KR100340457B1 - 원형이색성,광학회전및흡수스펙트럼측정방법및이색계 - Google Patents

원형이색성,광학회전및흡수스펙트럼측정방법및이색계 Download PDF

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Abstract

이색계 및 그에 따른 방법은 검출기의 광전기 전류의 제1 고조파에 따른 원형 이색성과, 제2 고조파에 따른 광학 회전과, 0의 고조파에 따른 투과도를 동시에 측정하는데 사용된다. 이색계는 광선 스위치(3)을 포함하며, 그로부터 두개의 나란한 광선, 즉 측정 광선(4) 및 기준 광선(5)이 방출되어 타원율 변조기(6) 및 원형 유니트의 교정중에 기준 광선(5)내에 위치하는 무색 위상 요소(9)를 통과한다. 또한, 이색계는 두개의 분석기, 즉 시료(7) 뒤의 측정 광선(4)내의 측정 분석기(8) 및 기준 광선(5)내의 기준 분석기(10)를 포함한다. 측정 분석기(8)는 변조기(6)와 마찬가지로, 45° 선회한 광학축을 갖는다. 기준 분석기(10)는, 측정중에, 측정 분석기(8)에 대해 단위각, 예를 들어 1° 선회한다.

Description

원형 이색성, 광학 회전 및 흡수 스펙트럼 측정방법 및 이색계
제 1 도는 이색계의 배치도.
제 2 도 내지 제 4 도는 제 1 도에 따른 평면 A 및 B에서의 편광의 여러 단계의 예시도.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
1. 소오스 2. 선형 편광기
3. 광선 스위치 4. 측정 광선
5. 기준 광선 6. 공동 타원율 변조기
7. 피측정 시료 8. 측정 분석기
9. 무색 사분파 위상 요소 10. 기준 분석기
11,12. 거울 13. 검출기
14. 교류 증폭기 15. 제1 단파장 범위 증폭기
16. 제2 단파장 범위 증폭기 17. 변조 전압 발생기
본 발명은 분광편광 방식에 의해 광학적으로 작용하는 자이로트로픽 물질의 원형 이색성, 광학 회전 및 흡수 스펙트럼을 측정하는 측정방법 및 그러한 방법을 수행하는 장치에 관한 것이다.
현재, 원형 이색성 스펙트럼은 분광기, 즉 광학 시스템을 수리한 후에 피검사 물질에 대해 광학 회전 및/또는 흡수 따위의 다른 공학적 성질을 측정하는데 사용될 수 있는 이색계에 의해 측정될 수 있다. 원형 이색성을 측정하기 위해서는, 장치는 적어도 파장이 알려진 광원과, 선형 편광계와, 타원율 변조기와, 고정기구 및/또는 피검사 물질의 측정 시료와, 검출기를 포함하여야 한다. 동일한 장치를 이용하여 광학 회전을 측정하기 위해서는, 검출기의 앞에, 편광면을 전송하여 광선 진폭을 변화시키는 분석기를 설치할 필요가 있다. 흡수 측정을 위해서는, 광학 시스템으로부터, 편광요소, 다시 말해 편광기, 타원율 변조기 및 분석기를 제거하는 것이 좋다.
실제로, 이것은 현재 공지된 이색계를 활용하는 방법에 의해, 상기 언급한 세 가지 광학적인 성질을 동시에, 즉 실시간으로 측정할수 없음을 의미한다. 특히, 화학적 반응이 일어나는 동안 피검사 물질의 성질 및 성분이 급격히 변하는 경우 또는 예를 들어 히알루로니다아제 따위의 비안정 유기물질을 측정하는 경우에는 이용하기 힘들다.
현재의 이색계의 다른 결함은, 실제로 예를 들어 간격이 300 내지 600 nm인 폭넓은 스펙트럼 범위에서 일정한 원형 이색성을 보여주는 에탈론 물질을 활용할 수 없기 때문에, 원형 이색성의 대응하는 유니트를 결정하기 위한 기준 광선을 활용할 수 없다는 것이다. 이러한 사실에 의해, 현재 공지되어 있는 이색계로 수행되는 측정 정밀도는 제한된다.
본 발명의 과제는 상기한 결점을 사실상 제거하고, 현재 공지된 이색계를 변형시킨 후에 실시간으로 그리고 허용되는 폭넓은 스펙트럼 간격으로 원형 이색성, 광학 회전 및 흡수 스펙트럼을 동시에 측정할 수 있는 측정방법을 제공하는데 있다.
상기한 과제는, 걸정된 파장에 기초하여 측정 시스템을 예비교정하고 고조파 분석에 의해 확인된 단위값을 결정한 후에 광학적으로 작용하는 물질 및 분석기를 통과한 후 타원율이 변조된 측정 광선의 편광상태를 측정하고, 측정된 광선의 진폭의 변화를 전기 신호로 변환시키는 광학적으로 작용하는 물질의 투광도, 원형 이색성 및 광학회전을 측정하는 방법에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 방법은 측정된 광학적으로 작용하는 물질의 투광도, 원형 이색성 및 광학 회전에 대응하는 0의 고조파, 제1 고조파 및 제2 고조파 성분을 분류하며, 제1 고조파 성분의 주파수는 변조주파수에 대응하고, 이렇게 결정된 고조파 성분의 진폭은 교정에 의해 달성된 개개의 단위값과 비교되는 것을 특징으로 한다.
기준 광선으로서 제2 광선을 형성하는 이중 광선 장치를 사용하는 본 발명에 따른 방법에 있어서, 기준 광선은 측정 광선과 동일하게 교정되고 변조되며, 기준 광선의 진폭의 변화는 전기신호의 변화로 변환되거나 측정 광선 진폭의 대응하는 변화로 변환되고, 두 광선, 즉 측정 광선 및 기준 광선의 교대의 주파수는 변조주파수보다 적어도 10배 이상 작은 것을 특징으로 한다.
공지된 파장의 광원, 선형 편광기, 변조 전압 발생기에 연결된 타원율 변조기, 피측정 시료, 분석기 및 전자기 방사 검출기에 의해 형성되고, 출구가 본 발명에 따른 적어도 두개의 단파장 범위 증폭기에 연결되는 이색계에 있어서, 입사 광선내의 선형 편광기의 후방에 광선 스위치가 위치하고, 그 뒤에는 두개의 광선, 즉 측정 광선 및 기준 광선이 형성되어 있고, 측정 광선의 경로 내에는 측정 광선의 타원율 변조기가 또한 위치하고, 변조 전압 발생기 및 측정 분석기에 연결되어 있고, 측정 분석기의 광학축은 선형 편광기의 광학축에 대해 45°의 각도로 향하고 있고, 그 사이에는 피측정 시료가 놓이고, 기준 광선의 경로 내에는 기준 광선의 타원율 변조기가 또한 위치하고, 그 광학축은 선형 편광기의 광학축에 대해 45°의 각도로 향하고 있고, 상기 기준 광선의 경로내에는 적어도 기준 분석기가 위치하고, 그 광학축은 선형 편광기의 광학축에 대해 45° ± 단위각 α의 각도로 향하고 있고, 측정 광선 및 기준 광선의 경로내에는 광학 요소, 바람직하게는 출구가, 교류 증폭기, 타원율 변조기의 주파수에 대응하는 작업 주파수를 갖는 제1의 단파장 범위의 증폭기 및 타원율 변조기의 주파수의 두 배에 대응하는 작업 주파수를 갖는 제2의 단파장 범위의 증폭기로 한 조를 이루는 증폭기에 연결되는, 전자기 방사 검출기 위의 광선의 방향을 변경시키는 거울이 배치되고, 측정 광선 및 기준 광선의 경로 내에는 광선 차단기가 또한 위치한다. 단위각은 ±0.1° 내지 140°의 값을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 광선 차단기는 입사 광선의 스위치의 일부를 형성할 수도 있고, 측정 광선의 타원율 변조기 및 기준 광선의 타원율 변조기는 공동 타원율 변조기로서 형성될 수도 있다.
최종적으로, 본 발명에 따라, 입사광선의 소오스는 단색화 장치에 의해 형성될 수도 있다.
본 발명의 측정방법 및 이색계는, 상기한 세 가지 광학적인 처리, 즉 원형 이색성, 광학 회전 및 흡수를 실시간으로 동시에 측정할 수 있고 실제의 피검사 물질에 대해 광학적 성질을 측정할 수 있기 때문에, 현재의 기술단계에서 진일보한 것이다. 본 발명의 또 다른 장점은 폭넓은 파장에 걸쳐서 연속적으로 측정할 수 있다는 것이다.
이하, 첨부도면을 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제1도에 따른 이색계는, 입사 광선(100), 즉 조정 가능한 파장을 갖춘 레이저 또는 단색 광선의 소오스(1), 예를 들어 단색화 장치에 의해 형성된다. 입사 광선(100)은 선형 편광기(2)를 통과하고, 예를들어 반투과 및 반사거울의 조합에 의해 형성된 광선 스위치(3)로 도입된다. 광선 스위치(3)의 뒤에는 차단기(30), 예를 들어 전자적으로 제어되는 회전 요소 -초퍼가 위치한다. 차단기(30)로부터 출구 광선은 교대로 측정 광선(4) 또는 기준 광선(5)으로서 나간다. 교대는 사전 조정된 스위칭에 의해 수행된다.
측정 광선(4)은 측정 광선의 타원율 변조기(64), 그 파라미터가 측정되는 용액을 갖춘 측정된 시료, 예를 들어 공통 구성의 수정 편광기에 의해 형성되는 측정 분석기(8) 및 거울(11)을 통과하여 전자기 방사를 감지하는 센서, 예를 들어 광전자 멀티플라이어와 같이 편리한 광전기 센서일 수 있는 검출기(13)로 들어간다.
기준광선(5)은 측정 광선의 타원율 변조기(64)와 동일한 타원율 변조기(65)를 통과한다. 두 변조기는 공동 타원율 변조기(6)로서 실현되는 것이 바람직하다. 그런 다음, 기준 광선(5)은 비등방성 재료로 만들어진 방위가 상호 대향하는 쌍으로 된 판에 의해 형성될 수 있는 무색 사분파 위상 요소(9)를 통과한다. 이들 판 중 하나는 방사상으로 이동할 수 있으며, 교대로 기준 광선(5)내로 교대로 위치할 수 있다. 기준광선(5)은 측정 분석기(8)와 동일한 요소와 파라미터를 갖는 기준 분석기(10)를 또한 통과한다. 기준 분석기(5)를 빠져 나온 후에는, 측정 광선(4)과 마찬가지로, 전자기 방사 검출기(13) 위에서 거울(12)에 의해 그 방향이 변경된다.
검출기(13)의 출구(134,135,136)위에서, 교류 증폭기(14), 제1 단파장 범위 증폭기(15) 및 제2 단파장 범위 증폭기(16)가 한 조를 이루고 있다. 단파장 범위 증폭기(15,16)는 예를 들어 공동으로 연결된 동기 검출기로서 형성되고, 변조 전압 발생기(17)와 연결되며, 변조 전압 발생기로부터 낮은 주파수의 전압이 측정 및 기준 광선의 타원율 변조기(64,65) 또는 공동 타원율 변조기(6)를 제어하는데 사용된다. 제2 전압은 두 배의 주파수를 가지며, 제2 단파장 범위 증폭기(16)용으로 사용된다. 본 발명에 따라 구성되는 이색계가 적절히 기능하도록 하는데 필요한 조건중의 하나는 변조 전압 발생기(17)의 작업 주파수가 광선 차단기(30)의 작업 주파수, 즉 측정 광선(4) 및 기준 광선(5)의 방향으로 스위칭된 입사 광선(100)의 주파수보다 적어도 10배 이상이어야 한다는 것이다. 제1도에 있어서, 차단기(30)의 작업 주파수는 예를 들어 100Hz이고, 변조 전압 발생기(17)의 작업주파수는 50kHz이다.
제1도에 따른 이색계의 전체 시스템은, 본 발명에 속하는 않는 제어, 등록 및 평가장치(18)에 의해 완성되며, 필요한 소프트웨어가 갖추어진 제어 컴퓨터로 구성될 수도 있다.
제2도에는, 제1도에 따른 평면 A 에서, 즉 피측정 시료(7)의 전방에서 입사광선(100)의 편광의 공간 단계가 도시되어 있다. 대응하는 전기 벡터(41)는 변조 중에 타원형 또는 원형 및 그 반대의 형태로 변환된다. 선형 편광 상태는 측정 광선(4)의 타원율 변조기(64) 또는 기준 광선(5)의 타원율 변조기(65) 위에서 0의 전압 하에서의 편광상태에 대응한다.
제3도는 제1도에 따른 평면 B에서, 즉 피측정 시료(7)를 통과한 후의 선형 편광 입사 광선(40)의 전기 벡터(41)의 위치를 보이고 있는 것으로, 이 경우에는 광학 회전만을 보여주고 있다. 제4도는 전기 벡터(41)의 위치 및/또는 상태를 보여주고 있는 것으로, 이 경우에는 피측정 시료가 원형 이색성 만을 보여주고 있다. 제4도를 통해 알 수 있는 바와 같이, 왼쪽으로 회전하는 성분(421) 및 오른쪽으로 회전하는 성분(422)의 진폭은 서로 다른 피측정 물질의 물리적 성질에 기인한다. 이 결과, 피측정 시료(7)로부터 출구에서 간섭이 일어난 후에 전기 벡터는 타원형을 형성한다. 이는 제4도에서 점선으로 도시되어 있다. 피측정 시료(7)가 원형 이색성은 물론 광학 회전을 보여주는 경우, 결과적으로 얻어지는 타원형의 축은 특정 각도 p만큼 선회하고, 타원율은 그 법선이 제4도에 도시한 바와 같은 작은 반축(442) 및 큰 반축(441)의 비율에 의해 결정되는 각도 Ψ에 의해 결정된다. 피측정 시료(7)가 항상 흡수를 나타낸다는 사실로 인해, 제1도에 따른 평면 B에서의, 즉 피측정 시료(7) 뒤의 대응하는 벡터의 진폭은 평면 A에서의, 즉 피측정 시료(7) 앞의 동일한 벡터의 대응하는 진폭보다 작다.
광학 파라미터 값의 측정은 측정 분석기(8) 앞의 측정 광선(4) 및 제1도에 따른 기준 분석기(10) 앞의 기준 광선(5)의 비교에 기초한다.
측정 광선(4)은, 예를 들어 측정 광선(4)의 타원율 변조기(64)를 통과한 후에, 제2도에 도시한 바와 같이, 타원율이 변조된다. 피측정 시료(7)가 세 가지 측정 파라미터, 즉 흡수, 원형 이색성 및 광학회전을 보이는 경우, 광선의 전기적인 성분의 강도 및 진폭이 측정된 파라미터의 값에 비례하여 변한다. 이들 변화는 선형 편광 측정 광선의 원래의 평면(400) 및 측정 분석기(8)의 대응하는 각 위치에 관련된다.
제2의 날개에서, 즉 기준 광선(5)내에서, 타원율 변조기(64)로부터 출구 상에서의 측정광선(4)과 동일하게 기준광선(5)의 타원율 변조기(65)로부터 출구에서 편광된다. 기준 분석기(10)는, 본 발명에 따라, 그 편광면이 측정 분석기(8)의 대응하는 편광면에 대해 사전 선택되고 조정된 결합된 각 α, 예를 들어 1° 정도 회전한다. 기준 광선(5)이 기준 분석기(10)를 통과한 후에, 검출기(13)의 출구(134,135,136)에서 피측정 물질의 흡수에 비례하는 0의 고조파 성분, 피측정 물질의 원형 이색성의 값에 비례하는 제1 고조파 성분 및 피측정 물질의 광학 회전에 비례하는 제2 고조파 성분을 포함하는 전기전류를 발생시킬 수 있도록, 측정광선(4) 및 기준광선(5)의 강도 I 가 변한다. 개개의 측정 성분은 측정 및 기준 광선의 변조기(64,65)의 변조 전압 발생기(17) 주파수에 대응하는 기본 고조파에 관련된다. 개개의 특정 고조파 성분의 진폭에 대해, 다음의 관계식이 성립된다.
0의 고조파인 경우 : I0= k0x τ
제1 고조파인 경우 : I1= k1x sin Ψ
제2 고조파인 경우 : I2= k2x sin ρ
여기서, τ = 피측정 물질의 투과 계수
Ψ = 1/2 arcsin(τR-τL/ τR+τL)
ρ = 1/2(δR- δL)
τR, τL- 원형 편광 광선 R 및 L의 투과 계수
δR, δL- 광선 R 및 L의 위상 이동
Ψ -원형 이색성에 의해 야기된 타원율
ρ -광학 회전에 의해 야기된 편광면의 회전
계수 k0, k1및 k2는 다음과 같이 측정 전에 교정에 의해 측정 시스템의 상수로서 결정된다.
계수 k0는, 제1도에 따른 피측정 시료(7)가 투과율 τ = 1을 갖는 물질, 예를 들어 측정 광선(4)의 폐쇄에 의해 모의 실험될 수 있는, 투과율 τ = 0을 갖는 물질에 의해서 보다는 증류수에 의해 채워지는 경우에, 광전기 전류의 차에 의해 결정된다.
계수 k1를 측정하기 위해, 측정 분석기(8)에 앞서, 전기 벡터(40)의 평면에 대해 45° + α의 각도로 향하는 측정 분석기(8)와 함에 값 Ψ =α의 측정 광선(4)의 타원율을 야기하는 에탈론 무색 이색성 물질의 존재를 모의 실험하는 전기 벡터(41)의 평면에 대해 45°의 각으로 향하는 무색 사분파 위상 요소(9)가 측정광선(4)내에 설치된다. 값 Ψ는 입사 광선(100)의 소오스(1)의 파장과는 무관하다. 값 k1은 45°의 각에서 또는 선택된 단위각, 즉 1°만큼 회전한 후에, 측정 분석기(8)의 방위 아래에서 광전기 전류의 값의 차로부터 결정된다. 간격 ± 45° 내지 ± 45°의 단위각에서 선택되는 것이 바람직하다. 이와 유사하게, 무색 사분파 위상 요소(9)의 제거 후에 계수 k2가 결정된다.
동일하게, 기준 광선(5)에 대응하는 비례계수 k0, k1및 k2를 측정하는 것이 가능하다. 모든 비례계수는 평가장치(18)에 등록된다. 예를들어 단색의 입사 광선(100)의 소오스(1)로서 단색계를 사용하여 몇몇 파장을 측정하는 동안, 모든 요구되는 파장에 대해 유사하게 계수 k0, k1및 k2가 결정된다.
첫 번째의 설치 및/또는 주기적인 시험 측정 후에 수행되는 교정이 완료되면, 무색 사분파 위상 요소(9)가 광학 경로에서 제거되고, 기준 분석기(10)는 언급된 단위각만큼 회전한 상태로 유지된다. 측정 분석기(8)는 원래의 위치 α = 0° 로 복귀한다.
피측정 시료(7)의 측정 중에는, 광선의 차단기(30)로 인해, 0 고조파, 측정 및 기준 광선의 진폭이 비교되어, 피측정 시료(7)의 투과 계수τ를 달성할 수 있게 되며, 동시에 측정 광선(4)에 대응하는 제1 및 제2 고조파의 진폭은 기준 광선(5)에 대응하는 제2 고조파의 단위 진폭과 비교되어, 원형 이색성 및 광학 회전의 값을 받아들일 수 있게 된다. 기준 광선(5)의 제1 및 제2 고조파의 비율은 교정중에 획득되었고, 교정 중에 평가장치(18)에 의해 기억되고 등록된다.
예를 들어, 측정 광선(4)과 동일한 방식에 의해 공동 타원율 변조기(6)에 의해 변조되는 것이 바람직한 기준 광선(5)의 활용에 의해, 소오스(1), 공동 타원율 변조기(6)의 변동과, 검출기(13)의 타원율, 감도 및 이 변동에 의한 전체의 연결된 전자체인이 제거됨으로써, 흡수, 원형 이색성 및 광학 회전의 측정의 높은 재현을 달성할 수 있다. 공동 타원율 변조기(6)의 안정성은, 측정 중에, 0및 제2 고조파 진폭의 기준 광선(5) 비율의 연속적인 확인에 의해 연속적으로 보장된다.
높은 측정 정밀도는 측정 분석기(8) 및 기준 분석기(10)의 회전을 위한 마이크로메트릭 나사의 정밀도에 의해 주어진다. 원형 이색성측정 정밀도의 증가는 무색 사분파 위상 요소(9) 및 원형 이색성의 비교기로서 활용되는 무색 사분파 위상 요소(9)의 존재 하에 놓일 수 있는 기준 분석기(101)의 조합에 의해 무색 단위 에탈론의 모의실험에 의해 달성된다. 이 경우, 이색계는 0의 보상방법에 의해 최대의 정밀도로 측정을 수행할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 광학적으로 작용하는 물질의 분광 편광 성질의 측정방법 및 이색계는, 흡수, 광학 회전 및 원형 이색성의 즉각적으로 이용할 수 있는 값을 가지고, 결정된 스펙트럼 범위로부터 선택된 파장의 측정을 실현할 수 있기 때문에, 자이로트로픽 물질의 연구, 즉 유기화학, 약리학, 생물리학, 생화학 등등의 영역에서 성공적으로 활용될 수 있다.

Claims (7)

  1. 결정된 파장에 기초하여 측정 시스템을 예비교정하고 고조파 분석에 의해 확인된 단위값을 결정한 후에 광학적으로 작용하는 물질 및 분석기를 통과한 후 타원율이 변조된 측정 광선의 편광상태를 측정하고, 측정된 광선의 진폭의 변화를 전기 신호로 변환시키는 광학적으로 작용하는 물질의 투광도, 원형 이색성 및 광학 회전을 측정하는 방법에 있어서, 측정된 광학적으로 작용하는 물질의 투광도, 원형 이색성 및 광학 회전에 대응하는 0의 고조파, 제1 고조파 및 제2 고조파 성분을 분류하며, 제1 고조파 성분의 주파수는 변조주파수에 대응하고, 이렇게 결정된 고조파 성분의 진폭은 교정에 의해 달성된 개개의 단위값과 비교되는 것을 특징으로 하는 측정방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 기준 광선으로서 제2 광선을 형성하는 이중 광선 장치의 사용에 의해, 기준 광선(5)이 측정 광선(4)과 동일하게 교정되고 변조되며, 기준 광선(5)의 진폭의 변화는 전기신호의 변화로 변환되거나 측정 광선(4) 진폭의 대응하는 변화로 변환되고, 두 광선, 즉 측정 광선(4) 및 기준 광선(5)의 교대되는 주파수는 변조주파수보다 적어도 10배 이상 작은 것을 특징으로 하는 측정방법.
  3. 공지된 파장의 광원, 선형 편광기, 변조 전압 발생기에 연결된 타원율 변조기, 피측정 시료, 분석기 및 전자기 방사 검출기에 의해 형성되고, 출구가 본 발명에 따른 적어도 두개의 단파장범위 증폭기에 연결되는 제2항에 따른 방법을 제공하는 이색계에 있어서, 입사 광선(100)내의 선형 편광기(2)의 후방에 광선 스위치(3)가 위치하고, 그 뒤에는 두개의 광선, 즉 측정 광선(4) 및 기준 광선(5)이 형성되어 있고, 측정 광선(4)의 경로 내에는 측정 광선(4)의 타원율 변조기(64)가 또한 위치하고, 변조 전압 발생기(17) 및 측정 분석기(8)에 연결되어 있고, 측정 분석기의 광학측은 선형 편광기(2)의 광학축에 대해 45°의 각도로 향하고 있고, 그 사이에는 피측정시료(7)가 놓이고, 기준 광선(5)의 경로 내에는 기준 광선(5)의 타원율 변조기(65)가 또한 위치하고, 그 광학축은 선형 편광기(2)의 광학축에 대해 45°의 각도로 향하고 있고, 상기 기준 광선(5)의 경로내에는 적어도 기준 분석기(10)가 위치하고, 그 광학축은 선형 편광기(2)의 광학축에 대해 45° ± 단위각 α의 각도로 향하고 있고, 측정광선(4) 및 기준 광선(5)의 경로 내에는 광학 요소, 바람직하게는 출구가, 교류 증폭기(14), 타원율 변조기(64,65)의 주파수에 대응하는 작업 주파수를 갖는 제1의 단파장 범위 증폭기(15) 및 타원율 변조기(64,65)의 주파수의 두 배에 대응하는 작업 주파수를 갖는 제2의 단파장 범위 증폭기(16)로 한 조를 이루는 증폭기에 연결되는, 전자기 방사 검출기(13) 위의 광선의 방향을 변경시키는 거울(11,12)이 배치되고, 측정 광선(4) 및 기준 광선(5)의 경로 내에는 광선 차단기(30)가 또한 위치하는 것을 특징으로 하는 이색계.
  4. 제 3 항에 있어서, 단위각은 ±0.1° 내지 ±40°의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 이색계.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 광선 차단기(30)는 입사광선(100)의 광선 스위치(3)의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 이색계.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 측정 광선(4)의 타원율 변조기(64) 및 기준 광선(5)의 타원율 변조기(65)는 공동 타원율 변조기(6)로서 형성되는 것을 특징으로 하는 이색계.
  7. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 입사광선(100)의 소오스(1)는 단색화 장치에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이색계.
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