KR100298273B1 - 금속스트립을주조하는방법및장치 - Google Patents

Abstract

용융금속 특히 용융납 및 넓은 응고온도범위의 납합금을 밧테리 그리드에 사용하기 위한 금속스트립 제조 방법 및 장치이다. 스트립(10)은 상기 용융금속욕을 담기 위해 턴디시(14)에 인접한 캐스팅면(72)과 상호작용하는 흑연 립 삽입체(60)가 속에 안착된 턴디시(14)에 담아진 상기 용융금속욕으로부터 회전드럼(12)의 칠드 캐스팅면(72)상에 주조된다. 턴디시(14)는 공급브실(42), 복귀실(44) 및 전환실(49)을 구비하며, 상기 공급실(42)과 전환실(49)은 용융금속으로부터 난류를 효과적으로 제거한다. 공급 및 복귀실(44)은 전환실(49)과 립 삽입체(60)내의 용융금속욕의 액면레벨(48)을 조절하고 용융금속의 흐름을 복귀실(44)로 전환하기 위해 복귀실(44)을 전환실(49)로부터 구분하는 수직조정가능한 둑(45)을 갖는다. 바람직한 납합금은 스트립(10)으로 주조되는 저 안티몬-납합금으로서 이후의 신장된 망의 밧테리 그리드의 제조에서 신장과 성형되기 위하여 열처리(98)를 받는다. 본 발명에 의해 제조된 밧테리 그리드는 내식성 및 성장 저항같은 개선된 전기 화학적 성질을 갖는다.

Description

[발명의 명칭]

금속 스트립을 주조하는 방법 및 장치

[발명의 상세한 설명]

[기술분야]

본 발명은 용융금속을 연속 스트립으로 주조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 납과 넓은 응고온도범위의 납합금을 밧테리의 전극 그리드로서 사용하기 위한 연속 스트립으로 주조하는 것에 방법에 관한 것이다.

[배경기술]

수년동안, 납-산 밧테리 제조업자는 그리드를 제조하는데 다양한 납합금을 사용해 왔다. 이들 합금의 주조방법으로는 북 몰드 주조, 압연하여 스트립형태의 정련제품을 형성하기 전에 슬랩으로의 주조, 벨트 주조, 트윈-벨트 주조, 더블-드럼 주조, 및 소위 “용융물 추출 응고” 또는 “딥-캐스팅” 즉 용융합금욕속에서 회전하는 드럼상으로의 주조방법이 포함된다. 마지막으로 언급한 방법은 용융합금으로부터 직접 합금 스트립을 제조할 수 있게 한다.

성공적인 딥-캐스팅은 칠드 캐스팅 드럼의 원주가 회전하면서 통과하는 구역으로 드로스(dross)가 없는 용융금속을 원활하게 유동하게 하는 것을 수반한다. 드럼을 가로질러 균일한 두께의 스트립을 제조하기 위해서는 스트립의 폭을 가로질러 균일한 비율로 열을 추출하는 것이 필요하다. 딥-캐스팅 방법은 순납과, 납-칼슘 또는 납-칼슘-주석합금같은 좁은 응고온도범위를 갖는 납합금을 주조하는데 적합하다. 주조 스트립으로부터 밧테리 그리드를 제조하기 위해서 납합금스트립은 신장 및 성형되어 밧테리 그리드에 사용되는 망을 형성한다. 그리드를 제조하는데 사용되는 다른 방법은 그리드형태의 합금을 직접 주조하고 원하는 그리드 형상에 대응하도록 형성된 표면을 갖는 회전드럼을 사용하여 그리드를 주조하는 것을 수반한다.

합금의 조성과 주조방법은 모두 여러 특허의 요지이다. 용융물 추출응고 방법을 사용하여 납 또는 납-칼슘 또는 납-칼슘-주석합금 스트립을 성공적으로 주조하기 위한 한 방법이 미합중국 특허 제3,926,247호 및 제3,858,642호에 기재되어 있는 한편, 납-산 밧테리 그리드를 제조하기 위한 주조 스트립의 확장 및 성형은 미합중국 특허 제4,291,443호, 제4,297,866호 및 제4,315,356호에 기재되어 있다.

현재, 많은 자동차 밧테리 제조업자는 보수가 필요없는 밧테리의 양극 그리드용으로 저 안티몬-납합금의 사용을 선호한다. 이들 제조업자들은 저 안티몬-납합금이 납-칼슘합금같은 다른 납합금에 비교하여 보다 긴 밧테리수명을 부여한다고 주장한다. 양극 밧테리판 용의 저 안티몬-납합금은 일반적으로 0.5%-4.0%의 안티몬을 함유한다. 자동차 시동 밧데리용의 합금은 보통 중량%로 약 1.0%-약 2.5%의 안티몬을 함유한다. 안티몬이 약 1.0%이하이면 이런 합금으로 만들어진 밧테리 그리드는 딥 사이클링 능력이 감소된다. 납-안티몬합금의 이런 능력과 기계적 성질 및 전기 기계적 성질을 향상시키기 위해 보통 하나 이상의 추가합금원소가 첨가된다. 이들 추가 합금원소로는 납의 0.001중량%-0.5중량%의 비소, 구리, 주석, 황, 셀레늄, 리튬, 은, 카드뮴, 비스무스, 칼슘, 마그네슘, 리튬 및 인이 포함된다. 황, 구리, 셀레늄, 텔루륨 및 은같은 많은 부가의 합금원소가 결정 미세화제로서 첨가된다.

만족스러운 구조와 성능을 갖는 밧테리 그리드를 얻기 위해서는 하나이상의 결정 미세화제가 필요하다는 것을 감안하여 업체는 그 미세화제의 사용을 크게 채택하여야 한다. 그 결과, 대부분의 저 안티몬-납합금 조성물에는 하나이상의 결정 미세화제가 존재한다.

예를 들어 저 안티몬-납 슬랩주조합금을 본래의 슬랩두께의 10%까지 압연하여 밧테리 그리드로 만들 때, 정련스트립 제품으로 만들어진 그리드는 불량한 내식성과 바람직하지 못한 그리드 성장 때문에 양극으로서 사용될 때 만족스러운 수명성능을 나타내지 못하며, 따라서 이 제품은 상업성이 없다. 따라서 현재 양극 밧데리 그리드는 중력 주조(북 몰드 캐스팅으로도 알려짐)방법에 의해 만들어지며 비교적 두껍고 무거우며, 다공성 및 균일하지 않은 미세구조를 가지므로 부식을 촉진시키고 그리드 성장을 받을 수 있으며 밧테리 내의 큰 물손실을 일으킨다. 이런 모든 특성들은 밧테리의 수명을 단축시킨다. 그러나 중력 주조 방법은 저 안티몬 그리드 양극을 만들기 위해 상업적 규모로 사용되는 유일한 방법이라고 생각된다.

보수가 필요없는 납-산 밧테리의 그리드용의 저 안티몬-납합금은 회전드럼 상에서의 딥-캐스팅, 그리드 형상면을 갖는 회전드럼 상에서의 캐스팅, 그리드 형상 구조의 몰드 공동 내에서의 다이 캐스팅, 또는 중력 캐스팅 및 스탬핑에 의하여 주조될 수 있다는 것은 종래에 공지된 것이다(예를 들어, 미합중국 특허 제3,789,909호, 제3,789,910호, 제4,455,724호 및 제4,456,579호). 이들의 출원인들은 딥-캐스팅으로 스트립을 제조하기 위해 시도하였으나 현재까지 이 방법은 산업적으로 사용되지 않는다. 마찬가지로 그리드 형상면을 갖는 회전드럼상에서의 캐스팅도 양극판용으로서 상업화되지 않았는데, 왜냐하면, 이 방법에 의해 저 안티몬 납 주물로 만들어진 양극판을 포함하는 밧테리의 성능에 심각한 문제가 생기기 때문이다.

균질한 미세결정 구조를 제공하기 위해 저 안티몬-납합금은 트윈롤 주조방법을 사용하고 압연직후에 온도를 조절하여 주조하여야 한다. (미합중국 특허 제4,498,519호). 정련된 안티몬 납합금은 본래 무르고 밧테리 그리드의 제조에 적합하도록 합금을 경화시키기 위해서는 열처리가 필요하다는 것은 알려진 것이다. 켄칭 또는 냉각을 수반하는 여러 가지 열처리 방법과 시효단계들이 미합중국 특허 제1,674,954호 내지 제1,674,959호, 제4,629,516호 및 제4,753,688호에 설명되어 있다. 또한 미합중국 특허 제4,629,516호와 제4,753,688호에는 합금을 압연하여 납-안티몬합금을 강화시키고, 합금을 가열하여 시효에 의해 강화되는 재결정구조를 부여하고, 합금을 켄칭하기 위한 방법이 기재되어 있다. 처리된 합금의 인장강도는 증대된다. 이 합금은 각각 0.5-6%의 안티몬과 0.002-1%의 비소와 잔량의 납과, 0.5-6%의 안티몬과 0.002-1%의 비소와 0.02-0.5%의 주석과 잔량의 납으로 구성된다. 합금을 압연하면 정련된 스트립 만들어지며 이 스트립은 가열된 후 켄칭된다. 그러나 상기 특허들에 따라서 제조된 밧테리 그리드는 밧테리의 수명을 단축시키는 부식 및 바람직하지 못한 성장의 문제를 받게 된다. 음극 밧테리판은 현재 납-안티몬, 납 칼슘 또는 납-칼슘-주석합금으로부터 납-칼슘 또는 납-칼슘-주석합금 스트립을 중력 주조하거나 신장함에 의해 만들어진다.

저 안티몬-납합금은 두가지 중요한 이유 때문에 매끈한 회전드럼 위에 딥캐스팅함에 의해서는 주조될 수 없다. 첫째로 합금속의 안티몬은 1-2.5%의 바람직한 안티몬 범위에서 용융합금이 60℃까지의 넓은 응고온도범위를 나타내게 한다. 둘째로 중력으로 인해 드럼상의 용융금속의 연속성이 파손된다. 그 결과 균일한 두께의 응집된 얇은 스트립이 형성될 수 없다. 이것은 특히 합금이 합금의 응고온도범위가 최대인 1.0-1.5%의 안티몬을 함유할 때 그렇다.

금속합금 스트립을 주조하기 위한 다른 방법은 턴디시로부터 냉각된 회전드럼상에 주조하고 드럼의 측면위 또는 상에 위치하는 주조용기를 통해 주조하는 소위 “멜트-드래그(melt-drag)”방법이다. 우리의 지식으로 알루미늄, 알루미늄합금, 구리, 구리합금 및 강스트립을 제조하기 위해 캐스팅 금속스트립의 멜트-드래그방법이 사용되지만, 저 안티몬-납합금 같은 넓은 응고온도범위의 스트립을 제조하는데는 이 방법이 상업적으로 사용되지 않았다.

[발명의 상세한 설명]

우리는 납합금 특히 저 안티몬-납합금 같은 넓은 응고온도범위의 합금을 멜트-드래그방법과 본 발명의 장치를 사용하여 제어된 주위 작업조건하에서 성공적으로 스트립으로 주조할 수 있음을 발견하였다. 넓은 응고온도범위의 합금으로 주조된 스트립은 저 안티몬-납합금 스트립의 열처리 같은 다른 처리를 받을 수 있다. 우리는 또한 열처리된 스트립을 성공적으로 신장 및 성형하여 뛰어난 전기 화학적 특성을 갖는 양극판에서 사용되기 위한 신장된 망그리드를 형성할 수 있음을 발견하였다. 우리는 또한 종래의 결정 미세화 합금원소를 함유하지 않는 저 안티몬-납합금으로부터 그리드용으로 뛰어난 특성을 갖는 스트립이 주조될 수 있음을 발견하였다. 특히 양극판으로서 납의 약 0.5-4중량%, 바람직하게는 약 1.5-3.0중량%, 가장 바람직하게는 약 1.5-2.0중량%의 안티몬뿐만 아니라 소량의 하나이상의 부가의 합금원소를 함유하는 저 안티몬-납합금이 멜트-드래그방법에 의해 용융합금으로 턴디시로부터 회전 칠드 드럼위로 주조될 수 있다. 부가의 합금원소는 결정 미세화제가 없는 비소와 주석이다. 비소와 주석은 납-안티몬합금의 전기 화학적 및 기계적 성질을 향상시키기 위해 첨가된다. 비소와 주석의 양은 비소가 약 0.1-2.0%의 범위이고 주석이 약 0.2-0.7%의 범위가 바람직하다.

멜트-드래그방법에 의해 스트립을 주조하기 위한 장치는 칠드 드럼과 턴디시로 구성된다. 턴디시는 칠드되고 응고된 드럼면상으로 견인될 용융금속층을 드럼의 캐스팅면으로 전달한다. 턴디시는 입구, 넘침출구, 넘침수단, 유동조절수단 및 캐스팅 구조물로 구성된 용기이다. 넘침수단은 캐스팅 구조물의 립에서 용융금속이 주조전반에 걸쳐서 조절된 액면레벨을 갖게 한다. 유동제어는 립에서 용융금속이 대체로 난류가 없게 하여 두께치수제어를 개량하고 기공을 감소시킨다.

캐스팅 구조물은 드럼면의 형상에 맞추어 형성된 립 삽입체로 구성된다. 칠드 드럼은 회전하여 소정량의 용융합금을 턴디시로부터 그 냉각면 위로 당기고 여기서 용융금속은 신속하게 응고하여 소정치수를 갖는 고체스트립이 형성된다. 드럼의 직경, 그 회전속도, 그 표면마무리, 그 표면온도 및 턴디시내의 용융합금의 온도 및 액면레벨을 조절하여 주조속도와 스트립의 두께를 결정한다. 드럼의 표면은 그 표면상의 용융금속의 응고에 필요한 다수의 핵생성점을 부여하기 위해 상기 표면을 글라스 비이드로 블라스팅함에 의해 처리된다. 이 스트립은 주조후나 냉각후의 처리단계를 받을 수 있다. 주조된 금속합금에 따라서 이 처리는 필요하지 않을 수도 있다. 열처리같은 처리단계는 스트립을 큰 파손없이 양극 밧테리 그리드를 만들기 위한 신장된 망으로 처리할 수 있게 한다. 이렇게 제조된 그리드는 종래의 주조방법에 따라서 만들어진 그리드에서 나타나는 것에 비하여 내식성과 가스 생성면에서 뛰어나다.

또한 상기 방법과 장치를 사용하여 납-안티몬, 납-칼슘 또는 납-칼슘-주석합금으로 음극 그리드로 만들 수 있다.

멜트-드래그방법은 저 안티몬-납합금으로부터 자동차 밧테리용으로서 뛰어난 특성을 갖는 양극을 고속으로 연속 제조할 수 있게 한다. 이 방법은 또한 기공이 없고 얇고 가벼운 밧테리 전극을 제조할 수 있게 하여 결국 높은 에너지 및 전력밀도와 개선된 충전 및 방전성능을 갖는 밧테리를 제조할 수 있게 한다. 밧테리의 중량이 커지면 비용의 증가가 수반된다. 높은 콜드-크랭크 밧테리를 제조하여 팔기 위한 마켓팅 압력 때문에 밧테리당 전극판의 수가 증가하고 있다는 면에서 밧테리 전극판은 제조비용을 최소화하기 위하여 특정 서비스 조건에 맞추어 가능한한 가벼워야 한다.

따라서, 본 발명의 중요한 면은 멜트-그래그방법에 의하여 넓은 응고온도범위의 납합금으로 얇은 스트립을 선택적으로 제어 주조하여 제조비용을 절감하고 주위 작업조건을 향상시키는 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 면은 납-산 밧테리용 그리드로서 사용하기 위한 뛰어난 특성을 갖는 저 안티몬-납합금의 양극 그리드를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 면은 납-산 밧테리에서 사용하기 위한 개량된 전기 화학적 성질을 갖는 양극 및 음극을 고속으로 제조하기 위한 연속 멜트-드래그방법을 제공하는 것이다.

따라서 캐스팅면의 대체로 수직부에 인접하여 용융금속욕을 가지며, 공급실, 복귀실 및 전환실을 갖고 캐스팅면 근처의 개방전면을 갖는 턴디시를 설치하고, 상기 턴디시의 개방전면과 결합되어 상기 용융물이 누출되지 않도록 하는 바닥과 양측벽을 가지며, 내부에 상기 용융금속욕을 갖도록 그 인접 캐스팅면의 대체로 수직부와 상호 작용하는 측벽 및 바닥으로 이루어진 개방전면을 갖는 흑연립 삽입체를 상기 개방전면에 인접하는 상기 턴디시속에 착탈가능하게 부착하고; 용융금속욕의 액면의 레벨을 조절하고; 상기 캐스팅면을 상기 드럼을 회전시킴으로써 상기 용융금속욕을 통해 상방으로 이동시켜 그 면상에 용융금속층이 놓이게 하고; 상기 용융금속을 냉각시켜 캐스팅면상의 금속스트립을 응고시키고; 금속스트립을 캐스팅면으로부터 벗겨내는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법이 제공된다.

또한, 바닥, 양측벽, 후방벽, 상기 후방벽으로부터 이격된 개방전면, 용융금속이 통과하는 개구를 갖는 상기 개방전면의 근처의 배플벽을 포함하는 턴디시와, 상기 턴디시의 개방단부에 인접하여 상기 턴디시속으로 삽입되는 바닥 및 양측벽을 가지며 용융금속이 유입되도록 턴디시 배플벽으로부터 이격된 개방 후방엣지와 립 삽입체내에 상기 용융금속욕을 담기 위해 캐스팅면과 상호작용하도록 립 삽입체 바닥과 측벽에 의해 이루어진 개방전면을 갖는 립 삽입체와, 용융금속욕의 액면레벨을 조절하기 위한 수단과, 칠드 캐스팅면을 용융금속욕을 통하여 상방으로 이동시켜 칠드 캐스팅면상에 금속을 주조하기 위한 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하기 위한 장치가 제공된다.

본 발명의 턴디시는 부가적으로 후방벽에 인접한 공급실과, 배플벽에 인접한 복귀실과, 상기 공급실과 상기 복귀실 사이에서 상기 공급실과 복귀실에 연통되는 전환실로 구성되며, 상기 공급실은 공급실을 전환실로부터 분리하는 난류판을 가지며, 상기 전환실은 전환실과 립 삽입체내의 용융금속욕의 액면 레벨을 조절하고 용융금속의 흐름을 복귀실로 전환시키기 위하여 복귀실을 전환실과 분리하는 수직조정가능한 둑을 갖는 것을 특징으로 한다.

[도면의 간단한 설명]

이하 본 발명을 본 발명의 바람직한 구체예를 나타내는 첨부도면을 참고하여 설명한다.

제1도는 턴디시로부터 코일러까지의 스트립 주조라인을 나타내는 개략도.

제2도는 턴디시와 주조드럼의 측 종단면도.

제3도는 제2도에 도시한 캐스팅 구조의 횡단면도이다.

[실시예]

납-산 밧테리의 양극용 그리드를 만들기 위한 스트립은 후술하는 본 발명의 방법에 따라서 넓은 응고온도범위의 납합금으로부터 성공적으로 주조된다. 이들 합금으로는 저 안티몬-납합금이 포함된다. 이후의 상세한 설명은 저 안티몬-납합금에 대한 것이지만, 본 발명의 방법은 순납 및 그외의 납합금같은 스트립금속의 주조에도 역시 적합하다는 것을 이해할 것이다.

적은 보수가 필요한 밧테리 용의 저 안티몬-납합금은 0.5중량% 내지 4.0중량%의 안티몬을 함유할 수 있다. 이것은 일반적으로 자동차 밧테리용으로 적합하다고 생각되는 안티몬 함량의 최대범위이다. 보수가 필요없는 밧테리에 있어서, 이들 합금들은 약 1중량%-3.0중량%의 안티몬을 함유한다. 밧테리 그리드의 안티몬이 약 1%이하면 안티몬 함량이 너무 낮고 밧테리는 딥 사이클링에 필요한 특성을 잃게 된다. 밧테리 그리드의 안티몬이 약 2%이상이면 밧테리는 통상적으로 높은 가스방출을 보여준다. 그러나 본 발명의 제품의 미세입자 구조는 가스처리의 두드러진 증가없이 약 3.0%함량까지의 안티몬을 사용할 수 있게 한다. 그러므로 본 발명의 합금의 안티몬함량은 약 1%-3.0%의 범위가 바람직하고, 약 1.5%-약 2.2%의 범위가 보다 바람직하다. 가장 바람직한 안티몬함량은 합금의 약 1.5%-2%의 범위이며, 나머지는 납과 부수적으로 생기는 불순물이다.

이 저 안티몬-납합금은 부가적으로 각기 약 0.001중량%-0.5중량%의 범위로 존재하는 비소, 구리, 주석, 황, 셀레늄, 텔루륨, 은, 카드뮴, 비스무스, 칼슘, 마그네슘, 리튬 또는 인 같은 하나이상의 합금원소를 함유할 수 있다. 이들 원소는 여러 가지 이유 때문에 첨가될 수 있다. 여러 가지 저 안티몬-납합금 조성물은 부가의 합금원소 없이 본 발명의 방법을 사용하여 성공적으로 주조될 수 있지만, 생산성을 향상시키는 합금의 주조성과 유동성을 개선하고 주조 스트립의 특성을 개선하기 위해 저 안티몬-납합금에 소정량의 비소와 주석을 첨가하는 것이 바람직하다. 비소의 양은 합금의 약 0.1-0.2중량%이며, 주석의 양은 합금의 약 0.2-0.7중량%이다.

놀랍게도 우리는 승인된 실제방법에 반하여 예를 들어 구리, 셀레늄 또는 황 같은 결정 미세화원소가 첨가될 필요가 없음을 발견하였다. 앞으로 보다 상세히 설명하겠지만, 본 발명의 방법은 주조합금스트립이 본래의 미세입자구조와 그외의 뛰어난 특성을 갖도록 한다. 그러나 결정 미세화제를 함유하는 합금이 본 발명의 방법을 사용하여 성공적으로 주조될 수 있음을 이해할 수 있다.

납-안티몬 합금같은 납합금은 많은 공지의 절차중의 하나에 의하여 만들어진다.

도면에 있어서, 제1도는 연속 금속스트립을 주조하기 위한 라인을 개략적으로 나타낸다. 턴디시(14)와 함께 드럼(12)에 의해 제조된 납합금스트립(10)은 가열분리판(16)을 가로질러 슬리터(18)까지 이동하여 스트립(10)의 측방엣지가 트리밍된후 전사롤(26)에 순서대로 배열된 가스히터(20, 22, 24) 아래를 통과하여 부가적으로 가열되고 맨드렐(28)에 감기어 코일(30)이 형성된다.

제2도와 제3도는 주조드럼(12)과 턴디시(14)를 상세히 나타낸다. 턴디시(14)는 수평바닥(33), 단부벽(34) 및 두개의 평행한 측벽(35, 36)으로 이루어진다. 턴디시는 용융 납합금을 단부벽(34)과 난류판(47)으로 이루어진 공급실(42)에 유입시키기 위한 입구인 상향구(40)를 갖는다. 용융 납합금은 난류판(47)의 상부에 의해 이루어진 둑위를 넘어 전환실(49) 속으로 들어간다. 용융 납합금의 일부는 벽(43), 바닥(38) 및 조정가능둑(45)에 의해 이루어진 복귀실(44)로 전환된다. 복귀실 바닥(38)에 힌지 방식으로 부착된 조정가능둑(45)은 도면부호(48)로 나타낸 용융 납합금의 액면높이를 조절한다. 바닥(38)과 수지배플(50)의 하측엣지 사이에 이루어진 조절갭(49´)은 용융 납합금이 주조실(52) 속으로 흘러 들어가 전환실(49)의 높이(48)와 같은 높이로 되게 한다. 턴디시(14)에 고정된 립 삽입체(60)는 베이스 바닥(62)과 평행측벽(64, 66)을 가지므로 주조실(52)의 바닥과 측면을 이룬다. 주조실(52)의 후방은 수직 배플(50)에 의해 이루어지며, 그 전방은 드럼(12)에 의해 이루어진다. 립 삽입체(60)는 흑연으로 가공되는 것이 바람직하다.

제3도에서, 턴디시에 착탈가능하게 부착된 립 삽입체(60)는 측벽(64, 66)을 가지며 양측내면은 용융물로부터 상향 및 외향으로 경사져 있다. 이 경사측벽은 스트립으로 주조되는 금속합금의 응고엣지에 릴리프를 부여한다.

다시 제2도에서, 주조드럼(12)는 수평축(71)을 중심으로 회전한다. 드럼(12)의 외주면은 대체로 매끈하며, 용융합금의 응고에 필요한 핵생성점을 제공하기 위하여 글라스비이드에 의한 블라스팅같이 매체로 처리함에 의하여 조정된다. 또한 회전드럼에는 하나만 도시된 엣지롤(75)이 구비되어 스트립(10)이 드럼면(72)으로부터 제거되기 전에 금속스트립(10)의 엣지가 완전히 응고된다. 엣지롤(75)은 스트립의 각측면상의 외측엣지를 드럼면에 강하게 가압하여 금속스트립을 필요한 만큼 냉각하고 이어서 연속주조 금속스트립(10)의 원하는 엣지를 만든다. 드럼(12)은 잘 알려진 순환수단(도시하지 않음)을 사용하여 내측이 물로 냉각된다. 드럼(12)의 직경, 그 회전속도, 드럼의 외측면(72)의 마무리조직 및 온도 및 턴디시내의 용융물의 온도와 액면높이(48)는 턴디시내의 용융금속욕으로부터 외측면 위로 당겨지는 용융물의 양을 결정하여 스트립의 두께를 결정한다. 냉각된 드럼면(72)은 용융금속을 대체로 일정한 폭과 두께의 스트립(10)으로 응고하게 한다.

용융금속합금은 보관용기(도시하지 않음)로부터 용융금속 원심펌프(도시하지 않음)를 거쳐 상향구(40)를 통해 공급실(42)로 들어가고 난류판(47)에 의해 이루어진 둑위로 넘어가 전환실(49) 속으로 들어간다. 전환실(49)의 끝에서 용융물의 흐름은 두개의 흐름으로 전환되는데, 그 하나는 조정가능둑(45) 위로 상부로 넘어 복귀실(44) 속으로 들어가는 것이며, 다른 하나는 조절갭(49´)을 통해 흐르는 것이다. 조정가능한 넘침둑(45) 위로 흐르는 용융금속합금은 복귀실(44)로 유입된 후 하향구(15)를 통해 용융합금용 보관용기속으로 유입된다. 액면레벨(48)은 조정가능한 넘침둑(45)에 의해 조절되어 드럼(12)에서 주조실(52) 내의 용융금속의 적당한 액면을 확보한다. 용융금속은 턴디시의 공급실(42) 속으로 소정속도로 펌핑되어 용융금속이 항시 과량으로 있게 하고 계속적으로 둑(45)위로 유동하여 복귀실(44) 속으로 들어가게 한다. 용융금속 속에 형성되거나 함유될 수 있는 슬래그는 난류판(47)과 복귀실벽(43) 사이에서 턴디시 내의 용융물로부터 쉽게 분리된다. 조정가능한 둑(45), 유동조절배플(50) 및 조절갭(49´)은 난류판(47)과 함께 턴디시 내의 용융금속의 액면(48)을 효과적으로 조절하고 용융금속의 난류를 조절한다. 대체로 일정한 깊이(두께)를 갖는 용융금속의 대체로 정적인 유동이 회전드럼(12)에 제공된다.

용융금속을 드럼면(72)에 제공함에 있어서, 립 삽입체(60)와 그 드럼 인접면(61)이 적절히 설계되고 적절한 위치에 있어햐 한다. 립 삽입체(60)의 설계는 주조중에 응고금속을 립 삽입체에 굳게 할 수 있는 방해물이 없도록 해야한다. 따라서 립 삽입체(60)의 측면(64, 66)은 용융금속으로부터 상향 및 외향으로 경사져 있다. 드럼(12)에 인접하는 립 삽입체(60)의 립면(63)은 드럼면(72)의 정확한 곡률과 일치하도록 구성되어야 한다. 립면(63)의 위치는 대략 9시 내지 10시 위치에서 드럼면(72)에 근접하여 위치한다. 립면(63)은 용융금속이 립 삽입체(60)로부터 드럼면(72)으로 전달되지만 드럼면(72)과 접촉하지 않는다. 그러나 립면(63)과 드럼면(72) 사이에 너무 많은 공간이 있으면 용융금속이 흘려지며 주조가 종료된다. 턴디시(14)와 립 삽입체(60)를 신속하고 정확하게 드럼(12) 및 그 표면(72)에 대하여 이동시켜 그 사이의 적절한 위치조정과 정확한 공간(90)을 얻기 위하여 고정밀 가이드 로드-볼 베어링 조립체, 래크와 피니언 또는 더브테일 슬라이드같은 조정수단이 제공된다.

흑연으로 만들어진 립 삽입체(60)가 특히 이런 목적으로 매우 적합한 데이는 흑연이 드럼면(72)의 금속보다 무르다는 것과 주조드럼이 회전하는 동안에 샌드페이퍼를 드럼면(72) 주위에 감싸고 립면(63)을 드럼면(72)에 접촉함에 의해 립면(63)이 쉽게 드럼면(72)에 매우 일치하도록 형성될 수 있기 때문이다. 또한 흑연은 용융금속에 의해 쉽게 적시어지므로 매우 적합하다.

회전드럼(14)이 회전함에 따라서 소정량의 용융합금이 드럼의 주조표면(72)위로 당겨진다. 이 금속합금은 응고하여 스트립(10)을 형성하며 이는 보통 대략 10시 내지 3시 위치에서 드럼으로부터 분리되며 완성된 스트립(10)은 제1도에 하나만 도시된 두개의 평행한 고무 코팅 견인 롤러(92)에 의해 회전드럼(14)으로부터 견인되는 데 상기 견인롤러는 슬리팅 조립체(18)의 일부를 형성한다. 롤러(92)는 드럼(12)의 회전에 맞추어 조정되는 주조속도를 조절하는 조정가능한 속도모터(도시하지 않음)에 의하여 구동되므로 스트립이 주조면으로부터 벗겨질 때 스트립상의 원하는 인장력을 계속적으로 유지시킨다.

전사롤(26)은 통과하기 전에, 스트립은 스트립의 외측엣지를 트리밍하여 스트립에 정확한 원하는 폭을 부여하는 슬리터(18)의 조정가능 회전칼 사이를 통과한다. 이 스트립은 스트립의 폭에 걸쳐 스트립의 두께를 연속적으로 모니터하는 와류게이지(도시하지 않음)위로 통과할 수도 있다. 스트립이 원하는 두께를 갖고 유지할 수 있게 하는데 필요한 정보를 제공하는 디지탈 판독이 제공된다. 그 후 스트립은 코일을 형성하기 위해 토크조절 권취 맨드렐(28)에 공급된다.

저 안티몬-납스트립의 경우에 코일스트립은 밧테리 그리드의 제조에 직접 사용될 수 없는데, 왜냐하면 코일스트립은 하류측의 슬리팅과 신장작업에서 파단에 대한 충분한 저항을 갖지 않기 때문이다. 슬리팅과 신장작업시에 파단에 대한 저항을 증대시키기 위해 스트립은 주조직후와 연속 주조열처리 조작으로서의 코일링중에, 또는 코일의 이후의 뱃치처리에 의해 열처리를 받는다. 저 안티몬-납합금 스트립은 약 190℃이상의 온도, 바람직하게는 약 200-300℃의 온도로 가열되며 납매트릭스에서 미세하게 분산되도록 안티몬을 균질화하기 위해 적어도 약 10분 동안 고온에서 유지되므로 양호한 완전성과 강도를 갖는 신장성을 얻는다. 저 안티몬-납합금의 열처리에 의해 파손없이 뛰어난 전기화학적 특성을 갖는 신장된 망의 밧테리 그리드를 성공적으로 제조할 수 있게 된다.

이하 본 발명을 이후의 비한정적 실시예에 따라서 설명한다.

[실시예]

중량%로 1.8%의 안티몬, 0.15%의 비소, 0.16-2.0%의 주석 및 잔량의 납으로 구성된 조성을 갖는 전형적인 저 안티몬-납합금을 본 발명의 턴디시(14)에서 약 400℃까지 가열하고, 글라스 비이드로 블라스팅하여 만들어진 드럼면상에 36-38피트/분의 속도로 주조하여 두께가 0.217인치 스트립폭이 3.604인치가 되도록 하였다. 드럼(12)상의 상측중심에서의 스트립온도는 140℃이며, 드럼의 원주는 100-110℉의 온도에서 드럼을 통해 순환하는 물에 의하여 냉각된다. 스트립은 4개의 13인치 및 125와트의 스트립 히터(98)에 의해 판의 중심에서 190℃까지 가열된 길이 24인치의 분리판을 가로질러 이동하여 스트립의 온도가 약 170℃가 되었다.

그후 스트립은 스트립 엣지를 트리밍하기 위해 견인롤러(92)의 장력하에서 슬리터(18)를 통과하고 각기 4인치의 폭과 36인치의 길이를 갖는 히터(20),(22) 및 (24)의 아래로 전사롤(26)까지 10피트 이동하였다. 히터(20, 22, 24)는 그 사이를 통과하는 스트립을 부분적으로 둘러싸도록 4인치의 금속측면과 상부에 결합되었다. 양호한 무결점성과 강도를 얻기 위해 스트립을 적어도 190℃까지 가열하고 그 온도에서 적어도 10분간 유지하는 것이 바람직하다. 히터(20)는 가장 높은 온도를 제공하고, 히터(22, 24)는 스트립(10)을 약 200℃의 목표온도까지 가열하기 위해 약간 낮은 온도를 제공한다. 아세틸렌 토치(100)에 의한 부가의 열이 전사롤(26)에 열을 가함에 의해 스트립을 약 200℃까지 간접적으로 가열하는 것이 바람직하다. 코일의 냉각을 지연시키기 위해 프로판으로 연료공급된 스프레더 불꽃에 의해(102)에서 코일에 열이 가해진다.

스트립은 제1도에 도시한 바와 같이 제조 중에 연속적으로 가열되고 서냉되기 전에 적어도 10분간 코일(30)속에서 적어도 190℃의 고온으로 유지될 수 있다. 다른 방법으로서, 제조된 스트립은 가열없이 맨드렐에 직접 감기어 코일을 형성하고 냉각될 수 있다. 이 코일은 후에 밧테리 제조자에 의해 원하는 열처리를 받을 수 있다.

본 발명은 많은 중요한 이점을 제공한다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 스트립은 대체로 기공이 없으며, 매끈한 표면을 가지며, 소정의 정확한 폭과 소정의 대체로 균일하고 일정한 두께를 갖는다. 스트립의 두께는 이 스트립으로 만들어진 그리드가 종래 기술의 방법에 따라서 만들어진 종래의 밧테리 그리드보다 얇도록 되어있다. 스트립의 두께는 종래의 그리드의 두께의 약 50%인 약 0.5-1.0mm의 범위에 있다. 이렇게 얇아진 그리드에 의하여 밧테리 제조자는 높은 에너지와 전력밀도를 갖는 밧테리를 만들 수 있게 된다. 이 그리드는 사용중에 부식과 크리프에 저항하며, 슬랩 주조 및 압연가공에 의해 제조된 동일 조성의 가공 그리드보다 뛰어나다는 것이 발견되었다.

가열온도와 시간은 합금조성과 원하는 열처리에 의해 변할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

또한 첨부한 특허청구의 범위에 의해 정의되는 본 발명의 범위로부터 벗어남 없이 여기서 설명하고 도시한 본 발명의 구체예가 수정될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (30)

1. 용융금속욕으로부터 회전 캐스팅 드럼(12)의 대체로 상반부에서 가동 칠드캐스팅면(72)상에 금속스트립(10)을 주조하는 방법에 있어서, 상기 캐스팅면(72)의 대체로 수직부에 인접하여 용융 금속욕을 가지며, 공급실(42), 복귀실(44) 및 전환실(49)을 갖고 캐스팅면(72) 근처의 개방전면을 갖는 턴디시(14)를 설치하고, 상기 턴디시(14)의 개방전면과 결합되어 상기 용융물이 누출되지 않도록 하는 바닥(62)과 양측벽(64, 66)을 가지며, 내부에 상기 용융금속욕을 갖도록 그 인접 캐스팅면(72)의 대체로 수직부와 상호 작용하는 측벽(64, 66) 및 바닥(62)으로 이루어진 개방전면을 갖는 흑연 립 삽입체(60)를 상기 개방전면에 인접하는 상기 턴디시(14)속에 착탈가능하게 부착하고; 용융금속욕의 액면의 레벨(48)을 조절하고; 상기 캐스팅면(72)을 상기 드럼(12)을 회전시킴으로써 상기 용융금속욕을 통해 상방으로 이동시켜 그 면상에 용융금속층이 놓이게 하고; 상기 용융금속을 냉각시켜 캐스팅면(72)상의 금속스트립(10)을 응고시키고; 금속스트립(10)을 캐스팅면(72)으로부터 벗겨 내는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 금속은 납 또는 넓은 응고온도범위의 납합금인 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
3. 제2항에 있어서, 넓은 응고온도범위의 합금은 0.5-4.0중량%의 안티몬과 잔량의 납을 함유하는 저 안티몬-납합금이며, 상기 주조된 스트립(10)을 충분한 시간동안 적어도 190℃의 온도로 가열함에 의해 금속스트립(10)으 열처리하여 상기 스트립(10)이 양호한 무결점성과 강도와 신장성을 얻게하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 저 안티몬-납합금은 1.5-3.0%의 안티몬을 함유하며, 상기 주조된 스트립(10)은 적어도 10분 동안 적어도 190℃의 온도로 가열함에 의해 열처리되는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
5. 용융금속욕으로부터 회전 캐스팅드럼(12)의 대체로 상반부에서 가동 칠드캐스팅면(72)상에 금속스트립 제조 방법에 있어서, 상기 캐스팅면(72)에 인접하여 금속용융물을 가지며, 상기 개방전면에 인접하여 바닥(62), 양측벽(64, 66), 후방벽(34), 개방전면 및 용융물의 통로용 개구를 갖는 배플벽(50)을 가지는 턴디시(14)를 설치하고, 상기 턴디시(14)의 바닥(62)과 양측벽(64, 66)에 결합되어 상기 용융물이 누출되지 않도록 하는 바닥(62)과 양측벽(64, 66)을 가지며, 턴디시(14)의 배플벽(50)으로부터 이격된 개방후방엣지와 그 사이로 용융물의 진입을 위한 개구를 가지며; 내부에 상기 용융금속욕을 담도록 그 인접 캐스팅면(72)과 상호 작용하는 측벽(64, 66) 및 바닥(62)으로 이루어진 개방전면을 갖는 립 삽입체(60)를 상기 개방전면에 인접하는 상기 턴디시(14) 속에 착탈가능하게 부착하고; 용융금속욕의 액면의 레벨(48)을 조절하고; 상기 캐스팅면(72)을 상기 드럼(12)을 회전시킴으로써 상기 용융금속욕을 통해 상방으로 이동시켜 그 면상에 용융금속층이 놓이게 하고, 상기 용융금속을 냉각시켜 캐스팅면(72) 상의 금속스트립(10)을 응고시키고; 금속스트립(10)을 캐스팅면(72)으로부터 벗겨내는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
6. 제5항에 있어서, 턴디시 공급실(42)을 이루도록 후방벽(34)과 배플벽(50) 사이에 난류판(47)을 설치하고, 용융물을 상기 난류판(47)을 넘어서 상기 공급실(42)속으로 유입시키는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
7. 제6항에 있어서, 난류판(47)과 배플벽(50) 사이에 복귀실(44)과 수직조정가능한 둑(45)을 설치하여 용융금속욕의 액면레벨(48)과 용융물의 복귀실(44)로의 유동을 조절하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
8. 제7항에 있어서, 공급실(42)과 복귀실(44) 사이에 전환실(49)을 설치하여 용융금속의 일부를 립 삽입체(60)속의 용융금속욕으로 전환시키고 용융금속의 일부를 둑(45)을 넘어서 복귀실(44)속으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 캐스팅면(72)과 접하여 압연하는 한쌍의 이격된 엣지롤(75)을 설치하여 상기 응고된 스트립(10)을 캐스팅면(72)에 맞대어 가압하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 주조된 스트립(10)을 가열하여 열처리하며, 상기 가열된 스트립(10)을 맨드렐(28) 위에 감는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
11. 제8항에 있어서, 용융금속욕의 액면(48)을 변화시키고 캐스팅면(72)의 용융금속욕을 통해 상방으로 이동하는 속도를 변화시켜 상기 주조된 스트립(10)의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 캐스팅면(72)을 글라스 비이드로 블라스팅함에 의하여 캐스팅면(72)상에 다수의 용융합금의 응고 핵생성점을 부여하도록 캐스팅면(72)을 처리하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
13. 제5항에 있어서, 상기 금속은 납 또는 넓은 응고온도범위의 납합금인 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
14. 제13항에 있어서, 납합금은 대략 0.5-4중량%의 안티몬과 잔량의 납을 함유하는 저 안티몬-납합금으로 구성된 넓은 응고온도범위의 합금인 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
15. 제13항에 있어서, 납합금은 대략 1.5-3.0중량%의 안티몬과 잔량의 납을 함유하는 저 안티몬-납합금으로 구성된 넓은 응고온도범위의 합금인 것을 더 포함하는 금속스트립을 주조하는 방법.
16. 제13항에 있어서, 납합금은 대략 1.5-2.0중량%의 안티몬과 잔량의 납을 함유하는 저 안티몬-납합금으로 구성된 넓은 응고온도범위의 합금인 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
17. 제15항에 있어서, 저 안티몬-납합금은 대략 400℃의 온도에서 캐스팅면(72) 위에 주조되며, 상기 주조된 스트립(10)은 적어도 190℃로 가열하고, 가열된 스트립(10)을 적어도 10분 동안 적어도 190℃로 유지하여 양호한 무결점성 및 강도와 함께 신장성을 얻도록 하는 열처리를 받는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
18. 제15항에 있어서, 저 안티몬-납합금(10)은 부가로 대략 0.1-0.2%의 비소와 대략 0.2-0.7%의 주석을 함유하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
19. 제5항에 있어서, 납합금은 넓은 응고온도범위의 납-칼슘합금인 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
20. 용융금속으로부터 회전 캐스팅드럼(12)의 대체로 상반부에서 가동 칠드캐스팅면(72)상에 금속스트립을 주조하는 방법에 있어서, 상기 캐스팅면(72)의 대체로 수직부에 인접하여 용융금속욕을 가지며 공급실(42), 복귀실(44) 및 전환실(49)을 갖고 캐스팅면(72) 근처의 개방전면을 갖는 턴디시(14)를 설치하고, 상기 전환실(49)에서 개방전면으로 용융금속의 흐름을 저해하도록 전환실(49)과 개방전면 사이에 배플벽(50)을 구비하며, 상기 턴디시(14)의 개방전면과 결합되어 상기 용융물이 누출되지 않도록 하는 바닥(62)과 양측벽(64, 66)을 가지며, 내부에 상기 용융금속욕을 갖도록 그 인접 캐스팅면(72)의 대체로 수직부와 상호 작용하는 측벽(64, 66) 및 바닥(62)으로 이루어진 개방전면을 갖는 흑연 립 삽입체(60)를 상기 개방전면에 인접하는 상기 턴디시(14)속에 착탈가능하게 부착하고; 립 삽입체(60) 내에 상기 전환실(49)에서 용융금속욕으로의 용융금속의 흐름을 유지시켜 립 삽입체(60) 내의 전환실(49) 및 금속욕 내의 용융금속이 동일한 액면을 레벨(48)을 갖으며; 상기 전환실(49) 내의 용융금속욕의 액면의 레벨(48)을 조절함으로써 립 삽입체(60) 내의 용융금속욕의 액면 레벨(48)을 조절하고; 상기 캐스팅면(72)을 상기 드럼(12)을 회전시킴으로써 상기 용융금속욕을 통해 상방으로 이동시켜 그 면상에 용융금속층이 놓이게 하고; 상기 용융금속을 냉각시켜 캐스팅면(72)상의 금속스트립(10)을 응고시키고, 금속스트립(10)을 캐스팅면(72)으로부터 벗겨내며; 상기 주조된 스트립(10)을 적어도 10분 동안 190℃의 온도로 가열함에 의해 금속스트립(10)을 열처리하여 상기 스트립(10)이 양호한 무결점성과 강도와 신장성을 얻게하는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
21. 턴디시(14) 내의 용융금속욕으로부터 회전 캐스팅드럼(12)의 대체로 상반부에서 상기 턴디시(14)에 인접한 캐스팅드럼(12)의 칠드 캐스팅면(72)위에 스트립(10)을 직접 주조하기 위한 장치에 있어서, 공급실(42), 복귀실(44) 및 상기 공급 및 복귀실(44)을 순서대로 연통하는 통로를 갖는 전환실(49)을 구비하여 캐스팅면(72) 근처에 개방전면을 갖는 턴디시(14)와, 턴디시(14)의 개방전면에 인접하여 턴디시(14)속으로 삽입되는 바닥(62) 및 양측벽(64, 66)을 가지며, 립 삽입체(60)내에 액면 레벨(48)을 갖는 상기 용융금속욕을 갖도록 캐스팅면(72)과 상호 작용하는 바닥(62) 및 측벽에 의해 이루어진 개방전면을 가지며, 상기 금속욕이 전환실(49)과 가압 연통되어 내부의 금속욕의 액면레벨(48)이 전환실(49)내의 용융금속의 액면레벨(48)과 같도록 된 립 삽입체(60)와, 전환실(49)내의 상기 용융금속욕의 액면레벨(48)을 조절하여 립 삽입체(60)내의 액면레벨(48)을 조절하기 위한 수단과, 칠드 캐스팅면(72)을 용융금속욕을 통하여 상방으로 이동시켜 칠드 캐스팅면(72) 상에 금속을 주조하기 위한 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 방법.
22. 제21항에 있어서, 상기 전환실(49) 내의 용융금속욕의 액면레벨(48)을 조절하기 위한 수단은 전환실(49)을 복귀실(44)로부터 분리시키는 수직조정가능한 둑(45)인 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
23. 턴디시(14) 내의 용융금속욕으로부터 회전 캐스팅드럼(12)의 대체로 상반부에서 상기 턴디시(14)에 인접한 칠드 캐스팅면(72)위로 스트립(10)을 직접 주조하기 위한 장치에 있어서, 바닥(33), 양측벽(35, 36), 후방벽(34)으로부터 이격된 개방전면, 용융금속 통과용 개구를 갖는 상기 개방전면에 인접한 배플벽(50)을 포함하는 턴디시(14)와, 상기 턴디시(14)의 개방단부에 인접하여 상기 턴디시(14) 속으로 삽입되는 바닥(62) 및 양측벽(64, 66)을 가지며, 용융금속이 유입되도록 턴디시(14) 배플벽(50)으로부터 이격된 개방 후방엣지와 립 삽입체(60) 내에 상기 용융금속욕을 담기 위해 캐스팅면(72)과 상호작용하도록 바닥(62)과 측벽(64, 66)으로 이루어진 개방전면을 갖는 립 삽입체(60)와, 용융금속욕의 액면레벨(48)을 조절하기 위한 수단과, 칠드 캐스팅면(72)을 용융금속을 통하여 상방으로 이동시켜 칠드 캐스팅면(72)상에 금속을 주조하기 위한 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
24. 제23항에 있어서, 상기 턴디시(14)는 부가적으로 후방벽(34)에 인접한 공급실(42)과, 배플벽(50)에 인접한 복귀실(44)과, 상기 공급실(42)과 상기 복귀실(44) 사이에서 상기 공급실(42)과 복귀실(44)에 연통되는 전환실(49)로 구성되며, 상기 공급실(42)은 공급실(42)을 전환실(49)로부터 분리하는 난류판(47)을 가지며, 상기 전환실(49)은 전환실(49)과 립 삽입체(60) 내의 용융금속욕의 액면레벨(48)을 조절하고 용융금속의 흐름을 복귀실(44)로 전환시키기 위하여 복귀실(44)을 전환실(49)과 분리하는 수직조정가능한 둑(45)을 갖는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
25. 제24항에 있어서, 상기 배플벽(50)은 용융금속이 상기 전환실(49)로부터 상기 립 삽입체(60)로 통과하도록 하는 개구를 이루도록 턴디시 바닥(33)으로부터 이격된 하측엣지를 갖는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
26. 제21항 또는 제25항에 있어서, 상기 립 삽입체(60)는 흑연으로 가공되며, 상기 립 삽입체(60)과 바닥(62)과 양측벽(64, 66)은 캐스팅면(72)과 일치하여 형성된 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
27. 제26항에 있어서, 칠드 캐스팅면(72)은 캐스팅면(72)의 회전축이 되는 종축을 갖는 원통형 캐스팅 드럼면이며, 상기 원통형 드럼(12)은 냉각수가 흐르는 냉각통로를 구비한 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
28. 제27항에 있어서, 상기 캐스팅면(72)과 접촉하고 상기 주조된 스트립(10)을 캐스팅면(72)에 가압하도록 한 쌍의 이격된 엣지롤(75)이 회전가능하게 장착되는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
29. 제28항에 있어서, 상기 캐스팅 드럼(12)으로부터 금속스트립(10)을 받아들이도록 회전하고 상기 금속스트립(10)을 상기 드럼(12)으로부터 장력하에서 당기기 위한 견일 롤러(92)가 장착되는 것을 특징으로 하는 금속스트립을 주조하는 장치.
30. 제22항에 있어서, 상기 립 삽입체(60)은 흑연인 것을 특징으로 하는 금속스트립 제조장치.