KR100367119B1 - 혼성 증폭기 모듈의 구조 및 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 케이블 텔레비전(Cable Television : CATV)에 신호를 공급하는 케이블의 손실을 보상하는 증폭기에 사용되는 광대역(wide band) 혼성 증폭기 모듈의 구조 및 제조 방법에 관한 것이다. 종래의 기술에 따른 혼성 증폭기 모듈은 실리콘 개별 트랜지스터(8)를 여러 개 사용하기 때문에, 공간 활용 효율이 낮고, 박막(thin film) 세라믹 기판을 이용한 매우 미세한 패턴을 이용하고 열의 발생이 매우 높다. 열 처리를 하기 위해 작은 개개의 금속 캐리어 위에 여러 개의 트랜지스터(8)를 부착한 후, 와이어 본딩(wire bonding)을 여러 번 해야 하고 푸시풀 방식을 사용하기 위해서 트랜스포머의 단자를 개별적으로 손수 땜을 해야 하고 박막 미세 세라믹 기판의 패턴을 레이저로 튜닝하는 일련의 과정을 거쳐야 하기 때문에, 혼성 증폭기의 생산이 어렵고 원가가 상승하는 결점이 있다. 본 발명에서는 케이블 텔레비전에 신호를 공급하는 케이블의 손실을 보상하는 증폭기에 사용되는 광대역 혼성 증폭기 모듈의 증폭 회로를 집적회로화해서 발열 문제를 해결하도록 한다. 따라서, 혼성 증폭기 모듈의 생산성 향상, 가격하락 및 성능이 향상되는 효과가 있는 것이다.

Description

혼성 증폭기 모듈의 구조 및 제조 방법{STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR HYBRID AMPLIFIER MODULE}

본 발명은 혼성 증폭기 모듈(hybrid amplifier module)의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 케이블 텔레비전(Cable Television : CATV)에 신호를 공급하는 케이블의 손실을 보상하는 증폭기에 사용되는 광대역(wide band) 혼성 증폭기 모듈의 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.

도 1은 종래의 기술에 따른 케이블 텔레비전에 신호를 공급하는 케이블의 손실을 보상하는 혼성 증폭기 모듈의 일 실시예를 나타낸 개략도로, 베이스(base)(2), 땜납 층(4), 기판(6), 트랜지스터(transistor)(8), 자동실장부품(10), 링코아(ring core)(12), 및 뚜껑(14)으로 구성된다.

동 도면에 있어서, 상면의 양측에 트렌치(trench)가 형성된 알루미늄 베이스(aluminum base)(2) 상에 땜납 층(4)에 의해 접착된 고순도 세라믹인 알루미나 기판(alumina substrate)(6) 위에 박막 패터닝(thin film patterning)한다. 기판(6) 전체를 금으로 도금하여 광대역에서 동작이 가능하도록 하고 에칭(etching) 기술을 사용하여 정교한 마이크로스트립(microstrip) 미세 패터닝한다. 베이스(2)의 중앙 양측에 파선으로 나타낸 두 개의 원은 나사 홀이고 두 개의 기둥은 고정 홀이다.

기판(6) 상에 개별의 증폭용 실리콘 바이폴라 트랜지스터(silicon bipolar transistor)(8)를 4 개 이상 실장하고 열을 방열시키기 위해 트랜지스터(8) 밑면에 금속을 붙힌다. 트랜지스터(8) 주변에 자동실장부품(10)을 실장한다. 링코아(12)에 코일을 감아 만든 트랜스포머(transformer)를 실장한다.

인두를 사용해서 트랜스포머의 입출력 단자를 개별적으로 땜해서 푸시풀(push-pull) 증폭하도록 하고 이 특성의 균형을 맞추기 위해 알루미나기판 박막 패터닝의 입출력 단자를 고주파 측정 장비에 연결한 후, 레이져 장비로 각각의 패턴 부위를 절단 및 연결하고 조정하도록 한다.

최종적으로 플라스틱 뚜껑(14)을 사용해서 전체를 덮어 모듈화한다.

따라서, 실리콘 개별 트랜지스터(8)를 여러 개 사용하기 때문에, 공간 활용 효율이 낮고 값비싼 알루미나박막 미세기판 이용과 열의 발생을 열전도도가 금속보다 매우 낮은 알루미나를 통해 열처리를 하므로 열의 발생이 매우 높다. 여러 개의 트랜지스터(8)를 부착한 후, 와이어 본딩(wire bonding)을 여러 번 해야 하고 푸시풀 방식을 사용하기 위해서 트랜스포머의 단자를 개별적으로 손수 땜을 해야 하는 일련의 과정과 실리콘 개별 트랜지스터를 사용하므로 광대역 특성이 어렵고 이를 맞추기 위해 레이져 튜닝장비와 테스트 장비에 연결하는 일련의 튜닝과정을 거쳐야 하기 때문에, 혼성 증폭기의 생산이 매우 어렵고 원가가 상승하는 결점이 있다.

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 결점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 케이블 텔레비전에 신호를 공급하는 케이블의 손실을 보상하는 증폭기에 사용되는 광대역 혼성 증폭기 모듈의 증폭 회로를 집적회로화하고 발열 문제를 해결하도록 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조 및 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 혼성 증폭기 모듈의 구조에 있어서: 상부의 양측에 트렌치가 형성되고 중앙에 돌출면을 구비하는 베이스; 상기 돌출면 상부에 형성되어 증폭회로를 집적화하고 있는 집적회로; 상기 돌출면 및 트렌치 사이의 상기 베이스 표면에 형성되어 상기 증폭회로의 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 구비하고 있는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board : PCB); 상기 증폭회로와 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 연결하는 와이어; 상기 양측의 트렌치 사이를 덮어 전체 회로를 모듈화하는 뚜껑을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 집적회로 부위를 패키지화시키는 집적회로 패키지; 상기 집적회로 패키지 주변에 각기 형성되어 상기 집적회로와 와이어를 통해 연결되는 리드 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

도 1은 종래의 기술에 따른 혼성 증폭기 모듈의 일 실시예를 나타낸 개략도,

도 2는 본 발명에 따른 혼성 증폭기 모듈의 구조의 일 실시예를 나타낸 개략도,

도 3은 도 2에 도시된 베이스 상측에 집적회로화 및 실장되는 회로의 일 실시예를 나타낸 회로도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

22 : 베이스 24, 28 : 접착층

26 : 인쇄회로기판 32 : 와이어

34 : 뚜껑 600 : 집적회로

T1, T2 : 트랜스포머

이하, 이와 같은 본 발명의 실시예를 다음과 같은 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 따른 혼성 증폭기 모듈의 구조의 일 실시예를 나타낸 개략도로, 베이스(22), 접착층(24, 28), 인쇄회로기판(26), 와이어(32), 뚜껑(34), 및 집적회로(600)로 구성된다.

동 도면에 있어서, 상부의 양측에 트렌치가 형성되고 중앙에 돌출면을 구비하는 베이스(22)를 형성한다. 베이스(22)의 중앙 양측에 파선으로 나타낸 두 개의 원은 나사 홀이고 두 개의 기둥은 고정 홀이다. 이와 같은 베이스(22)는 일체형으로서 규격화되어 있다.

유전율 4.6 내지 5.0(또는 5.9), 가로 27㎜, 세로 13.1㎜, 두께 0.7㎜(또는 0.6㎜)인 에폭시 양면 인쇄회로기판(26)을 선택적으로 에칭하여 증폭기의 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 패터닝하고 그 위에 금을 사용하여 도금하거나 오지를 덮어 부식을 방지한다.

증폭회로를 집적화한 갈륨비소(GaAs) 화합물 반도체 마이크로웨이브 집적회로(microwave monolithic integrated circuits)(600)의 부착 영역의 인쇄회로기판(26)을 충분히 제거한다. 또는 증폭회로를 집적화한 갈륨비소 화합물 반도체 마이크로웨이브 집적회로(600)를 패키지 내의 금속판에 안착, 와이어 본딩한 집적회로(600) 패키지가 부착될 영역의 인쇄회로 기판(26)을 충분히 제거한다.

열 전달이 빠른 동을 사용한 열처리 금속을 사용해서 베이스(22)의 돌출면을 더욱 돌출시켜 주변의 인쇄회로기판(26)보다 높게 돌출되도록 한다.

베이스(22)의 트렌치와 돌출면 사이의 표면에 일반 납이나 실버 에폭시(silver epoxy)로 땜하여 접착층(24)을 형성해서 인쇄회로기판(26)을 고정시킨다.

돌출면 상에 고온 납이나 고순도 실버 에폭시를 200℃ 이상에서 굳게 하여 접착층(28)을 형성해서 집적회로(600)를 돌출면 상에 고정시킨다.

집적회로(600)의 본딩 패드와 인쇄회로기판(26)의 마이크로 스트립라인 본딩 단자 패턴 사이를 금이나 알루미늄을 사용한 와이어(32)로 본딩하여 증폭회로와 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로가 연결되도록 한다.

입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 구성하는 부품을 인쇄회로기판(26)에 실장한다. 이때, 푸시풀을 위해 사용하는 트랜스포머(T1, T2)는 인쇄회로기판(26)에 자동으로 실장한다.

이와 같은 에폭시 인쇄회로기판(26)을 이용한 케이블 텔레비전 혼성 증폭기를 열처리하고 취급을 쉽게 하기 위해 동을 이용하여 주물이나 분말 성형 열처리금속(heat sink metal) 또는 동 가공물에 납이나 은 에폭시 본드를 사용하여 땜한다. F형 또는 직선 핀을 입력단자, 접지단자, 전원단자, 및 출력단자의 에폭시 인쇄회로기판(26)에 끼워넣어 땜해서 각각의 단자를 구성하고 플라스틱이나 금속으로 이루어지는 뚜껑(34)을 사용해서 전체를 덮어 모듈화한다.

이와 같이 본 발명은 증폭회로를 집적회로(600)에 집적화하기 때문에, 생산성을 높이고 성능의 균일성을 확보된다. 고온 납이나 고순도 실버 에폭시를 사용하는 접착층(28)에 의해서 집적회로(600)를 돌출면에 고정하기 때문에, 집적회로(600)에서 발생되는 열이 베이스(22)로 신속하게 전달됨으로써 증폭기의 특성이 향상되고 생산성 및 원가가 절감된다.

도 3은 도 2에 도시된 베이스(22) 상측에 집적회로화 및 실장되는 회로의 일 실시예를 나타낸 회로도로, 집적회로(600)는 베이스(22)의 돌출면 상에 접착층(28)을 통해 고정된다. 집적회로(600)의 좌우측 및 하측에 각각 도시된 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로는 베이스(22) 상의 돌출면과 트렌치 사이에 접착층(24)을 통해 고정된 인쇄회로기판(26)에 실장된다.

인쇄회로기판(26)과 직각으로 구성된 입력핀(310)을 통해 고주파 신호가 공급되며 75오옴(ohm) 입력 마이크로스트립 라인(microstrip line)(311)에 입력 트랜스포머(T1) 1단자(312)를 연결하고 2단자(313)는 접지된다.

코어와 코일의 감은 수에 따라 고주파 유도되어 입력 신호 크기의 1/2과 위상이 180° 바뀐 두 개의 출력이 트랜스포머 3,4단자(314,315)에 나타나고 약간의 고주파 손실이 발생하게 된다.

블로킹 콘덴서 C1,C2(316,317)를 통해 위상이 180° 차이가 난 고주파 신호가 입력되고 화합물 반도체 집적회로(600)의 입력 바이어스를 위한 입력 매칭코일 L1,L2(318,319)을 병렬로 블록킹 콘덴서 C1, C2에 연결한 후, 와이어 본딩 B1,B2(320,321)을 통해 화합물 반도체 집적 회로 내의 증폭기 A,B(601,602)입력에 연결시킨다.

입력 매칭코일 L1,L2가 서로 연결된 후, 와이어 본딩을 B3(322)를 통해 화합물 반도체 집적 회로에 연결되고 화합물 반도체 집적 회로를 동작시키기 위해 전원 B4(323)을 와이어 본딩을 통해 연결하여 공급하도록 하고 출력은 전원과 동시에 출력(328,329)을 통해 출력되도록 한다. 출력된 2 개의 신호는 출력 블록킹 콘덴서 C3,C4(333, 334)을 통해 출력 트랜스포머(T2) 단자 5,6(335, 336)에 2 개의 위상이 180° 다른 신호가 입력 신호보다 크게 증폭된 신호가 출력 트랜스포머 단자7은 접지하고 출력 트랜스포머 단자8은 출력하여 하나의 신호로 결합시켜 마이크로스트립 라인(339) 및 출력핀(340)을 통해 출력한다.

전원 공급은 출력과 전원이 만남으로 인해 전원 라인을 통해 전원인 직류는 공급하고 고주파는 통과하지 못하게 출력 전원 공급 쵸크 코일 L3,L4(331,332)와 전원 라인의 리풀 및 고주파 신호의 바이패스를 통해 전원 바이패스 콘덴서 C5,C6,C7(325,326,327)로 구성하며 전원핀(324)을 통해 전원을 공급하도록 하였다.

접지를 위해 핀 A,B,C,D(341,342,343,344)를 두어 전원 및 고주파 접지를 하도록 하였다.

상기와 같이 구성된 회로의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.

입력핀(310)을 통해 40MHz에서 870MHz 광대역 텔레비전 또는 케이블 텔레비전 주파수 신호가 입력되면 75오옴 마이크로스트립 라인(311)을 통해 전달되어 2개구멍이 있는 페라이트코어에 2개 코일을 3 내지 6번 감아 트랜스포머 단자1(312)는 광대역 주파수가 입력된다. 트랜스포머 단자2는 접지하여 코일을 통해 고주파 신호가 유기되어 180도 위상이 다르고 신호크기가 1/2로 축소된 2개의 신호가 트랜스포머 단자 3,4(314,315)에 나타난다. 트랜스포머를 통과한 고주파 신호가 블록킹 콘덴서 입력에 공급하면 블록킹 콘덴서 C1,C2(316,317)은 고주파를 통과시키고 직류적인 바이어스 전원은 차단하는 역할을 하며 입력 바이어스 회로 코일 L1,L2(318,319)를 병렬 연결 후, 화합물 반도체 입력 회로에 와이어 본딩을 통해 신호 공급과 동시에 입력 임피던스 매칭과 바이어스 전원을 유지한다. 트랜지스터는 화합물 반도체 원판에 헤테로 정합 바이폴라 트랜지스터(hetrojuntion bipolar transistor) 40 여개 및/또는 갈륨비소 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET) MMIC를 직,별렬로 대칭이 되게 연결한 후, 바이어스 전원 회로를 하나의 작은 칩안에 집적시킨 반도체로 입력 바이어스 전원을 구성하기 위해 입력 바이어스 회로 코일 L1,L2(318,319)을 직렬로 접속한 곳에 화합물 반도체와 와이어 본딩(322)을 하여 트랜지스터의 베이스에 일정 전원이 공급되게 한다. 화합물 반도체 집적회로(600)는 트랜지스터, 저항, 및 와이어 본딩 패드 등 200 여개의 부품을 집적시켜 똑같은 동작 회로 2 개가 위상만 180° 차가나게 대칭으로 동작되게 구성된 것으로 약 1.3×2㎜의 크기로 되어 있다.

화합물 반도체 집적회로(600)를 2 개의 고주파 신호 입력이 통과하면 18 내지 20dB의 증폭을 180도 위상이 서로 다르게 2 개의 고주파 출력을 증폭한다. 이 후, 출력 패드 2 개를 통해 각각 3 번의 와이어 본딩 B5,B6(328,325)을 통해 2 개의 마이크로스트립 패턴에 접속되고 접속된 마이크로스트립 라인에 전원을 공급하고 고주파는 억제하는 수 μH의 코일 L3,L4(331, 332)을 접속하여 전원 공급을 한다.

전원의 공급을 차단하고 고주파만을 통과하도록 하는 2 개의 출력 블록킹 콘덴서 C3,C4(333,334)을 10nF를 연결한 후, 출력 트랜스포머(T2) 2 개에 고주파 신호를 전달한다. 출력 트랜스포머 단자5,6(335,336)를 통해 180° 위상차가 난 신호를 고주파 유도 결합하여 하나의 신호와 같은 위상을 갖게하기 위해 입력의 트랜스포머 접속과는 반대로 입력트랜스포머의 입력쪽은 출력트랜스포머에서는 접지가 되고 입력트랜스포머의 접지쪽은 출력 트랜스포머 단자 7,8(337,338)에서는 출력이 되게 하여 짝수 고주파의 발생을 서로 상쇄하는 푸시풀 동작을 하여 광대역인 50MHz에서 870MHz을 18 내지 20dB 증폭하게 된다. 또 입력과 출력 트랜스포머의 코일 회전 수를 많게 하면 낮은 주파수 대역인 5MHz 내지 100MHz 범위도 증폭하게 된다.

증폭을 위해 전원핀을 통해 12V 내지 24V를 공급하여 바이패스 콘덴서 C5,C6,C7,(328,329,330)을 통해 여러종류의 용량 콘덴서를 사용하여 리플 및 고주파를 제거하게 하고 화합물 반도체 칩의 패드 3, 4 초크 코일에 전원을 공급한다.

전원을 공급받아 증폭으로 인하여 화합물 반도체 마이크로웨이브 집적 회로의 작은 칩에 12V에 600 내지 700㎃의 전류가 공급되어 7.5W의 소비 전력을 갖게된다.

고주파 신호 증폭을 하는데는 화합물 반도체 마이크로웨이브 집적 회로 안의 수많은 능동 소자, 수동 소자에서 발생하여 소비 전력의 30 내지 35%만 고주파 신호 출력 신호로 소요되고 나머지 65 내지 70%는 화합물 반도체 마이크로웨이브 집적 회로와 실버 에폭시나 땝납 접착을 통과하여 직접 열처리 금속으로 70%가 되는 많은 열이 분산하게 되어 열을 발산하게 되고 열처리 금속만으로도 열의 흡수가 불가능하므로 커다란 기구에 나사로 완전하게 조여 열을 발산하여 사용한다.

에폭시 기판을 이용한 광대역 케이블 텔레비전 혼성 증폭기의 특성을 보면, "사용 주파수 대역 45~870MHz, 출력 이득 19.0dB, 이득 평탄도 +1dB, 입/출력 리턴 로스(return loss) 19dB, CSO 110ch @44dB㎷/ch 70dBc, CMD 110ch @44dB㎷/ch 70dBc, CTB 110ch @44dB㎷/ch 70dBc, 잡음 지수 6dB, 및 직류 전류(VDC=12V) 640㎃"이다.

본 발명에 따른 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법의 다른 실시예를 보면 다음과 같다.

동일 구성을 나타내는 도면 부호는 동일한 것을 사용하기로 한다.

먼저, 상부의 양측에 트렌치가 형성되고 중앙에 돌출면을 구비하는 베이스(22)를 형성한다. 베이스(22)의 중앙 양측에 파선으로 나타낸 두 개의 원은 나사 홀이고 두 개의 기둥은 고정 홀이다. 이와 같은 베이스(22)는 일체형으로서 규격화되어 있다.

유전율 4.6 내지 5.0(또는 5.9), 가로 27㎜, 세로 13.1㎜, 두께 0.7㎜(또는0.6㎜)인 에폭시 양면 인쇄회로기판(26)을 선택적으로 에칭하여 증폭기의 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 패터닝하고 그 위에 금을 사용하여 도금하거나 오지를 덮어 부식을 방지한다.

증폭회로를 집적화한 갈륨비소 화합물 반도체 마이크로웨이브 집적회로(600)를 집적회로 패키지 내의 금속판에 안착한다.

와이어 본딩한 집적회로(600) 패키지가 부착될 영역의 인쇄회로기판(26)을 충분히 제거한다.

열 전달이 빠른 동을 사용한 열처리 금속을 사용해서 베이스(22)의 돌출면을 더욱 돌출시켜 주변의 인쇄회로기판(26)보다 높게 돌출되도록 한다.

베이스(22)의 트렌치와 돌출면 사이의 표면에 일반 납이나 실버 에폭시(silver epoxy)로 땜하여 접착층(24)을 형성해서 인쇄회로기판(26)을 고정시킨다.

돌출면 상에 고온 납이나 고순도 실버 에폭시를 200℃ 이상에서 굳게 하여 접착층(28)을 형성한다.

집적회로(600)의 본딩 패드와 집적회로 패키지 본딩 단자를 금을 사용한 와이어(32)로 본딩한 패키지를 돌출면 상단에 접착층(28)에 의해 고정 시켜 증폭회로와 입력 정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스 회로가 연결되도록 한다.

입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 구성하는 부품을 인쇄회로 기판(26)에 실장한다. 이때, 푸쉬풀을 위해 상용하는 트랜스포머(T1, T2)는 인쇄회로기판(26)에 자동으로 실장한다.

이와 같은 에폭시 인쇄회로기판(26)을 이용한 케이블 텔레비전 혼성 증폭기를 열처리하고 취급을 쉽게 하기 위해 동을 이용하여 주물이나 분말 성형 열처리 금속, 또는 동 가공물(heat sink metal)에 납이나 은 에폭시 본드를 사용하여 땜한다. F형 또는 직선 핀을 입력단자, 접지단자, 및 출력단자의 에폭시 인쇄회로기판(26)에 끼워 넣어 땜해서 각각의 단자를 구성하고 플라스틱이나 금속으로 이루어지는 뚜껑(34)을 사용해서 전체를 덮어 모듈화 한다.

이와 같이 본 발명은 증폭회로를 집적회로(600)에 집적하고 이를 다시 집적회로 패키지화하였기 때문에, 생산성을 높이고 성능의 균일성이 확보된다. 고온 납이나 고 순도 실버 에폭시를 사용하는 접착층(28)에 의해서 집적회로 패키지를 돌출면에 고정하기 때문에, 집적회로(600)에서 발생되는 열이 베이스(22)로 신속히 전달됨으로써 증폭기의 특성이 향상되고 생산성 및 원가가 절감된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 케이블 텔레비전에 신호를 공급하는 케이블의 손실을 보상하는 증폭기에 사용되는 광대역 혼성 증폭기 모듈의 증폭 회로를 집적회로 화된 칩를 집적회로 패키지의 내부 금속면에 접착하고 이를 다시 금속 케이스에 열을 직접 전달하게 하여 발열 문제를 해결하도록 한다. 따라서, 혼성 증폭기 모듈의 생산성이 높아지고 성능도 향상되는 효과가 있다.

Claims (24)

1. 혼성 증폭기 모듈의 구조에 있어서:

   상부의 양측에 트렌치가 형성되고 중앙에 돌출면을 구비하는 베이스;

   상기 돌출면 상부에 형성되어 증폭회로를 집적화하고 있는 집적회로;

   상기 돌출면 및 트렌치 사이의 상기 베이스 표면에 형성되어 상기 증폭회로의 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 구비하고 있는 인쇄회로기판;

   상기 증폭회로와 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 연결하는 와이어;

   상기 양측의 트렌치 사이를 덮어 전체 회로를 모듈화하는 뚜껑을 포함하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 인쇄회로기판은 금으로 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 인쇄회로기판은 오지로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,

   상기 집적회로는 갈륨비소 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 인쇄회로기판은 납이나 실버 에폭시를 사용한 땜에 의해 상기 베이스 표면에 고정됨을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 집적회로는 은이 함유된 땜납이나 실버 에폭시를 사용한 땜에 의해 상기 돌출면 상에 고정됨을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 와이어는 금이나 알루미늄인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 집적회로 부위를 패키지화시키는 집적회로 패키지;

   상기 집적회로 패키지 주변에 각기 형성되어 상기 집적회로와 와이어를 통해 연결되는 리드 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 구조.
9. 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법에 있어서:

   상부의 양측에 트렌치가 형성되고 중앙에 돌출면을 구비하는 베이스를 형성하는 제 1 단계;

   소정의 인쇄회로기판을 선택적으로 에칭하여 증폭기의 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 패터닝하는 제 2 단계;

   상기 패터닝된 회로 전체를 도금하는 제 3 단계;

   증폭회로를 집적화한 집적회로의 부착 영역의 상기 인쇄회로기판을 제거하는 제 4 단계;

   열처리 금속을 사용해서 상기 베이스의 돌출면을 더욱 돌출시켜 주변에 형성될 상기 인쇄회로기판보다 높아지도록 하는 제 5 단계;

   상기 베이스의 트렌치와 돌출면 사이의 표면에 제 1 접착층을 형성해서 상기 인쇄회로기판을 고정시키는 제 6 단계;

   돌출면 상에 제 2 접착층을 형성해서 상기 집적회로를 상기 돌출면 상에 고정시키는 제 7 단계;

   상기 집적회로와 상기 인쇄회로기판 사이를 와이어로 본딩하여 상기 증폭회로와 상기 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로가 연결되도록 하는 제 8 단계;

   상기 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 구성하는 부품을 상기인쇄회로기판에 실장하는 제 9 단계;

   뚜껑을 사용해서 전체를 덮어 모듈화하는 제 10 단계를 포함하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 인쇄회로기판은 에폭시 양면 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 인쇄회로기판은 유전율 4.6 내지 5.9, 가로 27㎜, 세로 13.1㎜, 두께 0.6㎜인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
12. 제 9 항에 있어서,

    상기 도금은 금도금인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
13. 제 9 항에 있어서,

    상기 제 5 단계의 열처리 금속은 동을 사용한 열처리 금속인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
14. 제 9 항에 있어서,

    상기 제 1, 제 2 접착층은 일반 납이나 실버 에폭시로 땜하여 형성함을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
15. 제 9 항에 있어서,

    상기 와이어는 금이나 알루미늄인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
16. 제 9 항에 있어서,

    상기 뚜껑은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
17. 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법에 있어서:

    상부의 양측에 트렌치가 형성되고 중앙에 돌출면을 구비하는 베이스를 형성하는 제 21 단계;

    소정의 인쇄회로기판을 선택적으로 에칭하여 증폭기의 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 패터닝하는 제 22 단계;

    상기 패터닝된 회로 전체를 도금하는 제 23 단계;

    증폭회로를 집적화한 집적회로를 집적회로 패키지 내의 금속판에 안착하는 제 24 단계;

    상기 집적회로 패키지가 부착될 영역의 상기 인쇄회로기판을 제거하는 제 25단계;

    열처리 금속을 사용해서 상기 베이스의 돌출면을 더욱 돌출시켜 주변에 형성될 상기 인쇄회로기판보다 높아지도록 하는 제 26 단계;

    상기 베이스의 트렌치와 돌출면 사이의 표면에 제 1 접착층을 형성해서 상기 인쇄회로기판을 고정시키는 제 27 단계;

    상기 돌출면 상에 제 2 접착층을 형성하는 제 28 단계;

    상기 집적회로의 본딩 패드와 상기 집적회로 패키지의 본딩 단자를 와이어로 본딩한 패키지를 상기 돌출면 상단에 상기 제 2 접착층에 의해 고정시켜 상기 증폭회로와 상기 입력 정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스 회로가 연결되도록 하는 제 29 단계;

    상기 입력정합회로, 출력정합회로, 및 바이어스회로를 구성하는 부품을 상기 인쇄회로기판에 실장하는 제 30 단계;

    상기 인쇄회로기판의 주변에 입력단자, 접지단자, 및 출력단자를 위한 핀을 각각 끼워 넣고 땜하는 제 31 단계;

    뚜껑을 사용해서 전체를 덮어 모듈화하는 제 32 단계를 포함하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
18. 제 17 항에 있어서,

    상기 인쇄회로기판은 에폭시 양면 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
19. 제 17 항에 있어서,

    상기 인쇄회로기판은 유전율 4.6 내지 5.9, 가로 27㎜, 세로 13.1㎜, 두께 0.6㎜인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
20. 제 17 항에 있어서,

    상기 도금은 금도금인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
21. 제 17 항에 있어서,

    상기 제 26 단계의 열처리 금속은 동을 사용한 열처리 금속인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
22. 제 17 항에 있어서,

    상기 제 1, 제 2 접착층은 일반 납이나 실버 에폭시로 땜하여 형성함을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
23. 제 17 항에 있어서,

    상기 와이어는 금이나 알루미늄인 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.
24. 제 17 항에 있어서,

    상기 뚜껑은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 혼성 증폭기 모듈의 제조 방법.