KR100369254B1 - 포토 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
포토 다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100369254B1 KR100369254B1 KR1019960004689A KR19960004689A KR100369254B1 KR 100369254 B1 KR100369254 B1 KR 100369254B1 KR 1019960004689 A KR1019960004689 A KR 1019960004689A KR 19960004689 A KR19960004689 A KR 19960004689A KR 100369254 B1 KR100369254 B1 KR 100369254B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- photodiode
- composition
- growth
- inp
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 광통신용 광 수신소자에 이용되는 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 포토다이오드는 InGaAS/InP계 포토다이오드에 있어서 InGaAs층을 InXGa1-XAs(X=0.53) 조성영역과, InXGa1-XAs(X=0.53〈X〈0.6) 조성영역 및 InXGa1-XAs(X=0.53) 조성영역으로 순차 구분되는 3영역으로 형성함으로써, 캡층과의 계면 특성 향상에 따른 누설 전류의 저감에 의해 InGaAs층 자체의 광 수집효율 증대로 포토다이오드의 광 수신감도를 향상시킨 것이다.
Description
본 발명은 광 정보처리기기나 광 통신기기의 광 수신소자로 이용되는 포토다이오드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 성장충의 조성변화를 통한 광 흡수계수의 개선에 의해 광 수신감도를 향상시킨 p-i-n구조의 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
제1도는 종래의 포토다이오드의 구조를 나타내 보인 개략적 수직단면도로서, 이것은 n-형 기판 위에 i(intrinsic)층, p-형(Zn- doped)층, p+-형(Zn-heavy doped)충을 순차적으로 성장시켜 형성한 전형적 p-i-n 포토다이오드의 구조를 보인 것이다.
상기 제1도를 참조하면 종래의 포토다이오드는 도시된 바와 같이, n-InP 기판(11) 위에 도핑되지 않은 In0.53Ga0.47As층(12) 및 도핑되지 않은 InP 캡층(13)이 순차로 적층되어 있고, 상기 InP 캡층(13)의 양쪽 가장자리 상면에는 SiO2층(14)이 적층되어 중앙부에 소정 폭의 개구부가 형성되어 있다. 그리고, 상기 SiO2층(14)의 상면 일부와 개구부 측면에는 p-금속층(2)이 형성되어 있고, 상기 p-금속층(2)의 상부에는 중앙부에 형성된 개구부를 완전히 덮도록 반사방지막(15)이 형성되어 있으며, 상기 n-InP 기판(11)의 저면에는 n-금속층(1)이 증착되어 있는 구조체를 이루고 있다. 한편, 상기 구조체에 있어서 상기 InP 캡층(13)의 상기 개구부 아래 영역에는 확산에 의한 p-InP 영역(13')이 형성되어 있다.
상기 구조의 InGaAs/InP계 포토다이오드는 InGaAs층의 광 수집효율이 소자의특성에 지대한 영향을 미친다. 따라서, 포토다이오드의 광수신감도를 향상시키기 위해서는 InGaAs층 자체의 광 수집효율을 증대시킬 수 있는 구조가 요구된다.
그런데, 상기한 종래 구조의 포토다이오드는 InGaAs층의 In 조성이 고정된 상태에서 그대로 성장되어 광 수신감도를 결정하는 양자효율(Quantum efficiency)이 변하지 않고 고정되었다. 따라서, InGaAs의 광 흡수계수는 고정된 값이므로 InGaAs층 자체에서의 광 수집효율 증대효과를 기대하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 포토다이오드가 가지는 문제점을 감안하여 이를 개선코자 창출된 것으로서, 중간층을 조성이 다른 복수의 영역으로 구분하여 성장시켜 광 흡수계수를 개선시킴으로써 광 수신감도를 향상시킨 p-i-n구조의 포토다이오드를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위한 포토다이오드를 제조함에 있어서 최적의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 포토다이오드는,
InP 기판과, 이 기판 위에 순차 성장되어 적층된 InXGa1-XAs층 및 InP 캡층과, 상기 InP 캡충의 상부 중앙에 소정 폭의 개구부가 형성되도록 양쪽 가장자리 상면에 형성된 SiO2층과, 상기 SiO2층의 상면 일부와 개구부 측면에 형성된 제1금속충과, 상기 제1금속층의 상부에 형성된 반사방지막 및 상기 InP 기판의 저면에 형성된 제2금속층을 포함하는 포토다이오드에 있어서,
상기 InXGa1-XAs층은 In의 조성이 변화되는 제1성장영역과, 제2성장영역 및제3성장영역으로 구분되어 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의한 포토다이오드에 있어서, 특히 상기 제1성장영역과 제3성장영역은 InXGa1-XAs(X=0.53)의 조성을 가지는 것이 바람직하고, 제2성장영역은 InXGa1-XAs (0.53〈X〈0.6)의 조성을 가지는 것이 바람직하다.
또한, 상기한 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 포토다이오드의 제조방법은,
기판 위에 중간층과 캡층을 순차 성장시켜 적층하는 성장단계와; 상기 결과물의 캡층 상면에 산화막을 증착하고, 그 상부에 금속층을 형성하는 증착단계와; 상기 금속층의 상부에 반사방지막을 형성하는 스퍼터링단계;를 포함하는 포토다이오드의 제조방법에 있어서,
상기 성장단계는,
상기 캡층 위에 제1조성영역의 중간층을 성장시키는 제1성장단계와;
제2조성영역의 중간층을 성장시키는 제2성장단계와;
제3조성영역의 중간층을 성장시키는 제3성장단계와;
상기 중간층 위에 캡층을 성장시키는 제4성장단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의한 포토다이오드의 제조방법에 있어서, 특히 상기 기판은 InP, 상기 중간층은 InXGa1-XAs, 상기 캡층은 InP로 이루어진 것이 바람직하다. 그리고, 상기 제1성장단계와 제3성장단계에서는 InXGa1-XAs(X=0.53)조성을 가지는 중간층이 성장되는 것이 바람직하고, 상기 제2성장단계에서는 InXGa1-XAs (0.53〈X〈0.6)의 조성을 가지는 증간층이 성장되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 의한 본 발명의 포토다이오드 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 의한 포토다이오드의 구조를 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도로서, 그 기본적인 구조는 상술한 바와 같은 종래 포토다이오드의 구조와 동일한 p-i-n구조를 이루고 있으나, 종래와 구별되는 특징은 i층이 영역에 따라 조성이 다르게 이루어지는 3영역으로 구분되는 것이다.
제2도를 참조하여 본 발명에 의한 포토다이오드의 구조에 대해 보다 상세히 살펴보면, n-InP 기판(21) 위에 InXGa1-XAs 중간층(22)과 InP 캡층(23)이 순차 성장되어 적층되어 있고, 상기 InP 캡층(23)의 양쪽 가장자리 상면에는 SiO2층(24)이 적층되어 중앙부에 소정 폭의 개구부가 형성되어 있다. 그리고, 상기 SiO2층(24)의 상면 일부와 개구부 측면에는 p-금속층(2')이 형성되어 있고, 상기 p-금속층(2')의 상부에는 중앙부에 형성된 개구부를 완전히 덮도록 반사방지막(25)이 형성되어 있으며, 상기 n-InP 기판(21)의 저면에는 n-금속층(1')이 증착되어 있는 구조체를 이루고 있다. 한편, 상기 구조체에 있어서 상기 개구부 아래의 상기 InP 캡층(14) 영역에는 Zn 확산에 의한 p-InP 영역(14')이 형성되어 있다. 이러한 구조에 있어서 상기 InXGa1-XAs 중간층(22)은 본 발명을 특징지우는 것으로서, 조성이 InXGa1-XAs(X=0.53)로 이루어진 제1성장영역(22a)과, 조성이 InXGa1-XAs (0.53〈X〈0.6)로 이루어진 제2성장영역(22b)으로 및 조성이 InXGa1-XAs(X=0.53)로 이루어진 제3성장영역(22c)으로 순차 구분되는 3영역을 가지는 구조로 형성되어 있다.
이러한 본 발명에 의한 포토다이오드의 구조는 InGaAs층 자체의 광 수집효율을 높여 소자의 광 수신감도를 높이기 위한 것으로서, 이하에서 기술되는 양자효율과 관련된 설명에 의해 입증될 수 있을 것이다.
포토다이오드의 내부 양자 효율은 다음식 (1)에 의해 정하여진다.
즉,
여기서, ηi: 내부 양자효율
α ; 흡수계수
d ; 흡수영역의 길이
이다. 또한, α = 4π k/λ (λ는 파장, k는 감쇠계수)이다.
상기식 (1)에 의하면, 흡수계수 α값이 클수록 ηi는 높아지게 된다.
α는 굴절지수의 허수부분 즉, 감쇠계수(extinction coefficient) k의 영향을 받게 된다. 이를 근거로 상기 InXGa1-XAs층(22)의 파장에 따른 k값은 X값이 높을수록 즉, In의 조성비가 높을수록 k값은 증대하게 된다.
따라서, X값을 변화시켜 주게 되면 k값이 변화되고, 이에 따라 α값이 변화되어 내부 양자효율은 증가하게 된다. 이에 따라, 광전류 Iph는 다음식 (2)에 의해 증가하게 되므로 본 발명에 의한 포토다이오드의 광응답도는 증가하게 된다.
여기서, q ; 전하량
[p0/hv] ; 초당 입사 광량 (incident photons per second) 이다.
이하, 본 발명에 의한 포토다이오드의 단계별 제조공정에 따른 제조방법에 대하여 살펴보기로 한다.
먼저, n-InP 기판(21) 위에 통상의 MOCVD법을 이용하여 In조성이 증가하는 InXGa1-XAs층(X=0.53에서 시작)을 제1성장영역(22a)으로 정합 성장시킨다.
다음에, In조성이 0.53에서 0.6까지 점진적으로 증가된 InXGa1-XAs층(0.53〈 X〈0.6)을 제2성장영역(22b)으로 성장시킨다.
이어서, In조성이 다시 감소된 InXGa1-XAs층(X=0.53)을 제3성장영역(22c)으로 성장시킨다.
그리고나서, 상기 InXGa1-XAs층(22)의 상부에 InP캡층(23)을 성장시킨다.
다음에, InP캡층(23)의 상면 양쪽 가장자리에 SiO2산화막(24)을 증착시켜 중앙부에 소정 폭의 개구부를 형성하고, 그 위에 p-금속층(2')을 형성시킨 후, 상기 p-금속층(2')의 상부에 개구부를 완전히 덮도록 스퍼터링법을 이용하여 반사방지막(25)을 형성한 다음, 상기 n-InP 기판(21)의 저면에 n-금속층(1')을 형성시켜소자의 제작을 완료한다.
상기 본 발명에 따른 제조방법의 특징에 의하면, 상기 InXGa1-XAs층(22)의 성장시 In조성은 반드시 처음에 격자정합(lattice match) 조건(X=0.53)에서 시작하여 점차 증가하도록 성장시키고, InP캡층(23)의 근처에서는 다시 격자정합 조건(X=0.53)으로 감소시키는 것이다.
이러한 특징에 의해 에너지 갭은 경사지게 증가하였다가 감소되는 경향을 보이게 되며, 이러한 경향은 InP캡층(23)의 근처에서 스트레인(strain)으로 인한 누설전류(leakage current)를 줄일수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 포토다이오드는, InGaAs/InP계 포토다이오드에 있어서 InGaAs층을 InXGa1-XAs(X=0.53) 조성영역과, InXGa1-XAs(X=0.53〈X〈0.6) 조성영역 및 InXGa1-XAs(X=0.53) 조성영역으로 순차 구분되는 3영역으로 형성함으로써, 캡층과의 계면 특성 향상에 따른 누설 전류의 저감에 의해 InGaAs층 자체의 광수집효율을 증대시킨 것이다.
제1도는 종래 기술에 의한 포토다이오드의 구조를 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도이다.
제2도는 본 발명의 기술에 의한 포토다이오드의 구조를 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 1'..n-금속층 2, 2'..p-금속층
11, 21..n-InP 기판 12, 22..InXGa1-XAs층
13, 23..InP캡층 13a, 23a..p-InP 확산영역
14, 24...SiO2층 15, 25..반사방지막
22a..InXGa1-XAs(X=0.53) 제1성장영역
22b..InXGa1-XAs (0.53〈X〈0.6) 제2성장영역
22c..InXGa1-XAs(X=0.53) 제3성장영역
Claims (9)
- InP 기판과, 이 기판 위에 순차 성장되어 적층된 InXGa1-XAs층 및 InP 캡층과, 상기 InP 캡층의 상부 중앙에 소정 폭의 개구부가 형성되도록 양쪽 가장자리 상면에 형성된 SiO2층과, 상기 SiO2층의 상면 일부와 개구부 측면에 형성된 제1금속층과, 상기 제1금속층의 상부에 형성된 반사방지막 및 상기 InP 기판의 저면에 형성된 제2금속층을 포함하는 포토다이오드에 있어서,상기 InXGa1-XAs층은 In의 조성이 변화되는 제l성장영역과, 제2성장영역 및 제3성장영역으로 구분되어 형성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1성장영역은 InXGa1-XAs(X=0.53)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제2성장영역은 InXGa1-XAs (0.53〈X〈0.6)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1성장영역은 InXGa1-XAs(X=0.53)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 기판 위에 중간층과 캡층을 순차 성장시켜 적층하는 성장단계와;상기 결과물의 캡층 상면에 산화막을 증착하고, 그 상부에 금속층을 형성하는 중착단계와; 상기 금속층의 상부에 반사방지막을 형성하는 스퍼터링단계;를 포함하는 포토다이오드의 제조방법에 있어서,상기 성장단계는,상기 캡층 위에 제1조성영역의 중간층을 성장시키는 제1성장단계와;제2조성영역의 중간층을 성장시키는 제2성장단계와;제3조성영역의 중간층을 성장시키는 제3성장단계와;상기 중간층 위에 캡층을 성장시키는 제4성장단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 기판은 InP, 상기 중간층은 InXGa1-XAs, 상기 캡층은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토다이오드이 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1성장단계에서는 InXGa1-XAs(X=0.53)조성을 가지는 중간층이 성장되는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제2성장단계에서는 InXGa1-XAs (0.53〈X〈0.6)의 조성을 가지는 중간층이 성장되는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서,제3성장단계에서는 InXGa1-XAs(X=0.53)조성을 가지는 중간층이 성장되는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004689A KR100369254B1 (ko) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004689A KR100369254B1 (ko) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063799A KR970063799A (ko) | 1997-09-12 |
| KR100369254B1 true KR100369254B1 (ko) | 2003-03-28 |
Family
ID=37416350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960004689A KR100369254B1 (ko) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100369254B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403824B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 |
| KR102672313B1 (ko) | 2022-07-08 | 2024-06-05 | 한국전자통신연구원 | 전자파 간섭 제거 기능을 갖는 수광 소자 |
-
1996
- 1996-02-26 KR KR1019960004689A patent/KR100369254B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403824B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 |
| KR102672313B1 (ko) | 2022-07-08 | 2024-06-05 | 한국전자통신연구원 | 전자파 간섭 제거 기능을 갖는 수광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970063799A (ko) | 1997-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5910012A (en) | Waveguide type semiconductor photodetecting device method for fabricating | |
| US6740861B2 (en) | Photodetector and method having a conductive layer with etch susceptibility different from that of the semiconductor substrate | |
| CN100576576C (zh) | 埋入波导型受光元件 | |
| EP1498960A2 (en) | Increased responsivity photodetector | |
| CN110931575A (zh) | 与dbr包层及反射镜单片集成的波导光探测器 | |
| KR980012624A (ko) | 반도체소자 및 반도체소자의 제조방법 | |
| JPH0338887A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3675223B2 (ja) | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 | |
| CA1261451A (en) | Silicon germanium photodetector | |
| JPH07101753B2 (ja) | 積層型太陽電池 | |
| KR100369254B1 (ko) | 포토 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH09283786A (ja) | 導波路型半導体受光素子とその製造方法 | |
| US6835990B2 (en) | Semiconductor light receiving element | |
| JP2005260118A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| JP4094471B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH08274366A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2003158290A (ja) | フォトダイオード | |
| JP2962069B2 (ja) | 導波路構造半導体受光素子 | |
| JPH05327001A (ja) | 受光素子 | |
| CN211320122U (zh) | 谐振腔增强型光探测器 | |
| JP3138199B2 (ja) | 半導体導波路型受光素子およびその製造方法 | |
| JP3442493B2 (ja) | 半導体受光素子およびその製造方法 | |
| KR20010009571A (ko) | 광검출기 디바이스 및 그 제조방법 | |
| JP2844097B2 (ja) | 受光素子 | |
| JP3224192B2 (ja) | 半導体導波路型受光器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090102 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |