KR100375065B1 - 메모리 회로의 데이터 저장 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메모리 회로의 데이터 저장 장치에 관한 것으로, 전원 회로의 순간 정전시 현재 설정 및 동작 상태를 확실하게 불휘발성 메모리에 저장 할 수 있도록 하여 순간 정전 이후에도 정전전의 상태로 안전하게 운전할 수 있도록 한 메모리 회로의 데이터 저장 장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 입력 교류 전원을 일정 비율로 2차측에 유기하는 변압부와; 상기 변압부의 2차측에 유기된 전원을 정류 및 평활하는 정류부와; 상기 정류부의 전압을 시스템 각부에서 필요로 하는 레벨의 전압으로 변환하는 정전원부와; 상기 정류부의 출력 전압을 일정 레벨의 전압으로 분압하는 검출 전압 입력부와; 상기 검출 전압 입력부의 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 임계 전압을 검출하는 임계 전압 검출부로 구성된 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 정전 검출 전압을 기준으로 정전과 복전신호가 연속해서 출력되어 정전시 데이터 저장에 충분한 시간을 확보할 수 없던 것을 최소한의 그 데이터 저장시간을 확보하여 정전전의 데이터를 저장하고 전원 복귀후 정전전의 상태로 운전할 수 있는 효과가 있다.

Description

메모리 회로의 데이터 저장 장치{APPARATUS FOR DATA STORE OF MEMORY CIRCUIT}

본 발명은 메모리 회로의 데이터 저장 장치에 관한 것으로, 특히 전원 회로의 순간 정전시 현재 설정 및 동작 상태를 확실하게 불휘발성 메모리에 저장 할 수 있도록 하여 순간 정전 이후에도 정전전의 상태로 안전하게 운전할 수 있도록 한 메모리 회로의 데이터 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 데이터 저장 장치는 정전이라고 판단 되면 중앙 처리부(CPU)에서 그 정전전 까지의 동작에 관련한 데이터를 불휘발성 메모리에 저장하고 정전후 복전이 되면 불휘발성 메모리의 그 데이터를 읽음으로써 그 정전전의 상태로 복귀시키게 하는 것으로, 이와 같은 종래 기술을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

도1은 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치에 대한 구성을 보인 예시도로서, 이에 도시된 바와 같이 입력 교류 전원을 소정 비율 권선비로 2차측에 유기하는 변압부(11)와; 상기 변압부(11) 2차측에 유기된 전원을 정류 및 평활 시키는 정류 및 평활부(12)와; 상기 정류 및 평활부(12)의 출력 전압을 다운 시켜 전원 전압(VCC)을 출력하는 정전원부(14)와; 상기 정전원부(14)의 출력 전압이 제1(R13), 제2 저항(R14)에 의해 분압되어 입력되는 기준 전압(Vref)과 상기 정류 및 평활부(12)의 출력을 제3, 제4 저항에(R11,R12) 분압하고 그 분압된 전압을 비교 출력하는 비교부(13)로 구성된다.

이와 같은 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치는 교류 전원(AC)을 인가받는 변압부(11)에 의해 기기를 상용 전원으로 동작시키기 위한 소요 전압을 얻는다.

이때 상기 교류 전원(AC)에 의해 2차측에 유기된 전원은 정류 및 평활부(12)의 다이오드(D11∼D14)와 평활용 콘덴서(C1)를 통하여 정류 및 평활된 전원을 얻는다.

상기 정류 및 평활부(12)의 출력 전압은 비교부(13)의 저항(R11, R12)에 분압되어 비교기(U1)의 비반전 입력 단자에 입력되고 비교기(U1)의 기준전압(Vref)인 정전 검출 전압과 비교되어 그 정전 검출 전압보다 낮으면 저전위를 출력하고 높으면 고전위를 출력한다.

즉, 상기 비교기(U1)는 2차측에 유기되는 전압이 상기 정전 검출 전압보다 낮거나 상기 교류 전원(AC)이 인가되지 않는 정전시에 저전위를 출력한다.

도2는 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치의 정전과 복전 및 데이터 저장 시간을 나타낸 예시도로서, 이에 도시된 바와같이 상기 비교기(U1)에 입력되는 상기 2차측 전압(21)(A)과 상기 정전 검출 전압(22)을 비교하여 저전위를 출력하는 구간(T21,T22)에서는 정전이 일어나고, 고전위를 출력하는 구간(T24)에서는 복전이 일어난다.

이처럼 상기 정전이라고 판단 되면 불휘발성 메모리 또는 다른 저장기구에 데이터를 저장하기 위해선 최소한의 기본 시간(T23)이 필요하다.

또한, 회로에서 정전을 검출하기 위한 2차측 전압(A)이 평활용 콘덴서(C1) 다음단에 연결되어 있어 부하(15)의 종류에 따라 그 평활용 콘덴서(C1)의 방전 특성이 서로 상이 하므로 정확한 정전 전압을 검출하기가 어려워 진다.

이에 따라 도3은 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치의 부하에 따른 평활용 콘덴서의 방전 특성 및 정전시 데이터 저장을 보인 예시도로서 이에 도시된 바와같이 부하(15)가 작을 경우에는 상기 평활용 콘덴서(C1)에서 서서히 방전 하게 되어, 상기 정전 검출 전압(31)과 부하를 구동시킬수 있는 최소 동작 전압(32)사이를 나타내는 정전 확인시간(T31) 동안 데이터를 저장 할수 있는 방전 파형(a)을 갖게 된다.

한편, 부하가 큰 경우에는 상기 평활용 콘덴서(C1)가 급격히 방전을 하게 되어 데이터 저장 시간(T34)보다 상기 정전 확인 시간(T32, T33)이 짧게되어 상기 데이터 저장을 실패하는 방전 파형(b, c)을 출력 하게 된다.

즉, 정전시 상기 정전 검출 전압(31)을 기준으로 부하의 종류에 따라 상기 평활용 콘덴서(C1)의 방전 특성이 서로 다르므로 정전이 발생하면 정전 확인 시간이 서로 틀려진다.

그러나, 상기와 같이 동작하는 종래 장치는 부하가 큰경우 평활용 콘덴서에서 급격히 방전을하고, 정전 검출 전압을 기준으로 정전과 복전을 거듭한다.

따라서, 비교기의 출력이 저전위가 되어 데이터 저장에 필요한 시간을 충족하지 못한다. 더욱이 불휘발성 메모리 또는 다른 저장기구에 데이터를 저장하기 위해선 최소한의 기본 시간이 필요하지만 정전과 복전이 연속해서 이루어질 경우는 데이터 저장에 필요한 기본 시간보다 정전과 복전이 빨리 일어나기 때문에 정전시 데이터 저장에 필요한 시간을 확보할수 없는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창안한 것으로, 비교기의 정전 검출 전압을 기준으로 흔들릴 경우 정전과 복전 신호가 연속해서 출력되어 정전시 데이터 저장에 충분한 시간을 확보할 수 있게 하여 불휘발성 메모리에 데이터를 저장할 수 있도록 한 데이터 저장 장치를 제공함에 그 목적이 있다.

도1은 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치를 보인 예시도.

도2는 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치의 정전과 복전 및 데이터 저장 시간을 나타낸 예시도.

도3은 종래 메모리 회로의 데이터 저장 장치의 부하에 따른 평활용 콘덴서의 방전 특성 및 정전시 데이터 저장을 보인 예시도.

도4는 본 발명에 따른 메모리 회로의 데이터 저장 장치를 보인 예시도.

도5는 본 발명 메모리 회로의 데이터 저장 장치의 정전과 복전 및 데이터 저장 시간을 나타낸 예시도.

도6은 본 발명 임계 전압 검출부의 출력 전압 파형 및 임계 전압 구간을 보인 예시도.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

11: 변압부 14: 정전원부

41: 정류부 42: 검출 전압 입력부

43: 임계 전압 검출부 D41: 다이오드

C41: 평활용 콘덴서

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 입력 교류 전원을 일정 비율로 2차측에 유기하는 변압부와; 상기 변압부의 2차측에 유기된 전원을 정류 및 평활하는 정류부와; 상기 정류부의 전압을 시스템 각부에서 필요로 하는 레벨의 전압으로 변환하는 정전원부와; 상기 정류부의 출력 전압을 일정 레벨의 전압으로 분압하는 검출 전압 입력부와; 상기 검출 전압 입력부의 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 임계 전압을 검출하는 임계 전압 검출부로 구성된다.

이하, 본 발명에 따른 일실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 메모리 회로의 데이터 저장 장치를 보인 예시도로서, 이에 도시된 바와같이 입력 교류 전원(AC)을 일정 비율로 2차측에 유기하는 변압부(11)와; 상기 변압부(11)의 2차측에 유기된 전원을 정류 및 평활하는 정류부(41)와; 상기 정류부(41)의 전압을 시스템 각부에서 필요로 하는 레벨의 전압으로 변환하는 정전원부(14)와; 상기 정류부(41)의 출력 전압을 일정 레벨의 전압으로 분압하는 검출 전압 입력부(42)와; 상기 검출 전압 입력부(42)의 출력 전압과 기준 전압(Vref)을 비교하여 임계 전압을 검출하는 임계 전압 검출부(43)로 구성한 것으로, 이와 같이 구성된 볼 발명의 작용 및 효과를 도4, 도5를 통해 상세히 설명한다.

변압부(11) 2차측에 유기된 전압은 정류부(41)에 의해 정류 및 평활 되어지고 그 정류된 전압은 저항(R41,R42)에 분압되며 평활용 콘덴서(C42)에 의해 평활되어 비교기(U2)의 비반전 입력 단자측과 반전 입력 단자측에 입력 된다.

또한, 상기 정류부(41)의 정류된 출력 전압은 평활용 콘덴서(C41)에 의해 평활되고 정전원부(14)에 의해 전압을 다운 시켜 부하(15)와 상기 임계 전압 검출부(43)에 전원 전압(VCC)으로 공급된다. 다이오드(D41)는 정전시 상기 평활용 콘덴서(C41)의 방전 경로를 차단한다.

즉, 상기 다이오드(D41)를 평활용 콘덴서(C41) 앞단에 두어, 정전시 부하의 종류에 관계없이 상기 임계 전압 검출부(43)에서 정확한 정전을 확인할 수 있도록 한다.

도5는 본 발명 메모리 회로의 데이터 저장 장치의 정전과 복전 및 데이터 저장 시간을 나타낸 예시도로서, 이에 도시된 바와 같이 정전시 상기 임계 전압 검출부(43)의 출력 포트(A)에서 정전 확인 시간(T52)에 데이터를 저장 시킬 수 있도록 충분히 정전 검출 전압(51)과 최소 동작 전압(52)의 영역을 정하여 준다.

즉 상기 정전 검출 전압(51)과 상기 최소 동작 전압(52)을 사이에 두고 상기 변압부(11)의 2차측의 전압이 Pa와 Pb로 변하고 있을때 상기 Pa인 경우 정전 확인 전압이하로 전압의 변동이 있더라도 상기 임계 전압안에서 변동폭(B1)이 제한 되므로 회로 구동에는 이상이 없고 상기 임계 전압 생성부(43)의 출력 포트(A)는 정전상태가 아님을 나타낸다.

한편, 상기 2차측이 Pb로 변하고 있을시, 상기 임계 전압 검출부(43)에서 상기 정전 확인 전압(51)이 확인되면 상기 평활용 콘덴서(C41)의 방전이 완료되는 최소 동작 전압 시간(T52) 전에 상기 데이터 저장(T51)이 완료되고 그 데이터는 이상없이 불휘발성 메모리에 저장 된다.

또한, 도6은 본 발명 임계 전압 검출부의 출력 전압 파형 및 임계 전압 구간을 보인 예시도로서, 이에 도시된 바와같이 상기 변압부(11)의 2차측 전압이 급격히 변하여(Pc) 순간적으로 정전이 될 경우에도 상기 정전 검출 전압(61)과 상기 데이터를 저장할 수 있도록 한 상기 임계 전압 설정(B2)에 관한 것이다.

즉, 상기 2차측 전압이 저장 상태에서 교류 전원(AC)이 오프되어 순간적으로 정전이 되더라도 상기 정전 검출 전압(61) 측정후 상기 최소 동작 전압(62)사이에서 데이터가 저장될 수 있도록 상기 임계 전압 영역(B2)을 확보하여야 한다.

따라서, 상기 정전 확인 시간(T62)동안 상기 데이터를 저장(T61) 할 수 있게된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 정전 검출 전압을 기준으로 정전과 복전신호가 연속해서 출력되어 정전시 데이터 저장에 충분한 시간을 확보할 수 없던것을 최소한의 데이터 저장시간을 확보하여 정전전의 데이터를 저장하고 전원 복귀후 정전전의 상태로 운전할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 입력 교류 전원을 일정 비율로 2차측에 유기하는 변압부와; 상기 변압부의 2차측에 유기된 전원을 정류 및 평활하는 정류부와; 상기 정류부의 전압을 시스템 각부에서 필요로 하는 레벨의 전압으로 변환하는 정전원부와; 상기 정류부의 출력 전압을 일정 레벨의 전압으로 분압하는 검출 전압 입력부와; 상기 검출 전압 입력부의 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 임계 전압을 검출하는 임계 전압 검출부로 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 회로의 데이터 저장 장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 임계 전압 검출부는 상기 검출 전압 입력부의 출력 단자를 제1 저항을 통해 비교기의 비반전 입력 단자에 접속하고, 전원 단자는 제2 저항을 통해 그 비교기의 반전 입력 단자에 접속함과 아울러 그 접속점을 접지 저항에 접속하고, 상기 전원 단자를 상기 비교기의 출력 단자에 접속함과 아울러, 그 접속점을 제3 저항을 통해 비반전 입력 단자에 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 메모리 회로의 데이터 저장 장치.
3. 제 1항에 있어서, 정전시 상기 평활된 전압이 상기 정전원부 측으로만 공급되고, 상기 검출 전압 입력부측으로 역류되는 것을 방지하기 위한 다이오드를 더 포함시켜 구성한 것을 특징으로 하는 메모리 회로의 데이터 저장 장치.