KR100338846B1

KR100338846B1 - 가공밀착성및내식성이우수한표면처리알루미늄재와그의제조방법

Info

Publication number: KR100338846B1
Application number: KR1019960022618A
Authority: KR
Inventors: 노부요시 시미즈; 야스히꼬 나까가와; 아쓰오 다나까; 쓰네오 이누이
Original assignee: 도요 고한 가부시키가이샤
Priority date: 1996-06-20
Filing date: 1996-06-20
Publication date: 2002-11-30
Also published as: KR980002307A

Abstract

[목적] 가공밀착성 및 내석성이 우수한 알루미늄재를 제공하는 것.

[구성] 알루미늄재의 적어도 편면 표면에 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성시킨 것을 특징으로하는 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재.

Description

가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재와 그의 제조방법{SURFACE TREATED ALUMINUM MATERIAL EXCELLENTT INWORKING ADHESION AND CORROSION RESISTANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR}

본 발명은 캔 제조용의 띠판형상 (帶板狀) 알루미늄 또는 알루미늄 합금재료의 표면처리에 관한 것이다. 상세하게는, 디프드로잉 캔이나 건식 드로잉 아이어닝 (ironing) 캔 등의 심한 가공후에도 도료나 필름과의 밀착성이 우수하고, 또한 내식성이 우수한 알루미늄판에 관한것이다.

알루미늄 합금의 표면처리방법에는 크로메이트 처리, 인산크로메이트 처리, 인산아연 처리, 양극산화 처리, 베마이트 처리 등이 있으며 자동차용, 건재용, 캔용의 용도별로 구분하여 사용되고 있다. 캔용으로는 인산크로메이트 처리계가 주류이며, 2피스 캔의 몸체와 덮개에서는 상이한 처리액을 사용하고 있다. 이들의 방법은 모두 침지 크로메이트 처리이며, 도료밀착성 및 내식성이 우수한 도장전(塗裝前)처리로서 적용된다.

이들의 침지 크로메이트 처리는 도장후의 심한 가공을 전제로 하고 있기 때문에, 예를 들면, 디프드로잉 캔이나 드로잉 아이어닝캔 등과 같이 도료나 필름을피복하여 캔으로 성형하는 성형법에는 적용할 수 없다. 침지크로메이트 처리보다도 도료 밀착성이 우수한 전처리 피막을 전해 크롬산 처리법에 의해 생성하는 시도가 있고, 예를 들면, 일본국 특개평 5-179488에 개시된 바와 같이, 황산을 함유하는 크롬산 용액 중에서 저전류 밀도로 음극 전해하여 무색 크로메이트 피막을 생성시키는 방법이 있지만, 이 피막도 금속크롬층이 없기 때문에 충분한 가공밀착성이 없고, 필름 박리나 몸체의 파손이 생겨 전술한 성형법에서는 적용할 수 없다. 필름과의 밀착성은 가장 중요한 인자이며, 가령 성형이 되더라도 가공 후의 밀착력이 불충분하면 내용물 충전후의 언더 필름 내 (耐) 부식성이 없기 때문에, 부식성이 강한 내용물은 충전할 수 없다.

이상과 같이 디프드로잉 캔이나 건식드로잉 아이어닝 캔의 성형에 추종할 수 있을 때까지, 도료 또는 필름과의 밀착성을 표면처리에 의해 향상시킨 알루미늄재는 아직 발견되어 있지 않다. 또 이와 같은 성형가공 후에 내용물을 충전하여 언더 필름 내부식성을 갖는 표면 처리를 실시한 알루미늄재는 아직 발견되어 있지 않다, 본 발명의 목적은 가공밀착성 및 내식성이 우수한 알루미늄재를 제공하는데 있다.

본 발명의 표면처리알루미늄재는 알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면에 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성지킨 것을 특징으로 한다.

또 본 발명의 표면처리 알루미늄재는 알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을 무수크롬산 10 g/ℓ이상과, 불화물이온을 0.2 g/ℓ이상 함유하는 전해액을 사용하여, 음극에 있어서의 전해전류 밀도를 10 ∼ 300 A/dm²로 음극 전해처리하여 3 ∼ 200㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성시켜서 이루어진다.

또 본 발명의 표면처리 알루미늄재는 알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을 무수크롬산 10 g/ℓ이상과 불화물이온을 0.2 g/ℓ이상을 함유하는 전해액을 사용하여 음극에 있어서의 전해전류밀도를 30 ∼ 200 A/dm²로 음극 전해처리하여 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성시켜 이루어진다.

또한 본 발명의 표면처리 알루미늄재는 알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을 무수크롬산 10 g/ℓ이상과, 불화물이온을 0.2 g/ℓ이상과, 황산이온 2 g/ℓ이하를 함유하는 전해액을 사용하여, 음극에 있어서의 전해전류밀도를 30 ∼ 200 A/dm²로 음극전해처리하여 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 르롬수화산화물 피막을 형성시켜서 이루어진다.

그리고 본 발명의 표면처리 알루미늄재는, 알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을 무수크롬산 10 g/ℓ이상과, 황산이온 0,2 ∼ 5 g/ℓ을 함유하는 전해액을 사용하여, 음극에 있어서의 전해전류밀도를 30 ∼ 200 A/dm²로 음극전해처리하여 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성시켜 이루어진다.

이하, 본 발명의 한정이유, 작용 등에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은, 알루미늄재의 도장후 또는 필름적층후의 밀착성을 디프드로잉 캔이나, 건식드로잉 아이어닝 캔의 성형에 추종할 수 있을 때까지 향상시켜서, 원판 두께의 20 ∼ 40 %까지 가공되는 디프드로잉 캔이나 40 ∼ 70 % 정도까지 박육화 (薄肉化)되는 드로잉 아이어닝 캔의 성형을 가능하게 한 것이다.

알루미늄재의 화학조성은,캔의 형상과 사용되는 재료의 기계적 성질에 따라 결정되지만, 통상의 2 피스 Dl [Drawn and Ironned] 캔이나 DRD [Drawn and Redrawn]캔에 사용되는 것으로 층분하며, 특별히 한정하지 않는다 알루미늄을 주성분으로 하는 것이면 이에 망간이나 마그네슘 등을 첨가한 알루미늄 합금 조성이어도 좋다.

알루미늄재를 사용한 DI 캔에서 밀착성의 문제는 없고, 디프드로잉 캔이나 건식드로잉 아이어닝 캔에서 밀착성의 문제가 생기는 이유를 간단히 설명한다. DI 캔은 수용성 윤활제를 사용한 드로잉 아이어닝 가공에 의해 캔이 제조되고, 캔 벽 두께가 원판 두께의 1/3 정도까지 감소하는 가공을 받는다. 캔 제조후, 세정 ·건조하고, 내용물에 대한 내식성을 지니게 하기 위하여, 캔의 내면측은 분무도장된다. 즉 DI 캔에서는 가공후에 도장되고, 도장후의 가공은 넥킹, 시임(seam) 정도로 그다지 심한 가공을 받지 않는다. 한편, 도장한 강판이나 알루미늄 합금판을 수용성 윤활제를 사용하지 않고, 디프드로잉하는 DTR 캔이나, 근래, 폴리에스테르 필름을 적층한 강판을 사용한 DTR [Draw-Thin/Redrawl] 캔의 경우는 도료나 필름을 금속판에 피복후에 심한 디프드로잉 가공을 받게된다. 또 DTR 캔의 벽 두께를 원판 두께의 40 ∼ 70 % 까지 수용성 윤활제를 사용하지 않고 박육화하는 드로잉 아이어닝 가공에서는 더욱 심한 가공을 받으므로, 보다 한층의 가공밀착성이 요구된다.

다음에, 가공 밀착성에 미치는 금속크롬의 작용에 관하여 설명한다. 알루미늄 및 알루미늄합금의 표면은 안정하고 치밀한 산화피막을 형성하기 쉽지만, 이 산화피막은 도료나 필름의 밀착성이 나쁘다. 산화피막을 알칼리용액 중에서 제거후에 또는 산화피막 위에서, 전술한 바와 같이 크로메이트 처리, 인산크로메이트 처리, 인산아연처리, 양극산화처리, 베마이트 처리 등이 실시되고 있다. 이들의 침지 크로메이트 처리는, 도장후의 심한 가공을 전제로 하고 있지 않기 때문에, 예를 들면, 디프드로잉 캔이나 드로잉 아이어닝 캔 등과 같이 도료나 필름을 피복하여 캔을 제조하는 성형법에는 적용할 수 없다. 또 침지 크로메이트 처리보다도 도료 밀착성이 우수한 전처리피막을 전해크롬산 처리법에 의해 생성하는 방법으로서, 황산을 함유하는 크롬산용액중에서 저전류밀도로 음극 전해하여 무색 크로메이트 피막을 생성시키는 방법이 있지만, 이 피막도 금속크롬층이 없기 때문에 충분한 가공밀착성이 없고, 전술한 성형법에는 적용할 수 없다. 금속크롬의 작용에 대해서는 반드시 명확히 되어 있지 않지만, 다음과 같이 추정된다. 알루미늄은 산화막을 생성하기 쉽고, 도장가열이나 필름 적층에 의해 산화막을 용이하게 형성한다 이 산화막은 취약한 층으로 응집력이 없고, 가공에의해 용이하게 파괴되어, 밀착성 열화의 직접적인 원인으로 된다. 그래서 산화막의 제거와 성장방지를 위하여 금속크롬과 크롬수화산화물로 이루어지는 후처리층을 생성시키면, 도료 밀착성이 향상된다고 추측된다. 또 알루미늄의 산화막 두께가 얇은때는 취약한 산화막에서의 파괴는 일어나지 않지만, 알루미늄 산화막과 크롬수화산화물의 접착성이 나쁘기 때문에 산화막 계면에서의 박리가 일어난다. 금속크롬은 알루미늄 산화막과 크롬수화산화물의 바인더로서의 작용이 있고, 산화막 끼리의 계면박리를 방지할 수가 있다고 추측된다. 언더필름 내부식성에 미치는 금속크롬의 작용에 관해서도, 가공후의 도료나, 필름과의 밀착성이 지배적이며, 밀착성이 불충분하게 되면 내용물을 충전후의 음극 층간박리를 방지할 수 없다. 전술한 바와 같이 금속크롬층은 산소의 확산을 방지하거나 산화물끼리의 바인더로서의 역할이 있기 때문에 최저 3 ㎎/㎡ 는 필요하다. 밀착성을 손상시키는 금속크롬의 상한은 없지만, 색조의 변화와 경제적 효과때문에, 상한은 200 ㎎/㎡ 로 규정된다.

알루미늄재의 표면에 금속크롬을 생성시키는 방법은, 무수크롬산 10 g/ℓ이상에서 불화물 이온을 0.2 g/ℓ이상 함유하는 전해액을 사용하고, 전류밀도 10 ∼ 300 A/dm²에서 음극 전해처리하는 것이 바람직하다. 금속크롬의 석출을 확실하게 하려면, 보다 바람직하게는 전류밀도 30 ∼ 200 A/dm²에서 음극 전해처리하는 것이 바람직하다. 또한 욕중에 2 g/ℓ까지의 황산을 첨가하더라도 전류밀도가 30 A/dm²이상에서는 금속 크롬이 전착함으로 문제가 없다. 또,불화물이온 대신에 황산만을 첨가한 욕을 사용하는 경우는, 황산농도를 0.2 ∼ 5 g/ℓ의 범위로 한정하여, 30 A/dm²이상의 고전류밀도로 전해하면 금속크롬이 전착함으로 가급적 높은 전류밀도로 전해하는 것이 바람직하다.

무수크롬산을 10 g/ℓ이상으로 규정한 것은 이보다 저농도로 되면 전해시의 욕저항이 커져 전기의 낭비가 생기기 때문이다. 불화물 이온농도는 0.2 g/ℓ이하로 되면 금속크롬이 석출되지 않게되므로 하한을 이 값으로 하였다. 전류밀도는 10A/dm²이하에서는 금속크롬은 석출되지 않고, 10 ∼ 25 A/dm²에서는 금속크롬이 석출은 되지만 효율이 극단적으로 낮기 때문에 금속크롬이 거의 석출되지 않고, 또 석출랑의 콘트롤이 어렵다. 따라서, 전류밀도의 하한을 10 A/dm²로 하였지만, 보다 바람직하게는 30 A/dm²이다. 또 300 A/dm²를 초과하면 욕전압이 지나치게 높아져서 전기의 낭비가 발생한다.

황산을 첨가한 욕에서는, 첨가량에따라 금속크롬의 전착에 필요한 전류밀도가 높아지는 경향이 있어, 불화물이온의 작용이 약해지기 때문에 황산첨가량의 상한을 5 g/ℓ로 하였다. 또, 황산만을 첨가한 욕에서는 황산농도를 0.2 ∼ 5 g/ℓ의 범위로 한정하지 않으면 금속크롬이 석출되는 전류밀도 범위가 없으므로, 이 범위로 한정하였다. 이들의 욕에서는 금속크롬이 석출은 되지만, 30 A/dm²이상의 고전류 밀도처리가 필수이다.

불화물이온은 금속염 또는 산의 형태로 첨가한다. 예를 들면, 불화수소산, 붕불화수소산, 규불화수소산, 산성불화칼륨, 불화칼릅, 불화나트륨, 불화암모늄, 붕불화나트륨, 규불화나트륨 등을 사용할 수가 있다.

처리액의 은도는 특정하는 것은 아니지만, 30 ∼ 60 ℃ 의 범위가 바람직 하다. 30 ℃ 이하에서는 전해에 의한 발열이 있기 때문에 냉각이 필요하게되어 비경제적이다. 마찬가지로 60 ℃ 이상에서는 온도유지를 위하여 가열이 필요하게 되어 비경제적이다. 마찬가지로 60 ℃ 이상에서는 온도유지를 위하여 가열이 필요하게되어 비경제적이다.

본 발명에 있어서의 바람직한 금속크롬 부착량은 3 ∼ 200 ㎎/㎡²이며, 크롬수화산화물량은 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡²이지만, 이 범위를 동시에 만족시킬 필요가 있다.

본 발명은 도장후 또는 필름 적층후의 심한 가공에 견딜 수 있는 밀착성 및 가공후의 내식성을 부여하기 위하여 알루미늄재의 표면에 금속크롬을 함유하는 후처리 피막을 형성시키는 것이지만, 도료로서는 에폭시계, 폴리에스테르계의 수지에 경화제로서 페놀, 아미노등을 첨가한 용제형 열경화성 도료가 이용된다. 또, 아크릴 등을 사용하여 수성화한 수성형 열경화성 도료도 적용할 수 있다. 이들의 도료는 가공성이 요구되기 때문에, 도료조성에 특별한 연구가 필요하다.

도료의 도포방법은 코일상의 알루미늄재에 코터를 사용하여 연속적으로 도포하여 건조, 베이킹하여 감는 방법이라도 좋고, 절단판의 상태에서 도포하여 베이킹하여도 좋다.

필름을 적용하는 경우는, 열가소성 수지가 적용가능하며, 폴리에스테르수지, 폴리카아보네이트수지, 폴리아미드수지 등을 들 수 있다. 폴리에스테르 수지는 여러가지 것을 사용할 수가 있지만, 구체적으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 에틸렌테레프탈레이트 단위를 주체로 한 공중합 플리에스테르 수지, 혹은 이들의 혼합물로 이루어지는 폴리에스테르 수지를 들 수가 있다.

상기한 폴리에스테르 수지를 강판에 피복하는 방법으로서, 강판의 양면에 직접 용융한 폴리에스테르 수지를 압출 적층하는 방법, 용융 압출 후, 통상의 방법에 따라 필름 성형한 미연신 혹은 연신 배향시킨 필름을 열융착에 의해, 또는 접착제를 매개로 하여 적층하는 방법 및 이들의 방법을 병용한 방법 등이 있으며, 어느 방법도 본 발명의 수지피복강판의 제조방법으로서 적용가능하다.

실시예

이하 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명한다.

실시예 1

알루미늄재 [JIS 기호 A5052]를 알칼리 탈지세정으로 표면을 깨끗이 한 후, 무수크롬산 30 g/ℓ, 불화나트륨 2 g/ℓ [불화물 이온으로서 0.90 g/ℓ]로 이루어지는 35 ℃ 의 전해액 중에서, 50 A/dm²의 전류밀도로 음극전해하고, 금속크롬 10 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로써 20 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이하의 요령으로 이 알루미늄재에 열가소성 수지 를 피복하였다. 먼저 이 알루미늄재를 240 ℃ 로 가열하여, 캔 내면측으로 되는 면에는 폴리에틸렌테레프탈레이트 88 몰 %, 폴리에틸렌이 소프탈레이트 12 몰 % 로 이루어지는 이축 연신한 공중합 플리에스테르 수지필름 [두께 : 25 μm , 면배향계수 : 0.126 [상하면 모두], 융점 : 229℃], 캔 외면측으로 되는 면에는 15중량%의 산화티탄안료를 첨가하여 백색으로 착색한 상기와 동일조성의 2축 연신한 공중합 폴리에스레르 수지필름 [두께 : 20 μm] 을 동시에 적층하고, 바로 수중에 침지냉각하였다. 적층후, 건조시켜, 그의양면에 파라핀계 왁스를 약 50 ㎎/㎡ 도포하고, 이후의 가공을 실시하였다. 먼저 직경 160 ㎜의 블랭크로 펀칭한 후, 캔 지름이 100 ㎜의 드로잉 캔으로 하였다. 이어서 재드로잉 가공에 의해 캔 지름 80 ㎜의 재드로잉 캔으로 하였다. 이 재드로잉 캔을 복합 가공에 의해 재드로잉 가공과 동시에 아이어닝 가공을 행하여, 캔지름 66 ㎜의 드로잉 아이어닝 캔으로 하였다. 이 복합가공에 있어서, 캔의 상단부로 되는 재드로잉 가공부와 아이어닝 가공부간의 간격은 20 ㎜, 재드로잉 다이스의 어깨알(are)은 판 두께의 1.5 배, 재드로잉 다이스와 펀치의 클리어런스는 판두께의 1.0 배, 아이어닝 가공부의 클리어런스는 원판 두께의 55 % 가 되는 조건으로 가공하였다. 어느 가공에 있어서도 수계 냉각, 윤활제는 사용하지 않고, 건식으로 실시하였다. 성형캔의 플랜지부의 필름 밀착을 평가하기 위하여 캔 몸체상부를 15 ㎜ 의 폭으로 절단하고, T - 박리시험에서 밀착강도를 측정하였다. 또 언더 필름 내부식성을 평가하기 위하여, 캔 몸체부로 부터 50 ㎜ 각의 시편을 절단하고, 컷터로 바탕층에 달하는 크로스컷 자욱을 내고, 평가에 관계가 없는 부분은 테이프로 밀봉한 후 1.5 % 시트르산과 1.5 % 식염의 부식 시험액 중에 37 ℃ 에서 2 주간 침지하고, 부식에 의한 필름 박리폭을 평가하였다.

실시예 2

실시예 1과 같은 전해액을 사용하여 10 A/dm²의 전류밀도로 음극 전해하고, 금속크롬 3 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 50 ㎎/㎡ 생성지켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하여 실시예 1 과 같은 가공을 하고, 밀착성과 부식성을 평가하였다.

실시예 3

실시예 1 과 동일하게 무수 크롬산 10 g/ℓ, 불화암모늄 0.4 g/ℓ[불화물이온으로서 0.21 g/ℓ] 로 이루어지는 40 ℃ 의 전해액 중에서 30 A/dm²의 전류밀도로 음극 전해하고, 금속크롬 30 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 3 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

실시예 4

실시예 1 과 동일하게 무수크롬산 200 g/ℓ, 불화나트륨 20 g/ℓ[불화물 이온으로서 9.1 g/ℓ]로 이루어지는 50 ℃ 의 전해액 중에서 300 A/dm²의 전류밀도로 음극 전해하고, 금속크롬 200 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 10 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

실시예 5

실시예 1 과 동일하게 무수크롬산 30 g/ℓ, 규불화나트륨 1 g/ℓ[불화물 이온으로서 0.61 g/ℓ], 황산 0.2 g/ℓ로 이루어지는 50 ℃ 의 전해액 중에서 30 A/dm²의 전류밀도로 음극전해하고, 금속크롬 5 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 40 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

실시예 6

실시예 1 과 동일하게 무수 크롬산 100 g/ℓ, 규불화나트륨 1 g/ℓ[불화물이온으로서 0,61 g/ℓ], 황산 2 g/ℓ로 이루어지는 50 ℃ 의 전해액 중에서 100 A/dm²의 전류밀도로 음극 전해하고, 금속크롬 10 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 50 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

실시예 7

실시예 1 과 등일하게 무수크롬산 100 g/ℓ, 황산 5 g/ℓ로 이루어지는 40 ℃ 의 전해액 중에서 30 A/dm²의 전류밀도로 음극 전해하고, 금속크롬 3 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 45 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고 실시예 1 과 같은 가공을 하고, 밀착성과 내식성을 평가하였다.

실시예 8

실시예 1 과 등일하게 무수크롬산 30 g/ℓ, 황산 0.2 g/ℓ로 이루어지는 40 ℃ 의 전해액 중에서 100 A/dm²의 전류밀도로 음극전해하고, 금속크롬 45 ㎎/㎡, 크롬수화산화물을 크롬으로서 35 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세,건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

비교예 1

실시예 1 과 같은 35 ℃의 전해액을 사용하여, 5 A/dm²의 전류밀도로 음극전해하고, 크롬수화산화물만을 크롬으로서 20 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세,건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

비교예 2

실시예 1 과 같은 알루미늄재에 알칼리 탈지 세정후, 30 ℃ 에서 도포형 크로메이트 처리 [닛뽕파카라이징사제] 한 후, 100 ℃ 의 건조로에서 2 분간 건조시켜 크롬으로서 15 ㎎/㎡ 의 크로메이트 피막을 생성시켰다. 다음에 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

비교예 3

실시예 1 과 같은 알루미늄재에 알칼리 탈지 세정후, 무수크롬산 20 g/ℓ, 황산을 0.4 g/ℓ 첨가한 전해액을 사용하여, 5 A/dm²의 전류밀도로 음극 전해하고, 크롬수화산화물만을 크롬으로서 80 ㎎/㎡ 생성시켰다. 수세, 건조후, 이 알루미늄재에 실시예 1 과 같은 열가소성 수지를 피복하고, 실시예 1 과 같은 가공을 하여 밀착성과 내식성을 평가하였다.

발명의 효과

본 발명의 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재는 가공이 심한 용도에의 적용이 가능하며, 종래 불가능했던, 알루미늄재를 사용한 디프드로잉 캔이나 건식드로잉 아이어닝 캔의 제조가 가능케 된다.

표 1

Claims

알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면에 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성시킨 것을 특징으로 하는 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재.
알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을 무수크롬산 10 g/ℓ 이상, 불화물 이온을 0.2 g/ℓ 이상 함유하는 전해액을 준비하고, 음극에 있어서의 전해 전류밀도를 10 ∼ 300 A/dm²로 음극전해처리하여 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡의 크롬수화산화물 피막을 형성시킨 것을 특징으로 하는 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재의 제조방법.
알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을, 무수크롬산 10 g/ℓ 이상과 불화물 이온을 0.2 g/ℓ 이상을 함유하는 전해액을 준비하여, 음극에 있어서의 전해전류밀도를 30 ∼200 A/dm²로 음극 전해처리하여, 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50㎎/㎡ 의 크롬수화산화물피막을 형성시킨 것을 특징으로 하는 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재의 제조방법.
알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을, 무수크롬산 10 g/ℓ 이상과, 불화물이온 0.2 g/ℓ이상과, 황산이온 2 g/ℓ이하를 함유하는 전해액을 준비고, 음극에 있어서의 전해전류밀도를 30 ∼ 200 A/dm²로 음극 전해처리하여, 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으포서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물피막을 형성시킨 것을 특징으로 하는 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재의 제조방법.
알루미늄재의 적어도 한쪽면 표면을, 무수크롬산 10 g/ℓ이상과, 황산이온 0.2 ∼ 5 g/ℓ을 함유하는 전해액을 준비하고, 음극에 있어서의 전해전류 밀도를 30 ∼ 200 A/dm²로 음극 전해처리하여, 3 ∼ 200 ㎎/㎡ 의 금속크롬과, 크롬으로서 3 ∼ 50 ㎎/㎡ 의 크롬수화산화물 피막을 형성시킨 것을 특징으로 하는 가공밀착성 및 내식성이 우수한 표면처리 알루미늄재의 제조방법.