TW405232B - Light emitting structures in back-end of line silicon technology - Google Patents

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405232 at B7 五、發明説明（1 ) 發明之背景 1.發明之領域 本發明與其相關連之技術領域爲發光結構。具體言之， 本發明係關於在線矽技術後端之發光結構。 2.相關技術之説明 大多數的第四族元素及其化合物均爲不良發光體。多孔 矽中所顯示的光學抽取式效益放射（氫氟酸中通過電氧化所 形成的中子金屬絲矩陣）已經歷了一段可觀的時期，雖然它 曾患有快速退化的毛病。截至今天，在多孔矽中所完成的 光學抽取式放射仍不穩定並且相信此種放射係由毫微結構 中之多度空間限制及由表面處之種種缺陷所造成的。在矽 的毫微顆粒中亦已觀測到光子微發光以及有矽被内植在二 氧化矽中。同時還需要某種毫微顆粒尺寸及一種表面終止 作用兩者才會以一種合理效率完成發光。利用此等特性來 70成穩足的電氣激發光來作爲達成♦中之光學電子積體化 的裝置則是相當有趣的》 爲了上述原因，故在本行技術中需要有一種發光結構， 此種結構經歷了 一段長久時期則仍然是穩定的並且可被實 施在線秒科技之後端中。 發明之概述 是故’本發明之目的爲提供一種第四族元素的發光結構 ，此種結構在經歷了一段長久時期是穩定的。 本發明之另一目的爲改善第四族元素之發光特性。 本發明之另一目的爲提供一種發光結構，此種結構可被 本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） --Γ - ii* —l· I n-n * _ _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- 經"部中央標準局t只工消资合作社印3! A7 ______40523^ 五、發明説明（2) 實施在線矽科技之後端中。 本發明之再一另外目的爲提供易於製造之一種第四族元 素發光結構。 本發明所提供的發光結構均採用第四族元素，諸如矽， 錯’以及利用毫微晶體的GaAs，此種毫微晶體，均因電子 及電洞的效率注射，波帶結構的改變，及表面特性的變異 ’而能擁有令人滿意的發光特性。 因此，所説明的爲一種發光裝置之第一具體實例，此種 裝置由一通導電材料的底層组成。有一段塊的電絕緣材料 被配置在此底層上。此段塊電絕緣材料的至少一部分爲導 光體。有一道導電材料的頂層則被配置在此段電絕緣材料 上。有選自由第四族，第三至第五族，及第二至第六族所 組成之類屬材料的多個分離毫微晶體均被配置在此，段塊 電絕緣材料内，因而，才會成爲與此等頂底膜層電氣絕緣 。亦被提供的爲分別連接至頂底膜層之頂部及底部電極， 用以將一電壓加在它們之間。 亦被説明的爲此種發光裝置之第一具體實例的一項變體 ’其中此段塊的電絕緣材料包括一道在其上設有毫微晶體 之電絕緣材料的底層及一道在此等毫微晶體上面生成有電 絕緣材料的頂層。 所亦説明的爲本發明之發光結構之第二具體實例，其中 係將該等多段塊的電絕緣材料彼此堆疊起來。此等多段塊 的電絕緣材料均被配置在底層與頂層之間。 所亦説明的爲此種發光裝置之第二具體實例之一項變體 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） m i— —--n In 1= i -I—'_ 4 ^^^1 nn nn 、V5 1 i請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經满部中决標準局負工消资合作社印$1 五 '發明説明（3) A74052Gk B7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^中每段電絕緣材料均包括一道在其上配有多個底部分 離毫微晶H㈣材料底層’至少—道在此底部毫微晶 體上製有電絕緣材料並在其上配有多個中間毫微晶體之電 絕緣材料的中間層，以及_道在多個最後中間毫微晶體上 面製有電絕緣材料的頂層。 圖式之簡單説明 本發明之裝置的上述及其他特色，特點及優點，就下列 十 附帶的申請專利範及附圖而言，都會成爲更佳了解 其中： 圖1例示本發明之一種發光結構之第一具體實例。 圖2例示本發明之發光結構之第二具體實例。 圖3爲表示被沉積在一處氧化物表面上之毫微晶體的照相 圖。 圖4爲表示被沉積在—處氧化物表面上之鍺矽毫微晶體的 照相圖。 圖5爲表示鍺的導電譜帶結構的曲線圖。 圖6爲表示本發明之發光第二具體實例的照相圖。 經浐部中央標準局兵工消费合作社印絮 發明之愛用具體實例的詳細説明 電子激發光需要成對電子電洞的效率發光的重新組合。 此筆可以發生在那裡有載體存在供直接重新組合用的半導 體材料内。它也能經由傳送電子電洞重新組合的缺陷發生 在各種表面處。就矽而言，研究顯示氫，氟，餌，以及可 能其他受體狀雜質均可產生有效益之以表面爲基礎的激發 光。毫微晶體亦已顯示了激發光的言正據。這樣一來，毫 6- 參纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 經漪部中央標準局只工消费合作社印51 __405.2；!^__五、發明説明（4 ) 微晶體的造型，此等毫微晶體之適當表面終止，以及電子 與電洞的效益注射均爲一種高效益電子激發光結構的必需 要素。 一毫微晶體之定義就是其體積空間係在毫微計範圍内（亦 即，大約1至5 0塵米）的一項結晶體。成其毫微結晶形式的 材料可由本行技術中所已知之各種沉澱技術生成之，此等 技術的設計均在防止發生巨晶造型。 本發明乃係説明可利用應力及適當終止將毫微顆粒表面 包封在一道稀薄氧化物内束將矽與鍺的毫微晶體製造在稀 薄氧化物上的用途，用以取得一種發光波長的範圍。利用 此等稀薄氧化物才會將獨立電極與毫微晶體分離開來，但 卻容許具有有效的高電流密度，將電子及電洞兩者以低功 率通道注射在毫微晶體内。所以，此等電極才會由諸如對 隨意型式所攙雜的矽或多晶矽之材料組成。此種結構才會 促成有效率的發光在自由空間内以及積體導波管内。而且 ，還可將本發明之發光結構積體化在矽處理之後端内。 下文所列者爲用在本發明中的可行毫微晶體材料，不過 ，它們均係經由實例所提供的而非限制本發明之範圍： 第四族材料一 Si，SiGe，SiC。 第三至第五族材料一GaAs，GalnAs，InAs，InP，GalnAsP， InSb，GaAlAs，Ga5b，GalnSb，GaN，GalnN。 第二至第六族材料一ZnSe，ZnTe，ZnSeTe，CdSe，CDS， ZnCdS，ZnCdSe，ZnCdSeTe，ZnCdSTe。 現在參照圖1，所例示的爲本發明之一種發光結構之第一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

、1T 糸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 405232 A7 經濟部中央標準局兵工消费合作社印5i B7 五、發明説明（5 ) 具體實例，一般而言，均係由參數编號100表示。將一道導 電材料102的底層提供在配置有一段電絕緣材料104上面。 段塊104爲一種電絕緣材料，其中它的至少一部分爲透光體 。有一道導電材料的頂層106被配置在此段塊上。 導電材料之底層和頂層102及106可爲攙雜的多晶矽，氧化 錫，氧化錮，氧化錮錫，其他導電氧化物，或稀薄金屬， 但卻以對η或p型之隨意一種所攙雜的多晶矽爲較佳。就愛 用方式言，導電材料的底層102爲ρ攙雜的多晶矽，以及導 電材料之頂層106爲攙雜的多晶矽。電絕緣材料之段塊104 最好是一道稀薄氧化物，其厚度係在1至50塵米範圍内。 將選自第四族，第三至第五族，及第二至第六族材料的 多個分離毫微晶體配置在段塊104内，因而，才會與導電材 料的底層及頂層102，106成爲電絕緣。段塊104在毫微晶體 108與導電材料的頂層106之間的至少一部分爲透光體。毫 微晶體108可藉本行技術中所已知的任何方法生成以及愛用 的方式爲藉化學蒸汽沉積在次大氣應力下用諸如SiH4， GeH4，三甲基鎵，氯化鎵，胂，三氣化砷，膦，三甲基錮 ，氯化錮，氮，或氨等氣體生成之。毫微晶體的大小受用 的方式係在1 5至170埃的範圍内以及毫微晶體108的大致分 離間隔爲如此方式，俾不致形成一道連續不斷的膜層，其 間隔最好是大於1塵米。 就變換方式言，段塊104包括一道電絕緣材料的底層110, 在此底層上配置或製成有多個分離毫微晶體108，以及包括 一道被配置或製造在毫微晶體108上面之電絕緣材料的頂層 . .^衣 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 40523^ 五、發明説明（6 ) 112。就爱用方式言，具有電絕緣材料的頂層112才是透光 體。根據先前的討論，就愛用方式言，電絕緣 薄氧化物。 馬稀 此等稀薄氧化物可藉低溫處理生成《，以及其在藉直接 以及Fowler-NordheimA打通將電子注射在矽質毫微^體中 的用法均爲本行技術中所熟悉的。亦可藉直接内植在電絕 緣材料（受用者爲一種氧化物）的段塊1〇4内來生成毫微晶體 108並繼之以高溫燒結。亦可將終止各表面所必需的物種（ 實例爲Er，F，Ca，In等）予以内植在接合位置處並加以熱 處理。亦可將毫微晶體1〇8直接沉積在導電材料的底層1〇2 上，此種導電材料最好是二氧化矽。圖3表示此筆之一項實 例。來自此等晶體的發光可爲在2 3至丨3eV範内（53〇塵米 至950塵米），以及亦可在沉積處理時，在原來位置處加入 終止物種。 同樣重要的爲其他第四族材料以及毫微晶體層1〇8中的其 他半導體的用途，並可藉溫度及條件的適當選擇來製成細 小的毫微晶體。圖4表示被沉積在通道氧化物上之鍺矽毫微 晶體複合物的實例。鍺具有圖5所表示的龐大譜帶結構。像 碎一樣’它是一種間接譜帶間隙材料。但是，當用作爲關於 表面終止的毫微顆粒時，它卻會促成有效率的輻射過渡。 此外’還可將應力加在此種結構内。加入應力時才會促 使Γ valley minima(試譯爲"谷底最小値"）以不同於L或X valley minima的速率改變能量。鍺的傳導電子大部分都在此 種L谷値（L valley )内。不過，Γ谷値只是相差〜0.2eV而已 -9 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 $ 項 再 填 頁 經漓部中央標準局只工消资合竹社印1Ϊ A7 B7 五 經濟部中央標4,-局召工消费合作社印來 40523： 、發明説明（ °採用應力時，即使以較低應力，仍可使鍺成爲激發光。 的確’在魔大結構中’均已在鍺内証明了以熱載體爲基礎 的效率放射。此等特性都是因改變應力而起的緣故，藉使 種周圍矩陣的矽或多晶矽氧化時均可加入此種應力改變 °可使包含錯的毫微顆粒的結構成爲激發光達大約1300塵 米的波長。如此一來，SiGe複合體才可產生大约53〇塵米與 1300塵米之間的激發光。 亦可藉導電材料底層110上之沉積製造通常爲自然導引之 第三至第五族材料。由於可在一種製程積體化之終端步驟 中間製造發光裝置，故污染問題不是一項問題。當生成達 超過100塵米的厚度時，則由同軸生長所沉積之第三至第五 族材料’諸如 GaAs，GaAlAs，GalnAs，GalnAsP，GalnP 等， 藉分子或化學同軸生長技術在超過4〇(rc的生長溫度下生成 多晶材料。當生成諸如就2至1〇塵米範圍内的毫微晶體言 的有限材料時，則較小的毫微晶體才會生成爲單晶島嶼， 並且才能將它們裹有更大的帶隙材料，以促成有效率的重 新組合。可將電絕緣材料的頂層112沉積在此種帶隙材料（ 在有些形式，它可能並不需要）以及所沉積之導電材料的頂 層106上面。毫微晶體都非常穩定並且容許不受假形態生長 問題阻礙的更高溫處理。 所亦提供的爲分別連接至導電材料的底層及頂層ι〇2，ι〇6 之底部及頂部電極114，116，用以將一電壓加在它們之間 。就愛用方式言，導電材料的底層及頂層1〇2，1〇6亦包括 底部及頂部電極114, 116。頂部電極116受用者均爲一道諸 、10- L紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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i〇523S 五、發明説明（8 ) 如氧化錮錫的透光稀薄氧化物的沉積膜層。底部電極丨14可 爲多晶矽或基質或者一金屬電極。 炫特説明發光結構1〇〇的操作情形，其中乃係當將一電氣 電位施加在頂部與底部電極114，116之間以產生電子的注 射並達到由頂部與底部電極114，116之間的電位差所造成 的電子及电,同的注射時，才會產生發光。當電子在其自一 種缺陷狀態轉移中喪失能量時，它才會放射中子（發光）。 同樣，毫微晶體108内的電子與電洞均直接重新组合，以放 射中子。上述矽與鍺的應力及界面亦係在毫微晶體108中之 電子與電洞重新組合時擔負一份重要任務。 此等電子與電洞之能夠重新组合，因爲，有電子通道經 由電絕緣材料的段塊1〇4發生在毫微晶體1〇8與頂底電極ιι4 ，116之間。電子或電洞亦能藉通道在毫微晶體1〇8之間轉 移，這是由於它們之間的間隔以及它們之間的間隔内之輊 微&壁爲電絕材料的形式並包括段塊104的緣故。所以，才 θ ^此等毫微晶體間隔分離起來，因而，使限制效應得以 發生，此筆需要有毫微晶體1〇8周圍之段塊1〇4的電絕緣材 料障土，最好疋—種稀薄氧化物。如果毫微晶體108相互接 融，那麼，它們才會成爲一道連續膜層並使其發光特性停 止存在。 在發光結構100中，所有方向都會發光，可是，受用的方 式卻係將光線自頂部集合起來，其底爲將頂部電極116及導 電材料的頂層104(愛用者爲一整體電接）用諸如一種稀薄氧 化物的透光材料或諸如氧化錫，氧化錮，及其混合物等的 "11- 私紙張尺度適财闕家料（CNS) Α4規格（2lQX 297公缝 i—7 — il-—- 艮-I-- 11 τ W3r *τ * (对先閱讀背面之注意事續再填寫本頁) 經"-部中央標準局負工消費合作社印^ A7 B7 40523^ 五、發明説明（9 ) 導電氧化物，或者甚至導電聚體等製造。爲使來自頂部的 發光集合達到最大計，可用反射材料來製造導電材料的底 層 102。 一 *---------装------- 、1' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一兹將-般表示爲參考編號並在圖2中例示之本發明之 第二具體實例僅就關於第-具體實例加以修訂，其中凡與 圖1中表相類似或相同的全部、组件均以相同參數编號表示'，、 以及其中並係將多個段在導電材料的底層與頂層 1〇2，Η)6之間。段塊1G4均係予以彼此㈣在導電材料的底 層102上。所應注意的，雖然圖2只例示兩個段塊ι〇4，作卻 可採用任何數目。段塊1〇4鄰接導電材料底層1〇2的至少— 部分爲透光體並以其餘段塊全部爲透明體。毫微晶體ι〇8均 被配置在每個段塊104内，.因而，才會與底層及頂層1〇2, 106成爲電絕緣。 就愛用方式言，發光結構200之段塊104乃係包括—道電絕 緣材料的底層110 ,該底層還具有多個所配置於上之底部分 離耄微晶體108a。有至少一道中間層的電絕緣材料118被生 成在底部毫微晶體l〇8a上並以多個中間毫微電晶體1〇8b配置 於其上。而後，才將電絕緣材料的頂層112生成在此等多個 最後中間毫微晶體l〇8b上。 經済部中央標準局Μ工消费合作杜印掣 爲求簡單計，圖2例示由一道中間層的電絕緣材料118所 組成之發光結構200，但是，在生成頂層n2以前，均可將 任何數目的中間層118彼此堆疊起來。就愛用方式言，電絕 緣材料的中間層118及頂層112均可爲透光體。 發光結構200之第二具體實例的操作原則上均和第一具體 12· 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) AWm ( 210X297公嫠 A7 B7 405231 五、發明説明（10) 實例100相同’雄將其照相圖表示在圖6中。然而，將段塊 1古〇4堆疊時卻會大爲增加所發射的光量和強度，所以，在更 高強度應用中更爲有用。

是故，本發明係關於各種結構的原理，各種材料（第四族 第一至弟五族，及第二至第六族）之終止毫微晶體的使用 ’諸如slGe的複合體或諸如鍺或GaAS等個體中之此類結構 的沉積技術’藉氧化橫向限㈣來生成氧化物的應力運用 ’以及利用具有能有效率注射電子與電洞的多晶矽，碎， 或其他電極材料的稀薄氧化物等。此等結構在提供碎科學 技中的光電子積體化能力方面均特別有用。這樣一來，才 能利用現行生產線錢本發日續直接對它們設置及連接的 發光結構首先製造矽電路，因而，才能光學式 式地傳送資訊0 I 雖然已經表示及説明了被視爲所應爲本發明之愛用具體 實例H所應了解的，乃係可易於在形式或=則^ 成各種修改及變體而不會脱離本發明之範圍。是故，所: 圖的，爲本發明並非以所説明及例示的確切形式爲限二 係應被構思爲涵蓋所可能屬於此等附帶申請專利範圍項目 之範圍以内的全部變體。 ' --- - ΙΊ I — - n i - n _ _ 丁 、τ t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局Η工消费合作社印紫 -13· 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 871 09 0 3S Β8 ：_ 405231 Ss_ 六、申請專利範圍 一~ ι·—種發光裝置，包括： 一導電材料的底層； —塊配置在此底層上的電絕緣材料，此塊的至少一部 分爲透光體； —配置在此塊上的導電材料頂層； 選自由第四族，第三至第五族，及第二至第六族材料 所组成之群組的材料的多個分離毫微晶體，此等毫微晶 體均被配置在該塊内，因而’才會與此底層及頂層成爲 電絕緣；以及 被分別連接至底層及頂層之底部與頂部電極，用以將 —電壓施加在它們之間。 2·根據申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該塊包 括一電絕緣材料的底層及一電絕緣材料的頂層，前者具 有被配置於其上的分離毫微晶體，後者則被生成在此等 毫微晶體上面。 3 ·根據申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該電絕 緣材料的頂層爲透光體。 4.根據申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該等底 層及頂層的導電材料爲多晶矽。 5…根據申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該底層 的導電材料爲Ρ攙雜多晶矽。 6·根據申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該頂層 的導電材料爲η攙雜多晶矽。 7 ·根據申請專利範圍第1項之所述之發光裝置，其中該頂 -14- 本纸張尺度適用巾國國家標準（CNS )八顿扁 Q χ 297公瘦） ------„-I -裝------訂------k . - (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 40523 Λ AS B8 CS D8 經濟部中央榇準局員工消費合作衽印製 六、申請專利範圍 部電極爲銦錫氧化物。 8·根據申請專利範園第1項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均係用一種選自包括矽（Si)與鍺（Ge)群組的材料 生成。 9-根據申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均係用一種選自由GaAs，GaAlAs，GalnAs， GalnAsP ’ GalnP，GaN及GalnN等所組成之群組的材料所 生成。 io.根據申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均係用一種選自由ZnSe，ZnTe，ZnSeTe，CdSe， CDS ’ ZnCdS，ZnCdSe，ZnCdSeTe及ZnCdSTe等所組成之群 组的材料所生成。 1 1.根據申請專利範圍第1項所述之發光装置，其中乃係在 琢塊内將毫微晶體大致間隔分離起來，俾不致生成一連 續膜層。 12 _根據申請專利範圍第1項所述之發光装置，其中乃係將 該等毫微晶體大致施以間隔分離，俾又致生成一連續膜 層以及將它·們所製成之大小定在15至170埃的範圍内。 1 3 ·根據申請專利範圍第1 1項或第1 2項所述之發光裝置， 其中該等毫微晶體之間的間隔大於1塵米。 14 ·根據申請專利範圍第1項所述之發光装置，其中導電材 料的頂層與底層亦分別包括頂部及底部電極。 15·—種發光裝置，包括： —導電材料的底層； --------„-I ά------IT------ * 、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本氏張尺度適财ilgl家襟準（ -15- 匚阳）八4規格（2丨0\297公釐） 4052 於申請專利範圍 ΛΧ B8 CS D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 被彼此堆疊起來及配置在底層上的多個塊，該塊鄰接 底層的至少—部分爲透光體，其餘的塊則全部爲透光體； —被配置在多個塊上之導電材料頂層； 選自由第四族’第三至第五族，及第二至第六族材料 的多個分離毫微晶體均被配置在每個塊内，因而，才會 與底層及頂層成爲電絕緣；以及 被分別連接至底層及頂層之底部及頂部電極，用以將 一電壓施加在它們之間。 16.根據申請專利範圍第Η項之發光裝置，其中該等塊均包 括一電絕緣材料的底層，至少—電絕緣材料的中間層， 及一電絕緣材料的頂層，該底層具有多個被配置於其上 的底部分離毫微晶體，該中間層被生成在該等底部毫微 晶體上面並具有多個被配置於其上的中間毫微晶體，該 頂層則被生成在多個最後的中間毫微晶體上面。 1 7 .根據申請專利範圍第1 6項所述之發光裝置，其中該中間 層及頂層的電絕緣材料均爲透光體。 1 8 ·根據申請專利範圍第丨4項所述之發光裝置 及頂層的導電材料均爲多晶矽。 1 9 .根據申請專利範圍第1 8項所述之發光裝置 的導電材料爲ρ攙雜多晶矽。 2 0 .根據申請專利範圍第1 8項所述之發光裝置 的導電材料爲η攙雜多晶矽。 2 1 ‘根據申請專利範圍第1 4項所述之發光裝置 電極爲銦錫氧化物。 其中該底$ 其中該底j 其中該頂;《 其中該頂- 16.

   i —Ί I -裝 I 訂k7 - · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 40523^

   '申請專利範圍 麵濟部中央榡率局員工消費合作社印裝 22·根據申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均係用一種選自包括S i及Ge群組的材料所生成。 23·根據申請專利範固第Η項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均係用一種選自包括GaAs，GaAlAs，GalnAs， GalnAsP，GalnP，GaN及GalnN等群組的材料所生成。 24.根據申請專利範圍第項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均係用一種選自由ZnSe，ZnTe，ZnSeTe，CdSe， CDS，ZnCdS，ZnCdSe，ZnCdSeTe及ZnCdSTe 所組成之群 組的材料所生成。 5-根據申请專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均被大致間隔分離在該塊内，俾不致生成一連續 膜層。 6 ’根據申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該等毫 微晶體均大致被間隔分離的，俾不故生成—連續膜層以 及該等毫微晶體所具有的大小均係在1 5至170埃的範園 内。 2 7 .根據申請專利範圍第2 5或2 6項所述之發光裝置，其中 該等毫微晶體之間的間隔均大於1麈米。 ’根據申清專利範圍第1. 4項所述之發光裝置，其中該頂層 及底層的導電材料亦分別包括頂部及底部電極。 _______ * 17- 本紙張尺度適用㈣國家標準（CNS )祕秘（2iQx297公 ------^---裝------訂------ - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)