KR100299535B1 - 엑스-선 검출소자의 테스트 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 엑스-선 검출용 액티브 매트릭스 액정 표시소자의 테스트 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 광감지층이 형성되기 전에 테스트전압을 화소들에 인가하고, 화소들에 인가된 신호를 재생함으로써 박막트랜지스터 어레이 및 주변회로의 이상여부를 판별할 수 있게 된다.

Description

엑스-선 검출소자의 테스트 방법 및 장치{Method of Testing X-Ray Detecting Device and Apparatus thereof}
본 발명은 엑스-선(이하 'X-선'이라 함) 검출소자의 테스트 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 X-선 검출용 액티브 매트릭스 액정 표시소자의 테스트 방법 및 장치에 관한 것이다.
피사체에 가시광이 아닌 X-선을 조사하여 이미지를 촬상하는 진단용 X-선 감지장치가 의료 분야에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 X-선 감지장치는 X-선을 검출하기 위한 검출소자가 필요하게 된다.
최근, X-선 검출소자로 개발되고 있는 액티브 매트릭스 액정표시소자(Active Matrix Liquid Crystal Display : 이하 'AMLCD'라 함)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. AMLCD는 스위치 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 'TFT'라 함)를 이용하게 된다.
도 1을 참조하면, X-선이 입사되는 광감지층(6)과, 유리기판(2) 상에 형성되어 광감지층(6)으로부터 검출된 X-선을 스위칭하기 위한 TFT 어레이(4)를 구비하는 AMLCD가 도시되어 있다. 광감지층(6)은 수백 μm 두께의 셀레니움(Selenium)이 TFT 어레이(4) 상에 도포되어 X-선을 전기적인 신호로 변환하는 역할을 하게 된다. 광감지층(6) 상에는 유전층(7)과 상부전극(8)이 형성된다. 상부전극(8)은 고전압 발생부(9)에 접속된다. TFT 어레이(4)는 게이트라인(3)을 경유하여 입력되는 제어신호에 응답하여 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압신호를 데이터 재생부(도시하지 않음)에 전송하게 된다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 TFT의 소오스전극과 기저전압원(GND) 사이에 접속되어 광감지층(6)으로부터 공급되는 신호를 충전하는 역할을 하게 된다.
피사체에 X-선이 조사되면, 피사체를 투과한 광은 광감지층(6)에 입사된다. 광감지층(6)에 입사된 X-선은 광감지층(6) 내에 전자-정공쌍을 생성시키게 된다. 고전압 발생부(9)로부터 발생되는 수 kV의 고전압이 상부전극(8)을 통하여 광감지층(6)에 인가되면 전자-정공쌍이 분리된다. 전자와 분리된 정공은 상부 투명전극(5)을 경유하여 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된다. 게이트라인(3)을 경유하여 TFT의 게이트전극에 게이트전압이 인가되면 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 드레인 전극을 통하여 데이터 재생부에 공급되어 영상으로 재생된다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 TFT 어레이를 상세히 나타내는 단면도 및 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, TFT 어레이(4)는 게이트전극(11), 게이트절연층(15), 채널층(14), 소오스전극(12) 및 드레인전극(13)으로 이루어지는 TFT와, 상/하부 투명전극(5,17) 사이에 형성되는 스토리지 캐패시터(Cst) 및 TFT와 스토리지 캐패시터(Cst)의 열화를 방지하기 위한 페시베이션(Passivation) 보호막(16)을 구비한다. TFT 는 게이트라인(3)과 데이터라인(19)의 교차부에 형성된다. 게이트라인(3)과 스토리지 캐패시터(Cst)의 그라운드라인(18)은 페시베이션 보호막(16)을 사이에 두고 상부 투명전극(5)과 중첩된다. 게이트전극(11)은 게이트라인(3)에 접속되며 게이트전압에 응답하여 드레인전극(13)과 소오스전극(12) 사이의 채널을 형성시키게 된다. 드레인전극(13)은 데이터라인(19)에 접속되며, 소오스전극(12)은 화소전극으로 이용되는 상부 투명전극(5)을 경유하여 스토리지 캐패시터(Cst)에 접속된다. 하부 투명전극(17)은 스토리지 캐패시터(Cst)의 기저전극(Ground electrode)이 되며, 그라운드라인(18)에 접속된다.
X-선 검출용 AMLCD는 위에서 알 수 있는 바와 같이 TFT 어레이(4) 위에 광감지층(6)을 형성한 후, X-선을 조사하여 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압을 독출함으로써 테스트된다. 이러한 테스트 결과에 의해, TFT 어레이(4)와 데이터 재생부 등의 주변 회로부의 이상여부 및 특성이 평가된다. 그 결과, 종래의 테스트 방법은 광감지층(6)이 형성되기 전에 TFT 어레이(4) 및 주변회로의 이상여부 및 특성평가가 곤란한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 광감지층이 형성되기 전에 TFT 어레이 및 주변회로의 이상여부를 판별할 수 있도록 한 X-선 검출소자의 테스트 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 X-선 검출용 액티브 매트릭스 액정 표시소자를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 어레이를 상세히 나타내는 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 어레이를 상세히 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 X-선 검출소자의 테스트 장치를 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 X-선 검출소자의 테스트 장치를 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 X-선 검출소자의 테스트 장치를 나타내는 평면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2 : 유리기판 3 : 게이트라인
4 : 박막 트랜지스터 어레이 5,17 : 투명전극
6 : 광감지층 7 : 유전층
8 : 상부전극 9 : 고전압 발생부
11 : 게이트전극 12 : 소오스전극
13 : 드레인전극 14 : 채널층
15 : 게이트 절연층 16 : 페시베이션 보호막
18,21 : 그라운드라인 19 : 데이터라인
20 : 게이트 구동부 22,32,42 : 테스트전압 공급라인
23a,23b : 테스트라인 30 : 테스트 영역
1001내지 100n: 블럭
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 X-선 검출소자의 테스트 방법은 화소들을 상호 단락시키는 단계와, 화소들에 테스트전압을 인가하여 캐패시터에 전압을 충전시키는 단계와, 스위치소자를 구동시켜 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키는 단계와, 캐패시터에 충전된 전압을 재생하는 단계를 포함한다.
본 발명의 X-선 검출소자의 테스트 방법은 스위치소자 및 캐패시터 상에 전면 형성된 전극물질층에 테스트전압을 인가하여 캐패시터에 전압을 충전시키는 단계와, 스위치소자를 구동시켜 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키는 단계와, 캐패시터에 충전된 전압을 재생하는 단계를 포함한다.
본 발명의 X-선 검출소자의 테스트 방법은 한 화면을 적어도 둘 이상의 블록들로 분할하는 단계와, 블록 내의 화소들을 상호 단락시키는 단계와, 블록들에 테스트전압을 공급하여 캐패시터에 전압을 충전시키는 단계와, 스위치소자를 구동시켜 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키는 단계와, 캐패시터에 충전된 전압을 재생하는 단계를 포함한다.
본 발명의 X-선 검출소자의 테스트 장치는 화소들을 상호 단락시키기 위한 단락라인과, 화소들에 테스트전압을 인가하여 캐패시터에 전압을 충전시키기 위한 테스트전압 생성수단과, 스위치소자를 구동시켜 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키기 위한 스위치소자 구동수단과, 캐패시터에 충전된 전압을 재생하기 위한 데이터 재생수단을 구비한다.
본 발명의 X-선 검출소자의 테스트 장치는 임의의 영역 내의 스위치소자들 및 캐패시터들 상에 전면 형성된 전극물질층과, 전극물질층에 테스트전압을 인가하여 캐패시터에 전압을 충전시키기 위한 테스트전압 생성수단과, 스위치소자를 구동시켜 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키기 위한 스위치 구동수단과, 캐패시터에 충전된 전압을 재생하기 위한 데이터 재생수단을 구비한다.
본 발명의 X-선 검출소자의 테스트 장치는 한 화면 내에서 적어도 둘 이상으로 분할된 블록들 내에 상호 단락된 화소들과, 블록들에 테스트전압을 공급하여 캐패시터에 전압을 충전시키기 위한 테스트전압 생성수단과, 스위치소자를 구동시켜 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키기 위한 스위치소자 구동수단과, 캐패시터에 충전된 전압을 재생하기 위한 데이터 재생수단을 구비한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 매트릭스 형태로 배치되며 상호 전기적으로 단락된화소들(Pix)과, 화소(Pix)와 기저전압원(GND) 사이에 접속된 스토리지 캐패시터(Cst)와, 테스트 전압(Vtest)을 화소들(Pix)에 공급하기 위한 테스트전압 공급라인(22)과, 스토리지 캐패시터(Cst)를 충/방전시키기 위한 TFT들과, 데이터라인(19)에 접속된 증폭기(Amp)를 구비하는 본 발명의 제1 실시예에 따른 X-선 검출소자의 테스트 장치가 도시되어 있다. 화소들(Pix)은 인접한 횡방향의 화소들(Pix)과 제1 테스트라인(23a)에 의해 접속됨과 아울러 인접한 종방향의 화소들(Pix)과 제2 테스트라인(23b)에 의해 접속된다. 테스트전압 공급라인(22)은 화소들(Pix)에 테스트전압(Vtest)을 공급하기 위하여 가장자리의 화소들(Pix)로부터 인출된다. 이들 제1 및 제2 테스트라인(23a,23b)과 테스트전압 공급라인(22)은 도 2 및 도 3에서 상부 투명전극(5)을 형성하는 공정에서 투명전극물질로 이용되는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하 'ITO'라 함)가 페시베이션 보호막(16) 위에 증착된 후, 페터닝될 때 상부 투명전극(5)과 동시에 페터닝된다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 화소(Pix)와 그라운드라인(21) 사이에 접속되어 테스트전압(Vtest)을 충전하는 역할을 하게 된다. TFT는 게이트라인(3)으로부터 공급되는 게이트전압에 응답하여 턴-온/오프(Turn-on/off)되어 스토리지 캐패시터(Cst)를 충/방전시키게 된다. 다시 말하여, TFT는 게이트전압이 하이논리일 때 턴-온되어 화소들(Pix)을 데이터라인(19)에 접속시켜 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압을 데이터라인 쪽으로 방전시키는 반면, 게이트전압이 로우논리일 때 턴-오프되어 스토리지 캐패시터(Cst)에 테스트전압(Vtest)을 충전시키게 된다.
도 4와 같이 각 화소들(Pix)이 상호 단락된 상태에서 테스트전압(Vtest)이테스트전압 공급라인(22)을 경유하여 각 화소들(Pix)에 공통으로 공급되면 스토리지 캐패시터(Cst)에 테스트전압(Vtest)의 레벨까지 전압이 충전된다. 이어서, 게이트 구동부(20)로부터 게이트전압이 게이트라인(3)에 공급된다. 이 게이트전압이 하이논리인 경우, TFT들은 턴-온되어 화소들(Pix)을 데이터라인(19)에 접속시켜 스토리지 캐패시터(Cst)를 방전시키게 된다. 이 때, 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 전압은 데이터라인(19) 쪽으로 방전되어 증폭기들(Amp)의 이득값만큼 증폭된 후, 데이터 재생부에 의해 재생되어 화상으로 표시된다.
테스트전압(Vtest)은 정지영상 또는 동영상 신호와 동일하게 시간에 따라 변할 수 있다. 이에 따라, TFT 어레이 및 데이터 재생부 등의 주변 회로부는 광감지층(6)이 형성되기 전에 정지영상 또는 동영상 신호가 인가될 때와 동일하게 테스트되어 이상유무 및 특성이 판별될 수 있다.
이와 같이 TFT 어레이 및 주변회로부가 테스트되어 양품판별된 후, 제1 및 제2 테스트라인(23a,23b)과 테스트전압 공급라인(22)을 개방시킨 후, 광감지층(6)을 형성하게 된다.
도 5를 참조하면, 화소들(Pix)이 독립적으로 패터닝되지 않은 테스트영역(30)에 테스트전압(Vtest)을 인가하는 본 발명의 제2 실시예에 따른 X-선 검출소자의 테스트 장치가 도시되어 있다. 테스트영역(30) 내의 화소전극물질 즉, ITO는 화소별로 패터닝되지 않고 테스트영역(30) 내의 페시베이션 보호막(16) 상에 전면 도포된 상태에 있다. 이에 따라, 테스트영역(30) 내의 각 화소별 스토리지 캐패시터(Cst)는 전면 도포된 ITO에 의해 공통으로 접속되어 있다. 이에 따라, 테스트영역(30) 내의 모든 스토리지 캐패시터(Cst)는 TFT의 소오스전극에 접속된 ITO층과 기저전압원 즉, 그라운드라인 사이에 접속되어 테스트전압(Vtest)을 충전하게 된다. TFT는 게이트라인(3)으로부터 공급되는 게이트전압에 응답하여 턴-온/오프(Turn-on/off)되어 스토리지 캐패시터(Cst)를 충/방전시키게 된다. 테스트영역(30)의 가장자리는 테스트전압 공급라인(32)이 인출되어 있다.
테스트전압(Vtest)이 테스트전압 공급라인(32)을 경유하여 테스트영역(30) 내의 ITO층에 공급되면 테스트영역(30) 내의 모든 스토리지 캐패시터(Cst)가 테스트전압(Vtest) 레벨만큼 충전된다. 테스트영역(30) 내의 스토리지 캐패시터(Cst)들이 충전된 상태에서 TFT들이 하이논리의 게이트전압에 의해 턴-온되면 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압은 데이터라인(19) 쪽으로 방전된다. 데이터라인(19)으로 방전된 전압은 증폭기들(Amp)의 이득값만큼 증폭된 후, 데이터 재생부에 의해 재생되어 화상으로 표시된다.
도 5에 도시된 X-선 검출소자의 테스트 장치는 화소전극들이 패터닝되기 전에 TFT 어레이 및 주변회로의 이상여부가 판별되므로 화소전극들을 형성하기 위한 사진식각 공정이 생략된다.
도 6을 참조하면, 한 화면 내에서 n개로 분할된 제1 내지 제n 블럭들(1001내지 100n)을 구비하고, 제1 내지 제n 블럭들(1001내지 100n)에 테스트전압(Vtest)을 인가하는 본 발명의 제3 실시예에 따른 X-선 검출소자의 테스트 장치가 도시되어 있다. 제1 내지 제n 블럭들(1001내지 100n)은 도 4와 같이 각 화소들(Pix)이제1 및 제2 테스트라인(23a,23b)에 의해 상호 단락되거나 도 5와 같이 화소전극이 패터닝되기 이전의 전면 도포된 상태에 의해 상호 단락된다. 이들 제1 내지 제n 블럭들(1001내지 100n) 각각은 테스트전압 공급라인(42)이 인출되어 독립적 또는 공통으로 테스트전압(Vtest)이 공급되어 TFT 어레이의 이상여부가 테스트되어진다.
도 6에 도시된 X-선 검출소자의 테스트 장치는 한 화면이 여러 개의 블럭들로 분할되어 테스트전압(Vtest)이 인가된 블록과 비인가된 블럭들이 구분됨으로써 X-선이 조사된 노출영역과 X-선이 조사되지 않은 미노출영역으로 나뉘어지는 것과 동일하게 테스트되어지게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 X-선 검출소자의 테스트 방법 및 장치는 전기적인 신호를 TFT 어레이 및 주변회로들에 인가하여 TFT 어레이 및 주변회로의 이상여부를 판별함으로써 광감지층이 형성되기 전에 TFT 어레이 및 주변회로의 이상여부를 판별할 수 있게 된다. 이에 따라, TFT 어레이 위에 광감지층을 형성한 후, X-선을 조사하여 TFT 어레이 및 주변회로의 이상여부를 판별함으로 인하여 수율, 불량률 및 코스트(cost)가 큰 종래의 방법과 달리, 광감지층이 형성되기 전에 화소간을 상호 단락시킨 후, 전기적으로 테스트함으로서 수율 및 불량률을 저하시킬뿐 아니라 코스트를 대폭 절감할 수 있게 된다. 나아가, 본 발명에 따른 X-선 검출소자의 테스트 방법 및 장치는 테스트전압을 정지영상 또는 동화상과 같은 신호 형태로 변조하여 TFT 어레이 및 주변회로에 공급하여 테스트함으로써 정지영상또는 동화상이 공급될 때의 TFT 어레이 및 주변회로의 특성을 평가할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 화소전극이 패터닝되기 전에 TFT 어레이 및 주변회로들의 이상여부를 판별할 수 있음은 물론 한 화면을 여러 개의 블록들로 나누어 테스트할 수 있게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (13)

  1. 매트릭스 타입의 화소들과, 화소전압을 충전하기 위한 캐패시터 및 상기 캐패시터를 충/방전시키기 위한 스위치소자를 구비한 엑스-선 검출소자의 테스트 방법에 있어서,
    상기 화소들을 상호 단락시키는 단계와,
    상기 화소들에 테스트전압을 인가하여 상기 캐패시터에 전압을 충전시키는 단계와,
    상기 스위치소자를 구동시켜 상기 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키는 단계와,
    상기 캐패시터에 충전된 전압을 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 방법.
  2. 매트릭스 타입의 화소들과, 화소전압을 충전하기 위한 캐패시터 및 상기 캐패시터를 충/방전시키기 위한 스위치소자를 구비하는 엑스-선 검출소자의 테스트 방법에 있어서,
    상기 스위치소자 및 상기 캐패시터 상에 전면 형성된 전극물질층에 테스트전압을 인가하여 상기 캐패시터에 전압을 충전시키는 단계와,
    상기 스위치소자를 구동시켜 상기 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키는 단계와,
    상기 캐패시터에 충전된 전압을 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 방법.
  3. 매트릭스 타입의 화소들과, 화소전압을 충전하기 위한 캐패시터 및 상기 캐패시터를 충/방전시키기 위한 스위치소자를 구비한 엑스-선 검출소자의 테스트 방법에 있어서,
    한 화면을 적어도 둘 이상의 블록들로 분할하는 단계와,
    상기 블록 내의 화소들을 상호 단락시키는 단계와,
    상기 블록들에 테스트전압을 공급하여 상기 캐패시터에 전압을 충전시키는 단계와,
    상기 스위치소자를 구동시켜 상기 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키는 단계와,
    상기 캐패시터에 충전된 전압을 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 블록 내의 화소들은 상기 화소들의 패터닝시 상호 단락되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 블록 내의 화소들은 화소별로 패터닝되기 전에 상호 단락되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 방법.
  6. 매트릭스 타입의 화소들과, 화소전압을 충전하기 위한 캐패시터 및 상기 캐패시터를 충/방전시키기 위한 스위치소자를 구비한 엑스-선 검출소자에 있어서,
    상기 화소들을 상호 단락시키기 위한 단락라인과,
    상기 화소들에 테스트전압을 인가하여 상기 캐패시터에 전압을 충전시키기 위한 테스트전압 생성수단과,
    상기 스위치소자를 구동시켜 상기 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키기 위한 스위치소자 구동수단과,
    상기 캐패시터에 충전된 전압을 재생하기 위한 데이터 재생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 단락라인은 상기 테스트전압 생성수단과 상기 화소들 사이에 형성된 테스트전압 공급라인이고,
    횡방향으로 인접한 상기 화소들을 단락시키기 위한 횡방향 단락라인과,
    종방향으로 인접한 상기 화소들을 단락시키기 위한 종방향 단락라인을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 단락라인은 상기 화소들과 동시에 패터닝되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  9. 매트릭스 타입의 화소들과, 화소전압을 충전하기 위한 캐패시터 및 상기 캐패시터를 충/방전시키기 위한 스위치소자를 구비한 엑스-선 검출소자에 있어서,
    임의의 영역 내의 상기 스위치소자들 및 상기 캐패시터들 상에 전면 형성된 전극물질층과,
    상기 전극물질층에 테스트전압을 인가하여 상기 캐패시터에 전압을 충전시키기 위한 테스트전압 생성수단과,
    상기 스위치소자를 구동시켜 상기 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키기 위한 스위치 구동수단과,
    상기 캐패시터에 충전된 전압을 재생하기 위한 데이터 재생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  10. 매트릭스 타입의 화소들과, 화소전압을 충전하기 위한 캐패시터 및 상기 캐패시터를 충/방전시키기 위한 스위치소자를 구비한 엑스-선 검출소자에 있어서,
    한 화면 내에서 적어도 둘 이상으로 분할된 블록들 내에 상호 단락된 화소들과,
    상기 블록들에 테스트전압을 공급하여 상기 캐패시터에 전압을 충전시키기위한 테스트전압 생성수단과,
    상기 스위치소자를 구동시켜 상기 캐패시터에 충전된 전압을 방전시키기 위한 스위치소자 구동수단과,
    상기 캐패시터에 충전된 전압을 재생하기 위한 데이터 재생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 테스트전압은 상기 블록마다 독립적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 블록 내의 화소들은 상기 화소들이 패터닝시 상호 단락되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 블록 내의 화소들은 화소별로 패터닝되기 전에 상호 단락되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 검출소자의 테스트 장치.
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