KR100331815B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에서 유지전극의 금속전극과 투명전극의 구조에 관한 것으로서, 투명기판 위에 형성된 금속산화막과, 금속산화막 위에 동일한 패턴으로 형성된 금속전극, 그리고 금속전극을 도포하도록 투명기판 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되어 금속전극과 유전체층이 분리되어 있고 금속전극이 단일막으로 형성되어 있으므로, 유전체층과 금속전극의 성질이 변하지 않아 동작이 안정적이고 금속전극의 제조방법이 간단하여 제조단가가 낮아지는 효과가 있다.
Description
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널(이하 피디피 : Plasma Display Panel)의 전극의 제조방법에 관한 것이다.
피디피와 액정표시장치(LCD)는 평판형 표시장치 중에서 가장 실용성이 높은 차세대 표시장치로 각광받고 있다. 특히 피디피는 액정표시장치보다 휘도가 높고 시야각이 넓어 옥외 광고탑 또는, 벽걸이 티브이, 극장용 디스플레이와 같이 박형의 대형 디스플레이로서 응용성이 넓다.
도 1은 일반적인 3전극 면방전 방식의 AC형 피디피의 단면구조를 도시한 것으로, 전면 유리기판(10)의 동일면 상에 한 쌍의 유지전극(25, 26)을 형성하고 그 한 쌍의 유지전극(25, 26) 위에 유전층(27)을 인쇄기법으로 형성하며 유전층(27) 위에 MgO 보호층을 증착방식으로 형성한 상부구조와, 그 상부구조의 배면 유리기판(20) 위에 어드레스 전극(21)을 형성하고 어드레스 전극(21) 간에 인접한 셀(cell)과의 누화(crosstalk) 현상을 방지하기 위해 격벽(23)을 형성하며 격벽(23)과 어드레스 전극(21) 주위에 형광체(24)를 형성한 하부 구조로 구성되고, 상부구조와 하부구조의 사이 공간에 불활성 가스를 봉입한 방전영역을 가지도록 구성된다. 도 1은 피디피의 구조를 도시한 것으로, 설명의 편의상 상부구조를 90°회전시킨 것이다.
한 쌍의 유지전극은 각 방전셀의 광투과율을 높이기 위하여 도 2에 도시된 것과 같이 투명전극과 금속전극으로 구성되어 있다. 그래서, 유지전극의 금속전극은 외부에 설치된 구동 IC로부터 방전전압을 인가받고, 유지전극의 투명전극은 금속전극에 인가된 방전전압을 전달받아 인접한 투명전극 사이에 방전을 일으키는 것이다.
한 쌍의 유지전극이 투명전극과 금속배선으로 구성된 이유는 투명전극은 저항이 높고, 금속전극은 저항이 낮지만 불투명하기 때문이다. 그래서, 높은 광투과율과 낮은 저항이 모두 수용되도록 각 유지전극이 투명전극과 금속전극으로 구성되는 것이다.
이러한 투명전극과 금속전극은 도 3에 도시된 것과 같은 단면구조를 가진다. 종래의 유지전극은 기판 위에 투명전극이 전극의 패턴으로 형성되고, 투명전극 위에 금속으로 전극이 형성되어 있다.
도 3에 도시된 유지전극의 형성방법은 도 4a 내지 도 4b에 도시된 것과 같다.
먼저, 도 4a에 도시된 것과 같이 유리와 같은 투명기판 위에 투명전극이 전극의 패턴으로 형성된다. 투명전극은 유리에 대한 접착력이 우수하지만, 금속전극은 유리와 같은 평활한 표면에 대한 접착력이 약하다. 따라서, 종래의 피디피 금속전극의 제조방법은 유리 위에 투명전극을 증착하고 금속전극의 접착력을 향상시키기 위해 크롬(Cr)층을 형성한 후에 구리(Cu)층을 형성하는 것이다.
도 4b에 도시된 것과 같이 투명전극 위에 크롬(Cr), 구리(Cu), 크롬(Cr)이 패터닝되어 금속전극이 형성된다. 이 금속전극은 진공 중에서 실시하는 스퍼터링 방식에 의해 형성된다.
그 후, 유전체층과 보호막이 투명전극과 금속전극 위에 도포됨으로써, 도 3에 도시된 것과 같은 피디피의 전면기판이 전극이 완성된다. 앞서 설명한 바와 같이 금속배선이 크롬/구리/크롬의 3층으로 구성되는 이유는, 크롬은 투명전극과의 증착성이 구리보다 높으나 저항이 구리보다 높아 도전성이 떨어지고, 구리는 저항이 크롬보다 낮아 도전성이 높은 대신에 투명전극과의 증착성이 낮고 산화되기 쉬워 별도의 보호층이 필요하기 때문이다.
그러나, 종래의 투명전극 제조방법에 의한 유지전극은 다음과 같은 문제점이 있다.
먼저, 종래의 투명전극 제조방법은 스퍼터링(sputtering)과 같은 진공 프로세스에 의해 제조되므로, 제조단가가 높고, 금속전극 공정이 복잡하다는 문제점이 있다. 또, 금속전극(특히 구리)과 유전체층이 서로 반응하여 유전체층 내에 발생된 기포에 의해 절연이 파괴되는 등, 피디피의 동작이 불안정해지는 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속전극과 투명전극의 제조공정을 단순화시키고, 금속전극과 유전체층 상호간의 반응을 방지하여 안정적으로 동작하는 피디피를 개발하는 데에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 3전극 면방전 방식의 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 상기 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극과 서스테인 전극의 구조를 도시한 평면도.
도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전극과 유전체층 및 보호막층의 구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4b는 상기 도 3에 도시된 종래의 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 도시한 공정단면도.
도 5는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 전극과 유전체층 및 보호막층의 구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 6a 내지 도 6c는 상기 도 5에 도시된 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 도시한 공정단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 투명기판 110 : 금속산화막
120 : 금속전극 130 : 투명전극
140 : 유전체층 150 : 보호막층
본 발명에 의한 전면기판에 형성된 전극, 즉 유지전극은 금속산화물막이 기판 위에 형성되고, 그 위에 금속배선이 형성되며, 투명전극이 금속전극을 도포하도록 기판 위에 형성된 것이 특징이다.
본 발명의 유지전극은 도 5에 도시된 것과 같이 투명기판(100) 위에 형성된 금속산화막(110)과, 금속산화막(110) 위에 형성된 금속전극(120), 그리고 금속전극(120)을 도포하도록 투명기판(100) 위에 형성된 투명전극(130)을 포함하여 구성되어 있다.
금속산화막(110)은 산화아연(ZnO) 또는, 산화티타늄(TiO2) 등의 산화물질로서, 투명기판(100) 위에 형성되어 있다. 그리고, 금속전극(120)은 금속산화막(110) 위에 형성되어 있다. 이 때, 금속전극(120)은 종래의 금속전극(120)처럼 크롬(Cr)과 구리(Cu)로 구성된 3층의 금속막의 형태로 형성될 수도 있으나, 구리로 이루어진 단층의 금속막으로도 형성될 수 있다. 그 이유는 종래의 금속전극은 유전체층(140)에 의한 구리의 산화를 보호하기 위해 크롬을 구리 위에 도포하였으나, 본 발명의 금속전극은 구리와 유전체층(140)이 투명전극(130)에 의해 분리되어 있어 유전체층(140)에 의한 구리의 산화를 방지할 수 있기 때문이다.
투명전극(130)은 금속전극(120)에 접촉되어 투명기판(100) 위에 형성되어 있다. 투명전극(130)은 금속전극(120)에 인가된 유지방전전압을 인가받아야 하므로, 금속배선(120)에 걸쳐 형성된다. 투명전극(130)의 가장 바람직한 구조는 도 5에 도시된 것과 같이 투명전극(130)이 금속전극(120)을 완전히 도포하도록 투명기판(100) 위에 형성된 것이다.
본 발명의 전극을 형성하는 방법은 투명기판(100) 위에 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2) 등의 금속산화물을 형성하는 단계와, 금속산화물의 표면을 촉매화하는 단계와, 촉매화된 금속산화물의 표면 위에 금속전극을 무전해 도금하는 단계, 그리고 금속전극을 도포하도록 투명기판(100) 위에 투명전극(130)을 형성하는 단계를 포함하여 구성되어 있다.
이러한 본 발명의 전극을 형성하는 방법에 대하여 첨부된 도 5와 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 설명하도록 한다.
먼저, 도 6a에 도시된 것과 같이 투명기판(100) 위에 스프레이 열분해(spray pyrolysis) 등의 방법을 이용하여 금속산화물층을 형성한다. 그리고, 금속산화물층이 형성된 투명기판(100)은 염화팔라디움(PdCl2)의 산성 용액에 노출되어 상기 금속산화물층의 표면이 추후 무전해도금되기 위하여 촉매화된다. 이러한 촉매화과정을 통해 금속산화물층의 표면은 미세하게 에칭되어 추후에 실시되는 무전해도금에 의해 금속막이 용이하게 형성된다.
금속산화물층이 형성된 투명기판(100)은 금속산화물층의 표면이 촉매화된 후, 황산구리(CuSO4) 용액 등으로 조성된 무전해 도금액에 담궈져 무전해도금이 실시된다. 무전해도금을 통하여 촉매화된 금속산화물층의 표면에 금속막이 도금된다. 그 결과, 도 6b에 도시된 것과 같이 본 발명의 금속전극이 형성된다.
그 후, 도 6c에 도시된 것과 같이 금속전극이 형성된 투명기판(100)에 투명전극(130)이 형성된다. 투명전극(130)은 금속전극을 완전히 도포하도록 형성되는 것이 바람직하다. 그 후, 투명전극(130) 위에 유전체층(140)과 보호막층(150)이 형성되면, 도 5에 도시된 것과 같은 본 발명의 피디피 전극이 완성된다.
본 발명에 의해 형성된 금속전극은 투명전극(130)에 의해 유전체층(140)으로부터 분리되어 있으므로, 유전체층(140)과 반응하지 않는다. 따라서, 유전체층(140)과 금속전극 간의 반응에 의한 기포가 형성되지 않고, 금속전극의 산화로 인하여 저항을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 의해 형성된 피디피의 전극은 유전체층에 분리되어 있으므로, 유전체층과 금속전극의 성질이 변하지 않는다. 그리고, 본 발명의 금속전극 제조방법은 단일막의 금속전극을 형성하도록 구성되어 있으므로, 금속전극의 제조공정이 종래에 비해 간단해진다. 따라서, 본 발명의 피디피는 금속전극과 유전체층이 서로 보호되어 동작이 안정적이며, 제조단가가 낮아지는 효과가 있다.
Claims (12)
- 플라즈마 디스플레이 패널에서,투명기판 위에 형성된 금속산화막,상기 금속산화막 위에 동일한 패턴으로 형성된 금속전극,상기 금속전극을 도포하도록 상기 투명기판 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성된 플라즈마 디스플레이 패널의 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속산화막은 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2) 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속전극은 단층의 금속막으로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극.
- 투명기판 위에 산화아연(ZnO) 등의 금속산화물을 형성하는 단계,상기 금속산화물의 표면을 촉매화하는 단계,상기 촉매화된 금속산화물의 표면 위에 금속전극을 무전해 도금하는 단계,상기 금속전극을 도포하도록 상기 투명기판 위에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 청구항5는 삭제 되었습니다.
- 제 3 항에 있어서,상기 금속막은 구리로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 플라즈마 디스플레이 패널에서,투명기판 위에 금속산화물을 소정의 형상으로 형성하는 단계;상기 소정의 형상으로 패터닝된 금속산화물의 표면을 에칭하여 요철을 형성하는 단계;상기 요철이 형성된 표면을 무전해 도금하여 금속전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 금속산화물을 형성하는 단계는 스프레이 열분해 법을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 요철을 형성하는 단계는 산성용액으로 금속산화물의 표면을 에칭하는 단계임을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 금속산화물의 표면을 에칭하는 산성용액은 염화팔라디움(PbCl2)용액인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 금속전극을 형성하는 단계는상기 금속산화물층 표면을 황산구리용액에 노출시켜 무전해 도금하는 단계임을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 전극 형성방법은상기 금속전극이 형성된 투명기판에 상기 금속전극이 도포되도록 투명전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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