KR100299579B1 - 기판검출장치 - Google Patents

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KR100299579B1
KR100299579B1 KR1019930016298A KR930016298A KR100299579B1 KR 100299579 B1 KR100299579 B1 KR 100299579B1 KR 1019930016298 A KR1019930016298 A KR 1019930016298A KR 930016298 A KR930016298 A KR 930016298A KR 100299579 B1 KR100299579 B1 KR 100299579B1
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히가시 데쓰로
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼를, 그것이 투명하거나 불투명하거나를 불문하고, 비접촉으로 검출할 수 있는 검출장치에 관한 것이다. 검출장치에는 캐리어 내의 각 웨이퍼에 상당하는 위치에 발수광 센서와 수광센서가 발수광면 및 수광면이 서로 마주보도록 대향하여 설치된다. 이들 발수광센서 및 수광센서는, 센서지지보드의 길이방향으로 배열된다. 웨이퍼가 투명한 경우는, 발수광센서의 수광부로부터의 빛이 웨이퍼의 표면에 닿아서 반사하고, 이 반사광을 같은 발수광센서의 수광부가 검출한다. 불투명한 웨이퍼가 존재하는 경우에는, 발수광센서로부터의 빛이 대향하는 수광센서에 도달하지 않으나, 불투명 웨이퍼가 존재하는 않는 경우에는, 수광센서에 빛이 도달하고, 이것이 검출된다. 한편, 발수광센서의 수광부로부터 나오는 발수광 신호 및 수광센서의 수광부로 나오는 수광신호의 한쪽이 교체에 의하여 입력되는 판정부가 설치된다.

Description

기판 검출 장치
발명은, 반도체 디바이스 제조장치에 사용되는, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 검출장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 열처리실 등의 각 처리부에 웨이퍼를 반입하는 경우, 미처리 웨이퍼를 수납한 용기(통상 「캐리어」 또는 「카세트」 라고 부르고 있음)를 중간실 등에 반입포트를 거쳐 운반해 넣고, 거기에서 아암 등의 반송기구에 의하여 웨이퍼를 취출하여 처리실 내로 반입하는 일이 많다.
캐리어는, 잘 알려진 바와 같이 저부가 트여져 있음과 동시에 각 웨이퍼의 측부 테두리를 각각 가이드하는 빗살형상의 가이드 흠을 양측에 갖추고, 예를 들면 25장의 웨이퍼를 수납하도록 구성되어 있다.
반송기구의 반송동작의 제어를 위하여, 또는 처리실에 있어서의 관리를 위해서는, 반출입포트에 놓인 캐리어내의 각 가이드 흠 사이에 웨이퍼가 있는가 없는가를 검출할 필요가 있고, 이 때문에 웨이퍼 카운터가 설치되어 있다.
반도체 웨이퍼로서 일반적으로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 불투명하기 때문에, 웨이퍼 카운터로서는, 종래 웨이퍼 배치영역의 일면측 및 타면측에 각각 발광 다이오드로 이루어지는 발광부 및 포토 트랜지스터로 이루어지는 수광부를 가지며, 또 이 수광부로부터의 수광신호에 의거하여 웨이퍼의 유무를 검지하는 투과형의 것이 사용되고 있다.
그런데, 최근에는 LCD 기판을 배열한 투명한 석영 웨이퍼가 제조되도록 되어 왔으나, 이 투명 웨이퍼는 발광부로부터의 빛을 거의 투과해버리기 때문에, 상술한 투과형의 웨이퍼 카운터에서는 투명 웨이퍼의 유무를 검지할 수 없다.
왜냐하면, 투명 웨이퍼가 존재하는 경우, 투명 웨이퍼의 약간의 광의 흡수에 따라 수광부의 수광량은 약간 작게 되지만, 웨이퍼가 있을 때와 없을 때의 어느 상태에 있어서도 수광부는 발광부로부터의 빛을 수광하고 있다.
그런데, 각 수광상태에 대응하는 전압레벨에는 폭이 있고(포토 트랜지스터의 특성인 흔들림이나 외부광의 영향 등), 또 「있음」 「없음」의 각 상태의 수광량의 차이가 매우 작은 것이기 때문에, 이 차이를 전기적으로 구별하는 것은 매우 곤란하며, 실제로도 구별할 수 없다.
이 때문에, 마이크로스위치 등을 사용하여 투명 웨이퍼의 유무를 검지하는 방법이 사용되어 오고있으나, 이 경우는, 접촉식이기 때문에 마이크로스위치 등을 통하여 웨이퍼가 오염될 염려가 있다.
본 발명은, 이와 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 기판 중에 투명기판이 포함되어 있어도, 기판의 유무를 비접촉으로 검출할 수 있는 기판 검출 장치를 제공함에 있다.
제 1 도는 본 발명의 기판 검출 장치의 일 실시예의 개략 사시도,
제 2 도는 제 1 도의 실시예의 요부를 나타내는 종단측면도,
제 3a 도는 제 1 도의 기판 검출센서의 배치를 나타내는 사시도,
제 3b 도는 제 3a 도의 평면도,
제 4 도는 기판 검출회로를 나타내는 도면,
제 5 도는 투명기판의 검출시의 발광 및 수광센서의 포토 트랜지스터로부터의 출력 파형을 나타내는 그래프,
제 6 도는 불투명기관의 검출 때의 수광센서의 포토 트랜지스터로부터의 출력 파형을 나타내는 그래프,
제 7 도는 발광 및 수광센서와 투명기판과의 떨어진 거리와, 포트 트랜지스터의 출력전압과의 관계를 나타내는 그래프,
제 8 도는 제 4 도의 기판 검출회로에 있어서의 제어 플로우차트이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 캐리어 재치대 2 : 오리엔테이션 플래트 맞춤장치
3 : 웨이퍼 카운터 4 : 판정부
5 : 제어부 11 : 절결부
12 : 가이드 돌기 21 : 로울러
31 : 센서지지 보드 41 : 밴드 패스 필터
42 : 앰프 43 : 비교기
51 : 전압부
52 : 펄스발생기(펄스 발생부), (펄스 발생수단)
53 : 변환 스위치 54 : CPU
54a : 메모리 61 : 발광 다이오드(발수광 센서)
62, 63 : 프토 트랜지스터(포토센서) C : 캐리어
P : 발수광센서의 발수광면 Q : 수광센서의 수광면
R : 설정 전압 S : 센서
S1 : 발수광 센서(발광 다이오드) S2 : 수광센서
W : 웨이퍼 W1 : 오리엔테이션 플래트
본 발명에 의하면 상기 목적은, 기판이 배치되는 영역에서, 배치되는 기판에 관하여 그 일면 측으로 설치되고, 이 일면을 향하여 발광하는 발광수단과, 상기 영역에 투명기판이 배치된 때에 이 기판 표면에서 반사되는 발광수단으로부터의 빛의 반사광로상에 배치된 제 1 수광수단과, 이 제 1 수광수단으로부터의 수광신호에 의거하여 투명기판의 유무를 판정하는 제 1 판정수단과, 상기 배치영역을 투과한 발광수단으로부터의 빛을 수광하도록, 이 배치영역에서, 그것에 배치되는 기판에 관하여 타면측에 배치된 제 2 수광수단과, 이 제 2 수광수단으로부터의 수광신호에 의거하여 불투명기판의 유무를 판정하는 제 2 판정수단을 구비하여 되는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치에 의하여 달성된다.
예를 들면, 펄스전압을 발광수단에 인가하여 발광수단으로부터 펄스 발광시키고, 이 빛의 반사광에 대응한 수광수단으로부터의 수광신호에 의거하여 판정수단을 투명기판의 유무를 판정한다.
투명기판이 배치영역에 없는 때는 수광수단은 발광수단으로부터의 빛을 수광하지 않고, 배치영역에 있는 때 발광수단으로부터의 빛을 수광하기 때문에, 수광이 있는 때와 없는 때와의 전압레벨 사이의 판정레벨을 설정하는 것에 의하여 투명기판의 유무를 관정할 수 있다.
또, 불투명 기판이 있는 때에는, 제 2 수광수단으로 발광수단으로부터의 빛이 수광되지 않고, 없는 때에는 수광되기 때문에, 불투명 기판의 유무를 판정할 있으며, 따라서 투명기판, 불투명기판의 양쪽을 검출할 수 있다.
[실시예]
제 1 도는 본 발명에 관한 기판 검출 장치를 웨이퍼 카운터로서 사용한 실시예를 나타내는 개략 사시도이다. 제 1 도에서, 참조번호(1)은 캐리어재치대를 나타내고, 이 캐리어재치대(1)는 사각형상의 절결부(11)가 형성되어 있음과 동시에, 이 절결부(11)의 양측에는, 후술하는 웨이퍼 캐리어(C)를 위치설정하기 위한 가이드 돌기(12, 12)가 각각 설치되어 있다.
캐리어재치대(1)는, 예를 들면, 웨이퍼용 열처리로의 반출입포트에 설치된다. 제 1 도는, 내부에 예를 들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납함과 동시에, 저부가 뚫려 있는 캐리어(C)가 가이드 돌기(12, 12)에 의하여 가이드되어 그들 사이에 재치되어 있는 상태를 나타내고 있다.
사각형절결부(11)의 내부영역에는, 그 대향하는 긴 면을 따라서 긴 로울러(21)가 지지되고, 이 로울러(21)의 회전에 의하여 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플래트(W1)를 소정방향으로 맞춘 공지의 오리엔테이션 플래트 맞춤장치(2)가, 도시하지 않은 승강기구에 의하여 공지의 형태로 승강이 자유롭게 설치되어 있다.
상기 로울러(21)에는, 캐리어(C)내의 각 웨이퍼(W)의 주위 테두리를 가이드하기 위하여, 둘레방향으로 형성된 홈부(21a)가 웨이퍼(W)의 수납매수에 대응한 수, 예를 들면 25개, 로울러(21)의 긴 쪽 방향으로 간격을 두고 형성되어 있다.
오리엔테이션 플래트 맞춤장치(2)의 한 쌍의 로울러(21, 21) 사이에는, 캐리어(C)내에 수용되어 있는 웨이퍼(W)의 수를 카운트하기 위한 웨이퍼 카운터(3)가 설치되어 있다.
이 웨이퍼 카운터(3)는, 제 2 도에 나타낸 바와 같이, 센서지지보드(31)와, 센서지지보드(31)를 아래쪽으로부터 지지하여 센서 지지보드(31)를 승강시키는 승강기구(32)와, 센서지지보드(31)의 상면의 양측에 웨이퍼(W)의 배열방향을 따라서 각각 배열된 센서(S)와, 이 센서(S)의 신호에 의하여 웨이퍼(W)의 유무를 판정하는, 후술하는 웨이퍼 카운터(3)의 계측 결과 등에 기초하여 시스템 전체를 제어하는 제어부(5)내에 설치되어 있다.
상기 센서(S)에는, 제 3A 도 및 제 3B 도에 나타낸 바와 같이, 발광부와 수광부의 양쪽을 인접상대로 구비한 발수광(發受光) 센서(S1)와, 수광부만을 구비한 수광센서(S2)의 2개 형식의 것이 있고, 각 열마다 발수광센서(S1)를 수광센서(S2)가 번갈아서 배열되어 있다.
여기에서, 캐리어(C)내의 웨이퍼(W)와 센서(S : S1, S2)와의 배열관계에 대하여 설명하면, 제 3a 도 및 제 3b 도에 나타낸 바와 같이, 도면 중 우측의 열에서는 바로 앞으로부터 발수광센서(S1)를 수광센서(S2)가 번갈아서 배열됨과 동시에, 좌측의 열에서는, 우측의 열에 대하여 센서(S)가 1개분만 깊숙하게 어긋난 위치로부터(우측열의 바로 앞에서 2번째의 센서(S)인 수광센서(S2)의 가까운 위치로부터), 발수광센서(S1), 수광센서(S2)가 번갈아 배열되어 있다.
그리고, 발수광센서(S1)의 발수광면(발광부의 발광면 및 수광부의 수광면)(P)은, 제 3a 도 및 제 3b 도중 후면측에, 수광센서(S2)의 수광면(Q)은 전면측에 각각 형성되어 있으며, 각 발수광센서(S1)를 수광센서(S2)는, 발수광면(P) 및 수광면(Q)이 마주보는 센서의 조(組) (S1, S2)에 의하여 각 웨이퍼(W)의 유무를 검출하도록 위치 설정되어 있다,
따라서, 제 3B 도에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 바로 앞의 웨이퍼(W)에 대하여는 오른쪽 열의 1번 바로 앞의 발수광센서(S1), 수광센서(S2)가 검출하고, 바로 앞에서 2번째의 웨이퍼(W)에 대해서는 왼쪽열의 발수광센서(S1), 수광센서(S2)가 검출하는 것으로 된다.
즉, 이 열에서는, 캐리어(C)내의 각 웨이퍼(W)의 수납영역의 일면측에 배치됨과 동시에, 상기 발수광센서(S1)의 수광부는, 이 발수광센서(S1)의 발광부로부터 나와 캐리어(C)내의 웨이퍼(W)의 표면에서 반사되어 되돌아오는 빛의 반사광로(反射光路)상에 위치하도록 배치되어 있다.
또, 수광센서(S2)의 수광부는, 발수광센서(S1)의 발광수로부터의 빛의 입사광로상에 웨이퍼(W)의 수납영역을 통하여 발광부와 대향하도록 배치되어 있다. 이 실시예에서는 발수광센서(S1)의 수광부는 제 1 수광부에 상당하고, 수광센서(S2)의 수광부는 제 2 수광부에 상당하는 것이다.
이어서, 발수광센서(S1) 및 수광센서(S2)의 구성과 이들을 포함하는 상기 웨이퍼 카운터(3)의 웨이퍼 검출회로의 구성에 대하여 제 4 도를 참조하면서 설명한다.
발수광센서(S1)는, 발광부를 이루는 발광 다이오드(61)와 제 1 수광부를 이루는 포토 트랜지스터(62)로 구성됨과 동시에, 상시 수광센서(S2)는, 제 2 수광부를 이루는 포토 트랜지스터(63)로 구성되어 있다.
상기 발수광센서(S1)에 있어서의 발광다이오드(61)의 애노드측과 포토 트랜지스터(62)의 콜렉터측은 서로 접속되어 그 접속점이 전압 +V의 전압부(51)에 접속된다,
또, 발광다이오드(61)의 애노드측이, 펄스발생기(52)에 접속되고, 또 수광센서(S2)의 포토 트랜지스터(63)의 콜렉터측이 상기 전원부(51)에 접속되어 있다.
한편, 상기 판정부(4)는, 중심 주파수가, 예를 들면 40kHz의 밴드패스필터(41)와, 그 출력측에 앰프(42)를 통하여 접속된 비교기(43)로 구성되어 있고, 이 판정부(4)의 출력측에는 CPU(54)가 접속되어 있다.
비교기(43)에는 설정전압(R)이 작용하고 있다.
이 예에서는 판정부(4)의 각 회로는 1개의 0P앰프 내에 조립되어 있다.
그리고, 상기 포토 트랜지스터(62, 63)의 에미터측은 스위치(53)를 통하여 판정부(4)의 입력측(밴드 패스 필터(41)의 입력측)에 접속되어 있다.
이 스위치(53)는, 투명한 석영 웨이퍼의 유무를 검출하는 모드인 때에는, CPU(54)로부터의 제어신호에 의하여 판정부(4)의 입력측은 포토 트랜지스터(62)에 접속하고, 불투명한 실리콘 웨이퍼의 유무를 검출하는 모드인 때에는 포토 트랜지스터(63)에 접속하도록 구성되어 있다.
또, 상술한 실시예에 관한 웨이퍼 카운터(3)는, 발수광센서(S1) 및 수광센서(S2)의 조가 25조이기 때문에, 이것에 대응하여 스위치(53)도 25조를 이용하며, 포토 트랜지스터(62)(또는 63)의 에미터측의 출력신호가 도시하지 않은 스위치 회로에 의하여 차례로 판정부에 입력되도록 구성된다.
이어서, 상술한 실시예의 작용에 대하여 설명하면, 우선 제 1 도 및 제 2 도에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(C)를 캐리어 재치대(11)상에 재치한 후, 오리엔테이션 플래트 맞춤기구(2)를 도시하지 않은 승강기구에 의하여 소정의 위치까지 상승시켜서 로울러(21)를 회전시기는 것에 의하여 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플래트(W1)를 소정의 방향으로 맞추고, 그 후, 오리엔테이션 플래트 맞춤기구(2)를 하강함과 동시에, 웨이퍼 카운터(3)를 승강기구(32)에 의하여 소정의 위치까지 상승시킨다.
그리고, 투명기판, 예를 들면 투명한 석영 웨이퍼(W)의 유무를 판정하는 때에는, CPU(54)로부터의 제어신호에 의하여 스위치(53)를 실선과 같이 교체하여 포토 트랜지스터(62)의 판정부(4)를 전기적으로 접속함과 동시에, 펄스 발생부(52)를 구동하여 발광 다이오드(61)를 펄스 발광시킨다.
투명한 석영 웨이퍼(W)가 발수광센서(S1)와 수광센서(S2)사이에 있는때, 결국 이 발수광센서(S1) 및 수광센서(S2) 조에 대응하는 캐리어(C)내의 수납위치에 수납되어 있는 때에는, 제 4 도의 화살표 A로 나타낸 바와 같이, 발광 다이오드(61)로부터의 빛의 일부, 예를 들면 약 4%의 빛이 웨이퍼(W)의 표면에서 반사하고, 포토 트랜지스터(62)에서 수광된다.
이 결과, 상기 펄스발광에 대응하여 포토 트랜지스터(62)에 펄스전류가 흐르고, 흐름에 대응하여 발생한 펄스전압이 밴드패스 필터(41) 및 앰프(42)를 통하여 비교기(43)에 입력되고, 그 입력전압은 설정전압(R)을 넘기 때문에, 비교기(43)가 온 상태로 된다.
한편, 투명한 석영 웨이퍼(W)가 없는 때에는 발광 다이오드(61)로부터의 광은 포토 트랜지스터(62)에 수광되지 않기 때문에, 상기 펄스전압이 판정부(4)에 입력되지 않고, 따라서, CPU(54)는 예를 들면 센서보드(31)의 끝단 쪽의 센서(S1)로부터 순차 검출결과를 판독하므로써 캐리어(C)내의 모든 위치에서 웨이퍼(W)의 유효를 검출할 수 있으며, 요컨대, 웨이퍼를 카운트할 수 있다.
한편, 불투명기판 예를 들면, 실리콘 웨이퍼(W)의 유무를 판정할 때에는 CPU(54)로부터의 신호에 의하여 스위치(53)가 제 4 도의 점선과 같이 전환되고, 포토 트랜지스터(63)에서의 수광신호에 기초하여 같은 판정부(4)에서 불투명한 실리콘 웨이퍼(W)의 유무가 판정된다.
즉, 이 경우에는, 불투명 웨이퍼(W)가 없을 때에 포토 트랜지스터(63)가 발광다이오드(61)에서의 펄스수광을 파선(B)으로 나타내도록 수광하고, 이것에 의하여 비교기(43)가 온 상대로 된다.
한편, 실리콘 웨이퍼(W)가 있을 때에 포토 트랜지스터(63)는 펄스발광을 수광하지 않기 때문에, 비교기(43)가 오프상태로 된다. 따라서, CPU(54)에서는, 실리콘웨이퍼(W)의 검출시에는 비교기(43)의 인식을 투명한 석영 웨이퍼(W)의 검출시와 반대로 하므로써, 같은 캐리어(C)내의 웨이퍼(W)를 카운트할 수 있다.
투명한가 불투명한가가 불분명한 웨이퍼의 유무를 검출하는 경우를 제 8 도의 플로우챠트를 따라서 설명한다.
제 4 도의 스위치(53)를 실선으로 바꾸어 놓고, 포트 트랜지스터(62)에 의해 웨이퍼의 유무를 검출한다.
포토 트랜지스터(62)로 웨이퍼가 있다고 검출한 경우는 투명 웨이퍼가 있는 경우이다.
포토 트랜지스터(62)로 웨이퍼가 없다고 검출한 경우는 웨이퍼가 없는 경우인가 웨이퍼가 불투명한 경우인가를 판별해야만 하기 때문에, 제 4 도의 스위치(53)를 점선으로 바꾸어 포토 트랜지스터(63)로 웨이퍼의 유무를 검출한다.
포토 트랜지스터(63)에서 있다고 검출한 경우는 불투명 웨이퍼가 있는 경우이고, 없다고 검출한 경우는 투명 웨이퍼도 불투명 웨이퍼도 없는 경우이다.
따라서, 투명인지 불투명인지 불분명한 웨이퍼를 검출하는 경우, 제 8 도의 공정을 미리 메모리(54a)에 기억시켜 놓으면, 투명 또는 불투명중 어느 하나의 웨이퍼일지라도 자동적으로 검출할 수가 있다.
이와 같은 실시예에 의하면 투명한 석영 웨이퍼(W)의 표면에서 반사되는 빛을 이용하여 웨이퍼(W)의 유무를 검출하여 놓고, 더구나, 포토 트랜지스터(62)가 발광다이오드(61)로부터 빛을 수광하고 있는가 없는가를 전기적으로 포착하면 좋다.
따라서, 예를 들면, 제 5 도에 나타낸 바와 같이, 포토 트랜지스터(62)의 출력전압의 낙차가 크고, 따라서 확실하게 웨이퍼(W)의 유무를 검출할 수 있다.
그리고, 센서가 웨이퍼(W)에 접촉하는 일없이 투명, 불투명을 문제로 하지 않고, 웨이퍼(W)의 유무를 검출할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)에서의 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
여기에서, 투명한 석영 웨이퍼를 가지는 경우의 포토 트랜지스터(62)에서의 출력파형과, 불투명한 실리콘 웨이퍼가 없는 경우의 포토 트랜지스터(63)로부터의 출력 파형의 일 예를 각각 제 5 도, 제 6 도에 나타낸다. 제 5 도, 제 6 도에서 알 수 있는 바와 같이, 투명한 석영 웨이퍼로부터의 반사광을 수광한 때의 포토 트랜지스터(62)의 출력 례벨을 7.5mV, 발광 다이오드(61)로부터의 광을 직접 수광한 때의 포토 트랜지스터(63)의 출력레벨을 3.0mV, 포트 트랜지스터(62, 63)가 수광하지 않은 때의 출력레벨을 2mW이다.
따라서, 이 예에서는 2∼7.5mV 사이의 어떤 전압과 포토 트랜지스터(62, 63)의 출력전압을 비교함으로써, 포토 트랜지스터(62, 63)에 대하여 공통의 판정부를 사용하는 것이 가능하다.
또, 본 발명에서는, 포토 트랜지스터(62, 63)로부터의 수광신호에 대하여 제 4 도에 파선으로 나타낸 바와 같이, 각각 제 1 판정부 및 제 2 판정부(4, 4)를 사용하는 것이 가능하지만, 이들은 상술한 실시예와 같이 공통화하여도 좋다.
상술한 실시예에 관한 웨이퍼 카운터는, 발수광센서(S2) 및 수광센서(S2)를 설치하고 있기 때문에, 투명 웨이퍼(W), 불투명 웨이퍼(W) 중 어느 하나라도 검출할 수 있다.
여기에서, 발광다이오드(S1)와 반사율 4%의 투명한 석영 웨이퍼와의 떨어진 거리와, 포토 트랜지스터(62)로부터의 출력전압과의 관계를 제 7 도에 나타낸다. 도면에서 밝혀진 바와 같이, 포토 트랜지스터(62)로부터의 출력전압은 떨어진 거리가 4mm를 넘으면 급격하게 저하하고, 이 때문에, 투명한 웨이퍼를 확실하게 인식할 수가 없게 될 염려가 있기 때문에 떨어진 거리는 0∼4mm의 범위 내로 하는 것이 바람직하며, 특히, 0.7∼2.5mm로 하는 것이 더욱 바람직하다.
바람직한 하한치를 0.7mm로 한 것은, 수광부를 너무 웨이퍼의 배치 영역에 가깝게 붙이면, 그 웨이퍼가 없는 경우에도, 다음의 웨이퍼의 반사광을 취할 염려가 있기 때문이다.
또, 제 5 도 및 제 7 도의 측정치의 다름(相違)(제 5 도의 출력레벨이 7.5mV인 것에 대하여 제 7 도의 출력레벨이 6.2mV)은 측정계기의 달라짐에 의한 것이다. 즉, 제 5 도의 데이터는 오실로스코프로 측정한 피크치이고, 제 7 도의 데이터는 디지털 테스터로 측정한 펄스파의 실효치이다.
또, 투명기판으로서는 석영 웨이퍼에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 투명 플라스틱기판 등을 사용하여도 좋으며, 불투명 기판이어도 좋다. 또, 불투명기판으로서는 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 기타 불투명 기판이어도 좋다. 또, 본 발명은 웨이퍼 카운터에의 적용에 한정되는 것은 아니며, 기타장치에 대해서도 적용할 수가 있다.
여기에서 웨이퍼의 이체(移替) 및 캐리어의 반송에 관하여 설명하면, 웨이퍼나 캐리어는 절연체이기 때문에, 예를 들면 반송아암 등에 접촉한 때에 급격하여 전류가 흐르고, 웨이퍼에 악영향을 미칠 우려가 있다. 거기에서 웨이퍼나 캐리어의 반송수단을 반도체의 저항치와 같은 저항치를 가지는 저항체에 의하여 구성하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 웨이퍼나 캐리어에 대해서는, 정전용량이 100pF정도, 대전압이 20KV이기 때문에, 이 상태에서의 전하량은 2μ쿨롱이고, 따라서, 예를 들면 1MQ의 저항체를 사용하면, 0.lm sec로 방전을 끝내고, 20mA의 전류가 흐르며, 웨이퍼에의 악영향을 회피할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 검출 장치를 기판에 접촉시기는 일이 없이 비접촉으로 기판의 유무를 검출하기 때문에, 기판에의 파티클의 부착이나 기판이 손상될 우려가 없으며, 확실하게 기판의 유무를 검출할 수가 있다. 그리고, 본 발명에서는 투명기판 및 불투명기판 중 어느 하나에 대해서도 동일한 장치로 기판의 유무를 검출할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판이 배치되는 영역에서, 배치되는 기판에 관하여 그 일면측에 설치되고, 상기 일면을 향하여 발광하는 발광수단과,
    상기 영역에 투명기판이 배치된 때에, 이 기판 표면에서 반사되는 발광수단으로부터의 빛의 반사광로상에 배치된 제 1 수광수단과,
    상기 제 1 수광수단으로부터의 수광신호에 의거하여 투명기판의 유무를 판정하는 제 1 판정수단과,
    상기 배치영역을 투과한 발광수단으로부터의 빛을 수광하도록, 상기 배치영역에서, 그것에 배치되는 기판에 관하여 타면측에 배치된 제 2 수광수단과,
    상기 제 2 수광수단으로부터의 수광신호에 의거하여 불투명기판의 유무를 판정하는 제 2 판정수단을 구비하여 되는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 판정수단이 공통의 단일의 판정수단으로 되는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 발광수단 및 제 1 수광수단이 1 개의 발수광 센서 내에 인접하여 모여 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 수광수단이 상기 발수광센서(S1)내에 대향하여 배치된 수광센서(S2)로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판검출장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 센서지지보드(31)를 구비하고, 이 센서지지보드(31)의 윗쪽에, 복수의 기판이 배치되는 복수의 기판 배치 영역이 설치되며, 각 기판 배치영역에 배치되는 기판의 일면측 및 타면측에, 상기 발수광센서(S1) 및 수광센서(S2)가 한 쌍을 이루어 각각 설치되고, 인접하는 임의의 2개의 기판 배치 영역의 양 센서의한 쌍은, 상기 센서지지보드(31)의 다른 측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 발광수단에 펄스 발생수단(52)이 접속되고, 발광수단이 펄스 발광하는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 발광수단이 발광 다이오드(61)에 의하여 구성되고, 상기 제 1, 제 2 수광수단이 제 1, 제 2 포토 트랜지스터(62, 63)로 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 발광 다이오드(61)의 캐소드에 펄스 발생수단(52)이 접속되고, 발광 다이오드(61)의 애노드와 상기 제 1 및 제 2 포토 트랜지스터(62, 63)의 콜렉터가 전원에 접속되며, 양 포토 트랜지스터(62, 63)의 에미터가 상기 제 1 및 제 2 판정수단에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 제 1 및 제 2 판정수단이 공통의 1개의 판단수단으로서 구성되고, 상기 제 1 및 제 2 포토 트랜지스터(62, 63)의 에미터가 변환스위치(53)를 통하여 공통의 판정수단에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 판정수단이, 밴드 패스 필터(41)와, 그 출력을 받고, 출력이 설정치 보다 큰 때에 출력을 내는 비교기(43)를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
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