KR940004868A - 기판 검출 장치 - Google Patents

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미쓰오 가토
마사토 아사카와
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도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
이노아에 다케시
도오교오 에레구토론 도오호쿠 가부시끼가이샤
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Abstract

반도체 웨이퍼를, 그것이 투명하거나 불투명하거나를 불문하고 비접촉으로 검출할 수 있는 검출장치, 캐리어 내의 각 웨이퍼에 상당하는 위치에 발수광 센서와 수광센서가 발수광면 및 수광면이 서로 마주보도록 대향하여 설치된다. 이 들 발수광센서 및 수광센서는, 센서지지보드의 길이방향으로 배열된다. 웨이퍼가 투명한 경우는 발수광센서의 수광부로부터의 빛이 웨이퍼의 표면에 닿아서 반사하고, 이 반사광을 갖는 발수광센서의 수광부가 검출한다. 불투명한 웨이퍼가 존재하는 경우에는, 발수광센서로부터외 빛이 대향하는 수광센서에 도달하지 않으나, 불투명 웨이퍼가 존재하지 않는 경우에는, 수광센서에 빛이 도달하고, 이것이 검출된다. 한편, 발수광센서의 수광부로부터 나오는 발수광 신호 및 수광센서의 수광부로부터 나오는 수광신호의 한 쪽이 교체에 의하여 입력되는 판정부가 설치된다.

Description

기판 검출 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 기판 검출 장치의 일실시예의 개략 사시도.
제2도는 제1도의 실시예의 요부를 나타내는 종단측면도.
제3A도는 제1도의 기판 검출센서의 배치를 나타내는 사시도.
제3B도는 제3A도의 평면도.
제4도는 기판 검출회로를 나타내는 도면.

Claims (10)

  1. 기판이 배치되는 영역에서, 배치되는 기판에 관하여 그 일면측으로 설치되고. 이 일면을 향하여 발광하는 발광수단과, 상기 영역에 투명기판이 배치된 때에, 이 기판 표면에서 반사되는 발광수단으로부터의 빛의 반사광로상에 배치된 제 1수광수단과, 이 제1수광수단으로부터의 수광신호에 의거하여 투명 기판의 유무를 판정하는 제1판정수단과, 상기 배치영역을 투과한 발광수단으로부터의 빛을 수광하도록, 이 배치영역에서, 그것에 배치되는 기판에 관하여 타면측에 배치된 제2수광수단과, 이 제2수광수단부터의 수광신호에 의거하여 불투명기판의 유무를 판정하는 제2판정수단을 구비하여 되는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2판정수단이 공통의 단일의 판정수단으로 되는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 발광수단 및 제1수광수단이 1개의 발수광센서 내에 인접하여 하나로 모아져 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2수광수단이 상기 발수광센서(S1)내에 대향하여 배치된 수광센서(S2)로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  5. 센서지지보드(31)를 구비하고, 이 센서지지보드(31)의 윗 쪽에, 여러개의 기판이 배치되는 여러 개의 기판 배치 영역이 설치되며, 각 기판 배치 영역에 배치되는 기판의 일면측 및 타면측에, 상기 발수광센서(S1) 및 수광센서(S2)가 한 쌍을 이루어 각각 설치되고, 인접하는 임의의 2개의 기판 매치 영역의 양 센서의 한 쌍은, 상기 센서지지보드(31)가 다른 측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 발광수단에 펄스 발생수단(52)이 접속되고, 발광수단이 펄스발광하는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 발광수단이 발광 다이모우드(61)에 의하여 구성되고, 상기 제1, 제2수광수단이 제1, 제2포토 트랜지스터(62),(63)로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 발광 다이오우드(61)의 캐소드에 펄스발생수단(52)이 접속되고, 발광 다이오우드(61)의 애소드와 상기 제1 및 제2포토 트랜지스터(61),(63)의 콜렉터가 전원에 접속되며, 양 포토 트랜지스터(62),(63)의 이미터가 상기 제1 및 제2판정수단에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  9. 제8항에 있어서, 제1 및 제2판정수단이 공통의 1개의 판정수단으로서 구성되고, 상기 제 1 및 제2포토 트랜지스터(61),(63)의 이미터가 변환 스위치(53)를 통하여 공통의 판정수단에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 판정수단이, 밴드 패스 필터(41)와, 그 출력을 받고, 출력이 설정치보다 큰 때에 출력을 내는 비교기(43)를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 검출 장치.
KR1019930016298A 1992-08-24 1993-08-21 기판검출장치 KR100299579B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108717207A (zh) * 2018-05-21 2018-10-30 深圳市杰普特光电股份有限公司 面板放置检测装置及面板放置检测方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5606251A (en) * 1994-07-15 1997-02-25 Ontrak Systems, Inc. Method and apparatus for detecting a substrate in a substrate processing system
DE19544328B4 (de) * 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
US5751443A (en) * 1996-10-07 1998-05-12 Xerox Corporation Adaptive sensor and interface
US5880479A (en) * 1996-10-25 1999-03-09 Vanguard International Semiconductor Corporation Wafer aligner apparatus using different diameter rollers
US6528808B1 (en) 1997-03-19 2003-03-04 Omron Corporation Transmitting photoelectric sensor array
JP3510463B2 (ja) * 1997-11-10 2004-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板の整列装置及び整列方法
US5952670A (en) * 1998-04-09 1999-09-14 Cypress Semiconductor Corp. Anti-wafer breakage detection system
US6229611B1 (en) * 1999-09-20 2001-05-08 United Microelectronics Corp. Method of detecting a transparent quartz wafer in a semiconductor equipment
DE10297565T5 (de) * 2001-12-17 2005-01-05 Cyberoptics Semiconductor, Inc., Beaverton Mapping-Sensor für Halbleiterwaferträger
KR100481178B1 (ko) * 2002-09-03 2005-04-07 삼성전자주식회사 기판유무검사장치
US6998628B2 (en) 2002-11-21 2006-02-14 Lexmark International, Inc. Method of media type differentiation in an imaging apparatus
US20050086024A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-21 Cyberoptics Semiconductor Inc. Semiconductor wafer location sensing via non contact methods
US7018121B2 (en) * 2004-03-11 2006-03-28 Lexmark International, Inc. Combined paper and transparency sensor for an image forming apparatus
US7205561B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-17 Lexmark International, Inc. Media sensor apparatus using a two component media sensor for media absence detection
KR100882883B1 (ko) * 2005-03-29 2009-02-10 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 제조장치
US20080157455A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Compliant substrate holding assembly
JP4937953B2 (ja) * 2008-03-27 2012-05-23 ラピスセミコンダクタ株式会社 ウェハ搬送装置
MY180533A (en) * 2014-03-17 2020-12-01 Shinetsu Chemical Co Methods for working synthetic quartz glass substrate having a mirror-like surface and method for sensing synthetic quartz glass substrate
US20210151338A1 (en) * 2019-11-19 2021-05-20 Micron Technology, Inc. Wafer storage devices configured to measure physical properties of wafers stored therein, associated methods, and apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4540887A (en) * 1983-01-28 1985-09-10 Xerox Corporation High contrast ratio paper sensor
US4587407A (en) * 1983-06-20 1986-05-06 Westinghouse Electric Corp. Scanning system for bar code labels affixed to rods
JPS6371794A (ja) * 1986-09-16 1988-04-01 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 透明カ−ド検出装置
JPS63201506A (ja) * 1987-02-18 1988-08-19 Oki Electric Ind Co Ltd 媒体検知装置
US5194743A (en) * 1990-04-06 1993-03-16 Nikon Corporation Device for positioning circular semiconductor wafers
JP2868645B2 (ja) * 1991-04-19 1999-03-10 東京エレクトロン株式会社 ウエハ搬送装置、ウエハの傾き検出方法、およびウエハの検出方法
US5225691A (en) * 1992-05-18 1993-07-06 Avalon Engineering, Inc. Semiconductor wafer cassette mapper with emitter and detector arrays for slot interrogation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108717207A (zh) * 2018-05-21 2018-10-30 深圳市杰普特光电股份有限公司 面板放置检测装置及面板放置检测方法
CN108717207B (zh) * 2018-05-21 2024-03-29 深圳市杰普特光电股份有限公司 面板放置检测装置及面板放置检测方法

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KR100299579B1 (ko) 2001-10-22
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JPH0677307A (ja) 1994-03-18

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