거친 후 중앙처리유닛(19)으로 입력되는 디지털 신호에는 복수개의 수광 센서(143b) 중 어떤 수광 센서에 빛이 도달하였는가에 대한 데이터가 개별적으로 포함된다.

즉, 이는 임의의 수광 센서(143b)에 빛이 도달할 경우 중앙처리유닛(19)은 복수개의 수광 센서(143b)중 어느 위치의 수광 센서(143b)에 빛이 도달하였는가를 인식할수 있다는 것을 의미한다.

구체적인 예를 들어 설명하면, 첨부된 도 4에는 수광 센서 패드(143)에 형성된 수광 센서(143b)의 온/오프 맵이 도시되어 있는 바, 블랙 도트 및 화이트 도트는 수광 센서(143b)의 위치이며 블랙도트는 빛이 도달하지 않은 즉, 웨이퍼(1)에 의하여 발광 센서(142b)에서 발생한 빛이 웨이퍼(1)에 의하여 차단된 것으로 중앙처리유닛(19)이 인식한 부분이고, 화이트 도트는 발광센서(142b)에서 발생한 빛이 웨이퍼(1)에 의하여 차단되지 않고 웨이퍼(1)에 도달한 것으로 중앙처리유닛(19)이 인식한 부분이다.

이와 같이 중앙처리유닛(19)에 입력된 데이터는 중앙처리유닛(19)이 웨이퍼(1)의 센터링이 정확 또는 부정확한지에 대한 판단을 가능케한다.

예를 들면, 웨이퍼(1)의 센터링이 정확할 경우 도 5의 이점 쇄선 A의 경계를 포함한 아래 부분에 위치한 수광 센서(143b)에 빛이 도달하여 A의 경계를 포함한 아래 부분이 블랙 도트이어야 하지만 실제 로딩된 웨이퍼(1)는 이점 쇄선 A로부터 소정 간격 오프셋된 점선 B의 경계를 포함한 아래 부분에 빛이 도달하지 못하여 블랙 도트로 표시되었는 바, 이는 웨이퍼(1)의 현재 위치가 빗금친 부분 C에 해당하는 만큼 센터링이 정확하지 못함을 의미한다.

이와 같이 수광 센서(143b)의 온/오프에 따라 웨이퍼(1)의 위치 데이터는 웨이퍼가 회전 척(141b)에 안착된 상태에서 적어도 1 회전 이상 되면서 누적되고, 이 위치 데이터를 중앙처리유닛(19)이 연산함으로써 보정될 웨이퍼(1)의 센터링 위치가 산출된다.

이후, 중앙처리유닛(19)은 웨이퍼 트랜스퍼(130)에 산출된 웨이퍼의 센터링 위치를 지시함으로써 웨이퍼 트랜스퍼(130)는 중앙처리유닛(19)으로부터 입력된 웨이퍼 센터링 데이터에 따라서 웨이퍼(1)를 회전 척(141b)으로부터 이동시켜 웨이퍼(1)의 센터링을 수행한다.

한편, 이와 같은 과정을 통하여 웨이퍼의 센터링 조절이 수행되는 과정에서 웨이퍼(1)의 손상 여부 또한 판별된다.

이를 위해서 도 6에 도시된 바와 같이 센서 몸체(149)에는 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)이 설치된다.

웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)은 앞서 설명한 센서 몸체(149)의 웨이퍼수납홈(149a) 내부에 설치되는 바, 구체적으로 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)은 위치 보정 센서 유닛(144)의 발광 센서 패드(142)와 직각을 이루는 웨이퍼 수납홈(149a)에 해당하는 센서 몸체(149)에 설치된다.

이와 같은 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)은 소정 면적을 갖는 디텍팅 플레이트(145a), 디텍팅 플레이트(145a)의 상면에 매트릭스 형태로 매우 조밀하게 설치된 복수개의 디텍팅용 수광 센서(145b)로 구성된다.

이때, 복수개의 티텍팅용 수광 센서(145b)에서 출력된 신호는 다시 도 3에 도시된 인터페이스 유닛(13) 및 연산 유닛(14)에 의하여 처리된 후 중앙처리유닛(19)로 입력된다.

이때, 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)은 웨이퍼(1)의 손상 여부에 대해서만 디텍팅을 수행하는 바, 이하, 웨이퍼(1)가 손상된 경우와 웨이퍼(1)가 손상되지 않은 경우를 나누어서 설명하기로 한다.

첨부된 도 7 내지 도 8에는 웨이퍼(1)가 손상되지 않았을 때 웨이퍼(1)의 손상을 디텍팅하는 과정이 도시되어 있다.

통상 웨이퍼(1)의 에지는 외부의 충격으로부터 응력이 집중되는 것을 방지하기 위하여 에지 라운딩(edge rounding) 처리가 되어 있는 바, 도 7에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1)에 손상이 발생하지 않았을 경우, 위치 보정 센서 유닛(144)의 발광 센서(142b)에서 발생한 빛 중 라운딩된 웨이퍼(1)의 에지에 도달한 빛은 웨이퍼(1) 에지의 접선 방향으로 균일하게 전반사되어 도 8에 도시된 바와 같이 웨이퍼 손상디텍팅 센서 유닛(145)의 디텍팅용 수광 센서(145b)의 지정된 위치, 예를 들면, 디텍팅용 수광 센서 유닛(145)의 상단 지정된 위치인 제 1 영역(145c)에 집중적으로 도달하게 된다.

그러나, 도 9에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1)의 후면 에지 부위에 깨짐 또는 크랙이 발생할 경우, 도 10 또는 도 11에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1) 중 깨진 주위 또는 크랙이 발생한 부분(1a)에서는 위치 보정 센서 유닛(142)의 발광 센서(142b)에서 발생한 빛이 깨진 부분(1a)에 의하여 전반사가 아닌 난반사를 일으키게 되고, 결과적으로 도 12에 도시된 바와 같이 웨이퍼 손상 디텍팅 센서 유닛(145)의 디텍팅용 수광 센서(145b)의 하단부에 비교적 불균일하게 입사된다.

이하, 불균일하게 입사된 영역을 제 2 영역(145d)이라 정의하기로 한다.

이는 웨이퍼(1)의 깨짐이 없는 도 7 내지 도 8를 비교하였을 때 깨짐이 발생한 웨이퍼에 의한 디텍팅용 수광 센서(145b)의 디텍팅 영역과 깨짐이 없는 웨이퍼에 의한 디텍팅용 수광 센서(145b)의 센싱 영역의 상이함을 알 수 있다.

결국, 중앙처리유닛(19)은 이와 같은 센싱 영역의 상이함에 의하여 "웨이퍼의 깨짐 없음" 판정 또는 "웨이퍼의 깨짐 판정"을 하게 된다.

이와 같은 과정을 거쳐 중앙처리유닛(19)에 의하여 웨이퍼(1)의 "웨이퍼 깨짐 판정"이 내려질 경우 중앙처리유닛(19)은 경보 유닛(18)에 의하여 경보하여 작업자가 이를 해소할 수 있도록 하고, "웨이퍼의 깨짐 없음" 판정을 받은 웨이퍼(1)는 회전 척(141b)에 의하여 다시 회전되면서 웨이퍼(1)의 플랫존을 얼라인먼트하게 된다.

이때, 웨이퍼(1)의 플랫존은 웨이퍼(1)중 일부가 절단된 부분임으로 웨이퍼(1)의 다른 부분과는 수광 센서(143b)의 온/오프 영역이 다름으로 중앙처리유닛(19)은 웨이퍼(1)의 플랫존이 정확하게 얼라인먼트 되었을 때 회전 척(141b)을 정지시킴으로써 웨이퍼(1)의 플랫존 얼라인먼트를 수행할 수 있다.

이후, 웨이퍼(1)의 플랫존 얼라인먼트까지 종료된 웨이퍼(1)는 다시 회전 척(141b)으로부터 웨이퍼 트랜스퍼(130)에 의하여 언로딩 된 후, 웨이퍼 카세트(300)로 언로딩되고 이후 웨이퍼 카세트(300)는 다시 프로세스 설비(200)로 이송된 후 소정 반도체 제조 공정이 수행된다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 따르면, 웨이퍼의 센터링을 조절하는 과정에서 웨이퍼의 에지 브로큰 유무 또한 판별할 수 있도록 함으로써 웨이퍼 센터링 및 웨이퍼 플랫존 얼라인먼트까지 종료된 웨이퍼가 소정 프로세스를 진행하면서 브로큰되는 것을 방지하는 바, 이는 웨이퍼의 구경이 대구경화 될수록 탁월한 효과를 갖는다.

본 발명에서는 바람직한 일실시예로 1 개의 멀티 펑션 유닛을 이용하여 웨이퍼의 밑면에 형성된 크랙 및 깨짐을 디텍팅하였지만, 1 개의 멀티 펑션 유닛으로는 웨이퍼의 상면에 형성된 크랙 및 깨짐을 디텍팅하기 어려움으로 이를 극복하기 위해서는 2 개의 멀티 펑션 유닛을 사용하되, 두번째 멀티 펑션 유닛은 첫번째 멀티 펑션 유닛과 달리 발광 센서가 웨이퍼의 상면으로부터 소정 거리 이격된 곳에 위치하고 웨이퍼의 하면으로부터 소정 거리 이격된 곳에 수광 센서를 위치시킴으로써간단하게 해결할 수 있다.

Claims (4)

1. 적어도 1 매 이상의 웨이퍼가 수납된 웨이퍼 카세트와;

   상기 웨이퍼 카세트로부터 상기 웨이퍼를 소정 거리 이송하는 웨이퍼 이송 수단과 ;

   상기 웨이퍼 이송 수단으로부터 이송된 상기 웨이퍼가 안착된 상태로 상기 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전 척, 상기 웨이퍼 회전 척에 안착된 웨이퍼의 에지를 포함하는 일측면으로부터 소정 거리 이격된 곳에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 발광 소자, 상기 웨이퍼의 에지를 포함하는 타측면으로부터 소정 거리 이격된 곳에 상기 발광 소자와 일대일 대응되도록 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 제 1 수광 소자와, 상기 웨이퍼의 에지로부터 난반사된 상기 발광 소자의 빛을 디텍팅하도록 상기 웨이퍼의 에지와 대응하는 위치에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 제 2 수광 소자와, 상기 발광 소자, 상기 제 1 수광 소자, 상기 제 2 수광 소자가 설치되는 서포트 블록을 포함하는 멀티 펑션 유닛과;

   상기 제 1 수광 소자의 온/오프 결과에 따라서 상기 웨이퍼의 센터링 및 플랫존 얼라이너를 판단 및 상기 제 2 수광 소자의 온/오프 결과에 따라서 상기 웨이퍼의 에지 손상을 판단하는 중앙처리유닛을 포함하는 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 에지 손상이 발생할 경우 상기 제 2 수광 소자의 제 1 영역이 온(on) 되고, 상기 웨이퍼의 에지 손상이 발생하지 않았을 때, 상기 제 2 수광 소자의 제 2 영역이 온(on) 되는 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 영역이 온(on) 되었을 때, 경보를 발생시키는 경보 발생 수단이 더 설치된 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 멀티 펑션 유닛은 적어도 1 개 이상으로 구성되는 멀티 펑션 웨이퍼 얼라이너.