KR100331258B1 - 급속온도 처리시스템의 램프다운비 제어방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 급속온도처리시스템에 관한 것으로서, 특히, 튜브내에 가공하고자 하는 가공물을 장착하여 온도를 상승시키는 단계와; 상기 단계 후에 튜브내의 온도를 설정치에 도달하였는 지를 첵킹하는 단계와; 상기 단계 후에 튜브내의 온도를 각각의 콘트롤모드에 대하여 서로 비교하여 오버슈팅이 발생될 수 있는 지 여부를 판단하는 단계와; 상기 단계 후에 오버슈팅이 발생될 우려가 없는 경우 튜브내의 상태를 그대로 유지하고, 일정시간 후에는 상기 튜브온도 첵킹단계로 복귀하도록 하고, 튜브내에서 오버슈팅이 발생되는 경우에는 FTP시스템을 작동하여 튜브내부에 강제적으로 공기를 공급하는 단계와; 상기 단계 후에 FTP시스템에 의하여 튜브내의 램프다운비를 조절하여 설정된 최소값에 이르도록 하는 단계와; 상기 단계 후에 램프다운비 조절이 적절한 경우에는 FTP시스템을 정지시킨 후 일정시간후에 튜브내의 온도 첵킹 단계로 복귀시키고, 램프다운비 조절이 적절하지 않은 경우에는 FTP시스템을 계속적으로 작동하여 공기를 공급하여 램프다운비를 조절하도록 하는 단계로 이루어진 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법인 바, 튜브내의 온도를 항상 공정에 유리한 상태로 유지하도록 하여 오버슈팅을 효율적으로 방지하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.
Description
본 발명은 급속온도처리시스템(Fast Temperation Process System)에 관한 것으로서, 특히, 튜브내의 상승된 온도를 첵킹하여 튜브내의 온도가 오버슈트가 발생될 수 있는 온도 인지를 판단하고, 그럴 가능성이 있는 경우에는 FPT시스템을 작동하여 튜브내에 강제적으로 공기를 공급하여 튜브내의 램프다운비를 조절하는 과정을 반복적으로 수행하므로 튜브내의 온도를 항상 공정에 유리한 상태로 유지하도록 하는 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체소자를 제조하는 공정중에서 튜브(Tube; 확산로)내에서 진행하는 공정이 다수 있으며, 이 튜브는 증착(Deposition)공정, 드라이브 인(Drive-In)공정, 옥사이드공정 및 금속층형성공정등과 같은 다양한 공정을 진행하는 데 사용되며, 긴 원형으로서, 470℃∼1200℃까지의 온도를 유지하도록 구성된 장비이다.
이러한 튜브를 이용하여 급속하게 내부 온도를 상승시키도록 하는 FTP시스템(Fast Temperation Process System)은, 반도체소자를 가공하는 과정에서 온도가 급속하게 상승되는 경우 블로잉 장비를 사용하여 공기를 강제적으로 송풍하므로 온도의 하강비율인 램프다운비(Ramp-Down Rate; 온도/시간)를 낮추어서 온도가 과도하게 상승되어 제품의 품질에 영향을 미치는 오버슈팅(Over Shooting)이 발생되는 것을 방지하게 되는 것이다.
한편, 종래에는 램프다운비는 공정의 측면에서만 고려되었을 뿐 오버슈팅가능성에 대하여서는 제대로 고려하지 않았으므로 실제적으로 오버슈팅이 발생되었는 지도 모른채 공정을 진행하는 경우가 발생하였다. 특히, 튜브를 이용한 일반적인 빽업(Back-Up)공정에서는 기존의 3℃/min으로 세팅된 값을 그대로 두고, 강제적인 공냉방식을 사용하므로 필연적으로 오버슈팅이 발생되는 문제를 지니고 있었다.
즉, 종래의 FTPS장비들은 램프다운비의 사용가능범위에서 최고값(Maximum)만을 세팅한 상태로 있고, 오버슈팅이 발생되지 않도록 하는 최소값(Minimum)값은 설정하지 않으므로 인하여 문제가 발생되어진다.
본 발명의 목적은 반도체소자 제조공정에서 튜브내의 온도의 상승으로 인하여 웨이퍼에 손상을 가하는 것을 방지하기 위하여 튜브내의 상승된 온도를 첵킹하여 튜브내의 온도가 오버슈트가 발생될 수 잇는 온도 인지를 판단하고, 그럴 가능성이 있는 경우에는 FPT시스템을 작동하여 튜브내에 강제적으로 공기를 공급하여 튜브내의 램프다운비를 조절하는 과정을 반복적으로 수행하므로 튜브내의 온도를 항상 공정에 유리한 상태로 유지하는 것이 목적이다.
도 1은 본 발명에 따른 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법을 순차적으로 보인 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
S1 ∼ S9 : 본 발명에 따른 공정의 단계
이러한 목적은 튜브내에 가공하고자 하는 가공물을 장착하여 온도를 상승시키는 단계와; 성기 단계 후에 튜브내의 온도를 설정치에 도달하였는 지를 첵킹하는 단계와; 상기 단계 후에 튜브내의 온도를 각각의 콘트롤모드에 대하여 서로 비교하여 오버슈팅이 발생될 수 있는 지 여부를 판단하는 단계와; 상기 단계 후에 오버슈팅이 발생될 우려가 없는 경우, 튜브내의 상태를 그대로 유지하고, 일정시간 후에는 상기 튜브온도 첵킹단계로 복귀하도록 하고, 튜브내에서 오버슈팅이 발생되는 경우에는 FTP시스템을 작동하여 튜브내부에 강제적으로 공기를 공급하는 단계와; 상기 단계 후에 FTP시스템에 의하여 튜브내의 램프다운비를 조절하여 설정된 최소값에 이르도록 하는 단계와; 상기 단계 후에 램프다운비 조절이 적절한 경우에는 FTP시스템을 정지시킨 후 일정시간 후에 튜브내의 온도 첵킹 단계로 복귀시키고, 램프다운비 조절이 적절하지 않은 경우에는 FTP시스템을 계속적으로 작동하여 공기를 공급하여 램프다운비를 조절하도록 하는 단계로 이루어진 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법을 제공함으로써 달성된다.
그리고, 상기 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 일 때 20℃/min이상으로 설정되도록 하고, 상기 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 이상일 때 20℃/min이하이고, 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 이하일 때 20℃/min이상으로 설정하는 것이 바람직하며, 상기 튜브내에서 빽업공정을 진행할시에는 오버슈팅을 방지하기 위하여 FTP시스템의 블로잉장치를 정지시킨 상태에서 3℃/min정도로 램프다운비를 세팅하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법을 순차적으로 보인 도면이다.
본 발명에 따른 공정을 살펴 보면, 튜브내에 가공하고자 하는 가공물을 장착(S1)하여 온도를 상승시키는 단계(S2)를 거친 후에 튜브내의 온도를 설정치에 이르렀는지 예를들면, 다양한 모드(Mode)에 따른 기준치에 도달하였는 지를 첵킹하는 단계(S3)를 거치도록 한다.
그리고, 상기 단계 후에 튜브내의 온도를 각각의 콘트롤모드에 대하여 서로 비교하여 오버슈팅이 발생될 수 있는 지 여부를 판단하는 단계(S4)를 거친다.
이때, 상기 단계 후에 오버슈팅이 발생될 우려가 없는 경우 튜브내의 상태를 그대로 유지하고, 일정시간 후에는 상기 튜브내의 온도 첵킹단계(S3)로 복귀하도록 하고, 튜브내에서 오버슈팅이 발생되는 경우에는 FTP시스템을 작동하여 튜브내부에 강제적으로 공기를 공급하여 튜브 내부를 강제 공냉시키는 단계(S6)로 이동하도록 한다.
그리고, 상기 단계 후에 FTP시스템에 의하여 튜브내의 램프다운비를 조절하여 설정된 최소값에 이르도록 하는 단계(S7)를 거친 후 램프다운비 조절이 적절한 경우에는 FTP시스템을 정지(S9)시키고, 일정시간 후에 튜브내의 온도 첵킹 단계(S3)로 복귀시켜 램프다운비를 지속하여 반복적으로 첵킹하도록 한다.
또한, 램프다운비 조절이 적절하지 않은 경우에는 FTP시스템을 계속적으로 작동하여 공기를 공급하도록 하는 단계(S6)으로 복귀하여 램프다운비를 조절하는 공정을 반복하도록 하는 단계(S8)를 거치면서 지속적으로 시스템의 램프다운비가 조절되는 것이다.
그리고, 상기 튜브내의 램프다운비 조절단계(S7)의 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 일 때 20℃/min이상으로 설정되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 아상일 때 20℃/min이하 이고, 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 이하일 때 20℃/min이상으로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 튜브내에서 빽업공정을 진행할 때에는 오버슈팅을 방지하기 위하여 FTP시스템의 블로잉장치를 정지시킨 상태에서 3℃/min정도로 램프다운비를 세팅하는 것이 바림직하다.
이와 같이, 상기한 공정을 반복하여 수행하면서 튜브내에서 램프다운비가 적절하게 유지되도록 하여, 오버슈팅이 발생되는 것을 방지하도록 한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법을 이용하게 되면, 반도체소자 제조공정에서 튜브내의 온도의 상승으로 인하여 웨이퍼에 손상을 가하는 것을 방지하기 위하여 튜브내의 상승된 온도를 첵킹하여 튜내의 온도가 오버슈트가 발생될 수 있는 온도 인지를 판단하고, 그럴 가능성이 있는 경우에는 FPT시스템을 작동하여 튜브내에 강제적으로 공기를 공급하여 튜브내의 램프다운비를 조절하는 과정을 반복적으로 수행하므로 튜브내의 온도를 항상 공정에 유리한 상태로 유지하도록 하여 오버슈팅을 효율적으로 방지하도록 하는 매우 용이하고 효과적인 발명이다.
Claims (4)
- 튜브내에 가공하고자 하는 가공물을 장착하여 온도를 상승시키는 단계와;성기 단계 후에 튜브내의 온도를 설정치에 도달하였는 지를 첵킹하는 단계와;상기 단계 후에 튜브내의 온도를 각각의 콘트롤모드에 대하여 서로 비교하여 오버슈팅이 발생될 수 있는 지 여부를 판단하는 단계와;상기 단계 후에 오버슈팅이 발생될 우려가 없는 경우 튜브내의 상태를 그대로 유지하고, 일정시간 후에는 상기 튜브온도 첵킹단계로 복귀하도록 하고, 튜브내에서 오버슈팅이 발생되는 경우에는 FTP시스템의 블로잉장치를 작동하여 튜브 내부에 강제적으로 공기를 공급하는 단계와;상기 단계 후에 FTP시스템에 의하여 튜브내의 램프다운비를 조절하여 설정된 최소값에 이르도록 하는 단계와;상기 단계 후에 램프다운비 조절이 적절한 경우에는 FTP시스템을 정지시킨 후 일정시간후에 튜브내의 온도 첵킹 단계로 복귀시키고, 램프다운비 조절이 적절하지 않은 경우에는 FTP시스템을 계속적으로 작동하여 공기를 공급하여 램프다운비를 조절하도록 하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 일 때 20℃/min이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 이상일 때 20℃/min이하 이고, 튜브내의 램프다운비 최소값은 공기 및 질소가스의 유동비가 8slpm 이하일 때 20℃/min이상으로 설정하는 것을 특징으로 하는 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 튜브내에서 빽업공정을 진행할시에는 오버슈팅을 방지하기 위하여 FTP시스템의 블로잉장치를 정지시킨 상태에서 3℃/min정도로 램프다운비를 세팅하는 것을 특징으로 하는 급속온도처리시스템의 램프다운비제어방법.
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| KR1019980045889A KR100331258B1 (ko) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 급속온도 처리시스템의 램프다운비 제어방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019980045889A KR100331258B1 (ko) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 급속온도 처리시스템의 램프다운비 제어방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20010008408A KR20010008408A (ko) | 2001-02-05 |
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ID=19556198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980045889A KR100331258B1 (ko) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 급속온도 처리시스템의 램프다운비 제어방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR100331258B1 (ko) |
-
1998
- 1998-10-29 KR KR1019980045889A patent/KR100331258B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20010008408A (ko) | 2001-02-05 |
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