KR100284100B1 - Apparatus for removing impurities on a photo mask - Google Patents
Apparatus for removing impurities on a photo mask Download PDFInfo
- Publication number
- KR100284100B1 KR100284100B1 KR1019990005510A KR19990005510A KR100284100B1 KR 100284100 B1 KR100284100 B1 KR 100284100B1 KR 1019990005510 A KR1019990005510 A KR 1019990005510A KR 19990005510 A KR19990005510 A KR 19990005510A KR 100284100 B1 KR100284100 B1 KR 100284100B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrostatic
- optical mask
- material plate
- impurities
- container
- Prior art date
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002801 charged material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 3
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 광학 마스크 상에 부착된 입자성 불순물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로, 구동수단, 정전기력이 발생되어 광학 마스크의 입자성 불순물을 제거하기 위한 정전기 대전 물질판 및 구동수단에 의해 정전기 대전 물질판과 선택적으로 마찰되는 것에 의해 정전기 대전 물질판에 정전기를 유도하는 정전기 유도 물질을 포함하는 것에 의해, 광학 마스크의 물리적인 손상을 억제하면서 불순물을 제거할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for removing particulate impurities adhering on an optical mask, comprising: a driving means, an electrostatic charge material generated by electrostatic force to remove particulate impurities of the optical mask, and an electrostatic charging material by the driving means. By including an electrostatic inducing material that induces static electricity in the electrostatic charged material plate by selectively rubbing with the plate, impurities can be removed while suppressing physical damage of the optical mask.
Description
본 발명은 반도체 제조공정에 이용되는 광학 마스크 상에 부착된 입자성 불순물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거할 수 있는 광학 마스크의 불순물 제거장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for removing particulate impurities attached to an optical mask used in a semiconductor manufacturing process. More particularly, the present invention relates to an impurity of an optical mask capable of removing impurities attached to a surface of an optical mask using electrostatic force. It relates to a removal device.
광학 마스크는 코팅된 웨이퍼에 일정한 패턴이 형성되도록 빛을 선택적으로 차단, 노출해 주는 역할을 하는 것으로, 반도체 칩을 제조하기 위해 증착된 레이어마다 필요한 패턴을 형성시키는 포토 리소그래피 공정의 노광공정에 주로 이용된다.The optical mask selectively blocks and exposes light to form a uniform pattern on the coated wafer, and is mainly used for the exposure process of the photolithography process to form a pattern required for each deposited layer to manufacture a semiconductor chip. do.
이와 같은 광학 마스크의 구조는 석영판 위에 크롬으로 패턴이 형성되어 있다.In the structure of such an optical mask, a pattern is formed of chromium on a quartz plate.
한편, 도 1은 일반적인 노광공정을 도시한 개념도로서, 노광공정에 이용되는 스텝퍼(stepper)는 할로겐 램프(1)에서 발광된 자외선을 스펙트럼 분광기(2)를 이용하여 조도의 세기가 큰 파장만을 선택적으로 투과시키고 이 빛을 반사경(3), 렌즈 집광기(도하지 않음.) 등을 거쳐 광학 마스크(4)를 통과시킨다.1 is a conceptual diagram illustrating a general exposure process, in which a stepper used in the exposure process selects only ultraviolet light emitted from a halogen lamp 1 using a spectral spectrometer 2 to a wavelength having a large intensity of illuminance. The light is passed through the optical mask 4 through a reflector 3, a lens condenser (not shown), or the like.
광학 마스크(4)를 통과한 빛은 리덕션 렌즈(5)를 통과하면서 패턴의 스캐일이 조정되고, 리덕션 렌즈(5)를 통과한 빛은 스테이지(6)에 놓여 있는 코팅된 웨이퍼(7) 전면에 조사되어 포토 레지스트(8)를 선택적으로 노광시킨다.The light passing through the optical mask 4 passes through the reduction lens 5 to adjust the scale of the pattern, and the light passing through the reduction lens 5 is applied to the entire surface of the coated wafer 7 lying on the stage 6. It is irradiated to selectively expose the photoresist 8.
한편, 광학 마스크(4) 상에 불순물이 존재하면 이 불순물들은 빛의 경로 차를 유발시켜 광학계의 파장변화를 가져오게 된다. 이럴 경우 광학 마스크(4) 상에 그려진 패턴 형상이 웨이퍼 상에 정확히 전사(轉寫)되지 않아 양질의 노광 패턴을 얻기가 어렵다.On the other hand, if impurities are present on the optical mask 4, these impurities cause a path difference of light, resulting in a wavelength change of the optical system. In this case, it is difficult to obtain a good exposure pattern because the pattern shape drawn on the optical mask 4 is not accurately transferred onto the wafer.
따라서, 종래에도 이와 같이 광학 마스크에 부착된 불순물을 제거하기 위한 방법으로 가스를 이용한 동역학적 방법을 이용해 왔다.Therefore, conventionally, a dynamic method using a gas has been used as a method for removing impurities attached to the optical mask.
그런데 이와 같은 종래의 가스를 이용한 동역학적 방법은 광학 마스크 표면에 얇게 부착된 유기 불순물 제거에는 부적당하며, 과도하게 과잉의 가스압이 광학 마스크 표면에 작용할 경우 광학 마스크의 패턴 형상이 손상을 받게 되는 문제가 있었다.However, such a conventional method using a gas is not suitable for removing organic impurities attached to the surface of the optical mask thinly, and if the excessive gas pressure acts on the surface of the optical mask, the pattern shape of the optical mask is damaged. there was.
따라서 본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광학 마스크 표면에 역학적 힘을 무리하게 부과하지 않으면서도 불순물을 제거할 수 있는 광학 마스크의 불순물 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical mask impurity removal apparatus capable of removing impurities without forcibly applying a mechanical force to the surface of the optical mask.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치는 구동수단, 정전기력이 발생되어 광학 마스크의 입자성 불순물을 제거하기 위한 정전기 대전 물질판 및 구동수단에 의해 정전기 대전 물질판과 선택적으로 마찰되는 것에 의해 정전기 대전 물질판에 정전기를 유도하는 정전기 유도 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.The impurity removing device of the optical mask according to the present invention for achieving the above object is selected from the electrostatic charged material plate and the selective means by the drive means, the electrostatic charge material plate and the drive means for generating the electrostatic force to remove particulate impurities of the optical mask It characterized in that it comprises an electrostatic inducing material for inducing static electricity to the electrostatic charged material plate by rubbing.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
도 1은 일반적인 노광공정을 도시한 개념도,1 is a conceptual diagram showing a general exposure process,
도 2는 본 발명에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치를 도시한 구성도,2 is a block diagram showing an impurity removing device of the optical mask according to the present invention;
도 3은 본 발명의 광학 마스크의 불순물 제거장치에 따른 공기의 흐름을 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining the flow of air according to the impurity removing device of the optical mask of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100 ; 정전기 대전 물질판 120 ; 정전기 유도 구형체100; Electrostatic charged material plate 120; Electrostatic induction sphere
130 ; 용기 132 ; 운동실130; Container 132; Exercise room
140 ; 팬 모터 142 ; 팬 모터 축140; Fan motor 142; Fan motor shaft
144 ; 팬 150 ; 중공관144; Fan 150; Hollow tube
152 ; 홀152; hall
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 광학 마스크 불순물 제거장치에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, an optical mask impurity removing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치(100)를 도시한 구성도이다. 한편, 이하의 기재에 있어서, 종래와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명한다.2 is a block diagram showing the impurity removing device 100 of the optical mask according to the present invention. In addition, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the same component as before.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 광학 마스크 불순물 제거장치(100)는 정전기 대전 물질판(110), 정전기 유도수단으로서 채용된 복수개의 정전기 유도 구형체(120) 및 정전기 대전 물질판(110)의 아래에 설치되어 그의 내부에서 복수개의 정전기 유도 구형체(120)들이 회전 마찰되도록 소정의 운동실(132)을 형성하는 깔때기 형상의 용기(130)를 포함한다.As shown, the optical mask impurity removing apparatus 100 according to the present invention is the electrostatic charge material plate 110, a plurality of electrostatic induction sphere 120 and the electrostatic charge material plate 110 employed as an electrostatic induction means It includes a funnel-shaped container 130 installed below to form a predetermined exercise room 132 so that the plurality of electrostatic induction spheres 120 are rotationally frictional.
원판 형상을 갖는 정전기 대전 물질판(110)은 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)과 대향하도록 설치된다.The electrostatic charged material plate 110 having a disc shape is provided to face the surface 4a on which the impurities on the optical mask 4 are attached.
복수개의 정전기 유도 구형체(120)는 이동가능하도록 운동실(132) 내에 위치된다.The plurality of electrostatic induction spheres 120 are positioned within the exercise room 132 to be movable.
용기(130)는 정전기 대전 물질판(110)과 함께 정전기 유도 구형체(120)가 회전운동할 수 있는 운동실(132)을 부여하며, 그의 꼭지점 부근에는 팬 모터 축(142)에 의해 팬 모터(140)와 연결된 팬(144)이 마련되어 있다. 또한, 용기(130)의 내부에는 도 3에 도시한 바와 같이, 복수개의 중공관(150)이 마련되어 있다. 중공관(150)의 각각은 용기(130)의 꼭지점으로부터 방사형으로 설치되며, 그의 각각에는 복수개의 홀(152)이 형성된다. 이러한 중공관(150)은 팬(144)의 회전운동에 의해 발생된 공기의 흐름을 도 3의 화살표로 도시한 바와 같이, 복수개의 홀(152)을 통해 운동실(132) 내로 균일하게 안내하는 역할을 한다. 이러한 구성에 의해, 팬 모터(140)가 구동되면, 운동실(132) 내의 정전기 유도 구형체(120)는 회전운동하면서 정전기 대전 물질판(110)과 마찰하게 된다. 이러한 마찰운동에 의해, 정전기 대전 물질판(110)에 정전기가 대전된다.The container 130 together with the electrostatic charged material plate 110 provides an exercise room 132 through which the electrostatic induction spherical body 120 can be rotated. A fan 144 connected with 140 is provided. In addition, a plurality of hollow tubes 150 are provided in the container 130 as shown in FIG. 3. Each of the hollow tube 150 is installed radially from the vertex of the container 130, each of which is formed with a plurality of holes (152). The hollow tube 150 is to uniformly guide the flow of air generated by the rotational movement of the fan 144 into the exercise room 132 through the plurality of holes 152, as shown by the arrow of FIG. Play a role. By this configuration, when the fan motor 140 is driven, the electrostatic induction sphere 120 in the exercise room 132 is in friction with the electrostatic charging material plate 110 while rotating. By this frictional movement, the static electricity is charged to the electrostatic charging material plate 110.
정전기 대전 물질판(110)은 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)과 마주보도록 위치하므로 정전기 대전 물질판(110)이 대전되어 정전기가 발생되면 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)의 입자성 불순물을 정전기력으로 끌어당기게 된다. 주지하다시피, 입자성 불순물은 하전된 유기물질 등으로서 극성을 띠고 있으므로 정전기력에 의해 정전기 대전 물질판(110)으로 이끌리게 된다.Since the electrostatic charge material plate 110 is positioned to face the surface 4a on which the impurities on the optical mask 4 are attached, when the electrostatic charge material plate 110 is charged and static electricity is generated, impurities on the optical mask 4 adhere to the electrostatic charge material plate 110. Particulate impurities of the concave surface 4a are attracted to the electrostatic force. As is well known, the particulate impurities are polarized as charged organic materials and the like and are attracted to the electrostatic charged material plate 110 by the electrostatic force.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시키지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.As mentioned above, it should be understood that those skilled in the art can make modifications and changes to the present invention without changing the gist of the present invention as it merely illustrates one preferred embodiment of the present invention.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거함으로써 광학 마스크의 물리적인 손상을 억제할 수 있으며, 광학 마스크의 수명을 연장할 수 있다. 또한, 복수개의 정전기 유도 구형체를 이용하여, 간접적으로 정전기를 대전시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, the physical damage of the optical mask can be suppressed by removing impurities attached to the surface of the optical mask using electrostatic force, and the life of the optical mask can be extended. In addition, static electricity can be indirectly charged using a plurality of electrostatic induction spheres.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990005510A KR100284100B1 (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Apparatus for removing impurities on a photo mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990005510A KR100284100B1 (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Apparatus for removing impurities on a photo mask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000056305A KR20000056305A (en) | 2000-09-15 |
KR100284100B1 true KR100284100B1 (en) | 2001-02-15 |
Family
ID=19574563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990005510A KR100284100B1 (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Apparatus for removing impurities on a photo mask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100284100B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396380B1 (en) * | 2001-05-14 | 2003-09-02 | 아남반도체 주식회사 | Method and Device for removing particle on photo mask |
-
1999
- 1999-02-19 KR KR1019990005510A patent/KR100284100B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396380B1 (en) * | 2001-05-14 | 2003-09-02 | 아남반도체 주식회사 | Method and Device for removing particle on photo mask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000056305A (en) | 2000-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI442188B (en) | Lithographic apparatus and method of manufacturing article | |
JP5345443B2 (en) | Exposure apparatus, exposure light irradiation method, and display panel substrate manufacturing method | |
JP5285107B2 (en) | Method for removing contamination from substrates and equipment | |
JP2010141357A (en) | Lithography projection apparatus | |
CN1700098A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
TWI554842B (en) | Exposure apparatus | |
JP2004102293A (en) | Method of washing surface by removing particle therefrom, washing apparatus, and lithography projection apparatus | |
JP2007273749A5 (en) | ||
TW200916971A (en) | Contamination prevention system, lithographic apparatus, radiation source, and method for manufacturing a device | |
KR100284100B1 (en) | Apparatus for removing impurities on a photo mask | |
KR20060134239A (en) | Optical element holder and projection exposure apparatus having the same | |
KR100284099B1 (en) | Apparatus for removing impurities on a photo mask | |
KR200365534Y1 (en) | Removing device of impurities for photo mask | |
WO2001082001A1 (en) | Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer | |
CN110737175A (en) | Method for removing film particles before exposure of masks | |
JPS58159535A (en) | Coater for photosensitive resin | |
JP2006019510A5 (en) | ||
KR20070106834A (en) | Apparatus for removing particles adhered onto upper side of chuck on which wafer is placed | |
TWI813630B (en) | projection exposure device | |
US7800731B2 (en) | Method and apparatus for removing particles in immersion lithography | |
JP2002055436A (en) | Method for removing foreign matter on photomask | |
KR20020081927A (en) | Edge Exposure Method in Semiconductor Wafer | |
KR20020087166A (en) | Method and Device for removing particle on photo mask | |
JPH09219349A (en) | Aligner | |
KR100515368B1 (en) | Apparatus for forming fine patterns of semiconductor wafer by shift patterning and the method of the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080930 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |