KR100312997B1 - 칼라필터의 높은 얼라인먼트 정확도를 확보할 수 있는 칼라필터의 제조방법 및 그의 얼라인먼트 마크 - Google Patents

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Abstract

하부 얼라인먼트 마크(22)를 사용하여 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 행하고, 적색필터(24)와 적색 얼라인먼트 마크(25)를 동시에 형성한다. 청색필터의 형성시에는, 적색 얼라인먼트 마크(25)를 사용한 적색 얼라인먼트 광(28)에 의한 포토마스크의 얼라인먼트를 행하여, 청색레지스트(26)로부터 청색필터패턴을 형성한다. 이와 같이 하여, 청색필터의 형성시에는, 적색의 얼라인먼트 광(28)을 흡수하지 않는 적색 얼라인먼트 마크(25)를 사용함으로써, 적색 얼라인먼트 마크(25)에 관한 반사광의 광량이 커진다. 그 결과, 높은 콘트라스트의 적색 얼라인먼트 마크(25)가 얻어진다.

Description

칼라필터의 높은 얼라인먼트 정확도를 확보할 수 있는 칼라필터의 제조방법 및 그의 얼라인먼트 마크{COLOR FILTER MANUFACTURING METHOD CAPABLE OF ASSURING A HIGH ALIGNMENT ACCURACY OF COLOR FILTER AND ALIGNMENT MARK THEREFOR}
본 발명은, 칼라 레지스트에 의한 칼라필터의 제조방법 및 이 칼라필터의 제조방법에 사용되는 얼라인먼트 마크에 관한 것이다.
최근, CCD(전하결합소자)를 비롯한 고체촬상소자의 용도가, 비디오 무비 등에 더하여 디지탈 스틸 카메라나 퍼스널컴퓨터용의 화상입력단말 등으로 확대되고 있다. 이와 같은 상황하에, 종래 주류이던 보색계의 칼라필터 대신 원색계의 칼라필터의 사용의 수요가 증대하고 있다. 상기 원색계의 칼라필터는 매우 간단한 신호처리 특성과 응용성이 넓어 각광을 받고 있다, 그러나, 그의 제조방법은, 염색 프로세스를 통해 극단적으로 큰 부피변화(횡방향으로 최대 1μm) 때문에, 고체촬상소자의 미세구조의 진보에 맞추어 사용하기가 곤란하다.
종래 주류이던 염색법에 의해 제조된 칼라필터는, 해상도나 균일성에 한계가 있다는 점이 있고, 원색계의 염색은 보색계의 염색에 비교하여 프로세스적인 안정성이 약간 떨어지는 점이 있어, 시급한 개선책이 요망되고 있다. 이와 같은 상황하에, 현재 해상도 등의 점에서 약간 문제가 있지만 안료의 분산성이나 가공성에 있어서는 어느 정도의 레벨에 도달하고 있는 상기 칼라 레지스트에 의한 칼라필터의 형성이, 새롭게 주목을 받고 있다. 금후의 성능의 진보를 기대하면, 상기 칼라 레지스트에 의한 칼라필터의 형성은, 고체촬상소자의 특성 향상은 물론 생산시의 제품 비율의 향상, 제조가의 절감에 있어서 큰 효과를 발휘할 것으로 기대된다. 또한, 상기 칼라 레지스트는, 투명 베이스재료에 안료를 분산시킨 포지티브 레지스트나 네가티브 레지스트, 또는 염료를 균일하게 용해시킨 포지티브 레지스트나 네가티브 레지스트이다.
상술한 칼라 레지스트를 사용하는 칼라필터의 제조방법에 있어서는, 이하에 상술한 바와 같은 청색필터 형성 공정시에 있어서 칼라 레지스트의 노광용 포토마스크의 얼라인먼트에 문제가 있다. 즉, 스테퍼(stepper)와 같은 노광장치에서는, 통상, 얼라인먼트처리 있어, He-Ne 레이저와 같은 적색광을 사용하여 기판상의 얼라인먼트 마크를 검출하도록 하고 있다. 이는, 레지스트의 활성화를 피하기 위한 것이다. 한편, 청색의 칼라 레지스트는 적색광의 투과율이 지극히 낮다고 하는 사실이다.
통상, 청색필터 형성공정시에 있어서의 노광용 포토마스크의 얼라인먼트는, 도6A와 6B에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 형성된 얼라인먼트 마크(하부 얼라인먼트 마크)(2)를, 평탄화막으로서 기능하는 오버코트막(3) 및 청색레지스트층(4)을 통해 상기 적색광으로 검출하여 행한다. 그런데, 하부 얼라인먼트 마크(2)의 낮은 콘트라스트에 더하여, 청색레지스트층(4)에 의해 적색광이 흡수되기 때문에, 하부 얼라인먼트 마크(2)에 의해 반사 및 회절되어 검출기(도시하지 않음)에 입사되는 신호광은 극단적으로 미약하게 된다. 따라서, 청색필터형성 공정시에 있어서의 포토마스크의 얼라인먼트는 대단히 곤란하다. 또한, 부호 5는 다른 색(예컨대, 적색)의 필터이고, 6은 청색필터이다.
상술한 문제를 해결하기위해, 예컨대, 일본국 특허공개공보 6-260390호나 동 4-133349호에 개시되어 있는, 얼라인먼트 광학계의 개량에 의한 하부 얼라인먼트 마크검출성의 향상을 꾀하는 방법, 또는 동 3-163403호나 8-297206호공보에 개시되어 있는, 하부 얼라인먼트 마크부분의 칼라 레지스트를 도포시에 제거하는 방법 등의 각종 방법이 제안되어 있다. 그러나, 어떤 방법도 기존장치의 개량이나 신규장치의 투입을 수반하는 것으로, 높은 스루풋의 확보 및 저가로 실현하는 것이 곤란하다. 따라서, 청색필터형성 공정시에 있어서의 얼라인먼트 문제의 더욱 간단한 해결방법이 요망되고 있다.
최근, 상술한 기존장치의 개량이나 신규장치의 투입을 필요로 하지않고 얼라인먼트 마크의 조도향상을 꾀한 칼라필터의 제조방법이 제안되어 있다(일본국 특허공개공보 9-96712호). 이 칼라필터의 제조방법에 있어서는, 도7A에 도시한 바와 같이, 기판(11)상의 얼라인먼트 마크(12)를 커버하도록 평탄화층(13)을 형성하고, 얼라인먼트 마크(12) 바로 위 및 평탄화층(13)상에 투명층(14)을 형성한다. 이어서, 평탄화층(13) 및 투명층(14)상에, 투명층(14)상의 착색 레지스트층(15)의 두께가 다른 개소의 두께보다 얇게 되도록 착색 레지스트층(15)을 형성한다. 다음, 얼라인먼트 광(16)의 조사에 의해 얼라인먼트 마크(12)를 검출하고, 포토마스크(도시하지 않음)와 기판(11)과의 위치정합을 행한 후에 착색 레지스트층(15)의 노광 및 현상을 행하여, 도7B에 도시한 바와 같은 착색 레지스트층(15)의 패턴으로 이루어지는 칼라필터(17)를 얻는다. 이와 같이 함으로써, 얼라인먼트 마크(12) 바로위에 있어서의 착색 레지스트층(15)의 막두께가 얇게 되어, 착색 레지스트층(15)이 청색레지스트층이고, 얼라인먼트 광(16)이 적색광이라도, 얼라인먼트 마크(12)의 조도를 향상시킬 수 있다.
도7A와 7B에 도시한 칼라필터의 제조방법은, 기본적으로 고체촬상소자 등의 분야에서의 종래 방법을 답습하는 것으로, 이 방법에서는, 얼라인먼트 마크의 형성은, 광검지 개구부를 트리밍하기 위한 층(예컨대, 폴리실리콘 전극이나 차광막층)의 형성과 동시로서, 프로세스 개량 코스트나 프로세스의 대폭적인 변경을 수반하지 않는 얼라인먼트 마크의 조도를 증대시키는 수단으로 판단된다.
그러나, 상기 종래의 칼라필터의 제조방법에는 이하와 같은 문제가 있다. 즉, 도7A에 도시한 바와 같이, 피 얼라인먼트층인 착색 레지스트층(15)과 얼라인먼트 마크(12)의 사이에는 두꺼운 막의 평탄화층(13)이 형성되어 있다. 이러한 평탄화층(13)이 피 얼라인먼트층(착색 레지스트층(15))과 하부 얼라인먼트 마크(얼라인먼트 마크(12))와의 사이에 형성되면 , 피 얼라인먼트층의 표면과 하부 얼라인먼트 마크의 표면과 큰 거리차가 생긴다. 이 때문에, 특히 얼라인먼트 탐사광으로서 레이저광을 사용하는 경우에는, 굴절이나 고스트에 의해 얼라인먼트 오차가 발생하기 쉬운 문제가 있다.
또한, 노광장치의 마크인식에 필요한 얼라인먼트 마크의 콘트라스트 향상이라는 점에서는 문제가 있다. 즉, 얼라인먼트 광(16)의 광도를 I로 하고, 착색 레지스트(15)의 광흡수 계수를 α로 하고, 착색 레지스트(15)에 있어서의 얼라인먼트 마크(12) 바로 위의 막두께를 d1/2(d1: 착색 레지스트(15)에 있어서의 평탄개소의 막두께)로 하고, 기판(11)의 반사율을 R0로 하고, 얼라인먼트 마크(12)의 반사율을 RM으로 하면, 상기 얼라인먼트 마크(12)의 콘트라스트 C는 C≒Ie-αd1｜(R0-RM)｜으로 표시된다. 따라서, 얼라인먼트 마크(12)의 콘트라스트 C는, 얼라인먼트 마크(12)의 반사율 RM에 의존하게 된다. 그런데, 상술한 바와 같이, 하부 얼라인먼트 마크는 통상 폴리실리콘 전극이나 차광막층 등의 수광부 개구를 결정하는 실리콘화합물층에 형성된다. 따라서, 반사율 RM은 실리콘이나 산화실리콘으로 형성되는 기판(11)의 반사율 R0의 반사율과 큰 차가 없고, 얼라인먼트 마크(12)의 콘트라스트 는 그다지 강하지 않게 된다.
또한, 상기 투명층(14)의 형상이 얼라인먼트 마크(12)의 형상과 동일하게 되어 양자가 상하로 중합된 경우에는, 투명층(14)과 얼라인먼트 마크(12)와의 양자의 윤곽부를 통과하는 빛에 어느 일방만을 통과하는 빛이 혼입하여, 상기 노광장치의 마크신호의 오신호(false signal)가 발생하는 요인이 될 수 있다.
즉, 상기 종래의 칼라필터의 제조방법에 있어서는, 착색 레지스트층(15)과 얼라인먼트 마크(12) 사이의 큰 거리차에 의한 얼라인먼트 오차, 얼라인먼트 마크(12)의 콘트라스트 저하, 상기 노광장치의 마크신호의 오신호 발생 등의 문제가 있고, 이 때문에 청색레지스트에서의 적색 얼라인먼트 광의 흡수에 의한 조도 저하시에 높은 얼라인먼트 정확도를 확보할 수 없다.
본 발명의 목적은, 높은 콘트라스트 및 높은 얼라인먼트 정확도를 확보할 수 있고, 칼라필터형성 공정에서 높은 스루풋을 확보할 수 있으며, 종래의 프로세스개량에 의한 비용 증대를 억제할 수 있는 칼라필터의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 복수 종류의 칼라필터를 착색 레지스트로부터 포토리소그라피 기술에 의해 형성하는 칼라필터의 제조방법에 있어서,
상기 착색 레지스트중에서 얼라인먼트용의 빛의 투과율이 가장 낮은 특정색의 착색 레지스트를 선출하는 단계;
상기 선출된 착색 레지스트의 상기 특정색과는 다른 색의 얼라인먼트 마크를 형성하는 단계; 및
상기 얼라인먼트 마크로 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 행하여 상기 선택된 착색 레지스트로부터 칼라필터를 형성하는 단계을 포함하는 칼라필터의 제조방법을 제공한다.
상기 발명에 의하면, 얼라인먼트용의 빛의 투과율이 가장 낮은 특정 색의 칼라필터를 형성할 때 사용되는 얼라인먼트 마크가, 상기 특정색 이외의 색으로 형성된다. 따라서, 상기 얼라인먼트용의 빛의 투과율이 가장 낮은 상기 특정색의 칼라필터를 형성할 때는, 상기 특정색보다 투과율이 높은 색의 얼라인먼트 마크를 사용하기 때문에, 상기 특정색 또는 투명의 얼라인먼트 마크를 사용하는 경우보다 높은 콘트라스트가 얻어진다.
또한, 본 발명은, 복수 종류의 칼라필터를 착색 레지스트로부터 포토리소그라피 기술에 의해 형성하는 칼라필터의 제조방법에 있어서, 얼라인먼트 광학계의 빛의 색과 동일한 색의 얼라인먼트 마크를 형성하고, 상기 얼라인먼트 마크로 노광용포토마스크의 얼라인먼트를 행하여 착색 레지스트로부터 칼라필터를 형성하는 칼라필터의 제조방법을 제공한다.
상기 발명에 의하면, 얼라인먼트 광학계의 빛의 색과는 다른 색의 칼라필터를 형성하는 경우에는, 상기 얼라인먼트 광학계의 빛의 색과 동일한 색의 얼라인먼트 마크로 포토마스크의 얼라인먼트가 행하여진다. 따라서, 예컨대 상기 얼라인먼트 광학계의 빛이 적색인 경우에, 적색광의 투과율이 낮은 청색의 칼라필터를 형성할 때는, 상기 투과율이 가장 높은 적색의 얼라인먼트 마크가 사용되는 것으로 되어, 상기 청색 또는 투명 얼라인먼트 마크를 사용하는 경우보다 높은 콘트라스트가 얻어진다.
또한, 본 발명은, 적색광의 얼라인먼트 광학계를 갖는 노광장치를 사용하여, 청색레지스트로부터 포토리소그라피 기술에 의해 청색필터를 형성하는 칼라필터의 제조방법에 있어서, 상기 청색필터를 형성에 앞서, 상기 얼라인먼트 광학계의 적색광과 같은 색의 착색 레지스트로부터 적색필터 및 적색 얼라인먼트 마크를 형성하고, 상기 얼라인먼트 광학계에 의해 상기 적색 얼라인먼트 마크로 노광용포토마스크의 얼라인먼트를 행하여 상기 청색레지스트로부터 상기 청색필터를 형성하는 칼라필터의 제조방법을 제공한다.
상기 발명에 의하면, 얼라인먼트 광학계에서의 적색광의 투과율이 낮은 청색의 착색 레지스트로부터 청색필터를 형성할 때는, 상기 투과율이 가장 높은 적색의 얼라인먼트 마크가 사용되게 되어, 상기 청색 또는 투명 얼라인먼트 마크를 사용하는 경우보다 높은 콘트라스트가 얻어진다.
또한, 본 발명의 1실시형태에서는, 상기 적색의 착색 레지스트로부터 적색얼라인먼트 마크를 형성하기 전에, 상기 적색 얼라인먼트 마크가 형성되는 영역의 하방에 하부 층을 형성하고 상기 하부 층은 소정치 이상의 반사율을 나타내는 동시에 적어도 상기 영역을 커버하는 크기를 갖는 칼라필터의 제조방법을 제공한다.
상기 실시형태에 의하면, 적색의 얼라인먼트 마크의 하부에, 적어도 상기 얼라인먼트 마크 형성 영역을 커버하는 크기로 고반사율의 하부 층이 형성되어 있다. 따라서, 상기 얼라인먼트 광학계로부터 출사된 적색광이 적은 손실로 효율 좋게 상기 얼라인먼트 광학계에 입사되어, 상기 얼라인먼트 마크의 검출에 이용된다.
또한, 본 발명의 1실시형태에서는, 상기 청색필터를 형성하기위한 청색레지스트상에 반사방지층을 형성하고, 상기 반사 방지층은 소정치 이하의 굴절율을 나타내는 칼라필터의 제조방법을 제공한다.
상기 실시형태에 의하면, 상기 청색의 착색 레지스트상에 저굴절율의 반사방지층이 형성되기 때문에, 상기 청색의 착색 레지스트 표면에서의 반사광이 약하게 된다. 이에 따라, 상기 적색의 얼라인먼트 마크로부터 얼라인먼트 광학계에 입사되는 빛에 대해 노이즈로 되는 상기 표면으로부터의 반사광이 약하게 되어, 상기 얼라인먼트 마크의 콘트라스트가 더욱 높아진다.
또한, 본 발명은, 노광장치의 얼라인먼트 광학계에 의한 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 실시할 때에 사용되는 얼라인먼트 마크에 있어서, 상기 얼라인먼트 광학계의 빛의 색과 동일한 색인 상기 얼라인먼트 마크를 제공한다.
상기 발명에 의하면, 얼라인먼트 광학계의 빛의 색과는 다른 색의 원색칼라필터를 형성하는 경우에는, 상기 얼라인먼트 광학계의 빛의 색과 동일한 색의 얼라인먼트 마크로 포토마스크의 얼라인먼트를 행한다. 따라서, 예컨대, 상기 얼라인먼트 광학계의 빛이 적색인 경우에, 적색광의 투과율이 낮은 청색의 원색 칼라필터를 형성할 때, 상기 투과율이 가장 높은 적색의 얼라인먼트 마크를 사용함으로써, 상기 청색 또는 다른 투명색의 얼라인먼트 마크를 사용하는 경우보다 높은 콘트라스트가 얻어진다.
도1A, 1B는, 본 발명의 칼라필터의 제조방법에 있어서의 청색필터의 형성 프로세스를 도시한 도면이다.
도2는, 도1A에서 적색 얼라인먼트 마크에 관한 반사광의 설명도이다.
도3A, 3B는, 도1A에서 적색 얼라인먼트 마크에 관한 반사광과 종래의 하부 얼라인먼트 마크에 관한 반사광의 대비도이다.
도4A, 4B는, 도1A, lB와는 다른 청색필터의 형성 프로세스를 도시한 도면이다.
도5는, 도1A 및 도4A와는 다른 적색 얼라인먼트 마크 근방의 단면도이다.
도6A, 6B는, 종래의 칼라필터의 제조방법에 있어서의 하부 얼라인먼트 마크를 사용한 청색필터의 형성 프로세스를 도시한 도면이다.
도7A, 7B는, 도6A, 6B와는 다른 종래의 칼라필터의 제조방법에 있어서의 하부 얼라인먼트 마크를 사용한 청색필터의 형성 프로세스를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명을 도시한 실시 형태에 의해 상세히 설명한다. 도1A와 1B는, 제1 실시 형태에 있어서의 청색필터의 형성 프로세스를 나타낸다.
도1A에 도시한 바와 같이, 하부 디바이스기판(21)상에는, 광검지 개구부를 결정하는 차광막층 등을 패터닝하여 하부 얼라인먼트 마크(22)를 형성한다. 다음, 하부 디바이스의 수직방향의 요철을 평탄화하여 칼라필터 형성을 쉽게하기 위해, 하부 디바이스기판(21) 전체에 투명 아크릴계 수지를 도포하여 오버코트막(23)을 형성한다. 그 후, 칼라필터형성 공정에 들어간다.
상기 칼라필터 형성공정에서는, 청색칼라필터의 형성에 앞서 적색필터(24)를 형성한다. 이 적색필터(24)는, 오버코트막(23)상에 적색레지스트(도시하지 않음)를 도포하고, 하부 얼라인먼트 마크(22)에 의해 적색필터용 포토마스크(도시하지 않음)의 얼라인먼트를 행한 후, 적색레지스트의 노광, 현상 및 포스트베이크 처리를 행하여 형성된다.
본 실시예에 있어서는, 적어도 청색필터 형성시에 사용되는 적색 얼라인먼트마크(25)는 적색필터(24)와 동시에 동일 프로세스로 형성된다. 이 적색 얼라인먼트 마크(25)는 통상의 얼라인먼트에 사용되는 형상을 갖는다. 여기서, 적색 얼라인먼트 마크(25)는, 얼라인먼트 마크의 마무리 정확도의 점에서 마스크 리니어리티가 우수한 칼라 레지스트층으로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 염색에 의한 팽윤이 크기 때문에 치수 변동이 크고, 또한 이에 따른 얼룩이나 혼색 등을 미리 고려할수 있으면 상술한 염색법에 의해 형성해도 좋다.
이에 따라, 상기 적색필터(24) 및 적색 얼라인먼트 마크(25)가 형성되면, 연속하여, 또는 중간층(예컨대, 녹색필터)을 형성한 후, 도1B에 도시한 바와 같이 청색필터(27)를 형성한다. 상세히 설명하면, 상기 청색필터(27)의 형성은, 오버코트막(23) 전체에 청색레지스트(26)를 도포하고, 적색필터(24)와 동시에 형성된 적색 얼라인먼트 마크(25)에 적색의 얼라인먼트광(28)을 조사하여 청색필터용 포토마스크(도시하지 않음)의 얼라인먼트를 행한 후, 노광, 현상 및 포스트베이크 처리를 행하고 상기 청색용 포토마스크의 필터패턴을 청색레지스트(26)에 전사함으로써 행해진다.
여기서, 통상의 청색레지스트(26)의 성막에 있어서는, 약 1.0μm 전후의 막두께로 청색레지스트(26)가 형성된다. 다음, 청색필터용 포토마스크의 얼라인먼트에 있어서, 광원으로서 He-Ne 레이저광(적색광)을 사용하고, 적색 얼라인먼트 마크(25) 바로 위에 있어서의 청색레지스트(26)의 막두께 d1(도2 참조)과 적색 얼라인먼트 마크(25)의 청색레지스트 평탄부에서의 청색레지스트(26)의 막두께 d0의 비d1/d0를 d1/d0= 1/2로 하고, 막두께 1.0μm인 청색레지스트(26)에 있어서의 투과율을 약15%로 하면, 적색 얼라인먼트 마크(25)의 투과광량 I1과 평탄부의 투과광량 I0의 비 I1/I0는, I1/I0≒ 2.6으로 된다.
상기 청색레지스트(26)로서 단차의 매립 능력이 높은 칼라 레지스트를 사용한 경우에는, 적색 얼라인먼트 마크(25) 바로 위에 있어서의 청색칼라 레지스트(26)의 막두께 d1은 비교적 작게 된다. 따라서, 이 경우에는 상기 투과광량의 비 I1/I0의 값을 크게할 수 있어, 상기 노광장치의 신호검출의 측면에서는 양호하다고 할 수 있다. 그러나, 상기 평탄부에서의 청색칼라 레지스트(26)의 투과광 및 적색 얼라인먼트 마크(25) 바로 위에 있는 청색칼라 레지스트(26)의 투과광은, 하부 디바이스의 표면(반사율은 일반적으로 높지 않다)으로 반사된 후, 제2 청색레지스트(26)를 통과하여 상기 노광장치의 검출계에 입사하게 된다. 그 때문에, 상기 검출계에 입사하는 투과광량 IR1, IR0는 미약한 신호로 된다. 따라서, 실제로는, 도2에 도시한 바와 같이, 청색레지스트(26)와 오버코트막(23)의 경계부분에서의 반사광 R1및 청색레지스트(26)와 적색 얼라인먼트 마크(25)의 경계부분에서의 반사광 R1'가, 적색 얼라인먼트 마크(25)의 콘트라스트에 크게 관여하게 된다.
여기서, 본 실시 형태와 같이 적색의 얼라인먼트 광에 의해 적색 얼라인먼트 마크(25)에 대하여 노광용 포토마스크(도시하지 않음)의 얼라인먼트를 행하는 경우와, 도7A에 도시한 바와 같이 투명층(14)을 통해 하부 얼라인먼트 마크(12)에 대하여 얼라인먼트를 행하는 경우의 콘트라스트를 비교하여 본다.
도3A와 3B에서, 상기 투명층(14)상의 칼라 레지스트층(15)의 막두께를 d5로 하고, 하부 얼라인먼트 마크(12)의 반사율을 RM으로 하고, 하부 디바이스 기판의 반사율을 R0로 한다. 또, 적색 얼라인먼트 마크(25)상의 칼라 레지스트층(26)의 평탄부의 막두께를 d6로 하고, 다른 칼라 레지스트층(26)의 평탄부의 막두께를 d7로 하고, 얼라인먼트 마크(25)의 반사율을 RM'으로 하고, 얼라인먼트 마크(25)와 오버코트막(23) 사이의 경계부에서의 반사율을 R0'로 한다.
상기 칼라 레지스트층(15) 및 투명층(14)을 통해 하부 얼라인먼트 마크(12)를 사용하여 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 행하는 경우의 콘트라스트 CA는, CA= ｜SA0-SA1｜≒ Ie-2αd5｜R0-RM｜으로 된다. 한편, 본 실시 형태에 있어서의 콘트라스트 CB= ｜SB0-(SB1+SB1')｜≒Ie-2αd6｜(e-2α(d7-d6)-1)R0'-RM'로 된다. 여기서, d7d6로 하면, e-2α(d7-d6)≒ 0이고, CB≒ Ie-2αd6｜R0'-RM'｜로 된다. 따라서, 양자의 콘트라스트비 CA/CB는, CA/CB ≒ ｜(R0-RM)/(R0'+ RM')｜·e-2α(d5-d6)로 된다.
통상, 평탄층(13)상에 형성되는 투명층(14)의 평탄화층(13)을 따른 길이가 길어질수록, 투명층(14)상의 칼라 레지스트층(15)의 두께는 크게 된다. 마찬가지로, 평탄화층(23)상에 형성되는 얼라인먼트 마크(25)의 평탄화층(23)을 따른 길이가 길어질수록, 얼라인먼트 마크(25)상의 칼라 레지스트층(26)의 두께는 커진다. 따라서, 상기 노광장치의 마크신호의 오신호가 발생하지 않도록, 투명층(14)의 길이 LT와 얼라인먼트 마크(12)의 길이 LM(= 얼라인먼트 마크(25)의 길이)의 대소관계를 LTLM으로 하면, d5d6로 된다. 따라서, CA/CB의 식중의 항 'e-2α(d5-d6)'은 e-2α(d5-d6)<1로 된다. 또한, 상술한 바와 같이, 투명수지로 이루어지는 하부 얼라인먼트 마크(12)의 반사율 RM과 실리콘이나 산화실리콘으로 이루어지는 하부 디바이스기판의 반사율 R0는 거의 동일하고, 콘트라스트비 CA/CB의 식중의 항 'R0-RM'은 (R0-RM)≒
0로 된다. 그 결과, CA/CB는 CA/CB<1로 된다. 이상으로부터, 본 실시 형태에 의한 콘트라스트 CB는, 도7A에 도시한 바와 같이 하부 얼라인먼트 마크를 사용하는 경우의 콘트라스트 CA보다 높은 값으로 된다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 하부 디바이스기판(21)상에 차광막층 등을 패터닝하여 하부 얼라인먼트 마크(22)를 형성한 후, 투명 아크릴계 수지로 오버코트막(23)을 형성한다. 다음, 오버코트막(23)상에 상기 적색레지스트를 도포 한 후에 하부 얼라인먼트 마크(22)를 사용한 노광 얼라인먼트를 행하고, 포토리소그라피 기술에 의해 적색필터(24)와 청색필터(27) 형성용의 적색 얼라인먼트마크(25)를 동시에 형성한다. 또한, 청색레지스트(26)를 도포한 후 적색 얼라인먼트 마크(25)를 사용한 노광 얼라인먼트를 행하고, 포토리소그라피 기술에 의해 청색필터(27)를 형성하도록 하고 있다. 이와 같이 청색필터(27)를 형성하는 경우, 적색의 얼라인먼트 광을 흡수하지 않는 적색 얼라인먼트 마크(25)를 노광 얼라인먼트용의 타겟으로 함으로써, 적색 얼라인먼트 마크(25)의 투과광량 I1을 하부 얼라인먼트 마크(22)를 사용하는 경우보다 크게 한다. 또한, 적색 얼라인먼트 마크(25)에 관한 반사광(R1+R1')을 하부 얼라인먼트 마크(22)를 사용하는 경우보다 크게 한다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 청색필터(27) 형성시에 있어서의 얼라인먼트 마크의 콘트라스트가, 하부 얼라인먼트 마크(22)를 사용하는 경우보다 충분히 높게된다. 또한, 상기 청색필터(27) 형성시의 얼라인먼트 마크(25)를, 피 얼라인먼트층인 청색레지스트(26)의 바로 아래 및 청색필터가 형성되는 면위에 형성하도록 하고 있다. 따라서, 피 얼라인먼트층(26)의 표면과 얼라인먼트 마크(25)의 표면을 서로 가까이 할 수 있어, 얼라인먼트 광으로서 레이저광을 사용하는 경우에도 굴절이나 고스트에 의한 얼라인먼트 오차가 발생하기 어렵다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 일본국 특허공개공보 9-96712호에 개시된 칼라필터의 제조방법과 같이, 하부 얼라인먼트 마크(22) 및 적색 얼라인먼트 마크(25)의 상방에, 상기 노광장치의 마크신호에 대한 오신호의 발생요인으로 될 수 있는 투명층을 형성하지 않는다. 따라서, 상기 오신호를 발생하지 않게 하여, 얼라인먼트의 정확도를 높일 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 특징인 적색 얼라인먼트 마크(25)는, 적색필터(24) 형성시에 적색필터(24) 형성 수법과 동일한 수법으로 동시에 형성된다. 따라서, 하부 얼라인먼트 마크를 노광 얼라인먼트시의 타겟으로 하는 종래의 칼라필터의 제조공정에, 변경을 가할 필요가 전혀 없다. 따라서, 종래의 칼라필터 제조공정으로 부터의 비용증대를 억제할 수 있고, 칼라필터 형성공정에서 높은 스루풋을 확보할 수 있다.
즉, 본 실시 형태에 있어서는, 높은 노광 얼라인먼트 정확도를 얻을 수 있다. 따라서, 도1A와 1B에 도시한 바와 같이, 적색필터(24) 사이에 청색필터(27)를 형성하는 경우에도 양 칼라필터(24,27)의 중합은 발생하지 않으며, 양 칼라필터(24),27의 경계가 클리어한 칼라필터의 패턴을 얻을 수 있다.
도4A와 4B는, 제2 실시 형태에 있어서의 청색필터 형성의 프로세스를 나타낸다. 제1실시 형태에 있어서는, 상술한 바와 같이, 적색 얼라인먼트 마크(25)를 투과한 빛은, 낮은 반사율의 하부 디바이스 표면에서 반사되기 때문에, 노광장치의 검출계에 입사되는 빛은 미약해진다. 한편, 본 실시 형태에 있어서는, 적색 얼라인먼트 마크의 투과광의 반사광량을 많게 하여 얼라인먼트 광을 유효하게 이용하여, 노광 얼라인먼트의 정확도를 향상시킨다.
하부 디바이스 제조시에 있어서, 상기 차광막 등의 고반사재료(예컨대, Al(알루미늄) : 표면반사율은 약90%)에 의해 수광 개구(도시하지 않음) 및 하부 얼라인먼트 마크(32)의 패턴을 형성할 때, 하부 디바이스기판(31) 위 및 적색 얼라인먼트 마크(35) 형성개소의 바로 아래에, 적색 얼라인먼트 마크(35)의 영역전체를 충분히 커버하는 크기의 상기 고반사재료의 마크 하부 층(38)을 형성한다. 그 후, 제1실시 형태와 같이 하여, 오버코트막(33), 적색필터(34) 및 적색 얼라인먼트 마크(청색필터 형성용 얼라인먼트 마크(35), 청색레지스트(36) 및 청색필터(37)를 순차 형성한다. 이와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 하부 디바이스기판31상, 또한 적색 얼라인먼트 마크(35) 형성개소의 바로 아래에 고반사재료의 마크 하부 층(38)을 형성하고 있다. 따라서, 적색 얼라인먼트 마크(35)에 얼라인먼트 광(39)을 조사한 경우의 투과광은, 바로 아래에 형성된 약90%의 표면반사율을 갖는 마크 하부 층(38)에서 반사되게 된다. 그 결과, 적색 얼라인먼트 마크(25)의 투과광을 단지 하부 디바이스 기판(31)에서 반사하는 제1실시예보다 매우 높은 반사광량을 얻을 수 있어, 얼라인먼트 광학계에서의 적색광을 손실시키지 않고 고효율로 노광장치의 마크검출에 이용할 수 있다. 따라서, 적색광의 얼라인먼트 광학계를 사용한 청색필터 형성시의 노광 얼라인먼트 정확도를 비약적으로 향상시킨다.
도5는, 제3실시 형태에 있어서의 적색 얼라인먼트 마크 근방의 단면을 나타낸다. 적색 얼라인먼트 마크(45)의 콘트라스트에 크게 관여하는 청색레지스트(46)와 적색 얼라인먼트 마크(45)의 경계부분에서의 반사광 R1, 및 오버코트막(43)과 적색 얼라인먼트 마크(45)와의 경계부분에서의 반사광 R1'을 증대시키기 위해서는, 청색레지스트(46)의 표면에서의 반사광 Rb의 존재를 무시할 수 없다. 반사광 Rb는, 상기 노광장치에 있어서의 마크신호에 대해서 유익한 정보를 갖지 않는 소위 노이즈성분(옵셋)으로서 작용한다. 따라서, 본 실시형태에서는, 청색레지스트(46)상에 저굴절율(예컨대, 굴절율 n=1.4)의 반사방지층(49)(예컨대, Clariant Japan사제의 반사방지재 AZ AQUATAR)을 스핀코트하여 형성한다. 다음, 반사방지층(49)의 표면에서 반사광 Rb의 역위상의 빛 Rb'을 반사시킴으로서, 반사광 Rb를 제거한다. 또한, 상기 반사방지층(49)의 굴절율이나 도포막 두께는, 입사광의 파장과, 반사방지층(49)의 표면에서의 반사광 Rb'및 청색레지스트(46)의 표면에서의 반사광 Rb의 위상관계를 고려하여 결정하면 좋다.
또한, 상기 각 실시 형태에 있어서는, 노광 얼라인먼트시에 사용하는 얼라인먼트 탐사광으로서 He-Ne 레이저광 등의 적색광을 사용하고, RGB 3색중 상기 적색광에 대한 투과율이 가장 낮은 청색의 칼라필터를 형성하는 경우를 예로 들어 설명했다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 원색칼라필터를 형성하는 착색 레지스트중에서 상기 얼라인먼트 광의 투과율이 가장 낮은 특정색의 착색 레지스트를 선택하고, 이 선택된 착색 레지스트와는 다른 색(바람직한 것은 상기 투과율이 가장 높은 색)으로 상기 특정색용의 얼라인먼트 마크를 형성하면 된다.

Claims (6)

  1. 포토마스크와 그리고 착색 레지스트 상으로 광을 보내는 광학계를 사용하여 복수 종류의 칼라필터를 착색 레지스트로부터 포토리소그라피 기술에 의해 형성하는 칼라필터의 제조방법에 있어서,
    상기 착색 레지스트중에서 얼라인먼트용의 광(28,39)의 투과율이 가장 낮은 특정색의 착색 레지스트(26,36)를 선출하고, 상기 선출된 착색 레지스트(26,36)의 상기 특정색과는 다른 색의 얼라인먼트 마크(25,35)를 형성하는 단계;
    상기 선출된 착색 레지스트의 층을 형성하되, 이 층은 통상 두께(d0)를 가지지만 상기 선출된 착색 레지스트 층이 상기 선출된 착색 레지스트의 상기 특정색과는 다른 색의 상기 얼라인먼트 마크층 위에 위치하는 영역에서는 두께(d1)을 가지며, 여기에서 d1<d0인 상기 선출된 착색 레지스트의 층을 형성하는 단계; 및
    상기 착색 레지스트 층(d0)을 투과하는 광의 세기(I0)와 상기 착색 레지스트 층(d1)과 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 광의 세기(I1)와의 비교에 상응하여 상기 선출된 착색 레지스트의 층으로부터 칼라필터를 형성하도록 포토마스크를 얼라인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  2. 포토마스크와 그리고 착색 레지스트 상으로 광을 보내는 광학계를 사용하여 복수 종류의 칼라필터를 착색 레지스트로부터 포토리소그라피 기술에 의해 형성하는 칼라필터의 제조방법에 있어서,
    얼라인먼트 광학계의 광(28,39)의 색과 같은 색의 얼라인먼트 마크(25,35)를 형성하는 단계; 및
    상기 얼라인먼트 마크(25,35)로 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 행하여 착색 레지스트(26,36)로부터 칼라필터(27,37)를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 칼라필터를 형성하는 단계는
    선출된 착색 레지스트의 층을 형성하되, 이 층은 통상 두께(d0)를 가지지만 상기 선출된 착색 레지스트 층이 상기 선출된 착색 레지스트의 특정색과는 다른 색의 얼라인먼트 마크층 위에 위치하는 영역에서는 두께(d1)을 가지며, 여기에서 d1<d0인 상기 선출된 착색 레지스트의 층을 형성하는 단계; 및
    상기 착색 레지스트 층(d0)을 투과하는 광의 세기(I0)와 상기 착색 레지스트 층(d1)과 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 광의 세기(I1)와의 비교에 상응하여 상기 선출된 착색 레지스트의 층으로부터 칼라필터를 형성하도록 포토마스크를 얼라인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  3. 포토마스크와 그리고 적색광(28,39)의 얼라인먼트 광학계를 구비한 노광장치를 사용하여, 청색레지스트(26,36)로부터 포토리소그라피 기술에 의해 청색필터(27,37)를 형성하는 칼라필터의 제조방법에 있어서,
    상기 청색필터(27,37)를 형성하기 전에, 상기 얼라인먼트 광학계의 적색광(28,39)과 같은 색의 착색 레지스트로부터 적색필터(24,34) 및 적색 얼라인먼트 마크(25,35)를 형성하는 단계; 및
    상기 얼라인먼트 광학계에 의해 상기 적색 얼라인먼트 마크(25,35)로 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 행하여 상기 청색레지스트(26,36)로부터 상기 청색필터 (27,37)를 형성하는 단계을 포함하며,
    상기 청색필터를 형성하는 단계는
    선출된 착색 레지스트의 층을 형성하되, 이 층은 통상 두께(d0)를 가지지만 상기 선출된 착색 레지스트 층이 상기 선출된 착색 레지스트의 특정색과는 다른 색의 상기 얼라인먼트 마크층 위에 위치하는 영역에서는 두께(d1)을 가지며, 여기에서 d1<d0인 상기 선출된 착색 레지스트의 층을 형성하는 단계; 및
    상기 착색 레지스트 층(d0)을 투과하는 광의 세기(I0)와 상기 착색 레지스트 층(d1)과 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 광의 세기(I1)와의 비교에 상응하여 상기 선출된 착색 레지스트의 층으로부터 칼라필터를 형성하도록 포토마스크를 얼라인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 적색의 착색 레지스트로부터 적색 얼라인먼트 마크(35)를 형성하기 전에, 상기 적색 얼라인먼트 마크(35)가 형성되는 영역의 하방에 하부 층(38)을 형성하는 단계를 더 구비하고, 여기에서 상기 하부 층(38)은 소정치 이상의 반사율을 나타내는 동시에 적어도 상기 영역을 커버하는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 청색필터를 형성하기 위한 청색레지스트(46)상에 반사방지층(49)을 형성하는 단계를 더 구비하고, 상기 반사방지층(49)은 소정치 이하의 굴절율을 나타내는 것을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  6. 노광장치의 얼라인먼트 광학계에 의하여 칼라필터를 형성함에 있어 노광용 포토마스크의 얼라인먼트를 실시할 때 사용되는 얼라인먼트 마크(25,35)로서,
    상기 얼라인먼트 마크는 상기 얼라인먼트 광학계의 광(28,39)의 색과 동일한 색을 가지고 그리고 높은 광투과율을 가지며;
    상기 칼라필터를 형성하는 단계는
    선출된 착색 레지스트의 층을 형성하되, 이 층은 통상 두께(d0)를 가지지만 상기 선출된 착색 레지스트 층이 상기 선출된 착색 레지스트의 특정색과는 다른 색의 상기 얼라인먼트 마크층 위에 위치하는 영역에서는 두께(d1)을 가지며, 여기에서 d1<d0인 상기 선출된 착색 레지스트의 층을 형성하는 단계; 및
    상기 착색 레지스트 층(d0)을 투과하는 광의 세기(I0)와 상기 착색 레지스트 층(d1)과 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 광의 세기(I1)와의 비교에 상응하여 상기 선출된 착색 레지스트의 층으로부터 칼라필터를 형성하도록 포토마스크를 얼라인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 마크.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3538073B2 (ja) * 1999-07-29 2004-06-14 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 Ｔｆｔを搭載する基板側に色層を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR101060342B1 (ko) * 2003-11-18 2011-08-29 엘지디스플레이 주식회사 프로세스 키를 포함하는 컬러필터 기판 및 그 제조방법
TWI288428B (en) * 2004-01-21 2007-10-11 Seiko Epson Corp Alignment method, method for manufacturing a semiconductor device, substrate for a semiconductor device, electronic equipment
US7927090B2 (en) * 2004-08-10 2011-04-19 Asml Netherlands B.V. Imprint lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7398177B2 (en) * 2004-10-15 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Measurement substrate, substrate table, lithographic apparatus, method of calculating an angle of an alignment beam of an alignment system, and alignment verification method
US20070048626A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, mask and device
JP2007248576A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Hitachi Displays Ltd 液晶表示素子及びその製造方法
JP2008015308A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Toppan Printing Co Ltd 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
JP5292677B2 (ja) * 2006-07-07 2013-09-18 凸版印刷株式会社 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4983128B2 (ja) * 2006-07-25 2012-07-25 凸版印刷株式会社 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5233099B2 (ja) * 2006-08-31 2013-07-10 凸版印刷株式会社 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
NL2004297A (en) * 2009-03-20 2010-09-21 Asml Holding Nv Improving alignment target contrast in a lithographic double patterning process.
JP5607078B2 (ja) * 2010-01-15 2014-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US8283192B2 (en) 2010-06-02 2012-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming pattern and method of producing solid-state image pickup device
JP6222989B2 (ja) 2013-05-22 2017-11-01 キヤノン株式会社 電子装置の製造方法
CN104777664A (zh) * 2015-04-28 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 黑色矩阵的制作方法
JP2018112715A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ、及び表示装置
CN107844025A (zh) * 2017-12-11 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版、曝光装置及曝光方法
CN108089368B (zh) * 2018-01-15 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960003482B1 (ko) * 1992-12-14 1996-03-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03163403A (ja) * 1989-11-21 1991-07-15 Seiko Epson Corp 感光性顔料分散液の塗布方法
JPH0831583B2 (ja) * 1990-09-25 1996-03-27 凸版印刷株式会社 固体撮像素子に対する複数色のカラー層の形成方法
JPH06260390A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Toshiba Corp アライメント方法
JPH08297206A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Sony Corp カラーフィルタの製造方法
JPH0996712A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Sony Corp カラーフィルタの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960003482B1 (ko) * 1992-12-14 1996-03-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법

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