KR100313183B1 - 발광디바이스 - Google Patents
발광디바이스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100313183B1 KR100313183B1 KR1019980044320A KR19980044320A KR100313183B1 KR 100313183 B1 KR100313183 B1 KR 100313183B1 KR 1019980044320 A KR1019980044320 A KR 1019980044320A KR 19980044320 A KR19980044320 A KR 19980044320A KR 100313183 B1 KR100313183 B1 KR 100313183B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- nano
- crystals
- block
- disposed
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 22
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 GaAlAs Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 abstract description 26
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Abstract
도전성 물질로 이루어진 하부층을 포함하는 발광 디바이스를 개시한다. 전기적 절연 물질로 이루어진 블럭을 상기 하부층 위에 배치한다. 블럭의 적어도 일부는 광 투과성을 갖는다. 도전성 물질로 이루어진 상부층을 블럭 위에 배치한다. Ⅳ족, Ⅲ-Ⅴ족 및 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 물질로 이루어진 다수의 불연속 나노-결정체를 블럭 내에 배치시켜서, 상부 및 하부층으로부터 전기적으로 절연되도록 한다. 전압을 인가하기 위해, 각각 하부 및 상부층에 접속된 하부 및 상부 전극을 또한 제공한다.
Description
본 발명은 발광 구조체에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 백엔드 오브 라인(back-end of line) 실리콘 기법의 발광 구조체에 관한 것이다.
대부분의 Ⅳ족 원소 및 그들의 화합물들은 광 방출체(optical emitters)로서 사용하기에는 적합하지 않다. 다공성 실리콘에서 유효한 광 펌핑 방출(optically pumped efficient emission)(플루오르화 수소산의 전기 산화를 통해 형성되는 양자 배선(quantum-wires)의 매트릭스)이 상당한 시간에 걸쳐 나타났지만, 급속히 열화가 발생되었다. 지금까지, 다공성 실리콘에서는 광 펌핑 방출이 불안정하게 발생했으며, 이러한 불안정한 방출은 표면의 결함뿐만 아니라 나노-구조체(nano-structures)에서의 다차원적 속박(confinement)에 의해 유발된 것으로 간주되고 있다. 실리콘 나노-입자 및 실리콘 이산화물에 주입된 실리콘에서도 또한 광 발광 현상(photoluminescence)이 관측되었다. 합리적인 효율의 발광을 얻기 위해서는 소정의 나노-입자 크기 및 표면 처리(surface termination)가 모두 동시에 요구된다. 안정한 전계 발광(electro-luminescence)을 달성하는데 이들 특성을 이용(harnessing)하는 것은 실리콘에 광전자를 집적시키는 수단으로서 상당한 관심을 끌고 있다.
전술한 이유로 인해, 소정의 시간 동안 안정하며 백엔드 오브 라인 실리콘 기법으로 구현될 수 있는 발광 구조체가 본 기술 분야에 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은 소정의 시간 동안 안정한 Ⅳ족 원소의 발광 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 Ⅳ족 원소의 광 방출 특성을 향상시키는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 백엔드 오브 라인 실리콘 기법으로 구현될 수 있는 발광 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 용이하게 제조될 수 있는 Ⅳ족 원소의 발광 구조체를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 발광 구조체의 제 1 실시예를 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 발광 구조체의 제 2 실시예를 도시한 도면,
도 3은 산화물 표면 상에 증착된 실리콘 나노-결정체를 나타낸 사진,
도 4는 산화물 표면 상에 증착된 게르마늄-실리콘 나노-결정체를 나타낸 사진,
도 5는 게르마늄의 전도대 구조를 나타낸 그래프,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예의 발광 구조체를 나타낸 사진.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100, 200 : 발광 구조체 102 : 도전성 물질의 하부층
104 : 블럭 106 : 도전성 물질의 상부층
108 : 나노-결정체 110 : 전기적 절연 물질의 하부층
112 : 전기적 절연 물질의 상부층 114 : 하부 전극
116 : 상부 전극
본 발명은, 전자 및 정공의 효율적인 주입과, 밴드 구조의 변경과, 표면 특성의 변경에 의해 광 방출 특성을 수용할 수 있는 나노-결정체를 이용하는 실리콘, 게르마늄, 및 GaAs와 같은 Ⅳ족 원소를 사용하여 발광 구조체를 제공한다.
이에 따라, 도전성 물질로 이루어진 하부층을 포함하는 발광 구조체의 제 1 실시예를 개시한다. 전기적 절연 물질로 이루어진 블럭은 하부층 위에 배치된다. 이 블럭의 적어도 일부는 광 투과성을 갖는다. 이 블럭 위에는 도전성 물질로 이루어진 상부층이 배치된다. Ⅳ족, Ⅲ-Ⅴ족, 및 Ⅱ-Ⅵ족으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 다수의 불연속(discrete) 나노-결정체가 이 블럭 내에 배치되어서 상부 및 하부층으로부터 전기적으로 절연된다. 전압을 인가하기 위해, 하부 및 상부층에 접속된 하부 및 상부 전극도 또한 제공된다.
발광 디바이스의 제 1 실시예에 대한 변형예도 또한 개시되는데, 이 변형예에서 블럭은 상기 전기적인 절연 물질로 이루어진 하부층(이 하부층 위에는 나노-결정체가 배치됨)과, 이 나노-결정체 위에 형성된 전기적인 절연 물질의 상부층을 포함한다.
상기 다수의 블럭이 서로 적층되는, 본 발명의 발광 구조체의 제 2 실시예도 또한 개시된다. 이 다수의 블럭은 하부층과 상부층 사이에 배치된다.
발광 디바이스의 제 2 실시예에 대한 변형예도 또한 개시되며, 이 변형예에서 각 블럭은, 상기 전기적인 절연 물질로 이루어진 하부층 ― 상기 하부층 위에는 다수의 불연속 하부 나노-결정체가 배치됨 ― 과, 상기 하부 나노-결정체 위에 형성되는 전기적 절연 물질로 이루어진 적어도 하나의 중간층 ― 상기 중간층 위에는 다수의 중간 나노-결정체가 배치됨 ― 과, 마지막 다수의 중간 나노-결정체 위에 형성되는 전기적 절연 물질로 이루어진 상부층을 포함한다.
전계 발광 현상은 전자-정공 쌍의 유효 발광 재결합을 필요로 한다. 이는 직접적인 재결합을 위한 캐리어가 존재하는 반도체 물질 내에서 발생될 수 있다. 이는 또한, 전자-정공 재결합을 매개하는 결함을 통해 표면에서 발생될 수 있다. 실리콘에 대한 연구에 의하면, 수소, 불소, 에르븀 및 그 밖의 다른 가능한 억셉터형 불순물이 표면 기반의 유효 발광을 가능하게 함이 증명되었다. 나노-결정체(nano-crystals)도 또한 발광이 가능함이 입증되었다. 따라서, 나노-결정체의 형성과, 나노-결정체의 적절한 표면 처리와, 전자 및 정공의 효율적인 주입이 고효율 전계 발광 구조체를 달성하는데 요구된다.
나노-결정체는 나노미터의 범위의 치수, 즉 거의 1-50nm의 치수를 갖는 결정 소자(結晶素子)(crystallite)로 정의된다. 나노-결정체 형태의 물질은 본 기술 분야에 알려진 여러 석출(precipitation) 기법에 의해 형성될 수 있는데, 이 기법은 거대-결정(macro-crystal)의 형성을 방지하도록 구성된다.
본 발명은 소정 범위의 발광 파장을 획득하는데, 실리콘 및 게르마늄의 나노-결정체(이 나노-결정체는 가능한한 응력(stress)을 사용하여, 그리고 나노-구조체의 표면을 적절히 처리하여 얇은 산화물들 위에 형성되고 소정의 얇은 산화물로 둘러싸임)를 사용하는 것을 기술한다. 이 얇은 산화물은 나노-결정체로부터 전극을 분리하는데 사용되지만, 고전류 밀도 및 저전력으로 전자 및 정공을 모두 나노-결정체로 효과적으로 터널링 주입할 수 있도록 해준다. 따라서, 전극은 하나의 타입으로 도핑된 실리콘 또는 폴리실리콘과 같은 물질로 구성된다. 이 구조는 집적된 도파관(waveguides) 뿐만 아니라 자유 공간으로의 유효 광 방출을 가능하게 해준다. 또한, 본 발명의 발광 구조체는 백엔드 오브 실리콘 처리로 집적될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 사용될 수 있는 나노-결정체 물질을 나타내는데, 이들은 예시로서 주어진 것이며 본 발명의 범주를 제한하는 것은 아니다.
Ⅳ족-----Si, SiGe, SiC
Ⅲ-Ⅴ족-----GaAs, GaInAs, InAs, InP, GaInAsP, InSb, GaAlAs, GaSb, GaInSb, GaN, GaInN
Ⅱ-Ⅵ족-----ZnSe, ZnTe, ZnSeTe, CdSe, CDS, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdSeTe,ZnCdSTe
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예의 발광 구조체를 도시하고 있으며, 이는 통상 참조 부호 (100)으로 칭하기로 한다. 도전성 물질로 이루어진 하부층(102)이 제공되며, 그 위에 블럭(104)이 배치된다. 블럭(104)은 적어도 일부분이 광 투과성을 갖는 전기적 절연 물질로 이루어진다. 도전성 물질로 이루어진 상부층(106)이 블럭 위에 배치된다.
도전성 물질로 이루어진 하부 및 상부층(102, 106)은 도핑된 폴리 실리콘, 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물, 그 밖의 다른 도전성 산화물, 또는 얇은 금속일 수 있지만, n 또는 p 타입중 하나로 도핑된 폴리실리콘인 것이 바람직하다. 도전성 물질의 하부층(102)은 p-도핑된 폴리실리콘이며, 도전성 물질의 상부층(106)은 n-도핑된 폴리실리콘인 것이 바람직하다. 전기적 절연 물질로 이루어진 블럭(104)은 1-50nm 범위의 두께를 갖는 얇은 산화물이 바람직하다.
Ⅳ족, Ⅲ-Ⅴ족, 및 Ⅱ-Ⅵ족으로부터 선택된 물질의 다수의 불연속(discrete) 나노-결정체(108)가 블럭(104) 내에 배열되어서 도전성 물질의 하부 및 상부층(102, 106)으로부터 전기적으로 절연된다. 나노-결정체(108)와 도전성 물질의 상부층(106) 사이에 있는 블럭(104)의 적어도 일부는 광 투과성을 갖는다. 나노-결정체(108)는 본 기술 분야에 알려진 임의의 방법에 의해 성장될 수 있으며, SiH4, GeH4, 트리메틸 갈륨(Trimethyl Gallium), 갈륨 클로라이드(Gallium Chloride), 아르신(Arsine), 아르세닉 트리클로라이드(Arsenic Trichloride), 포스핀(phosphine), 트리메틸 인듐, 인듐 클로라이드, 질소, 또는 암모니아와 같은 가스로부터 대기압보다 낮은 압력에서 화학 기상 증착법에 의해 성장되는 것이 바람직하다. 나노-결정체의 크기는 15 내지 170Å의 범위 내에 있는 것이 바람직하며, 나노-결정체(108)는 연속적인 막을 형성하지 않도록 실질적으로 간격을 두고 배치되며, 그 간격은 1nm 보다 큰 것이 바람직하다.
이와 달리, 블럭(104)은 전기적 절연 물질로 이루어진 하부층(110)을 포함하는데, 이 전기적 절연 물질의 하부층(110) 위에는 다수의 불연속 나노-결정체(108)가 배열되거나 형성되며, 나노-결정체(108) 위에는 전기적 절연 물질로 이루어진 상부층(112)이 배열되거나 형성된다. 전기적 절연 물질의 상부층(112)만이 광 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이, 전기적 절연 물질은 얇은 산화물인 것이 바람직하다.
얇은 산화물은 저온 처리에 의해 성장될 수 있으며, 포울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 터널링으로 뿐만 아니라 직접적으로, 실리콘 나노-결정체에 전자를 주입할 때 이를 사용함은 본 기술 분야에 잘 알려져 있다. 나노-결정체(108)는 전기적 절연 물질(산화물인 것이 바람직함)로 이루어진 블럭(104)으로의 직접적인 주입에 의해 형성될 수 있으며, 그 후 고온 어닐링 처리가 행해진다. 표면의 처리에 필요한 입자들(species)(예를 들면, Er, F, Ca, In 등)이 결합 구역(bonding site)으로 주입되고 열 처리된다. 나노-결정체(108)는 도전성 물질의 하부층(102) 위에 직접 증착될 수 있으며, 이 도전성 물질은 실리콘 이산화물인 것이 바람직하다. 도 3은 이러한 예를 도시한 도면이다. 이들 결정체로부터의 광 방출은 2.3 내지 1.3 eV 범위(530nm 내지 950nm의 범위)에 있을 수 있으며, 증착 공정 동안 처리용 입자들이 또한 인-시튜(in-situ) 주입될 수 있다.
나노-결정체층(108)에 다른 반도체 뿐만 아니라 다른 Ⅳ족 원소를 사용하는 것도 마찬가지로 중요하며, 작은 나노-결정체는 적절한 온도 및 상태 하에서 형성될 수 있다. 도 4는 터널 산화물 상에 증착된 게르마늄-실리콘 나노-결정체 착물의 예를 도시한 도면이다. 게르마늄은 도 5에 도시한 벌크 밴드-구조를 갖는다. 실리콘과 마찬가지로, 이는 간접적인 밴드갭 물질이다. 그러나, 표면 처리시 나노-입자로서 사용될 때, 이는 유효 방출 천이를 가능하게 해준다.
또한, 이 구조체에 응력이 유발될 수 있다. 응력의 발생으로 인해, Γ 계곡 최소치들(valley minima)이 에너지에 있어 L 또는 X 계곡 최소치들과는 다른 속도로 변한다. 게르마늄의 전도 전자는 대부분 L 계곡에 존재한다. 그러나, Γ 계곡은 단지 약 0.2 eV 만큼 떨어져 있을 뿐이다. 응력을 이용하면, 낮은 응력으로도 게르마늄이 발광되도록 할 수 있다. 실제로, 벌크 구조에서, 고온 캐리어 기반 유효 방출(hot carrier based efficient emission)이 게르마늄 내에서 나타났다. 이들 특성은 주변 실리콘 또는 폴리실리콘 매트릭스를 산화함으로써 유발될 수 있는 응력의 변화로부터 기인한다. 게르마늄 나노-입자를 함유하는 구조체는 약 1300nm의 파장으로 발광되도록 할 수 있다. 따라서, SiGe 조성물은 약 530nm 및 1300nm 사이에서 발광될 수 있다.
통상 본래 직접적인 Ⅲ-Ⅴ족 물질은 증착에 의하여 전기적인 절연 물질(110)의 하부층 상에 또한 형성될 수 있다. 발광 디바이스가 프로세스 집적의 마지막단계들 중에 형성될 수 있기 때문에, 오염 문제는 제기되지 않는다. GaAs, GaAlAs, GaInAs, GaInAsP, GaInP 등과 같이 에픽택시에 의해 증착된 Ⅲ-Ⅴ족은, 100nm 보다 큰 두께로 성장될 때 분자 또는 화학 에피택시 기법에 의해 400℃ 보다 높은 성장 온도에서 다결정 물질을 형성한다. 2-10nm 범위의 나노-결정체에 대해서처럼 제한된 물질이 성장될 경우, 더 작은 나노-결정체는 단결정 아일랜드로서 형성되고 이들은 더 큰 밴드갭을 갖는 물질로 도금(cladding)되어, 유효 재결합을 가능하게 한다. 전기적 절연 물질의 상부층(112)은 이 위에 증착될 수 있으며(몇몇 형태에서 이는 불필요할 수 있음), 도전성 물질의 상부층(106)이 증착된다. 나노-결정체는 매우 안정하며, 고온 처리가 가결정(pseudomorphic) 성장의 문제에 의해 방해받지 않게 해준다.
또한, 도전성 물질의 하부 및 상부층(102, 106)에 접속된 하부 및 상부 전극(114, 116)이 제공되며, 이는 두 도전성 물질 사이에 전압을 인가하기 위한 것이다. 도전성 물질의 하부 및 상부층(102, 106)은 또한 하부 및 상부 전극(114, 116)을 포함하는 것이 바람직하다. 상부 전극(116)은 인듐 주석 산화물과 같은 광 투과성의 얇은 산화물이 증착된 막인 것이 바람직하다. 하부 전극(114)은 폴리실리콘 또는 기판, 혹은 금속 전극일 수 있다.
상부 및 하부 전극(114, 116) 사이의 전위 차에 의해 전자 및 정공이 주입될 때 뿐만 아니라, 상부 및 하부 전극(114, 116) 사이에 전위가 인가되어 전자의 주입이 발생될 때에도 광이 방출되는, 발광 구조체(100)의 동작에 대해 이하 기술하기로 한다. 전자는 결함 상태로부터 전이될 때 에너지를 손실할 경우, 광자(광)를방출한다. 또한, 나노-결정체(108)의 전자 및 정공은 직접 재결합하여 광자를 방출한다. 전술한 실리콘 및 게르마늄의 응력 및 계면은 나노-결정체(108)의 전자 및 정공의 재결합에서 중요한 역할을 한다.
전기적 절연 물질의 블럭(104)을 통해 나노-결정체(108) 및 상부와 하부 전극(114, 116) 사이에서 전자 터널링이 발생되기 때문에 전자 및 정공이 재결합될 수 있다. 전자 또는 정공은 터널링에 의해 나노-결정체(108) 사이에서 또한 전이될 수 있는데, 그 이유는 나노-결정체 간의 간격과, 블럭(104)을 이루는 전기적 절연 물질의 형태로 이들 나노-결정체 간의 간격 내에 위치하는 장벽 때문이다. 따라서, 나노-결정체는 속박(confinement) 효과가 발생하도록 이격 배치되며, 이는 나노-결정체(108)의 주위에 블럭(104)의 전기적 절연 물질의 장벽(얇은 산화물이 바람직함)을 필요로 한다. 나노-결정체(108)가 서로 접촉될 경우, 이들은 연속적인 막을 이루게 되어, 이들의 발광 특성은 나타나지 않는다.
발광 구조체(100)에서는 광이 모든 방향으로 방출되지만, 상부 전극(116) 및 도전성 물질의 상부층(106)(이는 통합 전극인 것이 바람직함)을 얇은 금속, 혹은 주석 산화물, 인듐 산화물, 및 그들 혼합물 또는 도전성 중합체와 같은 도전성 산화물 등의 투과성 물질로 제조함으로써 상부로부터의 광을 집광하는 것이 바람직하다. 상부로부터 방출된 광의 집광을 최대화하기 위해, 도전성 물질의 하부층(102)은 반사 물질로 제조될 수 있다.
통상 참조 부호 (200)으로 언급하는, 본 발명의 제 2 실시예의 발광 구조체를 도 2에 도시하며, 여기서 도 1과 유사하거나 동일한 모든 구성 성분은 동일한참조 부호로 표시하며, 이 제 2 실시예는 도전성 물질의 하부 및 상부층(102, 106) 사이에 여러 개의 블럭(104)이 배치된다는 점에서 제 1 실시예와 조금 다르다. 블럭(104)은 도전성 물질의 하부층(102) 위에 서로 적층된다. 도 2에서는 두 개의 블럭(104) 만을 도시하였지만 몇 개라도 가능함을 알아야 한다. 도전성 물질의 하부층(102)에 인접한 블럭(104)은 적어도 부분적으로 광 투과성을 가지며, 나머지 블럭들은 완전한 투과성을 갖는다. 나노-결정체(108)는 각 블럭(104) 내에 배치되며, 이로 인해 하부 및 상부층(102, 106)으로부터 전기적으로 절연된다.
발광 구조체(200)의 블럭(104)은 전기적 절연 물질의 하부층(110)을 포함하며, 이 전기적 절연 물질의 하부층(110) 위에는 다수의 불연속 나노-결정체(108a)가 배치되는 것이 바람직하다. 전기적 절연 물질로 이루어진 하나의 중간층(118)이 하부 나노-결정체(108a) 위에 형성되며, 중간층(118) 위에 다수의 중간 나노-결정체(108b)가 배치된다. 그 후, 전기적 절연 물질로 이루어진 상부층(112)이 마지막 다수의 중간 나노-결정체(108b) 위에 형성된다.
간략하게 나타내기 위해, 도 2에서는 발광 구조체(200)가 전기적 절연 물질로 이루어진 중간층(118)을 하나만 포함하는 것으로 도시하였지만, 상부층(112)이 형성되기 전에 임의의 수의 중간층(118)이 적층될 수 있다. 전기적 절연 물질의 중간층(118) 및 상부층(112)은 광 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
제 2 실시예의 발광 구조체(200)는 제 1 실시예의 발광 구조체(100)와 동일한 원리로 동작하며, 이에 대한 사진을 도 6에 나타낸다. 그러나, 블럭(104)의 적층으로 인해 방출되는 광의 양 및 강도가 증가되며, 이에 따라 더 높은 강도의응용에 더욱 유용하게 된다.
따라서, 본 발명은 구조체의 원리, 여러 물질(Ⅳ족, Ⅲ-Ⅴ족 및 Ⅱ-Ⅳ족)로 이루어진 나노-결정체의 사용과, SiGe와 같은 조성물 또는 게르마늄 혹은 GaAs 등과 같은 단일물에서의 이러한 구조체의 증착 기술과, 측방향 속박 실리콘(laterally confining silicon)을 산화시켜 산화물을 형성하는데 응력의 사용과, 효과적으로 전자 및 정공을 주입할 수 있는 폴리실리콘, 실리콘 혹은 기타 다른 전극 물질을 구비한 얇은 산화물의 사용에 관한 것이다. 이들 구조체는 실리콘 기술에 광-전자 집적 능력을 제공하는데 특히 유용하다. 따라서, 우선 현존 생산 라인으로 실리콘 회로가 제조되고, 본 발명의 발광 구조체가 이 실리콘 회로에 배치되고 직접 접속되면, 정보가 전기적이 아니라 광학적으로 전송될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예로 간주되는 것을 도시하고 기술하였지만, 이는 본 발명의 정신을 벗어나지 않고서 형태 또는 세부사항의 여러 변경 및 수정을 용이하게 행할 수 있음을 물론 알 것이다. 따라서, 본 발명은 기술되고 예시된 바로 그 형태에 한정되지 않으며, 첨부된 특허청구범위의 범주 내에 해당될 수 있는 모든 변경을 포함하는 것으로 보아야 한다.
본 발명은 소정의 시간 동안 안정한 Ⅳ족 원소의 발광 구조체를 제공한다.
또한, 본 발명은 Ⅳ족 원소의 광 방출 특성을 향상시켜 준다.
또한, 본 발명은 백엔드 오브 라인 실리콘 기법으로 구현될 수 있는 발광 구조체를 제공한다.
또한, 본 발명은 용이하게 제조될 수 있는 Ⅳ족 원소의 발광 구조체를 제공한다.
Claims (12)
- 발광 디바이스에 있어서,① 도전성 물질의 하부층과,② 도전성 물질의 상기 하부층 상에 배치되는 산화물 물질의 블럭 ― 상기 블럭의 적어도 일부는 광 투과성을 가짐 ― 과,③ 상기 블럭 상에 배치되는 도전성 물질의 상부층과,④ SiGe, SiC, 및 Ⅲ-Ⅴ족으로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 블럭 내에 배치되어 상기 하부층 및 상부층으로부터 전기적으로 절연되는 다수의 불연속 나노-결정체(discrete nano-crystals)와,⑤ 상기 하부층 및 상기 상부층에 각각 접속되어 상기 하부층 및 상기 상부층 사이에 전압을 인가하기 위한 하부 및 상부 전극을 포함하며,상기 상부 전극은 상기 하부 전극과 상부 전극 사이의 상기 전압 인가에 의해 생성되는 광을 방출시키는 광 투과성 물질인발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 블럭은 산화물 물질의 하부층 ― 상기 하부층 상에는 상기 불연속 나노-결정체가 배치됨 ― 과, 상기 나노-결정체 상에 형성되는 산화물 물질의 상부층을 포함하는 발광 디바이스.
- 제 2 항에 있어서,상기 산화물 물질의 상부층은 광 투과성인 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 나노-결정체는 GaAs, GaAlAs, GaInAs, GaInAsP, GaInP, GaN 및 GaInN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 물질로 형성되는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 나노-결정체는 연속적인 막을 형성하지 상기 블럭 내에서 실질적으로 소정 간격을 두고 배치되는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부 및 하부 전극은 생략되며, 도전성 물질의 상기 상부층은 광 투과성 물질로 구성되는 발광 디바이스.
- 발광 디바이스에 있어서,① 도전성 물질의 하부층과,② 상기 하부층 상에 서로 적층되어 배치되는 다수의 블럭 ― 상기 하부층에 인접하는 상기 블럭의 적어도 일부는 광 투과성을 가지며, 나머지 블럭은 완전한 투과성을 가짐 ― 과,③ 상기 다수의 블럭 상에 배치되는 도전성 물질의 상부층과,④ SiGe, SiC, 및 Ⅲ-Ⅴ족으로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 블럭 내에 배치되어 상기 하부층 및 상부층으로부터 전기적으로 절연되는 다수의 불연속 나노-결정체(discrete nano-crystals)와,⑤ 상기 하부층 및 상기 상부층에 각각 접속되어 상기 하부층 및 상기 상부층 사이에 전압을 인가하기 위한 하부 및 상부 전극을 포함하며,상기 상부 전극은 상기 하부 전극과 상부 전극 사이의 상기 전압 인가에 의해 생성되는 광을 방출시키는 광 투과성 물질인발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 다수의 블럭은, 산화물 물질의 하부층 ― 상기 하부층 상에는 다수의 불연속 하부 나노-결정체가 배치됨 ― 과, 상기 하부 나노-결정체 위에 형성되는산화물 물질의 적어도 하나의 중간층 ― 상기 중간층 위에는 다수의 중간 나노-결정체가 배치됨 ― 과, 마지막 다수의 중간 나노-결정체 위에 형성되는 산화물 물질의 상부층을 포함하는 발광 디바이스.
- 제 8 항에 있어서,상기 산화물 물질의 중간층 및 상부층은 광 투과성을 갖는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 나노-결정체는 GaAs, GaAlAs, GaInAs, GaInAsP, GaInP, GaN 및 GaInN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 물질로 형성되는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 나노-결정체는 연속적인 막을 형성하지 않도록 상기 블럭 내에서 실질적으로 소정 간격을 두고 배치되는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서,상기 상부 및 하부 전극은 생략되며, 상기 도전성 물질의 상부층은 광 투과성 물질로 구성되는 발광 디바이스.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/974,215 US6236060B1 (en) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | Light emitting structures in back-end of line silicon technology |
| US8/974,215 | 1997-11-19 | ||
| US08/974,215 | 1997-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990044895A KR19990044895A (ko) | 1999-06-25 |
| KR100313183B1 true KR100313183B1 (ko) | 2002-02-04 |
Family
ID=25521754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980044320A KR100313183B1 (ko) | 1997-11-19 | 1998-10-22 | 발광디바이스 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6236060B1 (ko) |
| KR (1) | KR100313183B1 (ko) |
| TW (1) | TW405232B (ko) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0975027A2 (en) | 1998-07-23 | 2000-01-26 | Sony Corporation | Light emitting device and process for producing the same |
| US6541788B2 (en) * | 1998-10-27 | 2003-04-01 | The Regents Of The University Of California | Mid infrared and near infrared light upconverter using self-assembled quantum dots |
| US6639354B1 (en) * | 1999-07-23 | 2003-10-28 | Sony Corporation | Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same |
| US6797412B1 (en) * | 2000-04-11 | 2004-09-28 | University Of Connecticut | Full color display structures using pseudomorphic cladded quantum dot nanophosphor thin films |
| CN1263168C (zh) * | 2000-06-29 | 2006-07-05 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 光电元件和用发光层覆盖光电元件的方法 |
| US20020110180A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Barney Alfred A. | Temperature-sensing composition |
| CA2480518C (en) * | 2002-03-29 | 2016-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| JP2004083653A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法 |
| KR100507610B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-08-10 | 광주과학기술원 | 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법 |
| US7132787B2 (en) * | 2002-11-20 | 2006-11-07 | The Regents Of The University Of California | Multilayer polymer-quantum dot light emitting diodes and methods of making and using thereof |
| KR100657891B1 (ko) * | 2003-07-19 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정 및 그 제조방법 |
| US20050141809A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Gardner Donald S. | Microring and microdisk resonators for lasers fabricated on silicon wafers |
| WO2006029533A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-23 | Group Iv Semiconductor Inc. | Thin film alternating current solid-state lighting |
| US10225906B2 (en) * | 2004-10-22 | 2019-03-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| US7649196B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-01-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device |
| WO2007018570A2 (en) * | 2004-11-03 | 2007-02-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Absorbing film |
| US8891575B2 (en) * | 2004-11-30 | 2014-11-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical feedback structures and methods of making |
| US20070001581A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Stasiak James W | Nanostructure based light emitting devices and associated methods |
| US8835941B2 (en) * | 2006-02-09 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same |
| US8941299B2 (en) * | 2006-05-21 | 2015-01-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| US8643058B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-02-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Electro-optical device including nanocrystals |
| WO2008033388A2 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Qd Vision, Inc. | A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite |
| US20080179636A1 (en) * | 2007-01-27 | 2008-07-31 | International Business Machines Corporation | N-fets with tensilely strained semiconductor channels, and method for fabricating same using buried pseudomorphic layers |
| US9136498B2 (en) * | 2007-06-27 | 2015-09-15 | Qd Vision, Inc. | Apparatus and method for modulating photon output of a quantum dot light emitting device |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| WO2009037314A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Carnehammar, Lars Bertil | Method, apparatus and system for processing of vehicle tyres |
| EP2090638A1 (de) | 2008-02-12 | 2009-08-19 | Evonik Degussa GmbH | Lumineszierende Silicium-Nanopartikel |
| JP4445556B2 (ja) | 2008-02-18 | 2010-04-07 | 国立大学法人広島大学 | 発光素子およびその製造方法 |
| JP4392052B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-12-24 | 国立大学法人広島大学 | 発光素子およびその製造方法 |
| US20100200880A1 (en) * | 2008-06-06 | 2010-08-12 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. | Semiconductor wafers and semiconductor devices and methods of making semiconductor wafers and devices |
| CN104756221B (zh) * | 2012-09-07 | 2017-05-03 | 哈维尔克有限责任公司 | 纳米颗粒材料（ngm）材料、用于制造所述材料的方法和装置及包括所述材料的电部件 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802181A (en) * | 1986-11-27 | 1989-01-31 | Nec Corporation | Semiconductor superlattice light emitting sevice |
| JP2584811B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-02-26 | キヤノン株式会社 | 非線形光学素子 |
| FR2656955B1 (fr) * | 1990-01-10 | 1996-12-13 | France Etat | Structure a semiconducteurs pour composant optoelectronique. |
| US5262357A (en) | 1991-11-22 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of California | Low temperature thin films formed from nanocrystal precursors |
| US5293050A (en) * | 1993-03-25 | 1994-03-08 | International Business Machines Corporation | Semiconductor quantum dot light emitting/detecting devices |
| GB2288062A (en) * | 1994-03-24 | 1995-10-04 | Univ Surrey | Forming luminescent silicon material and devices |
| US5936258A (en) * | 1995-04-28 | 1999-08-10 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor memory device and read/write method therefor |
| JP3745015B2 (ja) * | 1995-09-21 | 2006-02-15 | 株式会社東芝 | 電子デバイス |
| US5714766A (en) * | 1995-09-29 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Nano-structure memory device |
| US5780867A (en) * | 1996-03-07 | 1998-07-14 | Sandia Corporation | Broadband light-emitting diode |
-
1997
- 1997-11-19 US US08/974,215 patent/US6236060B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-08 TW TW087109039A patent/TW405232B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-22 KR KR1019980044320A patent/KR100313183B1/ko not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Applied Physics Letters, 66(11), p.1316-1318의 "Electroluminescence from CdSe quantim-dot/polymer composite" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6236060B1 (en) | 2001-05-22 |
| KR19990044895A (ko) | 1999-06-25 |
| TW405232B (en) | 2000-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100313183B1 (ko) | 발광디바이스 | |
| US7838894B2 (en) | Optical device having photoelectric conversion layer | |
| EP2509119B1 (en) | Light emitting element and method for manufacturing same | |
| US8787416B2 (en) | Laser diode using zinc oxide nanorods and manufacturing method thereof | |
| EP1563547B1 (en) | Nanostructure, electronic device having such nanostructure and method of preparing nanostructure | |
| US6661035B2 (en) | Laser device based on silicon nanostructures | |
| JPH09129974A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3283802B2 (ja) | 選択成長法を用いた半導体層及びその成長方法、選択成長法を用いた窒化物系半導体層及びその成長方法、窒化物系半導体発光素子とその製造方法 | |
| JP3304903B2 (ja) | 半導体量子ドット素子とその製造方法 | |
| JP2672371B2 (ja) | 光通信変調装置 | |
| US20100065811A1 (en) | SINGLE PHOTON SOURCE WITH AllnN CURRENT INJECTION LAYER | |
| CN113471340A (zh) | 一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro-LED及其制备方法 | |
| CN109166953B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| JPH05283741A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US8653501B2 (en) | Emitting device and manufacturing method therefor | |
| JP4277363B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| JPS63136591A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP4070199B2 (ja) | 半導体光デバイス | |
| KR20230048634A (ko) | 터널 접합들의 p형 층들의 활성화 | |
| Shockley et al. | SEMICONDUCTOR PHYSICS | |
| JPH0632335B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| CN115863504A (zh) | 一种led外延结构及其制备方法、led芯片 | |
| JPH04260386A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| CN110829169A (zh) | 脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构及其制备方法 | |
| JPH0653613A (ja) | 半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20071004 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |