KR100327053B1 - 아미노나프탈렌계열에서유래한커플링성분을함유한반응성아조염료 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1의 신규의 반응성 염료, 히드록실-함유 또는 질소-함유 유기 기재의 염색 또는 날염에 상기 염료를 사용하는 방법 및 신규의 아미노나프탈렌에 관한 것이다:
화학식 1
상기 식에서,
n은 1 또는 2이고,
R1은 수소 또는 히드록시설포닐이고,
R2는 수소 또는 히드록실이고,
R3은 치환된 C1-C4-알킬, C5-C7-시클로알킬 또는 치환된 페닐이고,
R4는 수소이거나, 또는 R3및 R4는 이들을 연결하는 질소 원자와 함께 헤테로시클릭 라디칼을 형성하며,
D는 각각 하나 이상의 메카니즘을 가지는 디아조 또는 테트라아조 성분의 라디칼이다.
Description
EP-A-369 385호에는 커플링 성분으로서 1-히드록시-3-히드록시설포닐-7-(2-시아노-, 2-히드록시설포닐- 또는 2-카르바모일에틸아미노)나프탈렌을 함유하는 아조계 반응성 염료가 개시되어 있다.
또한, DE-A-2 154 942호 및 DE-A-2 163 389호에는 커플링 성분으로서 1-히드록시-3-히드록시설포닐-7-메틸 또는 페닐아미노나프탈렌을 함유하는 상기 부류의 반응성 염료가 개시되어 있다.
본 발명은 하기 화학식 1의 신규의 반응성 염료, 히드록실-함유 또는 질소-함유 유기 기재의 염색 또는 날염에 상기 염료를 사용하는 용도 및 신규의 아미노나프탈렌에 관한 것이다:
[화학식 1]
상기 식에서,
n은 1 또는 2이며,
R1은 수소 또는 히드록시설포닐이고,
R2는 수소 또는 히드록실이며,
R3은 카르복시메틸; 히드록시설포닐메틸; 식 W1-SO2-Y 또는 W2(-SO2-Y)2의 라디칼(여기서, W1은 C1-C4-알킬렌 또는 비치환 또는 치환된 페닐렌이고, W2는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리의 3가 라디칼이며, Y는 비닐임); 식 C2H4-Q의 라디칼(여기서, Q는 알칼리 반응 조건하에서 제거될 수 있는 기); C5-C7-시클로알킬; 또는 C1-C4-알킬, C1-C4-알콕시, 카르복실 또는 식 CONH-W1-SO2-Y 또는 SO2-Y의 라디칼(여기서, W1및 Y는 각각 상기한 바와 동일한 의미를 가짐)에 의해 치환된 페닐이거나, 또는 n이 2이면, R3은 카르복시-C2-C4-알킬 또는 히드록시설포닐-C2-C4-알킬일 수도 있고,
R4는 수소이거나, 또는 R3및 R4는 이들을 연결하는 질소 원자와 함께 5-원 또는 6-원 포화 헤테로시클릭 라디칼(추가로 헤테로 원자를 가질 수도 있음)을 형성하며,
n이 1이면, D는 하기 식의 라디칼이거나; 또는
n이 2이면, D는 하기 식의 라디칼이며;
[상기 식들에서, R5, R6및 R7은 서로 독립적으로 각각 수소, C1-C4-알킬, C1-C4-알콕시 또는 히드록시설포닐이고, E1은 헤테로시클릭 메카니즘 또는 지방족 계열에서 유래한 메카니즘이고, E2는 수소이거나 E1이며, T는 연결 성분임];
단, D에는 하나 이상의 메카니즘이 존재할 것을 조건으로 한다.
본 발명의 목적은 페닐아조나프탈렌 염료에서 유래한 신규의 반응성 염료를 제공하는 것이다. 신규 염료는 유용한 성능 특성을 가져야 한다.
본원 발명자들은 상기에 명시한 화학식 1의 반응성 염료에 의해 상기 목적이 달성된다는 것을 알게 되었다.
상기 화학식 1의 신규의 반응성 염료는 각각 유리 산의 형태로 존재한다. 물론, 본원 특허청구의 범위에는 이들의 염도 포함된다.
적합한 양이온은 금속 또는 암모늄 이온에서 유래한다. 금속 이온의 예로는 리튬, 나트륨 또는 칼륨 이온을 들 수 있다. 본 발명의 목적상, 암모늄 이온은 치환 또는 비치환된 암모늄 양이온을 의미하는 것으로 이해하여야 한다. 치환된 암모늄 양이온의 예로는 모노알킬암모늄, 디알킬암모늄, 트리알킬암모늄, 테트라알킬암모늄 또는 벤질트리알킬암모늄 양이온; 또는 피롤리디늄, 피페리디늄, 모폴리늄, 피페라지늄 또는 N-알킬피페라지늄 양이온 또는 이들의 N-모노알킬-치환된 생성물 또는 N,N-디알킬-치환된 생성물과 같이 질소를 함유하는 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클에서 유래한 양이온을 들 수 있다. 알킬은 일반적으로 히드록실에 의해 치환되고/되거나, 에테르기로서 1 내지 4개의 산소 원자가 개입될 수 있는 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20-알킬을 의미하는 것으로 이해하여야 한다.
전술한 화학식 1에 존재하는 모든 알킬 및 알킬렌 라디칼은 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다.
치환된 알킬기가 전술한 화학식 1에 존재하는 경우, 그들은 대체로 1 또는 2개의 치환체를 가진다.
치환된 페닐, 페닐렌 또는 벤젠트리일기가 전술한 화학식 1에 존재하는 경우, 적합한 치환체의 예는 다른 언급이 없으면, C1-C4-알킬, C1-C4-알콕시, 할로겐, 히드록시설포닐, 설파모일, C1-C4-모노-알킬설파모일 또는 C1-C4-디알킬설파모일이다. 이 경우에, 상기 기는 대체로 1 내지 3개, 바람직하게는 1 또는 2개의 치환체를 가진다.
R3및 R4가 이들을 연결하는 질소와 함께, 추가로 헤테로 원자를 가질 수도 있는 5원 또는 6원 포화 헤테로시클릭 라디칼을 형성한다면, 이 유형으로 적합한 라디칼의 예로는 피롤리디닐, 피페리디닐, 모폴리닐, 티오모폴리닐, 티오모폴리닐 S,S-디옥사이드, 피페라지닐 또는 N-(C1-C4-알킬)피페라지닐(예; N-메틸피페라지닐 또는 N-에틸피페라지닐)이 있다.
R5, R6및 R7의 예로는 각각 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 2차-부틸, 3차-부틸, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 이소부톡시 또는 2차-부톡시가 있다.
W1의 예로는 CH2, (CH2)2, (CH2)3, (CH2)4, CH(CH3)CH2, CH(CH3)CH(CH3) 또는 1,2-페닐렌, 1,3-페닐렌 또는 1,4-페닐렌이 있다.
W2의 예로는 벤젠-1,2,3-트리일, 벤젠-1,3,4-트리일 또는 벤젠-1,3,5-트리일이 있다.
R3의 예로는 히드록시설포닐메틸, 2-히드록시설포닐에틸, 카르복시메틸, 1-카르복시에틸, 2-카르복시에틸, 식 C2H4-SO2-Y 또는 C3H6-SO2-Y의 라디칼, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 2-에틸페닐, 3-에틸페닐, 4-에틸페닐, 2-프로필페닐, 3-프로필페닐, 4-프로필페닐, 2-이소프로필페닐, 3-이소프로필페닐, 4-이소프로필페닐, 2-부틸페닐, 3-부틸페닐, 4-부틸페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 2-메틸-6-에틸페닐, 2-카르복시페닐, 3-카르복시페닐, 4-카르복시페닐 또는 하기 식들의 라디칼이 있다:
Q는 알칼리 반응 조건하에서 제거될 수 있는 기이다. 그러한 기의 예로는 염소, 브롬, C1-C4-알킬설포닐, 페닐설포닐, OSO3H, SSO3H, OP(O)(OH)2, C1-C4-알킬설포닐옥시, 비치환 또는 치환된 페닐설포닐옥시, C1-C4-알카노일옥시, C1-C4-디알킬아미노 또는 하기식들의 라디칼이 있다:
상기식들에서, L1, L2및 L3은 서로 독립적으로 각각 C1-C4-알킬 또는 벤질이고, 각각의 경우 Anθ는 1 당량의 음이온이다. 적합한 음이온의 예로는 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 요오다이드, 모노클로로아세테이트, 디클로로아세테이트, 트리클로로아세테이트, 메탄설포네이트, 벤젠설포네이트 및 2-메틸벤젠설포네이트 또는 4-메틸벤젠설포네이트가 있다.
메카니즘 E1및 E2는 처리하고자 하는 기재의 히드록실-함유기 또는 질소-함유기와 치환 또는 첨가 반응을 일으키는 것들이다.
상기 메카니즘이 기재내 관련기와, 예를 들면, 셀룰로오스의 히드록실기와 치환 반응을 진행한다는 것은 메카니즘내 이탈기 또는 이탈 원자(예; 불소 및 염소)가 하기 반응식 1에 따라 셀룰로오스의 히드록실기에 의해 치환됨을 의미한다:
[반응식 1]
상기 메카니즘이 기재내 관련기와, 예를 들면, 셀룰로오스의 히드록실기와 첨가 반응을 진행한다는 것은 셀룰로오스의 히드록실기가 하기 반응식 2에 따른 메카니즘으로 첨가 반응을 진행함을 의미한다:
[반응식 2]
헤테로시클릭 메카니즘 E1및 E2의 예로는 1,3,5-트리아진, 퀴녹살린, 프탈아진, 피리미딘 또는 피리다존의 할로겐-치환된 라디칼 또는 2-알킬설포닐벤조티아졸 라디칼이 있다.
예를 들면, 하기와 같은 헤테로시클릭 라디칼이 있다:
상기 식들에서, X는 수소 또는 C1-C4-알킬이며,
Hal은 불소 또는 염소이고,
U1은 수소 또는 니트로이며,
U2및 U3은 서로 독립적으로 치환되지 않거나 또는 히드록실, 할로겐, 시아노, 히드록시설포닐 또는 식 -SO2-Y의 라디칼(여기서, Y는 상기한 바와 동일한 의미를 가짐)에 의해 치환된 C1-C6-알킬(에테르 기로서 1 또는 2개의 산소 원자, 이미노 또는 C1-C4-알킬아미노가 개입될 수 있음) 또는 수소이거나, 또는 U2및 U3은 이들을 연결하는 질소 원자와 함께, 피롤리디닐, 피페리디닐, 모폴리닐, 피페라지닐 또는 N-(C1-C4-알킬)피페라지닐을 형성하거나, 또는 U2는 또한 하기 식의 라디칼일 수도 있다:
상기식들에서, 고리 A 및 K는 각각 히드록시설포닐로 1치환 또는 2치환될 수 있고, 각각 벤조융합될 수 있고, 독립적으로 고리 K는 염소, 니트로, C1-C4-알킬, C1-C4-알콕시, 시아노, 카르복실, 아세틸아미노, 히드록시설포닐메틸 또는 식 CH2-SO2-Y, SO2-Y, NH-CO-Y 또는 NU2-CO-NU2-Z-SO2-Y의 라디칼(이들 라이칼에서, Y 및 U2는 각각 상기한 바와 동일하고, Z는 C2-C6-알킬렌으로, 이는 치환되지 않거나 또는 히드록실, 염소, 시아노, 카르복실, C1-C4-알콕시카르보닐, C1-C4-알카노일옥시 또는 설페이토에 의해 치환되거나 또는 에테르기로서 1 또는 2개의 산소 원자, 이미노 또는 C1-C4-알킬이미노가 개입될 수 있다)에 의해 1 치환 또는 2 치환될 수 있다.
지방족 계열에서 유래한 메카니즘 E1및 E2의 예로는 아크릴로일, 모노클로로아크릴로일, 디클로로아크릴로일, 트리클로로아크릴로일, 모노브로모아크릴로일, 디브로모아크릴로일, 트리브로모아크릴로일, -CO-CCl〓CH-COOH, -CO-CH〓CCl-COOH, 2-클로로프로피오닐, 1,2-디클로로프로피오닐, 1,2-디브로모프로피오닐, 3-페닐설포닐프로피오닐, 3-메틸설포닐프로피오닐, 2-설페이토에틸아미노설포닐, 2-플루오로-2-클로로-3,3-디플루오로시클로부트-1-일카르보닐, 2,2,3,3-테트라플루오로시클로부트-1-일카르보닐, 2,2,3,3-테트라플루오로시클로부트-1-일설포닐, 2-(2,2,3,3-테트라플루오로시클로부트-1-일)아크릴로일, 1-알킬설포닐아크릴로일(예; 1-메틸설포닐아크릴로일), 2-알킬설포닐아크릴로일(예; 2-메틸설포닐아크릴로일), 1-아릴설포닐아크릴로일, 2-아릴설포닐아크릴로일 또는 식 SO2-Y, CONH-W1-SO2-Y 또는 NHCONH-W1-SO2-Y의 라디칼(여기서, W1및 Y는 각각 상기한 바와 동일함)이 있다.
상기 화학식 1에서 T는 연결 성분이다. 적합한 연결 성분의 예는 하기 식의 것이다:
상기식들에서 p는 0 또는 1이고 Hal, W1,X 및 Z는 각각 상기한 바와 동일하다.
연결 성분의 구체적인 예로 하기 식의 라디칼이 있다:
CO 및 SO2가 주목할만하다.
n이 2이면, D는 하기 식의 라디칼이 바람직하다:
상기 식에서, E1, E2및 T는 각각 상기한 바와 동일하다.
바람직한 반응성 염료는 R1이 수소인 화학식 1의 염료이다.
R2가 히드록실인 화학식 1의 반응성 염료 역시 바람직하다.
기타 바람직한 반응성 염료는 R3이 히드록시설포닐메틸인 화학식 1의 염료이다.
또한 R5, R6및 R7이 각각 수소인 화학식 1의 반응성 염료가 바람직하다.
또 다른 바람직한 반응성 염료는 E1이 1,3,5-트리아진의 할로겐-치환된 라디칼 또는 식 SO2-Y의 라디칼(여기서, Y는 상기한 바와 동일함)인 화학식 1의 염료이다.
n이 2인 경우 T가 CO 또는 SO2라디칼인 화학식 1의 반응성 염료 역시 바람직하다.
n이 1인 화학식 1의 반응성 염료 또한 바람직하다.
기타 바람직한 반응성 염료는 E1이 하기 식의 라디칼인 화학식 1의 염료이다:
상기 식에서, Hal, U2, U3, X 및 Y는 각각 상기한 바와 동일하다.
특히 바람직한 반응성 염료는 E1이 식 SO2-Y의 라디칼(여기서, Y는 상기한 바와 동일함)이며, 아조기에 대해 오르토 위치인 화학식 1의 염료이다.
다른 특히 바람직한 반응성 염료는 하기 화학식 1a의 염료이다:
[화학식 1a]
상기 식에서, R3, E1및 E2는 각각 상기한 바와 동일하다.
E1이 식 SO2-Y의 라디칼인 화학식 1a의 반응성 염료가 특별한 관심을 끈다.
화학식 1의 신규의 반응성 염료는 자체 공지된 방법으로 얻을 수 있다.
예를 들면, 하기 화학식 2a 또는 2b의 아닐린은 자체 공지된 방법으로 디아조화 또는 테트라아조화하고, 하기 화학식 3a의 아미노나프탈렌과 커플링시킬 수 있다:
[화학식 2a]
[화학식 2b]
[화학식 3a]
상기 식들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, E1, E2및 T는 각각 상기한 바와 동일하다.
본 발명은 또한 하기 화학식 3의 아미노나프탈렌에 관한 것이다:
[화학식 3]
상기 식에서,
R1이 수소 또는 히드록시설포닐이며,
R2가 수소 또는 히드록실이고,
R6이 카르복시메틸; 히드록시설포닐메틸; 식 W1-SO2-Y 또는 W2(-SO2-Y)2의 라디칼(여기서, W1은 C1-C4-알킬렌 또는 비치환 또는 치환된 페닐렌이고, W2는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리의 3가 라디칼이며, Y는 비닐임); 식 C2H4-Q의 라디칼(여기서, Q는 알칼리 반응 조건하에서 제거될 수 있는 기); C5-C7-시클로알킬; 또는 C1-C4-알킬, C1-C4-알콕시, 카르복실 또는 식 CONH-W1-SO2-Y 또는 SO2-Y의 라디칼(여기서, W1및 Y는 각각 상기한 바와 동일한 의미를 가짐)에 의해 치환된 페닐이고,
R4는 수소이거나, 또는 R4및 R6는 이들을 연결하는 질소 원자와 함께 5-원 또는 6-원 포화 헤테로시클릭 라디칼(추가로 헤테로 원자를 가질 수도 있음)을 형성한다.
R1이 수소인 상기 화학식 3의 아미노나프탈렌이 바람직하다.
R2가 히드록실인 상기 화학식 3의 아미노나프탈렌 역시 바람직하다.
기타 바람직한 아미노나프탈렌은 R6이 히드록시설포닐메틸인 화학식 3의 아미노나프탈렌이다.
화학식 3의 아미노나프탈렌은 자체 공지된 방법으로 수득할 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 4의 나프탈렌 유도체는 알칼리 금속 아황산염(예; 아황산나트륨또는 아황산칼륨)의 존재하에 하기 화학식 5의 아민과 반응시킬 수 있다:
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 식들에서, R1, R2, R4및 R6은 상기한 바와 동일하다.
화학식 1의 신규의 반응성 염료는 히드록실-함유 또는 질소-함유 유기 기재의 염색 또는 날염에 유용하게 사용할 수 있다. 상기 기재의 예는 주로 천연 또는 합성 폴리아미드나 쳔연 또는 재생 셀룰로오스를 함유하는 가죽 또는 섬유 재료이다. 상기 신규의 염료는 모직물 또는 특히 면직물계 직물의 염색 및 날염에 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 붉은 색조의 염색물이 얻어진다.
매우 높은 고정도, 매우 양호한 광견뢰성(lightfastness) 및 우수한 습윤 견뢰성(예; 세탁, 염소 표백, 과산화물 표백, 알칼리, 해수 또는 땀에 대한 견뢰성)을 가진 짙은 염색물이 특히 셀룰로오스계 기재상에 얻어진다.
하기 실시예에서 본 발명을 예시하고자 한다.
[실시예]
실시예 1
35중량% 강도의 수성 용액 형태의 하기 식의 화합물 0.1 몰을 0 내지 5℃에서 30중량% 강도의 염산 25 ㎖ 및 23중량% 강도의 아질산나트륨 수용액 30 ㎖(0.1 몰)로 디아조화하였다:
그 후 하기 식의 화합물 33.1 g(0.1 몰)을 첨가하고, 아세트산나트륨 수용액을 첨가하여 pH를 2.5 내지 3으로 유지하였다:
커플링이 끝난 후에, 중탄산나트륨으로 pH를 5 내지 5.5로 만들었다. 염석, 여과 및 건조시켜 하기 식의 염료를 분리하였다:
λmax(물): 523 ㎚
실시예 2
1-아미노-2-(2-설페이토에틸설포닐)벤젠 28.1 g(0.1 몰)을 빙수 300 ㎖에서 교반하고, 30중량% 강도의 염산 10 ㎖와 23중량% 강도의 아질산나트륨 수용액 30 ㎖(0.1 몰)을 첨가하여 디아조화하였다. 온도는 0 내지 5℃로 1.5 시간 동안 유지하였다. 그 후 하기 식의 화합물 34.3 g(0.103 몰)을 첨가하고, 아세트산나트륨 수용액을 첨가하여 pH를 2.5로 유지하였다:
커플링이 끝난 후에, 중탄산나트륨으로 pH를 5 내지 5.5로 만들었다. 염석, 여과 및 건조시켜 하기 식의 염료를 분리하였다. 이 염료는 분무-건조에 의해 분리할 수도 있다:
λmax(물): 530 ㎚
실시예 3
0.1 몰의 하기 식의 화합물을 빙수 200 ㎖에서 교반하였다:
30중량% 강도의 염산 25 ㎖와 23중량% 강도의 아질산나트륨 수용액 30 ㎖(0.1 몰)을 첨가하여 0 내지 5℃에서 디아조화하였다. 그 후 하기 식의 화합물 33.3 g(0.1 몰)을 첨가하고, 아세트산나트륨 수용액을 첨가하여 pH를 2.5 내지 3으로 유지하였다:
커플링이 끝난 후에, 중탄산나트륨으로 pH를 5 내지 5.5로 만들었다. 염석, 여과 및 건조시켜 하기 식의 염료를 분리하였다:
λmax(물): 520 ㎚
실시예 4
하기 식의 염료를 실시예 2와 유사하게 얻었다:
λmax(물): 530 ㎚
실시예 5
3,3'-디아미노-4,4'-비스(2-설페이토에틸설포닐)벤조페논 27.0 g(0.042 몰)을 빙수 200 ㎖에서 교반하고, 10N염산 30 ㎖ 및 빙초산 100 ㎖을 첨가하고, 23중량% 강도의 아질산나트륨 수용액 30 ㎖와 함께 교반하면서 0 내지 5℃에서 테트라아조화하였다. 0 내지 5℃에서 3 시간 동안 교반한 후, 아미도설폰산을 첨가하여 약간 과량의 유리 아질산을 분해시켰다. 그 후, 하기 식의 화합물 수용액 17.4 ㎖(0.087 몰)을 첨가하고, 아세트산나트륨으로 pH를 3 내지 3.5로 유지하였다:
반응이 끝난 다음, 혼합물을 실온까지 가온되게 하고, 탄산나트륨으로 pH를 5 내지 5.5로 만들었다. 염화칼륨을 반응 용액에 첨가하고, 4 시간 동안 교반하였다. 적색 침전물을 여과하고 건조시켰다. 하기 식의 염료를 얻었다:
λmax(물): 534 ㎚
유사한 방법으로 하기에 제시하는 염료들을 얻었다.
실시예 6
λmax(물): 508 ㎚
실시예 7
λmax(물): 522 ㎚
실시예 8
λmax(물): 514 ㎚
실시예 9
λmax(물): 526 ㎚
실시예 10
λmax(물): 518 ㎚
실시예 11
λmax(물): 528 ㎚
실시예 12 및 13
R2= OH λmax(물): 564 ㎚(실시예 12)
R2= OH λmax(물): 532 ㎚(실시예 13)
[표 1a]
[표 1b]
[표 2]
Claims (4)
- 하기 화학식 1의 반응성 염료:화학식 1상기 식에서,n은 1 또는 2이며,R1은 수소 또는 히드록시설포닐이고,R2는 수소 또는 히드록실이며,R3은 카르복시메틸; 히드록시설포닐메틸; 식 W1-SO2-Y 또는 W2(-SO2-Y)2의 라디칼(여기서, W1은 C1-C4-알킬렌 또는 비치환 또는 치환된 페닐렌이고, W2는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리의 3가 라디칼이며, Y는 비닐임); 식 C2H4-Q의 라디칼(여기서, Q는 알칼리 반응 조건하에서 제거될 수 있는 기); 카르복실 또는 식 CONH-W1-SO2-Y 또는 SO2-Y의 라디칼(여기서, W1및 Y는 각각 상기한 바와 동일한 의미를 가짐)에 의해 치환된 페닐이거나, 또는 n이 2이면, R3은 카르복시-C2-C4-알킬 또는 히드록시설포닐-C2-C4-알킬일 수도 있고,R4는 수소이거나, 또는 R3및 R4는 이들을 연결하는 질소 원자와 함께 5-원 또는 6-원 포화 헤테로시클릭 라디칼(추가로 헤테로 원자를 가질 수도 있음)을 형성하며,n이 1이면, D는 하기 식의 라디칼이거나; 또는n이 2이면, D는 하기 식의 라디칼이며;[상기 식들에서, R5, R6및 R7은 서로 독립적으로 각각 수소, C1-C4-알킬, C1-C4-알콕시 또는 히드록시설포닐이고, E1은 헤테로시클릭 메카니즘 또는 지방족 계열에서 유래한 메카니즘이고, E2는 수소이거나 E1이며, T는 연결 성분임];단, D에는 하나 이상의 메카니즘이 존재할 것을 조건으로 한다.
- 제1항에 있어서, E1이 식 SO2-Y의 라디칼(여기서, Y는 제 1 항에서 정의한 바와 동일함)이고, 아조기에 대해 오르토 위치인 화학식 1의 반응성 염료.
- 히드록실 보유 또는 질소 보유 유기 기재의 염색 또는 날염에 제 1 항에 따른 반응성 염료를 사용하는 방법.
- 하기 화학식 3의 아미노나프탈렌:화학식 3상기 식에서,R1이 수소 또는 히드록시설포닐이며,R2가 수소 또는 히드록실이고,R6이 카르복시메틸; 히드록시설포닐메틸; 식 W1-SO2-Y 또는 W2(-SO2-Y)2의 라디칼(여기서, W1은 C1-C4-알킬렌 또는 비치환 또는 치환된 페닐렌이고, W2는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리의 3가 라디칼이며, Y는 비닐임); 식 C2H4-Q의 라디칼(여기서, Q는 알칼리 반응 조건하에서 제거될 수 있는 기); 식 CONH-W1-SO2-Y 또는 SO2-Y의 라디칼(여기서, W1및 Y는 각각 상기한 바와 동일한 의미를 가짐)에 의해 치환된 페닐이며,R4는 수소이거나, 또는 R4및 R6는 이들을 연결하는 질소 원자와 함께 5-원 또는 6-원 포화 헤테로시클릭 라디칼(추가로 헤테로 원자를 가질 수도 있음)을 형성하고,단, R1이 수소이고, R2가 히드록실인 경우에는 R6이 카르복시메틸이 아닐 것을 조건으로 한다.
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