KR100356115B1 - 방사선 검출장치 - Google Patents

방사선 검출장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100356115B1
KR100356115B1 KR1020000049218A KR20000049218A KR100356115B1 KR 100356115 B1 KR100356115 B1 KR 100356115B1 KR 1020000049218 A KR1020000049218 A KR 1020000049218A KR 20000049218 A KR20000049218 A KR 20000049218A KR 100356115 B1 KR100356115 B1 KR 100356115B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
radiation
carrier
electrode
amorphous semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020000049218A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010067103A (ko
Inventor
사토켄지
사토마사히토
Original Assignee
가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼
신덴겐코교 가부시키가이샤
야마나시덴시코교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼, 신덴겐코교 가부시키가이샤, 야마나시덴시코교 가부시키가이샤 filed Critical 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼
Publication of KR20010067103A publication Critical patent/KR20010067103A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100356115B1 publication Critical patent/KR100356115B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

방사선 감응형의 비정질 반도체 후막과, 전압 인가전극의 사이에 전면적으로 캐리어 선택성 고저항막을 형성하는 동시에, 전압 인가전극의 전 둘레에 전극 미형성영역을 설치하고 있다. 그 결과, 캐리어 선택성 고저항막의 캐리어 선택성에 의해 신호응답성을 떨어뜨리지 않고 암전류가 억제된다. 그리고 캐리어 선택성 고저항막에 의한 피복에 의해, 비정질 반도체 후막의 표면저항의 저하를 방지하는 동시에, 전압 인가전극의 주위로 전극 미형성영역을 둘러싸므로써 충분한 연면(沿面) 내압을 확보하여 바이어스전압에 의한 연면방전이 억제되는 결과, 전압 인가전극에 높은 바이어스전압을 걸어서 충분한 검출감도를 얻는 것이 가능하게 된다.

Description

방사선 검출장치{Radiation detecting apparatus}
본 발명은 의료분야, 공업분야, 더 나아가서는 원자력 분야 등에 사용되는 직접변환형의 방사선 검출장치에 관한 것이며, 특히 방사선 감응형의 반도체막에 인가한 바이어스전압에 의한 연면(沿面)방전을 억제하기 위한 기술에 관한 깃이다.
방사선(예컨대, X선)의 검출장치로서, 방사선(예컨대, X선)이 우선 빛으로 변환된 후에 변환빛이 다시 광전변환으로 전기신호로 변환되는 간접 변환형의 장치와, 입사 방사선이 방사선 감응형의 반도체막으로 바로 전기신호로 변환되는 직접변환형의 장치가 있다. 후자의 직접 변환형의 장치는 방사선 감응형의 반도체막의 표면에 형성된 전압인가전극에 소정의 바이어스전압을 인가하는 동시에, 반도체막의 이면에 형성된 캐리어 수집전극으로 방사선 조사에 따라 생성한 캐리어를 수집하여 방사선 검출신호로서 끄집어냄(취출)으로써 방사선의 검출을 하는 구성으로되어 있다.
또한, 종래의 직접 변환형의 방사선 검출장치 중에서도, 방사선 감응형의 반도체막을 비정질(非晶質)Se와 같은 비정질 반도체 후막(두꺼운 막)으로 하는 장치의 경우, 비정질 반도체는, 진공증착법 등에 의해 간단히 두껍고 넓은 막을 형성할 수 있으므로, 큰면적의 두꺼운 막이 필요한 2차원 어레이구성에 적합하다,
종래의 2차원 어레이방식의 방사선 검출장치는 도 1에 나타낸 바와 같이, 방사선이 입사함으로써 전자·정공쌍(캐리어)이 생성되는 비정질 반도체 후막(1)의
표면에 형성된 전압 인가전극(2)에 바이어스전압이 인가됨과 동시에, 비정질 반도체 후막(1)의 이면에 종·횡식 2차원 매트릭스형상 배열로 다수개가 형성된 각 캐리어 수집전극(3)마다 전하 축적용의 콘덴서(Ca)와 통상시 오프(OFF)상태의 전하 판독용의 스위치소자(예컨대, 박막 트랜지스터)(4)가 각각 접속되어 있으며, 방사선 조사에 따라 콘덴서(Ca)에 축적된 전하가, 온(ON)상태로 이행한 스위치소자(4)를 경유하여 방사선 검출신호로서 판독되는 2차원 어레이구성으로 되어 있다.
도 1의 2차원 어레이구성의 방사선 검출장치를, 예컨대 X선 투시 촬영장치의 투과 X선상의 검출에 사용한 경우, 방사선 검출장치로부터 출력되는 방사선 검출신호에 의거하여 X선 투시화상(畵像)이 얻어지게 된다.
그러나, 상기 종래의 방사선 검출장치는, 비정질 반도체 후막(1)에 인가한 바이어스전압에 의한 연면방전(creeping discharge)이 생기기 쉽다는 문제가 있다. 이 연면방전은 도 1에 나타낸 바와 같이, 전압 인가전극(2)의 끝 테두리(2a)로부터 비정질 반도체 후막(1)의 단부(1a)의 표면을 따라 접지쪽으로 이르는 사이에서 절연파괴가 일어나므로써 생긴다.
연면방전이 일어나면, 예컨대 X선 투시화상의 경우, 방사선 검출신호의 잡음으로 되어서 화질의 저하를 초래한다. 바이어스 전압을 낮게 하면, 연면방전을 억제되기는 하나, 비정질 반도체는 캐리어 주행특성이 단결정 반도체에 비하여 낮으므로 바이어스 전압이 낮게 되어 있으면 충분한 검출감도를 얻을 수 없다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 방사선 감응형의 반도체막에 인가한 바이어스 전압에 의한 연면방전이 잘 생기지 않도록 하는 방사선 검출장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1은 종래예에 관한 방사선 검출장치의 요부구성을 나타내는 개략 단면도,
도 2는 제1실시예 장치의 방사선 센서부의 구성을 나타내는 개략단면도,
도 3은 제1실시예 장치의 방사선 센서부의 평면도,
도 4는 제1실시예 장치의 방사선 검출유닛의 검출동작 상황을 나타내는 설명도,
도 5는 제1실시예 장치의 전체구성을 나타내는 블록도,
도 6은 시험용 방사선 검출장치의 검출출력의 경시변화(經時弁化)를 나타내는 그래프,
도 7은 비교용 방사선 검출장치의 검출출력의 경시변화(經時弁化)를 나타내는 그래프,
도 8은 제2실시예 장치의 방사선 센서부의 구성을 나타내는 개략 단면도,
도 9는 제2실시예 장치의 방사선 센서부의 평면도,
도 10은 제2실시예 장치의 방사선 검출유닛의 검출동작 상황을 나타내는 설명도이다.
〔도면중 주요부호의 설명〕
1 ... 비정질 반도체 후막 1A ... P형 캐리어 선택성 고정항막
1B ... n형 캐리어 선형성 고저항막 2 ... 전압 인가전극
2 A ... 전극 미형성영역 3 ... 캐리어 수집전극
4 ... 스위치소자 Ca ... 콘덴서
d ... 전극 미형성영역의 폭 e ... 전자
h ... 정공(正孔) d ... 전극간 거리
+VA, -VA... 바이어스전압 Ve ... 바이어스전압공급부
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 채택한다.
즉, 본 발명은 방사선이 입사함으로써 전자·정공쌍인 캐리어가 생성되는 방사선 감응형의 반도체막 표면쪽에 형성된 전압 인가전극에 바이어스전압이 인가됨과 동시에, 반도체막의 이면쪽에 형성된 캐리어 수집전극에 전하 축적용의 콘덴서와 통상시 오프(OFF)상태의 전하 판독용의 스위치소자가 접속되어 있고, 방사선 조사에 따라 콘덴서에 축적된 전하가 온(ON)상태로 이행한 스위치소자를 경유하여 방사선 검출신호로서 판독되도록 구성된 방사선 검출장치로서, 상기 장치는 다음의 요소를 포함한다:
상기 방사선 감응형의 반도체막이 비정질 반도체 후막이며;
비정질 반도체 후막과 전압 인가전극의 사이에 비정질 반도체후막의 표면을 전면적으로 덮도록 하여 캐리어 선택성 고저항막이 형성되어 있으며;
전압 인가전극의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막의 끝 테투리 사이에는 전극 미형성영역이 전 둘레에 걸쳐 형성되어 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
(제1실시예)
도 2는 제1실시예에 관한 방사선 검출장치의 방사선 센서부의 구성을 나타내는 개략 단면도이고, 도 3은 제1실시예의 장치의 방사선 센서부의 평면도, 도 4는 제1실시예의 장치의 방사선 검출유닛의 검출동작 상황을 나타내는 설명도, 도 5는 제1실시예의 방사선 검출장치의 전체 구성을 나타내는 블록도이다.
제1실시예의 방사선 검출장치는 도 2에 나타낸 바와 같이, 방사선(예컨대, X 선)이 입사함으로써 캐리어가 생성되는 방사선 감응형의 비정질 반도체 후막(1)과, 비정질 반도체 후막(1)의 방사선 입사쪽인 표면에 설치된 전압 인가전극(2)과, 비정질 반도체 후막(1)의 방사선 비입사쪽(방사선 입사쪽과는 반대쪽)인 이면에 설치된 캐리어 수집전극(3)과, 캐리어 수집전극(3)으로의 수집캐리어를 모으는 전하 축적용의 콘덴서(Ca)와, 콘덴서(Ca)에 축적된 전하를 꺼내기 위한 통상시 오프(차단)의 전하취출용의 스위치소자(4)인 박막 트랜지스터(TFT)를 방사선 센서부에 구비하고 있다. 또한, 제1실시예의 장치는 전압 인가전극(2)에 -VA의 부(負)의 바이어스전압을 인가하는 바이어스전압 공급부(전원부)(Ve)를 구비하고 있어, 전압 인가전극(2)에 바이어스전압이 인가된 상태에서 방사선 조사에 따른 생성캐리어가 캐리어수집전극(3)으로부터 콘덴서(Ca)에 송입되어 축적되는 동시에, 판독 타이밍으로 되었을 때에 스위치소자(4)가 온(접속)으로 되어서 축적전하가 방사선 검출신호로서 판독되는 구성으로 되어 있다. 이하, 각부의 구성을 구체적으로 설명한다.
제1실시예의 장치의 경우, 비정질 반도체후막(1)은 비(比)저항 109 cm
이상(바람직하게는 1011 cm 이상)이며, 막두께 0.5mm∼1mm의 고순도 비정질·셀렌
(a-Se)후막이다. 이 a-Se 후막은 특히 검출영역의 큰 면적화에 대한 적성이 우수하다. 비정질 반도체 후막(1)은 혹시 얇으면 방사선이 그냥 지나치는 형태로 되어서 방사선을 충분히 흡수할 수 없게 되기 때문에, 바람직하게는 0.5mm∼1mm의 두께의 막이 사용된다.
전압 인가전극(2)및 캐리어 수집전극(3)은, Au, Pt, Ni, In 등의 적당한 금속이나 ITO등으로 형성된다. 물론, 비정질 반도체 후막의 재료나 전극의 재료는 위에서 예시한 것으로 한정되지 않는다.
그리고, 제1실시예 장치에 있어서는 특징적인 구성으로서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 비정질 반도체 후막(1)과 전압 인가전극(2)의 사이에 비정질 반도체 후막
(2)의 표면을 전면적으로 덮도록 하여 P형 캐리어 선택성 고저항막(1A)이 형성되어 있는 동시에, 도 3에 나타낸 바와 같이 전압 인가전극(2)의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막(1)의 끝 테두리의 사이에는 전극 미형성영역(2A)이 전 둘레에 걸쳐 같은 폭(d)으로 형성되어 있다.
p 형 캐리어 선택성 고저항막(1A)은, 바람직하게는 표면저항(시트저항)이 108 /이상이며, 막두께가 0.01㎛∼10㎛(통상, 0.1㎛ 전후)이고, Sb2S3,SbTe, ZnTe, CdTe, AsSe 등의 막이나, 유기막이 적당하다. 0.01㎛미만의 막두께로는 불필요한 캐리어의 주입을 저지하기 어렵게 되고, 10㎛을 초과하는 막두께로는 필요한 캐리어의 주입을 허용하기 어렵게 되는 경향을 볼 수 있다. 캐리어 선택성 고저항막(1A)은 비정질 반도체 후막(1)을 완전히 (100%)덮고 있는 것이 바람직하나, 제조 등의 형편상 테두리가 약간 피복되어 있지 않은 것이어도 좋다.
본 발명자가 실험에 의해서 확인한 결과에 의하면, 전극 미형성영역의 폭(d)은 바람직하게는 Bmm∼3Bmm의 범위에 있다. 여기서, B는 바이어스전압 공급부
(Ve)에 의해 공급 인가하는 바이어스전압의 절대치를 kV(킬로볼트)로 나타내었을 때의 수치이며, 예컨대 캐리어 선택성 고저항막(1A)의 크기가 세로 500mm, 가로 500mm인 경우에, 바이어스전압은 보통 -10000V(=-10kV)를 인가하나, 이 때에는, 「-10」의 절대치가 10이기 때문에 B=10으로 되고, 전극 미형성 영역의 폭(d)은 10 mm∼30mm의 치수범위에 있다.
제1실시예 장치의 방사선 센서부에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이 비정질 반도체 후막(1)이나 캐리어 선택성 고저항막(1A) 및 양 전극(2,3) 외에, 스위치소자
(4)용의 (FET형의)박막 트랜지스터나 전하 축적용의 콘덴서(Ca) 등도 동일한 절연기판(6)위에 형성되어 있다. 콘덴서(Ca)는 SiO2층 등으로 이루어지고, 절연기판(6)은 유리기판 등으로 이루어 진다.
더욱이, 제1실시예 장치의 방사선 센서부에 있어서는, 도 2 및 도 5에 나타난 바와 같이, 캐리어 수집전극(3)은 2차원 매트릭스형상으로 다수개 형성되어 있는 동시에, 각 캐리어 수집전극(3)마다 전하 축적용의 콘덴서(Ca)및 전하 판독용의 스위치소자(4)가 각각 각 1개씩 설치되어 있어, 방사선 검출유닛인 검출소자(DU)가 X, Y방향을 따라서 다수 배열(예컨대 1024×1024)된 2차원 어레이구성의 평패널형 방사선 센서(면센서)로 되어 있다.
즉, 전압 인가전극(2)쪽은 전 검출소자(DU)의 공통전극으로서 전면적으로 형성되어 있으나, 캐리어 수집전극(3)쪽은 개별 전극으로서 2차원 매트릭스형상으로 각 검출소자(DU)마다 분리형성되어 있는 동시에, 각 캐리어 수집전극(3)마다 전하축적용의 콘덴서(Ca) 및 전하 판독용의 스위치소자(4)가 각각 1개씩 접속되어 있어, 각 방사선 검출유닛마다 국소적인 방사선 검출을 할 수 있는 구성으로 되어 있는 결과, 방사선 강도의 2차원 분포측정이 가능하게 된다.
또한, 제1실시예 장치의 방사선 센서부에서는, 도 2 및 도 5에 나타난 바와 같이 검출소자(DU)의 스위치소자(4)용 박막 트랜지스터의 드레인이 가로(X)방향의 판독배선(7)에 접속되고, 게이트가 세로(Y)방향의 판독배선(8)에 접속되어 있다. 판독배선(7)은 전하-전압 변환기군(프리엠프)(9)을 통하여 멀티플렉서(multiplexo
r)(10)에 접속되어 있는 동시에, 판독배선(8)은 게이트 드라이버(11)에 접속되어 있다. 그리고 전하-전압 변환기군(9)에서는 1개의 판독배선(7)에 대하여, 도 4에 나타난 바와 같이 전하-전압 변환기(5)가 1개 각각 접속되어 있다.
그리고, 제1실시예 장치의 방사선 센서부의 경우, 멀티플렉서(10)및 게이트드라이버(11)에 신호취출용의 주사신호가 송입되게 된다. 방사선 센서부의 각 검출소자(DU)의 특정은 X방향·Y방향의 배열에 따라 각 검출소자(DU)에 순서대로 할당되어 있는 어드레스(예컨대, 0∼1023)에 의거하여 행할 수 있으므로, 취출용의 주사신호는 각각 X방향 어드레스 또는 Y방향 어드레스를 지정하는 신호로 된다.
Y방향의 주사신호에 따라 게이트 드라이버(11)로부터 Y방향의 판독배선(8)에 대하여 취출용의 전압이 인가됨에 따라서, 각 검출소자(DU)가 열(列)단위로 선택된다. 그리고, X방향의 주사신호에 따라 멀티플렉서(10)가 전환됨으로써, 선택된 열(列)의 검출소자(DU)의 콘덴서(Ca)에 축적된 전하가 전하-전압 변환기군(9) 및 멀티플렉서(10)를 차례로 거쳐 외부로 송출되게 되다.
제1실시예의 방사선 검출장치가, 예컨대 X선 투시 촬영장치의 X선 검출기로 사용된 경우, 도 5의 일점쇄선으로 나타낸 바와 같이 각 검출소자(DU)의 검출신호가 멀티플렉서(10)로부터 화소신호(畵素)로서 차례대로 꺼내진 후, 화상처리부(DT부)에서 잡음처리 등의 필요한 신호처리가 행해지고 나서 화상표시부(MT)에서 2차원화상(X선 투시화상)으로써 표시되게 된다.
상기로부터, 제1실시예 장치의 방사선 센서부에 있어서의 검출신호의 꺼내는 방식은, 대개 통상의 TV카메라 등의 영상기기에 유사한 구성이라고 말할 수 있다.
제1실시예의 경우, 방사선 센서부에 전하-전압 변환기군(9) 및 멀티플렉서
(10)나 게이트 드라이버(11), 더나아가서는 필요에 따라 AD 변환기(도시생략) 등도 설치되어 한층 집적화가 도모된 구성으로 되어 있다. 그러나, 전하-전압 변환기군
(9) 및 멀티플렉서(10)나 게이트 드라이버(11) 혹은 AD 변환기 등의 전부 또는 일부가 별개로 설치된 구성이더라도 무방하다.
또한, 제1실시예 장치의 방사선 센서부를 만들 경우에는, 절연기판(6)의 표면에 각종 진공증착법에 의한 박막 형성기술이나 포토리소피그라프(Photolithoph
ygraph)법에 의한 패턴화 기술을 이용하여 스위치소자(4)용의 박막 트랜지스터 및 콘덴서(Ca), 캐리어 수집전극(3), 비정질 반도체 후막(1), 캐리어 선택성 고저항막
(1A), 전압 인가전극(2) 등을 차례로 적층 형성해 간다.
다음에, 제1실시예의 방사선 검출장치에 의한 방사선 검출동작을 도 4를 참조하면서 설명한다. 제1실시예 장치에 의해 방사선 검출을 행할 경우, 도 4에 나타난 바와 같이, 방사선의 입사에 의해 생성하는 캐리어 가운데 정공(h)을 비정질 반도체 후막(1)의 표면쪽의 전압 인가전극(2)에 향해서 이동시키는 극성인 부(부負)의 바이어스전압(-VA)이 전압 인가전극(2)에 인가된 상태로 검출대상의 방사선을 입사시킨다.
한편, p형 캐리어 선택성 고저항막(1A)의 캐리어 선택성에 의해, 방사선 검출에는 기여하지 않고 암전류분(暗電流分)으로 되는 쪽의 전자(e)의 주입은 저지되어서 암전류가 낮게 억제되는 동시에, 방사선 검출에 기여하는 쪽의 정공(h)의 주입은 저지되지 않아 신호 응답성은 저하하지 않고 유지된다. 또 비정질 반도체 후막(1)의 경우, 고 비저항(比抵伉)에 의해 정공(h)에 의한 암전류도 낮게 억제되는 결과, 전체적인 암전류가 매우 낮게 억제되게 된다.
한편, 방사선 조사에 따라 생성하는 캐리어에 응하여 캐리어 수집전극(3) 쪽으로 부터 방사선 검출에 기여하는(암전류분은 아니다) 전공(h)이 다량으로 주입되므로 검출감도 충분하다. 그리고, 정공(h)의 생성·주입에 상응하여 캐리어 수집전극(3)쪽의 전하 축적용의 콘덴서(Ca)에 전하가 축적되는 동시에, 전하 판독용의 스위치소자(4)의 온(ON)상태로의 이행에 따라 축적 전하가 스위치소자(4)를 경유하여 방사선 검출신호로서 판독된 후, 전하-전압 변환기(5)에서 전압신호로 변환된다.
더욱이, 제1실시예의 방사선 검출장치의 경우, 도 3에 나타난 바와 같이, 비정질 반도체 후막(1)의 표면은 전면적으로 캐리어 선택성 고 저항막(1A)으로 덮어져 있어, 비정질 반도체 후막(1)이 습기 등으로 결정화하여 표면저항이 저하하는 것이 저지되는 것에 더하여, 전압 인가전극(2)의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막(1)의 끝 테두리 사이는 전 둘레가 전극 미형성영역(2A)으로 되어 있어 전압 인가전극(2)의 주위는 표면저항이 높은 캐리어 선택성 고 저항막(1A)으로 둘러 싸여진 형태로 되어 있으며, 전압 인가전극(2)과 접지쪽의 사이의 연면내압(沿面耐壓)이 충분하기 때문에 바이어스전압(-VA)에 의한 연면방전이 일어나기 어렵게 되어 있다.
또한, 위에서 설명한 바와 같이, 전극 미형성영역의 폭(d)은 바람직하게는 Bmm∼3Bmm의 치수범위에 있는 결과, 연면방전을 확실하게 저지할 수 있는 연면내압(沿面耐壓)을 확보할 수 있음과 아울러, 비정질 반도체 후막(1)에 있어서의 유감면적(검출가능 영역의 면적)이 실질적으로 좁게 되지 않는 범위에 있으므로, 바이어스전압에 의한 연면방전이 보다 일어나기 어렵게 되는 동시에, 큰 면적화 적성(面積化適性)갖는 비정질 반도체 후막(1)을 충분히 활용할 수 있다. 즉, 전극 미형성영역의 폭(d)이 Bmm미만이면, 전압 인가전극(2)의 주위를 둘러싸는 표면저항이 높은 캐리어 선택성 고 저항막(1A)의 길이가 짧아지므로 충분한 절연내압을 확보하기 어렵게 된다. 반대로, 방사선 검출영역을 제한하는 전극 미형성영역의 폭(d)이 3Bmm을 초과하면, 비정질 반도체 후막에 있어서의 유감면적(검출가능 영역의 면적)이 좁아져 버린다.
더욱이, 제1실시예 장치에서 연면방전이 일어나기 어렵게 되어 있는 것을 실제로 확인하기 위하여, 제1실시예의 방사선 검출장치에 준한 구성으로 시험용 방사선 검출장치를 제작하였다. 즉, 비정질 반도체 후막(1)은 두께 500㎛의 a-Se후막, 캐리어 선택성 고저항막(1A)은 두께 0.1㎛ 전후의 Sb2S3막,전극 미형성영역의 폭(d)은 5mm로 하여 표면에 전극 인가전극(2)을 형성하고 이면에 캐리어 수집전극
(3)을 설치한 검출장치를 제작하였다. 또한, 캐리어 선택성 고저항막(1A)을 형성하지 않은 것 이외에는 시험용 방사선 검출장치와 동일한 구성의 비교용 방사선 검출장치도 제작하였다.
그리고, 시험용·비교용의 양 방사선 검출장치의 전압 인가전극(2)에 각각 1kV의 바이어스전압을 인가하는 동시에, 인가 개시로부터 60초∼120초 동안, 방사선(X선)의 조사를 계속하면서 캐리어 수집전극(3)의 검출출력(전류치)을 측정하였다. 시험용 방사선 검출장치의 측정결과를 도 6에 나타내고, 비교용 방사선 검출장치의 측정결과를 도 7에 나타낸다. 이어서, 바이어스전압을 1kV씩 올리면서 동일한 측정을 반복하였다. 시험용 방사선 검출장치의 경우는 6kV의 바이어스전압까지 측정을 하고, 비교용 방사선 검출장치의 경우는 5kV의 바이어스전압까지 측정을 하였다.
시험용 방사선 검출장치의 경우는, 도 6에 나타낸 바와 같이, -6kV의 바이어스전압의 그래프로 시작해서 연면방전이 수염모양의 펄스전류로 되어 나타나 있는 데 대하여, 비교용 방사선 검출장치의 경우는, 도 7에 나타낸 바와 같이, -3kV의 바이어스전압에서 이미 연면방전이 날카로운 수염모양의 펄스전류로 되어서 빈번하게 나타나 있다.
이로부터, 제1실시예의 방사선 검출장치와 같이, 비정질 반도체 후막(1)의 표면을 캐리어 선택성 고저항막(1A)으로 덮도록 하면 연면방전을 충분히 저지할 수 있는 것을 알 수 있다.
또한, 도 6의 경우, 5kV의 바이어스 전압에서는 연면방전이 아직 생기지 있으며, 바이어스전압의 절대치가 BkV(예컨대, 5kV)의 경우, 전극 미형성영역의 폭(d)을 Bmm(예컨대, 5mm) 이상으로 하면 연면방전을 확실하게 저지할 수 있는 것을 알 수 있다. 더욱이, 방사선 비조사시에 바이어스전압이 상승하더라도 검출출력은 거의 0이며, 암전류가 충분히 억제되어 있는 것도 잘 알 수 있고, 바이어스전압의 상승에 상응하여 검출출력이 증가하고 있기 때문에, 높은 바이어스전압을 걸면 충분한 검출감도를 얻을 수 있는 것도 알 수 있다.
(제2실시예)
도 8은 제2실시예에 관한 방사선 검출장치의 방사선 센서부의 구성을 나타내는 개략 단면도, 도 9는 제2실시예 장치의 방사선 센서부의 평면도, 도 10은 제2실시예 장치의 방사선 검출유닛에 있어서의 검출동작의 상황을 나타내는 설명도이다.
제2실시예의 방사선 검출장치는 도 8∼도 10에 나타낸 바와 같이, 비정질 반도체 후막(1)과 전압 인가전극(2)의 사이에 제1실시예의 경우의 p형과는 반대인 도전형의 n형 캐리어 선택성 고저항막(1B)이 형성되어 있는 동시에, 도 8에 나타낸 바와 같이 전압 인가전극(2)에는 정(正)의 바이어스전압(VA)이 인가되는 구성으로 되어 있는 것 이외에는, 앞의 제1실시예의 장치와 동일한 장치이기 때문에, 상이한 점만을 설명하고 동일한 점의 설명은 생략한다. 또한, n형 캐리어 선택성 고저항막(1B)은, 바람직하게는 표면저항(시트저항)108 /이상이며, 막두께가 0.01∼
10㎛(통상 0.1㎛ 전후)이며, CdS, CeO2등의 막이 적당하다.
제2실시예 장치에 의해 방사선 검출을 할 경우에는 도 10에 나타낸 바와 같이, 방사선의 입사에 의해 생성하는 캐리어 중 전자(e)를 비정질 반도체 후막(1)의 표면쪽의 전압 인가전극(2)으로 향하여 이동시키는 극성인 정(正)의 바이어스전압
(+VA)이 전압 인가전극(2)에 인가된 상태로 검출대상의 방사선을 입사시킨다.
한편, n형 캐리어 선택성 고저항막(1B)의 캐리어 선택성에 의해, 방사선 검출에는 기여하지 않고, 암전류분(暗電流分)으로 되는 쪽의 정공(h)의 주입은 저지되어 암전류가 낮게 억제됨과 동시에, 방사선 검출에 기여하는 쪽의 전자(e)의 주입은 저지되지 않고 신호응답성은 저하하는 일이 없이 유지된다. 또한, 비정질 반도체 후막(1)의 고 비저항(比抵伉)에 의해 전자(e)에 의한 암전류도 낮게 억제되고
, 전체 암전류도 억제된다.
한편, 방사선 조사에 따라 생성하는 캐리어에 응하여 캐리어 수집전극(3) 쪽으로부터 방사선 검출에 기여하는(암전류분은 아니다) 전자(e)가 다량으로 주입되므로 검출감도는 충분하다. 그리고, 전자(e)의 생성·주입에 상응하여 캐리어 수집전극(3)쪽의 전하축 적용 콘덴서(Ca)에 전하가 축적되는 동시에, 전하 판독용의 스위치소자(4)의 온(ON)상태로의 이행에 따라 축적 전하가 스위치소자(4)경유로 방사선 검출신호로서 판독된 후, 전하-전압 변환기(5)에서 전압신호로 변환된다.
또한, 제2실시예의 방사선 검출장치의 경우도 도 9에 나타낸 바와 같이, 비정질 반도체 후막(1)의 표면은 전면적으로 캐리어 선택성 고저항막(1B)으로 덮여져 있어, 비정질 반도체 후막(1)이 습기 등으로 결정화하여 표면저항의 저하가 저지되는 것에 더하여, 전압 인가전극(2)의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막(1)의 끝 테두리 사이는 전 둘레가 전극 미형성영역(2A)으로 되어 있어, 전압 인가전극(2)의 주위는 표면저항이 높은 캐리어 선택성 고저항막(1B)으로 둘러 싸여진 형태로 되며 , 전압 인가전극(2)과 접지쪽과의 사이의 연면내압이 충분하기 때문에, 바이어스전압(VA)에 의한 연면방전이 일어나기 어렵게 되어 있다.
본 발명은, 상기 실시의 형태로 한정되는 것은 아니고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 실시예의 경우, 비정질 반도체 후막이 고순도 a-Se후막이 였으나, 본 발명에 있어서의 비정질 반도체 후막은 결정화 저지작용이 있는 As 또는 Te를 도프한 a-Se후막이나 Se계 화합물의 비정질 반도체 후막이어도 좋다.
(2) 실시예에 있어서, p형 캐리어 선택성 고저항막(1A)의 예로서, Sb2S3, SbTe, ZnTe, CdTe, AsSe, 또한, n형 캐리어 선택성 고저항막(1B)의 예로서, CdS, CeO2의 재료를 들었으나, 이것들의 고 저항막은 형성방법에 따라서 반대의 도전형을 나타내는 일이 자주 있으므로, 반듯이 이상의 조합으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대 n형 캐리어 선택성 고 저항막(1B)의 예로서, Sb2S3를 사용하더라도 좋다.
(3) 실시예의 경우, 전압 인가전극의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막의 끝 테두리 사이에 설치된 전극 미형성영역의 폭은 전 둘레에 걸쳐 동일한 치수였으나, 전극 미형성영역의 폭은 전 둘레에 걸쳐 동일치수일 필요는 없이 곳에 따라 차이가 있어도 무방하다. 단, 전극 미형성영역의 폭에 차이가 있는 경우, 장치 전체로서의 연면내압은 전극 미형성영역의 폭이 짧은 곳의 연면내압에 의해 정해지게 된다.
(4) 실시예의 경우, 다수개의 검출소자(DU)가 종횡으로 배열된 2차원 어레이구성이 었으나, 복수개의 검출소자(DU)가 종 또는 횡으로 1열만 늘어서 있는 라인센서 구성의 장치나 검출소자(DU)가 1개뿐의 구성인 장치도, 변형예로서 들 수 있다.
(5) 본 발명의 방사선 검출장치가 검출대상으로 하는 방사선도 X선으로 한하지 않고 모든 방사선을 대상으로 하는 것이다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있으며, 따라서 발명의 범위를 나타내는 것으로서 이상의 설명은 아니고 부가된 청구의 범위를 참조하여야 할 것이다.
본 발명의 장치에 의하면, 방사선 감응형의 비정질 반도체후막의 표면쪽에 형성된 전압 인가전극에 바이어스전압을 인가해 두고, 검출대상의 방사선을 입사시킨다. 그렇게 하면 방사선의 입사에 의해 비정질 반도체후막에 생성한 전자·정공쌍(캐리어)에 상응하여 캐리어 수집전극쪽의 전하 축적용의 콘덴서에 전하가 축적되는 동시에, 전하 판독용 스위치소자의 온(ON)상태로의 이행에 따라 축적전하가 스위치소자를 경유하여 방사선 검출신호로서 판독된다,
그 결과, 방사선을 검출할 때 캐리어 선택성 고저항막의 캐리어 선택성에 의해서 캐리어(전자 또는 정공) 중의 방사선 검출에는 기여하지 않고 암전류분(暗電流分)으로 되는 쪽의 캐리어의 주입은 저지되어서 암전류가 낮게 억제되는 동시에, 방사선 검출에 기여하는 쪽의 캐리어의 주입은 저지되지 않아 신호 응답성은 저하하는 않고 유지된다.
또한, 비정질 반도체 후막의 표면은 전면적으로 캐리어 선택성 고저항막으로 덮어져 있으며, 비정질 반도체 후막이 습기 등으로 결정화하여 표면저항이 저하하는 것이 저지되는 것에 더하여, 전압 인가전극의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막의 끝 테두리 사이는 전 둘레가 전극 미형성영역으로 되어 있으며, 전압 인가전극의 주위는 표면저항이 높은 캐리어 선택성 고저항막으로 둘러싸여진 형태로 되며,전압 인가전극과 접지쪽 사이의 연면내압(沿面耐壓)이 충분하기 때문에 방사선 감응형의 비정질 반도체 후막의 바이어스전압에 의한 연면방전이 일어나기 어렵고, 높은 바이어스 전압을 걸어서 충분한 검출감도를 얻을 수 있다. ·
또한, 본 발명의 장치에 있어서 캐리어 수집전극을 2차원 매트릭스형상으로 다수개를 형성하는 동시에, 각 캐리어 수집전극마다 전하 축적용의 콘덴서 및 전하판독용의 스위치소자를 각각 설치하는 2차원 어레이구성으로 함으로써, 각 방사선 검출유닛마다 국소적인 방사선 검출을 할 수 있으므로, 방사선 강도의 2차원 분포측정이 가능하게 된다.
또한, 캐리어 선택성 고저항막의 도전형이 p형인 경우에, 부(負)의 바이어스전압과 p형의 캐리어 선택성 고저항막에 의해, 방사선 검출에는 기여하지 않고 암전류분(暗電流分)으로 되는 쪽의 전자 주입을 저지하는 한편, 방사선 검출에 기여하는 쪽의 정공의 주입을 허용하여 정체함이 없이 방사선을 검출할 수 있다.
더욱이, 캐리어 선택성 고저항막의 도전형이 n형인 경우에, 정(正)의 바이어스 전압과 n형의 캐리어 선택성 고저항막에 의해, 방사선 검출에는 기여하지 않고 암전류분(暗電流分)으로 되는 쪽의 정공의 주입을 저지하는 한편, 방사선 검출에 기여하는 쪽의 전자의 주입을 허용하여 정체함이 없이 방사선을 검출할 수 있다.
더욱이, 전극 미형성영역의 폭을 d로 하고 바이어스 전압의 절대치를 kV(킬로볼트)단위로 나타내었을 때의 수치를 B로 한 경우에, 바람직한 전극 미형성영역의 폭(d)은 Bmm∼3Bmm의 범위이다. 전극 미형성영역의 폭을 위에서 설명한 바람직한 범위 내로 함으로써, 바이어스전압에 의한 연면방전을 확실하게 억제할 수 있는정도의 충분한 절연내압을 확보할 수 있다. 그리고, 비정질 반도체 후막에 있어서의 유감면적(검출 가능영역의 면적)이 실질적으로 좁혀지는 경우가 없는 치수범위에 있으므로, 바이어스전압에 의한 연면방전이 보다 일어나기 어렵게 되는 동시에, 또 큰 면적화 적성(面積化適性)을 갖는 비정질 반도체 후막을 충분히 활용할 수 있다.
또한, 본 발명의 장치에 있어서 비정질 반도체 후막의 바람직한 막두께는 0.5mm∼1mm의 범위이다. 비정질 반도체 후막의 막두께를 위에서 설명한 바람직한 범위 내로 함으로써, 방사선이 그냥 지나치지 않아 방사선을 충분히 흡수할 수 있다. 또한, 바람직하게는 비정질 반도체 후막은 비정질·셀렌(a-Se)후막으로 형성되어 있다. 이 비정질·셀렌후막은 특히 검출영역의 큰 면적화에 대한 적성이 우수하다.
또한, 캐리어 선택성 고저항막의 바람직한 표면저항은 108 /이상이다. 캐리어 선택성 고저항막의 표면저항을 위에서 설명한 바람직한 값으로 함으로써, 표면저항이 높아져서 연면방전이 일어나기 어렵게 된다. 또, 캐리어 선택성 고저항막의 바람직한 막두께는 0.01㎛ ∼10㎛의 범위에 있다. 캐리어 선택성 고저항막의 막두께를 위에서 설명한 바람직한 범위 내로 함으로써 불필요한 캐리어의 주입을 저지할 수 있는 동시에, 필요한 캐리어의 주입을 충분히 허용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 방사선이 입사함으로써 전자·정공쌍인 캐리어가 생성되는 방사선 감응형의 반도체막의 표면쪽에 형성된 전압 인가전극에 바이어스전압이 인가되는 동시에, 반도체막의 이면쪽에 형성된 캐리어 수집전극에 전하 축적용의 콘덴서와 통상시 오프상태의 전하 판독용의 스위치소자가 접속되어 있어, 방사선 조사에 따라 콘덴서에 축적된 전하가 온상태로 이행한 스위치소자를 경유하여 방사선 검출신호로서 판독되도록 구성된 방사선 검출장치로서,
    상기 방사선 감응형의 반도체막이 비정질 반도체 후막이며;
    비정질 반도체 후막과 전압 인가전극의 사이에 비정질 반도체 후막의 표면을 전면적으로 덮도록 하여 캐리어 선택성 고저항막이 형성되어 있으며;
    전압 인가전극의 끝 테두리와 비정질 반도체 후막의 끝 테두리 사이에는 전극 미형성영역이 전 둘레에 걸쳐서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    캐리어 선택성 고저항막의 도전형이 p형이며, 전압 인가전극에 부(負)의 바이어스전압이 인가되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
  3. 제1항에 있어서,
    캐리어 선택성 고저항막의 도전형이 n형이며, 전압 인가전극에 정(正)의 바이어스전압이 인가되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
  4. 제1항에 있어서,
    전극 미형성영역의 폭을 d로 하고, 바이어스전압의 절대치를 kV(킬로볼트)단위로 나타내었을 때의 수치를 B로 하여, 전극 미형성 영역의 폭(d)이 Bmm∼3Bmm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
  5. 제1항에 있어서,
    캐리어 수집전극은 2차원 매트릭스형상으로 다수개가 형성되어 있는 동시에, 각 캐리어 수집전극마다 전하 축적용의 콘덴서 및 전하 판독용의 스위치소자가 각각 설치되어 2차원 어레이구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
  6. 제1항에 있어서,
    비정질 반도체 후막은 그 막의 두께가 0.5mm∼1mm의 범위로 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
  7. 제1항에 있어서,
    비정질 반도체 후막은 비정질·셀렌으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는방사선 검출장치.
  8. 제1항에 있어서,
    캐리어 선택성 고저항막은, 그의 표면저항이 108 /이상인 것을 특징으르하는 방사선 검출장치.
  9. 제1항에 있어서,
    캐리어 선택성 고저항막은, 그의 막 두께가 0.01㎛∼10㎛의 범위로 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출장치.
KR1020000049218A 1999-08-26 2000-08-24 방사선 검출장치 KR100356115B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24002699A JP3832615B2 (ja) 1999-08-26 1999-08-26 放射線検出装置
JP99-240026 1999-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010067103A KR20010067103A (ko) 2001-07-12
KR100356115B1 true KR100356115B1 (ko) 2002-10-12

Family

ID=17053373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000049218A KR100356115B1 (ko) 1999-08-26 2000-08-24 방사선 검출장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6495817B1 (ko)
EP (1) EP1079437B1 (ko)
JP (1) JP3832615B2 (ko)
KR (1) KR100356115B1 (ko)
CN (1) CN1148807C (ko)
DE (1) DE60033894T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451540B1 (ko) * 2001-10-22 2004-10-06 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 방사선 검출장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3678162B2 (ja) * 2001-04-12 2005-08-03 株式会社島津製作所 放射線検出装置
JP3775585B2 (ja) * 2002-02-08 2006-05-17 富士写真フイルム株式会社 画像記録媒体および製造方法
JP2005535067A (ja) * 2002-08-05 2005-11-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 単独材料で形成された対物レンズ系を含むスキャン装置
JP4269859B2 (ja) * 2003-09-10 2009-05-27 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP2005101193A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Shimadzu Corp 放射線検出器
US7928401B2 (en) 2006-06-14 2011-04-19 Fujifilm Corporation Radiation detecting system
JP5213005B2 (ja) * 2006-12-18 2013-06-19 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP2008227346A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Fujifilm Corp 放射線検出装置
JP5264291B2 (ja) * 2007-09-28 2013-08-14 富士フイルム株式会社 放射線検出器
JP2009175102A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Shimadzu Corp 直接変換型ｘ線フラットパネルセンサー
CN101577284B (zh) * 2008-05-09 2011-04-13 同方威视技术股份有限公司 用于测量辐射的半导体探测器及成像装置
CN102414580B (zh) * 2009-04-30 2015-07-22 株式会社岛津制作所 放射线检测器
KR101042047B1 (ko) * 2010-05-31 2011-06-16 주식회사 디알텍 리드 아웃 장치 및 이를 이용한 디지털 엑스선 검출장치
KR101042048B1 (ko) * 2010-05-31 2011-06-16 주식회사 디알텍 리드 아웃 장치 및 이를 이용한 디지털 엑스선 검출장치
US8053856B1 (en) * 2010-06-11 2011-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside illuminated sensor processing
US10267928B2 (en) * 2015-11-26 2019-04-23 Koninklijke Philips N.V. Dark current compensation
CN112083470B (zh) * 2020-09-02 2023-11-24 重庆中易智芯科技有限责任公司 一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4233514A (en) * 1978-12-14 1980-11-11 General Electric Company Solid state radiation detector and arrays thereof
US5101255A (en) * 1987-01-14 1992-03-31 Sachio Ishioka Amorphous photoelectric conversion device with avalanche
JPH04261071A (ja) * 1991-01-11 1992-09-17 Canon Inc 光電変換装置
DE4227096A1 (de) * 1992-08-17 1994-02-24 Philips Patentverwaltung Röntgenbilddetektor
US5986285A (en) * 1996-11-07 1999-11-16 Fuji Xerox, Co., Ltd. Group III-V amorphous and microcrystalline optical semiconductor including hydrogen, and method of forming thereof
JP4059463B2 (ja) * 1998-12-10 2008-03-12 株式会社島津製作所 放射線検出装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451540B1 (ko) * 2001-10-22 2004-10-06 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 방사선 검출장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001068656A (ja) 2001-03-16
DE60033894D1 (de) 2007-04-26
KR20010067103A (ko) 2001-07-12
CN1148807C (zh) 2004-05-05
EP1079437A3 (en) 2004-08-18
CN1286406A (zh) 2001-03-07
EP1079437A2 (en) 2001-02-28
DE60033894T2 (de) 2007-12-06
JP3832615B2 (ja) 2006-10-11
US6495817B1 (en) 2002-12-17
EP1079437B1 (en) 2007-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100356115B1 (ko) 방사선 검출장치
KR100451540B1 (ko) 방사선 검출장치
EP1933381B1 (en) Image signal readout method and apparatus, and image signal readout system
JP3678162B2 (ja) 放射線検出装置
JP4059463B2 (ja) 放射線検出装置
US6034725A (en) Semiconductor image sensor with an insulating barrier layer
US20150236062A1 (en) Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count
KR100598577B1 (ko) 방사선 검출기
US5780858A (en) Electromagnetic radiation imaging device using dual gate thin film transistors
EP1073267B1 (en) Radiation image pickup device
JP2010003766A (ja) 電磁波検出素子
JP4376350B2 (ja) ピクセル増幅器回路
KR960007482B1 (ko) 적층형 고체촬상장치
KR100642655B1 (ko) 방사선 검출장치
JP2010003849A (ja) 電磁波検出素子
JP2000111653A (ja) 放射線２次元検出器
JP2002009268A (ja) 放射線検出装置
JP3689619B2 (ja) 放射線撮像装置
CN117597781A (zh) 光接收装置、x射线成像装置和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130903

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150827

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee