KR100284099B1 - Apparatus for removing impurities on a photo mask - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광학 마스크 상에 부착된 입자성 불순물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로, 구동수단, 구동수단에 의해 회전되며, 정전기력이 발생되어 광학 마스크의 입자성 불순물을 제거하기 위한 정전기 대전 물질판 및 정전기 대전 물질판 상에 정전기 대전 물질판의 회전 방향과 반대방향으로 회전 가능하도록 설치되어, 정전기 대전 물질판에 정전기를 유도하는 정전기 유도 물질판을 포함하는 것에 의해, 광학 마스크의 물리적인 손상을 억제하면서 불순물을 제거할 수 있다.The present invention relates to an apparatus for removing particulate impurities attached on an optical mask, the apparatus being rotated by a driving means, the driving means, electrostatic force is generated to remove the particulate impurities of the optical mask and It is installed on the electrostatic charge material plate so as to be rotatable in a direction opposite to the rotation direction of the electrostatic charge material plate, and includes an electrostatic induction material plate for inducing static electricity in the electrostatic charge material plate, thereby suppressing physical damage of the optical mask. Impurities can be removed.
Description
본 발명은 반도체 제조공정에 이용되는 광학 마스크 상에 부착된 입자성 불순물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거할 수 있는 광학 마스크의 불순물 제거장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for removing particulate impurities attached to an optical mask used in a semiconductor manufacturing process. More particularly, the present invention relates to an impurity of an optical mask capable of removing impurities attached to a surface of an optical mask using electrostatic force. It relates to a removal device.
광학 마스크는 코팅된 웨이퍼에 일정한 패턴이 형성되도록 빛을 선택적으로 차단, 노출해 주는 역할을 하는 것으로, 반도체 칩을 제조하기 위해 증착된 레이어마다 필요한 패턴을 형성시키는 포토 리소그래피 공정의 노광공정에 주로 이용된다.The optical mask selectively blocks and exposes light to form a uniform pattern on the coated wafer, and is mainly used for the exposure process of the photolithography process to form a pattern required for each deposited layer to manufacture a semiconductor chip. do.
이와 같은 광학 마스크의 구조는 석영판 위에 크롬으로 패턴이 형성되어 있다.In the structure of such an optical mask, a pattern is formed of chromium on a quartz plate.
한편, 도 1은 일반적인 노광공정을 도시한 개념도로서, 노광공정에 이용되는 스텝퍼(stepper)는 할로겐 램프(1)에서 발광된 자외선을 스펙트럼 분광기(2)를 이용하여 조도의 세기가 큰 파장만을 선택적으로 투과시키고 이 빛을 반사경(3), 렌즈 집광기(도하지 않음.) 등을 거쳐 광학 마스크(4)를 통과시킨다.1 is a conceptual diagram illustrating a general exposure process, in which a stepper used in the exposure process selects only ultraviolet light emitted from a halogen lamp 1 using a spectral spectrometer 2 to a wavelength having a large intensity of illuminance. The light is passed through the optical mask 4 through a reflector 3, a lens condenser (not shown), or the like.
광학 마스크(4)를 통과한 빛은 리덕션 렌즈(5)를 통과하면서 패턴의 스캐일이 조정되고, 리덕션 렌즈(5)를 통과한 빛은 스테이지(6)에 놓여 있는 코팅된 웨이퍼(7) 전면에 조사되어 포토 레지스트(8)를 선택적으로 노광시킨다.The light passing through the optical mask 4 passes through the reduction lens 5 to adjust the scale of the pattern, and the light passing through the reduction lens 5 is applied to the entire surface of the coated wafer 7 lying on the stage 6. It is irradiated to selectively expose the photoresist 8.
한편, 광학 마스크(4) 상에 불순물이 존재하면 이 불순물들은 빛의 경로 차를 유발시켜 광학계의 파장변화를 가져오게 된다. 이럴 경우 광학 마스크(4) 상에 그려진 패턴 형상이 웨이퍼 상에 정확히 전사(轉寫)되지 않아 양질의 노광 패턴을 얻기가 어렵다.On the other hand, if impurities are present on the optical mask 4, these impurities cause a path difference of light, resulting in a wavelength change of the optical system. In this case, it is difficult to obtain a good exposure pattern because the pattern shape drawn on the optical mask 4 is not accurately transferred onto the wafer.
따라서, 종래에도 이와 같이 광학 마스크에 부착된 불순물을 제거하기 위한 방법으로 가스를 이용한 동역학적 방법을 이용해 왔다.Therefore, conventionally, a dynamic method using a gas has been used as a method for removing impurities attached to the optical mask.
그런데 이와 같은 종래의 가스를 이용한 동역학적 방법은 광학 마스크 표면에 얇게 부착된 유기 불순물 제거에는 부적당하며, 과도하게 과잉의 가스압이 광학 마스크 표면에 작용할 경우 광학 마스크의 패턴 형상이 손상을 받게 되는 문제가 있었다.However, such a conventional method using a gas is not suitable for removing organic impurities attached to the surface of the optical mask thinly, and if the excessive gas pressure acts on the surface of the optical mask, the pattern shape of the optical mask is damaged. there was.
따라서 본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광학 마스크 표면에 역학적 힘을 무리하게 부과하지 않으면서도 불순물을 제거할 수 있는 광학 마스크의 불순물 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical mask impurity removal apparatus capable of removing impurities without forcibly applying a mechanical force to the surface of the optical mask.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치는 구동수단, 구동수단에 의해 회전되며, 정전기력이 발생되어 광학 마스크의 입자성 불순물을 제거하기 위한 정전기 대전 물질판 및 정전기 대전 물질판 상에 정전기 대전 물질판의 회전 방향과 반대방향으로 회전 가능하도록 설치되어, 정전기 대전 물질판에 정전기를 유도하는 정전기 유도 물질판을 포함하는 것을 특징으로 한다.The impurity removal device of the optical mask according to the present invention for achieving the above object is rotated by a drive means, a drive means, electrostatic charge is generated to remove the particulate impurities of the optical mask and the electrostatic charge material It is installed on the plate to be rotatable in a direction opposite to the rotation direction of the electrostatic charging material plate, characterized in that it comprises a electrostatic induction material plate for inducing static electricity to the electrostatic charging material plate.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
도 1은 일반적인 노광공정을 도시한 개념도,1 is a conceptual diagram showing a general exposure process,
도 2는 본 발명에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치를 도시한 구성도.2 is a block diagram showing an impurity removing device of the optical mask according to the present invention.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100 ; 정전기 대전 물질판 112 ; 제 1 구동축100; Electrostatic charged material plate 112; First drive shaft
114 ; 제 1 구동모터 120 ; 정전기 유도 물질판114; First drive motor 120; Electrostatic induction plate
122 ; 제 2 구동축 123 ; 로봇 아암122; Second drive shaft 123; Robot arm
124 ; 제 2 구동모터124; 2nd drive motor
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 광학 마스크의 불순물 제거장치(100)를 도시한 구성도이다. 한편, 이하의 기재에 있어서, 종래와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명한다.2 is a block diagram showing the impurity removing device 100 of the optical mask according to the present invention. In addition, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the same component as before.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 광학 마스크 불순물 제거장치(100)는 정전기 대전 물질판(110) 및 정전기 유도 물질판(120)을 포함한다.As shown, the optical mask impurity removing apparatus 100 according to the present invention includes an electrostatic charging material plate 110 and an electrostatic induction material plate 120.
원판 형상을 갖는 정전기 대전 물질판(110)은 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)과 대향하도록 설치되며, 제 1 구동축(112)을 통해 제 1 구동 모터(114)와 연결되어 제 1 구동모터(114)의 회전력이 제 1 구동축(112)을 거쳐 전달되는 것에 의해, 예를 들면 화살표A 방향으로 회전된다.The electrostatic charged material plate 110 having a disc shape is installed to face the surface 4a on which the impurities on the optical mask 4 are attached, and is connected to the first drive motor 114 through the first drive shaft 112. When the rotational force of the first drive motor 114 is transmitted via the first drive shaft 112, it is rotated in the direction of arrow A, for example.
정전기 유도 물질판(120)은 정전기 대전 물질판(110)의 직경에 비해 상대적으로 작은 직경을 갖는 원판 형상을 가지며, 정전기 대전 물질판(110)의 소망하는 부분에서 회전 가능하도록 마련되어, 정전기 대전 물질판(110)의 소망하는 부분에 정전기가 대전될 수 있도록 한다. 보다 상세하게 설명하면, 정전기 유도 물질판(120)은 제 2 구동축(122)과 로봇 아암(123)에 의해 제 2 구동모터(124)와 연결된다. 이러한 구성에 의해, 제 2 구동모터(124)가 회전하면, 그의 회전력은 순차적으로 제 2 구동축(122) 및 로봇 아암(123)을 거쳐 정전기 유도 물질판(120)으로 전달되어, 정전기 유도 물질판(120)은 정전기 대전 물질판(110)의 소망하는 부분에서 정전기 대전 물질판(110)과 반대 방향 즉, 화살표B 방향으로 회전하게 된다. 따라서, 정전기 대전 물질판(110)의 소망하는 부분에 정전기가 대전된다.Electrostatic induction material plate 120 has a disk shape having a relatively small diameter compared to the diameter of the electrostatic charge material plate 110, is provided to be rotatable in the desired portion of the electrostatic charge material plate 110, The static electricity may be charged to the desired portion of the plate 110. In more detail, the electrostatic induction plate 120 is connected to the second driving motor 124 by the second driving shaft 122 and the robot arm 123. By this configuration, when the second drive motor 124 rotates, its rotational force is sequentially transmitted to the electrostatic induction material plate 120 via the second drive shaft 122 and the robot arm 123, the electrostatic induction material plate 120 is rotated in a direction opposite to the electrostatic charged material plate 110, that is, arrow B in the desired portion of the electrostatic charged material plate 110. Therefore, the static electricity is charged to the desired portion of the electrostatic charging material plate 110.
정전기 대전 물질판(110)은 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)과 마주보도록 위치하므로 정전기 대전 물질판(110)이 대전되어 정전기가 발생되면 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)의 입자성 불순물을 정전기력으로 끌어당기게 된다. 주지하다시피, 입자성 불순물은 하전된 유기물질 등으로서 극성을 띠고 있으므로 정전기력에 의해 정전기 대전 물질판(110)으로 이끌리게 된다. 특히, 광학 마스크(4) 상의 국소 부분에 불순물이 존재하는 경우, 광학 마스크(4) 상의 불순물이 부착된 면(4a)에 대응하는 부분의 정전기 대전 물질판 상에만 정전기 유도 물질판(120)을 회전시켜, 국소 부분의 정전기 대전을 통해 불순물을 제거할 수 있다.Since the electrostatic charge material plate 110 is positioned to face the surface 4a on which the impurities on the optical mask 4 are attached, when the electrostatic charge material plate 110 is charged and static electricity is generated, impurities on the optical mask 4 adhere to the electrostatic charge material plate 110. Particulate impurities of the concave surface 4a are attracted to the electrostatic force. As is well known, the particulate impurities are polarized as charged organic materials and the like and are attracted to the electrostatic charged material plate 110 by the electrostatic force. In particular, when an impurity is present in a local portion on the optical mask 4, the electrostatic induction material plate 120 is placed only on the electrostatic charge material plate of the portion corresponding to the surface 4a to which the impurity on the optical mask 4 is attached. By rotating, impurities can be removed through electrostatic charging of the localized portion.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시키지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.As mentioned above, it should be understood that those skilled in the art can make modifications and changes to the present invention without changing the gist of the present invention as it merely illustrates one preferred embodiment of the present invention.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 정전기력을 이용해 광학 마스크 표면에 부착된 불순물을 제거함으로써 광학 마스크의 물리적인 손상을 억제할 수 있으며, 광학 마스크의 수명을 연장할 수 있다.As described above, according to the present invention, the physical damage of the optical mask can be suppressed by removing impurities attached to the surface of the optical mask using electrostatic force, and the life of the optical mask can be extended.
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