KR100917822B1 - Apparatus and Method of exposuring a light at a wafer edge - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼의 에지 노광시 공정상에 노광폭 설정을 변동 가능하게 함으로써 로트 아이디의 노광 범위를 자유롭게 조절하여 공정시간을 줄이도록 한 웨이퍼 에지의 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것으로서, 노광 공정이 진행되는 노광 챔버와, 상기 노광 챔버 내부에 배치되어 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지와, 상기 스테이지의 하부에는 스테이지를 회전시키기 위한 구동부와, 상기 스테이지에 지지된 웨이퍼의 에지 부위의 상부에 광을 조사하기 위한 광원과, 상기 광원과 웨이퍼 사이에 구성되는 소정크기로 슬릿이 형성된 레시피와, 및 상기 광원과 레시피 사이에 구성되어 상기 슬릿을 선택적으로 블록킹하여 상기 슬릿의 크기를 조절하는 블라인드 수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method of a wafer edge in which an exposure range of a lot ID can be freely adjusted during the edge exposure of a wafer so as to freely adjust the exposure range of the lot ID, thereby reducing the processing time. An exposure chamber, a stage disposed inside the exposure chamber to support the wafer, a lower portion of the stage for driving the stage, and a portion for irradiating light to an upper portion of the edge portion of the wafer supported by the stage. A light source, a recipe having a slit formed to a predetermined size configured between the light source and the wafer, and blind means configured to selectively block the slit to adjust the size of the slit between the light source and the recipe. It features.
레시피, 광원, 블라인드 수단 Recipes, light sources, blind means
Description
본 발명은 웨이퍼 에지의 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 노광 공정 중 웨이퍼 에지 포토레지스트를 제거하도록 한 웨이퍼 에지의 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method of a wafer edge, and more particularly, to an exposure apparatus and an exposure method of a wafer edge for removing a wafer edge photoresist during a wafer exposure process.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting) 공정과, 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.In general, semiconductor devices have a fabrication ('FAB') process for forming electrical circuits on silicon wafers used as semiconductor substrates, and electrical die sorting (EDS) for inspecting electrical characteristics of semiconductor devices formed in the fab process. Process and a package process for encapsulating and individualizing semiconductor devices with epoxy resin, respectively.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 소정의 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 불순물을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 오염물을 제거하기 위한 세정 공정과, 막 및 패턴 이 형성된 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a wafer, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and a film using the photoresist pattern. An etching process for forming a pattern, an ion implantation process for injecting impurities into a predetermined region of the wafer, a cleaning process for removing contaminants on the wafer, an inspection process for detecting defects of a film and a patterned wafer, etc. It includes.
상기 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트 조성물을 도포하기 위한 포토레지스트 코팅 공정, 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트 조성물을 포토레지스트막으로 형성하기 위한 소프트 베이크(soft baking) 공정, 포토레지스트막을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 노광(exposure) 공정 및 현상(developing) 공정, 포토레지스트 패턴을 경화시키기 위한 하드 베이크(hard baking) 공정, 웨이퍼 에지 부위 상의 포토레지스트 막을 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal; EBR) 공정 및 에지 노광(edge exposure) 공정 등을 포함한다.The photolithography process includes a photoresist coating process for applying the photoresist composition on the wafer, a soft baking process for forming the photoresist composition applied on the wafer into a photoresist film, and a photoresist pattern for the photoresist film. Exposure process and developing process to form a film, hard baking process to cure the photoresist pattern, edge bead removal (EBR) to remove the photoresist film on the wafer edge region ) Process and edge exposure process.
여기서 노광 공정에는 목적하는 패턴의 크기에 따라 다양한 파장들을 갖는 광들을 사용한다. 예를 들면, 패턴의 선폭(critical dimension; CD)이 약 0.25 내지 0.13μm인 경우 노광 공정에는 248nm의 파장을 갖는 KrF 엑시머 레이저빔(excimer laser beam)이 사용되며, 패턴의 선폭이 0.15 내지 0.07μm인 경우 노광 공정에는 193nm의 파장을 갖는 ArF 엑시머 레이저빔이 사용되고, 패턴의 선폭이 약 0.1μm 이하인 경우 노광공정에는 157nm F2 엑시머 레이저빔이 사용된다.The exposure process uses light having various wavelengths depending on the size of the desired pattern. For example, when the critical dimension (CD) of the pattern is about 0.25 to 0.13 μm, a KrF excimer laser beam having a wavelength of 248 nm is used in the exposure process, and the line width of the pattern is 0.15 to 0.07 μm. In this case, an ArF excimer laser beam having a wavelength of 193 nm is used for the exposure process, and a 157 nm F2 excimer laser beam is used for the exposure process when the line width of the pattern is about 0.1 μm or less.
그리고 에지 노광 공정은 웨이퍼의 에지 부위로부터 포토레지스트 막의 에지 부위를 제거하기 위해 수행된다. 에지 노광 공정에는 일반적으로 수은 램프(mercury lamp) 또는 나트륨 램프(natrium lamp)와 같은 광원이 사용된다. An edge exposure process is then performed to remove the edge portion of the photoresist film from the edge portion of the wafer. In the edge exposure process, a light source such as a mercury lamp or a sodium lamp is generally used.
종래의 반도체 패턴 공정 중 웨이퍼의 에지 부위의 포토레지스트를 제거하여 후속 공정에서의 파티클 소스(particle source)를 제거하는 공정이 있는데 이는 WEE(Wafer Edge Exclusion) 공정이다. 웨이퍼의 라운드(round) 부위를 동그랗게 돌 아가면서 일정한 폭으로 레지스트를 제거하는 것이다.In the conventional semiconductor pattern process, there is a process of removing a particle source in a subsequent process by removing photoresist at an edge portion of a wafer, which is a wafer edge exclusion (WEE) process. It is to remove the resist with a certain width by turning round the round part of the wafer.
또한, 웨이퍼의 바텀(bottom) 지역의 로트 아이디(LOT ID)아이디 부위의 포토레지스트를 제거하여 후속 공정을 거치면서 LOT ID 영역이 블록킹(blocking)되는 것을 방지하여 후에 LOT ID의 확인이 가능하도록 한 것이다.In addition, by removing the photoresist of the lot ID ID portion of the bottom area of the wafer to prevent the LOT ID area from blocking during the subsequent process, the LOT ID can be confirmed later. will be.
장비에서의 과정은 스테이지 위에 웨이퍼가 올라가고 노광장치도 역시 고정되어 있으면서 웨이퍼와 LOT ID 부위를 노광시키기 위해서 웨이퍼가 놓여있는 스테이지(회전 및 X축 구동)가 움직이는 구동을 거치면서 포토레지스트를 노광하고 후속 스텝에서 현상을 거치면서 포토레지스트를 제거하게 된다.The process in the equipment exposes the photoresist as the wafer is raised on the stage and the exposure apparatus is also fixed while the stage on which the wafer is placed (rotational and X-axis drive) is moved to expose the wafer and the LOT ID area. The photoresist is removed while developing in the step.
이때 LOT ID 부위의 노광을 하는 스텝에서 실제 빛으로 노광할 때 빛이 통과하는 슬릿(세로 4mm 정도)의 크기는 동일한데 LOT ID 부위의 크기는 높이가 8mm 정도에 이른다. At this time, the slit (about 4mm in length) through which light passes when exposed to actual light at the step of exposing the LOT ID part is the same, but the size of the LOT ID part is about 8mm in height.
따라서 전체 세로 크기인 8mm를 모두 노광하기 위해서는 레시피(recipe)를 분할하여 여러 번 쪼개어서(즉 슬릿 폭인 4mm이므로 2스텝으로 나누어야 한다) 노광할 수 밖에 없는 것이다.Therefore, in order to expose all the 8mm, which is the total vertical size, the recipe is divided and divided into several times (that is, the slit width is 4mm, so it must be divided into 2 steps).
도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지 부분의 로트 아이디를 도시한 평면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining an exposure apparatus of a wafer edge according to the prior art, and FIG. 2 is a plan view showing a lot ID of a wafer edge portion according to the prior art.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 에지 노광 장치(10)의 노광 챔버(11) 내부에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 스테이지(12)가 배치되어 있다. 상기 스테이지(12)의 하부에는 스테이지(12)를 회전시키기 위한 구동부(13)가 구동 축(14)을 통해 연결되어 있고, 상기 스테이지(12)에 지지된 웨이퍼(W)의 에지 부위의 상부에는 광을 조사하기 위한 수은 램프(20)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, a
여기서, 상기 수은 램프(20)로부터 생성된 광은 슬릿(30)을 통해 웨이퍼(W)의 에지 부위로 조사된다. 이때, 상기 스테이지(12)에 지지된 웨이퍼(W)는 구동부(13)로부터 제공되는 구동력에 의해 회전되며, 슬릿(30)을 통해 웨이퍼(W)의 에지 부위로 조사되는 광은 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 에지 부위를 스캐닝한다.Here, light generated from the
한편, 도 2에서와 같이, 웨이퍼(W)의 에지 부위 중 로트 아이디(lot ID:40) 부위에서도 포토레지스트를 제거하고 후속 공정을 거치면서 로트 아이디(40)가 파손되는 것을 방지하고, 후에 로트 아이디(40)의 확인이 가능하도록 한다.On the other hand, as shown in Figure 2, in the lot ID (lot ID: 40) of the edge portion of the wafer (W) to remove the photoresist and go through the subsequent process to prevent the lot ID (40) is broken, after the lot It is possible to check the ID (40).
그런데, 상술한 바와 같은 종래의 웨이퍼 에지 노광 장치(10)에서 로트 아이디(40)를 노광 하기 위하여는 다음과 같은 문제점들을 갖는다.However, to expose the
즉, 로트 아이디(40)의 크기는 웨이퍼(W)의 에지 부분에서 도 2에서와 같이 대략 가로 24mm, 세로 8mm의 크기를 가지고 있으나, 이를 노광할 때 빛이 통과하는 슬릿(30)의 크기는 대략 가로 24mm, 세로 4mm를 가지고 있으므로 하여 로트 아이디(40)를 노광하기 위해서는 세로 방향으로 4mm씩 두 번 실시되어야 하는 공정의 번거로움이 있었으며, 이로 하여 노광 공정 시간이 늘어나는 문제점이 있었다. 이에 따라 공정 시간이 늘어나 그에 따른 쓰루풋(throughput)이 늘어난다.That is, the size of the
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 웨이퍼의 에지 노광시 공정상에 노광폭 설정을 변동 가능하게 함으로써 로트 아이디의 노광 범위를 자유롭게 조절하여 공정시간을 줄이도록 한 웨이퍼 에지의 노광 장치 및 노광 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by changing the exposure width setting in the process during the edge exposure of the wafer by freely adjusting the exposure range of the lot ID to reduce the process time exposure The object is to provide an apparatus and an exposure method.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치는 노광 공정이 진행되는 노광 챔버와, 상기 노광 챔버 내부에 배치되어 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지와, 상기 스테이지의 하부에는 스테이지를 회전시키기 위한 구동부와, 상기 스테이지에 지지된 웨이퍼의 에지 부위의 상부에 광을 조사하기 위한 광원과, 상기 광원과 웨이퍼 사이에 구성되는 소정크기로 슬릿이 형성된 레시피와, 및 상기 광원과 레시피 사이에 구성되어 상기 슬릿을 선택적으로 블록킹하여 상기 슬릿의 크기를 조절하는 블라인드 수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.An apparatus for exposing a wafer edge according to the present invention for achieving the above object includes a stage for exposing an exposure process, a stage disposed inside the exposure chamber to support a wafer, and a stage rotating below the stage. And a light source for irradiating light to an upper portion of the edge portion of the wafer supported by the stage, a recipe having a slit formed in a predetermined size formed between the light source and the wafer, and between the light source and the recipe. And blind means for selectively blocking the slit to adjust the size of the slit.
또한, 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 방법은 웨이퍼 에지의 노광영역을 정의하는 단계와, 상기 웨이퍼 위에 소정크기로 슬릿이 형성된 레시피를 고정하는 단계와, 상기 레시피의 슬릿을 선택적으로 블록킹하여 상기 슬릿의 크기를 조절하는 단계와, 상기 슬릿 상부에서 광을 조사하여 상기 노광 영역을 노광하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, the method for exposing a wafer edge according to the present invention includes defining an exposure area of a wafer edge, fixing a recipe in which a slit is formed to a predetermined size on the wafer, and selectively blocking the slit of the recipe to block the slit. And adjusting the size of the light source and exposing the exposure area by irradiating light from the upper portion of the slit.
본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치 및 노광 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The exposure apparatus and the exposure method of the wafer edge by this invention have the following effects.
첫째, 단 한번의 노광만으로도 원하는 노광 폭의 조절이 가능하므로 공정 시간을 감소시킬 수 있다.First, since the desired exposure width can be adjusted with only one exposure, the process time can be reduced.
둘째, 레시피의 크기를 줄일 수 있어 전체적인 장비의 구성을 단순화시킬 수가 있다.Second, the size of the recipe can be reduced, simplifying the overall configuration of the equipment.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the detailed description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시 예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings illustrating the configuration and operation of the embodiment of the present invention, the configuration and operation of the present invention shown in the drawings and described by it will be described by at least one embodiment, By the technical spirit of the present invention described above and its core configuration and operation is not limited.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치 및 노광 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an exposure apparatus and an exposure method of a wafer edge according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view for explaining an exposure apparatus of a wafer edge according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치(100)의 노광 공정이 진행되는 노광 챔버(110)와, 상기 노광 챔버(110) 내부에 배치되어 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 스테이지(120)로 이루어져 있다.As shown in FIG. 3, an
또한, 상기 스테이지(120)의 하부에는 스테이지(120)를 회전시키기 위한 구동부(130)가 구동축(140)을 통해 연결되어 있고, 상기 스테이지(120)에 지지된 웨이퍼(W)의 에지 부위의 상부에는 광을 조사하기 위한 광원(210)가 배치되어 있다.In addition, a
또한, 상기 광원(210)로부터 조사된 광은 광원(210)과 웨이퍼(W) 사이에 구성되고 레시피(220)에 소정크기로 형성된 슬릿을 통해 웨이퍼(W)의 에지 부위로 조사된다. In addition, the light irradiated from the
이때, 상기 스테이지(120)에 지지된 웨이퍼(W)는 구동부(130)로부터 제공되는 구동력에 의해 회전되며, 상기 레시피(220)를 통해 웨이퍼(W)의 에지 부위로 조사되는 광은 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 에지 부위를 스캐닝한다.In this case, the wafer W supported by the
또한, 상기 광원(210)과 레시피(220) 사이에 구성되어 상기 광원(210)에서 조사되는 광을 선택적으로 블록킹하여 노광 폭을 조절하는 블라인드(blind) 수단(230)을 포함한다. 즉, 상기 블라인드 수단(230)은 상기 레시피(220)에 형성된 슬릿의 크기를 조절하기 위해 선택적으로 이동한다.In addition, a
한편, 도면에는 도시되지 않았지만 상기 블라인드 수단(230)을 X,Y 방향으로 이동할 수 있는 구동 모터를 더 포함하여 이루어진다.On the other hand, although not shown in the figure further comprises a drive motor capable of moving the
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.4A to 4D are schematic views for explaining a method of exposing a wafer edge according to the present invention.
도 4a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 에지 부분의 노광영역(B)을 정의 하고, 상기 노광영역(B)을 노광하기 위해 슬릿을 갖는 레시피(220)를 정렬한다. 여기서 상기 레시피(220)는 고정되어 있다.As shown in FIG. 4A, the exposure area B of the edge portion of the wafer W is defined, and the
도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 레시피(220)에 형성된 슬릿이 제 1 크기를 갖도록 상기 레시피(220) 상부에 슬라인드 수단(230)을 위치시킨다. 이때 상기 블라인드 수단(230)은 X,Y 방향으로 이동이 가능하도록 구성된다.As shown in FIG. 4B, the
도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 블라인드 수단(230)을 이동하여 상기 레시피(220)의 슬릿이 제 1 크기보다 작은 제 2 크기를 갖도록 조정한다.As shown in FIG. 4C, the
도 4d에서와 같이, 상기 블라인드 수단(230)을 이동하여 상기 레시피(220)의 슬릿이 제 1 크기보다 큰 제 3 크기를 갖도록 조정한다.As shown in FIG. 4D, the blind means 230 is moved to adjust the slit of the
그리고 상기 블라인드 수단(230)을 통해 슬릿이 크기가 정해지면 광원(210)으로부터 광을 조사하여 상기 노광영역을 노광하게 된다.When the slit is sized through the blind means 230, light is emitted from the
따라서 본 발명에 의한 블라인드 수단(230)을 이용하여 구동축을 구성하고 상기 블라인드 수단(230)을 X,Y 방향으로 이동하면서 실제 레시피(220)에 형성된 슬릿의 크기를 조절함으로써 실제 노광 사이즈를 적절하게 조절할 수 있다.Accordingly, the actual exposure size is appropriately adjusted by configuring the driving shaft using the blind means 230 according to the present invention and adjusting the size of the slit formed in the
즉, 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 방법은 빛이 통과하는 크기가 고정되어 있는 현재의 슬릿의 크기를 블라인드 수단(230)을 이용하여 변화시킬 수 있는 가변 슬릿으로 변경(modify)하여 실제 노광시킬 수 있는 폭의 길이를 상황에 맞게 조정할 수 있음으로서 즉, 레시피 상에서 구성만 해준다면 기계적으로 상황에 맞게 조정을 가능하게 한다면 공정시에도 레시피(220)를 여러 번 반복하여 진행하는 것을 방지할 수가 있다.That is, the exposure method of the wafer edge according to the present invention modifies the size of the current slit in which the size of light passing through is fixed to a variable slit which can be changed using the blind means 230 to actually expose the light. If the length of the width can be adjusted according to the situation, that is, if only the configuration on the recipe to enable the mechanically adjusted according to the situation can be prevented from repeating the
현재의 고정된 노광 슬릿 방식을 탈피하여 공정 상에서 설정한 레시피의 내용대로 노광 슬릿의 폭을 조절하여 실제 여러 스텝으로 나누어서 진행해야만 하는 과정을 탈피하고 한번의 노광으로도 원하는 사이즈만큼 노광할 수 있도록 한다.By removing the current fixed exposure slit method, the width of the exposure slit is adjusted according to the contents of the recipe set in the process to avoid the process of dividing the process into several steps and to expose the desired size with one exposure. .
그러므로 노광 빛을 블록킹(blocking)할 수 있는 블라인드 수단(230)을 구성하고 중심을 고정으로 하는 구동축을 구성하고, X, Y방향으로 이동시킬 수 있는 모터를 구현하여 레시피(220)상에서 설정해주는 노광 폭에 대해서 가변이 되도록 설계해준다면 단 한번의 노광만으로도 원하는 노광 폭이 가능하므로 공정 시간을 감소시켜줄 수 있으며 레시피(220)의 구성 또한 단순화 시킬 수가 있다.Therefore, the exposure means constituting the blind means 230 for blocking the exposure light, constituting the drive shaft fixed to the center, and implementing the motor to move in the X, Y direction to set on the
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
지금까지 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다. While the preferred embodiments of the present invention have been described so far, those skilled in the art may implement the present invention in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.
그러므로 여기서 설명한 본 발명의 실시 예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 상술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the embodiments of the present invention described herein are to be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation, and the scope of the present invention is shown in the appended claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope are equivalent to the present invention. Should be interpreted as being included in.
도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도1 is a schematic cross-sectional view for explaining an exposure apparatus of a wafer edge according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지 부분의 로트 아이디를 도시한 평면도2 is a plan view showing a lot ID of a wafer edge portion according to the prior art.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도3 is a schematic cross-sectional view illustrating an exposure apparatus of a wafer edge according to the present invention.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 웨이퍼 에지의 노광 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면4A to 4D are schematic diagrams for explaining a method of exposing a wafer edge according to the present invention;
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
210 : 광원 220 : 레시피210: light source 220: recipe
230 : 블라인드 수단230: blind means
Claims (3)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020070139896A KR100917822B1 (en) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | Apparatus and Method of exposuring a light at a wafer edge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070139896A KR100917822B1 (en) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | Apparatus and Method of exposuring a light at a wafer edge |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050059622A (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-21 | 삼성전자주식회사 | Wafer edge exposure apparatus |
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Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR20090071952A (en) | 2009-07-02 |
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