KR200365534Y1 - Removing device of impurities for photo mask - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정에 이용되는 광학 마스크상에 부착된 불순물을 제거하기 위한 장치를 개시한다.The present invention discloses an apparatus for removing impurities deposited on an optical mask used in a semiconductor manufacturing process.
본 고안은 회전력을 발생시키는 구동모터와, 상기 구동모터의 회전력을 전달하는 구동축과, 상기 구동축의 선단에 설치되어 회전되는 정전기 유도수단과, 상기 정전기 유도수단과의 마찰에 의해 정전기가 대전되어 광학 마스크 상에 부착된 입자성 불순물을 정전기력으로 끌어 당길 수 있도록 상기 정전기 유도수단과 상기 광학 마스크 사이에 평판 형상으로 설치되는 정전기 대전수단으로 구성된다.The present invention is a drive motor for generating a rotational force, a drive shaft for transmitting the rotational force of the drive motor, an electrostatic induction means is installed and rotated at the tip of the drive shaft, the static electricity is charged by the friction between the electrostatic induction means and the optical And electrostatic charging means installed in a flat plate shape between the electrostatic induction means and the optical mask so as to attract the particulate impurities attached on the mask with electrostatic force.
본 고안에 따르면, 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거함으로써 광학 마스크의 물리적인 손상을 억제할 수 있으며, 광학 마스크의 수명을 연장할 수 있다.According to the present invention, the physical damage of the optical mask can be suppressed by removing impurities attached to the surface of the optical mask using electrostatic force, and the life of the optical mask can be extended.
Description
본 고안은 반도체 제조공정에 이용되는 광학 마스크상에 부착된 입자성 불순물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거할 수 있는 광학 마스크의 불순물 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for removing particulate impurities attached to an optical mask used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, an impurity of an optical mask capable of removing impurities attached to the surface of an optical mask using an electrostatic force. It relates to a removal device.
광학 마스크는 코팅된 웨이퍼에 일정한 패턴이 형성되도록 빛을 선택적으로 차단, 노출해주는 역할을 하는 것으로, 반도체 칩을 제조하기 위해 코팅된 레이어별로 필요한 패턴을 형성시키는 포토 리소그래피 공정의 노광공정에 주로 이용된다.Optical masks serve to selectively block and expose light to form a uniform pattern on the coated wafer, and are mainly used in the exposure process of the photolithography process to form a pattern required for each coated layer to manufacture a semiconductor chip. .
이와 같은 광학 마스크의 구조는 석영판 위에 크롬으로 패턴이 형성되어 있다.In the structure of such an optical mask, a pattern is formed of chromium on a quartz plate.
한편, 도 1은 일반적인 노광공정을 도시한 개념도로서, 노광공정에 이용되는 스텝퍼(stepper;)는 할로겐 램프(1)에서 발광된 자외선을 스펙트럼 분광기(2)를 이용하여 조도의 세기가 큰 파장만을 선택적으로 투과시키고 이 빛을 반사경(3), 렌즈 집광기(미도시됨.) 등을 거쳐 광학 마스크(4)를 통과시킨다.FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a general exposure process, wherein a stepper used in the exposure process uses only a wavelength having a large intensity of illuminance by using a spectral spectrometer to convert ultraviolet light emitted from a halogen lamp 1 into a light. It selectively transmits and passes the light through the optical mask 4 via a reflector 3, a lens condenser (not shown), or the like.
광학 마스크(4)를 통과한 빛은 리덕션 렌즈(5)를 통과하면서 패턴의 스캐일이 조정되고, 리덕션 렌즈(5)를 통과한 빛은 스테이지(6)에 놓여 있는 코팅된 웨이퍼(7) 전면에 조사되어 포토 레지스트(8)를 선택적으로 노광시킨다.The light passing through the optical mask 4 passes through the reduction lens 5 to adjust the scale of the pattern, and the light passing through the reduction lens 5 is applied to the entire surface of the coated wafer 7 lying on the stage 6. It is irradiated to selectively expose the photoresist 8.
한편, 광학 마스크(4) 상에 불순물이 존재하면 이 불순물들은 빛의 경로차를 유발시켜 광학계의 파장변화를 가져오게 된다. 이럴 경우 광학 마스크(4) 상에 그려진 패턴형상이 웨이퍼 상에 정확히 전사(轉寫)되지 않아 양질의 노광 패턴을 얻기가 어렵다.On the other hand, if impurities are present on the optical mask 4, these impurities cause a path difference of light, resulting in a wavelength change of the optical system. In this case, it is difficult to obtain a good exposure pattern because the pattern shape drawn on the optical mask 4 is not accurately transferred onto the wafer.
따라서, 종래에도 이와 같이 광학 마스크에 부착된 불순물을 제거하기 위한 방법으로 가스를 이용한 동역학적 방법을 이용해 왔다.Therefore, conventionally, a dynamic method using a gas has been used as a method for removing impurities attached to the optical mask.
그런데 이와 같은 종래의 가스를 이용한 동역학적 방법은 광학 마스크 표면에 얇게 부착된 유기 물순물 제거에는 부적당하며, 과도하게 과잉의 가스압이 광학 마스크 표면에 작용할 경우 광학 마스크의 패턴 형상이 손상을 받게 되는 문제가 있었다.However, such a conventional method using a gas is not suitable for removing organic impurities on the surface of the optical mask, and if the excessive gas pressure acts on the surface of the optical mask, the pattern shape of the optical mask is damaged. There was.
따라서 본 고안은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광학 마스크 표면에 역학적 힘을 무리하게 부과하지 않으면서도 유기 불순물을 제거할 수 있는 광학 마스크의 불순물 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical mask impurity removal apparatus capable of removing organic impurities without forcibly applying a mechanical force to the surface of the optical mask.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은 반도체 제조공정에 이용되는 광학 마스크상에 부착된 불순물을 제거하기 위한 장치에 있어서, 회전력을 발생시키는 구동모터와, 상기 구동모터의 회전력을 전달하는 구동축과, 상기 구동축의 선단에 설치되어 회전되는 정전기 유도수단과, 상기 정전기 유도수단과의 마찰에 의해 정전기가 대전되어 광학 마스크 상에 부착된 입자성 불순물을 정전기력으로 끌어 당길 수 있도록 상기 정전기 유도수단과 상기 광학 마스크 사이에 평판 형상으로 설치되는 정전기 대전수단으로 구성된다.The present invention for achieving the above object is a device for removing impurities attached on the optical mask used in the semiconductor manufacturing process, a drive motor for generating a rotational force, a drive shaft for transmitting the rotational force of the drive motor, Electrostatic induction means installed at the tip of the drive shaft and the electrostatic induction means and the electrostatic induction means and the electrostatic force to attract the particulate impurities attached on the optical mask by the friction with the electrostatic induction means to the electrostatic force It consists of electrostatic charging means provided in a flat plate shape between the masks.
본 고안의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 고안의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above object and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
도 1은 일반적인 노광공정을 도시한 개념도,1 is a conceptual diagram showing a general exposure process,
도 2는 본 고안에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치를 도시한 구성도.2 is a block diagram showing an impurity removing device of the optical mask according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
4 ; 광학 마스크4 ; Optical mask
10 ; 구동모터10; Drive motor
12 ; 구동축12; driving axle
14 ; 정전기 유도수단14; Electrostatic induction
16 ; 정전기 대전수단16; Electrostatic charging
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 일실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 2는 본 고안에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치를 도시한 구성도이다.2 is a block diagram showing an impurity removing device of the optical mask according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 고안은 반도체 제조공정에 이용되는 광학 마스크(4)상에 부착된 불순물을 제거하기 위해 광학 마스크(4) 하부에 정전기 유도수단(14)과 정전기 대전수단(16)이 구비된다.As shown in FIG. 2, the present invention provides an electrostatic induction means 14 and an electrostatic charging means 16 under the optical mask 4 to remove impurities attached to the optical mask 4 used in a semiconductor manufacturing process. ) Is provided.
정전기 유도수단(14)은 구동모터(10)의 구동축(12)과 연결되어 구동모터(10)의 회전력이 구동축(12)을 거쳐 정전기 유도수단(14)에 전달되어 회전된다.The electrostatic induction means 14 is connected to the drive shaft 12 of the drive motor 10 so that the rotational force of the drive motor 10 is transmitted to the electrostatic induction means 14 via the drive shaft 12 to rotate.
정전기 유도수단(14)은 마찰을 통해 정전기를 발생시키기 용이한 물질 예컨대, 가죽이나 섬유재질을 원판형상으로 구성할 수 있다.The electrostatic induction means 14 may be formed in a disc shape of a material, for example, leather or fiber material, which is easy to generate static electricity through friction.
이와 같은 정전기 유도수단(14)은 정전기 대전수단(16) 저면에 회전-마찰되면서 정전기 대전수단(16)에 정전기가 대전될 수 있도록 한다.The electrostatic induction means 14 as described above allows the static electricity to be charged to the electrostatic charging means 16 while being rotated-friction on the bottom surface of the electrostatic charging means 16.
정전기 대전수단(16)은 광학 마스크(4) 전면을 포함할 수 있는 정도의 크기를 갖는 평판 형상으로 구성되며 정전기 유도수단(14)에 의해 대전된다.The electrostatic charging means 16 is configured in the shape of a flat plate having a size enough to include the entire surface of the optical mask 4 and is charged by the electrostatic inducing means 14.
정전기 대전수단(16)은 광학 마스크(4) 저면에 위치하므로 정전기 대전수단(16)이 대전되어 정전기가 발생되면 광학 마스크(4) 저면에 부착된 입자성 불순물을 정전기력으로 끌어 당기게 된다. 주지하다시피, 입자성 불순물은 하전된 유기물질 등으로서 극성을 띠고 있으므로 정전기력에 의해 정전기 대전수단(16)으로 이끌리게 된다.Since the electrostatic charging means 16 is located at the bottom of the optical mask 4, when the electrostatic charging means 16 is charged to generate static electricity, the particulate impurities attached to the bottom of the optical mask 4 are attracted to the electrostatic force. As is well known, the particulate impurities are polarized as charged organic materials and the like and are attracted to the electrostatic charging means 16 by the electrostatic force.
이와 같은 광학 마스크(4)의 불순물 제거장치는 광학 마스크(4) 표면에 역학적 힘을 가하지 않으면서 불순물을 제거할 수 있어 광학 마스크(4)가 물리적으로 손상되는 것을 방지할 수 있다.Such an impurity removing device of the optical mask 4 can remove impurities without applying a mechanical force to the surface of the optical mask 4, thereby preventing the optical mask 4 from being physically damaged.
이상, 상기 내용은 본 고안의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 고안의 당업자는 본 고안의 요지를 변경시키지 않고 본 고안에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.In the above description, it should be appreciated that those skilled in the present invention can only make modifications and changes to the present invention without changing the gist of the present invention as merely illustrative of a preferred embodiment of the present invention.
상술한 바와 같이 본 고안에 따르면 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거함으로써 광학 마스크의 물리적인 손상을 억제할 수 있으며, 광학 마스크의 수명을 연장할 수 있다.As described above, according to the present invention, physical damage of the optical mask can be suppressed by removing impurities attached to the surface of the optical mask using electrostatic force, and the life of the optical mask can be extended.
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