KR20070080887A - Apparatus for exposing an edge portion of a substrate - Google Patents

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KR20070080887A KR1020060012364A KR20060012364A KR20070080887A KR 20070080887 A KR20070080887 A KR 20070080887A KR 1020060012364 A KR1020060012364 A KR 1020060012364A KR 20060012364 A KR20060012364 A KR 20060012364A KR 20070080887 A KR20070080887 A KR 20070080887A
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Abstract

A WEE(Wafer Edge Exposure) apparatus is provided to reduce an exposing time and to keep an exposed size of an edge portion of a semiconductor substrate in an aiming range by shielding the light irradiated onto a center portion of the substrate and controlling properly the exposed size of the substrate edge portion using a light shielding unit. A WEE apparatus includes a chuck, a light source and a light shielding unit. The chuck(18) supports a substrate on which a photoresist layer is formed. The light source(22) is installed over the substrate. The light source is used for supplying an exposure light onto the photoresist layer. The light shielding unit(30) is installed at a portion between the light source and the substrate. The light shielding unit is capable of shielding the exposure light irradiated onto a center portion of the substrate and controlling an exposed size of an edge portion of the substrate.

Description

기판 에지 노광 장치{APPARATUS FOR EXPOSING AN EDGE PORTION OF A SUBSTRATE}Substrate edge exposure apparatus {APPARATUS FOR EXPOSING AN EDGE PORTION OF A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 에지 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a substrate edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 광원의 일 실시예를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.2 is a schematic cross-sectional view for describing an exemplary embodiment of the light source illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 광원의 다른 실시예를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.3 is a schematic cross-sectional view for describing another example of the light source illustrated in FIG. 1.

도 4는 도 1에 도시된 광 차단부를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 4 is a schematic diagram illustrating the light blocking unit illustrated in FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 에지 노광 장치 10 : 공정 챔버100 substrate substrate exposure apparatus 10 process chamber

14 : 반도체 기판 18 : 척14 semiconductor substrate 18 chuck

22 : 광원 26 : 광22: light source 26: light

30 : 광 차단부 34 : 하우징30: light shield 34: housing

38 : 램프 42 : 반사경38 lamp 42 reflector

46 : 셔터 50 : 콜리메이트 렌즈46: shutter 50: collimated lens

54 : 미러 유닛 60 : 지지대54 mirror unit 60 support

64 : 조리개 날개 68 : 모터 64: aperture blade 68: motor

본 발명은 기판 에지 노광 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막을 노광하는 노광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate edge exposure apparatus. In more detail, it is related with the exposure apparatus which exposes the photoresist film formed in the edge part of a board | substrate.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a fabrication (FAB) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, a process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process, and the semiconductor. The devices are each manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing the epoxy resin.

상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate, and the film or pattern Inspection process for inspecting the surface of the formed semiconductor substrate;

상기와 같은 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트(photo resist) 막을 형성하고 이를 경화시키는 공정과, 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Among the above-described unit processes, a photolithography process is performed by forming a photoresist film on a semiconductor substrate and curing the photoresist film, and removing a predetermined portion to form a photoresist film formed on the semiconductor substrate into a desired photoresist pattern. It includes an exposure process and a developing process.

일반적으로 상기 포토레지스트 막은 다음과 같이 형성된다. 먼저, 반도체 기판을 회전척 상에 올려놓은 다음, 상기 반도체 기판 상의 중심 부위에 포토레지스트 용액을 공급하고, 상기 반도체 기판을 회전시킨다. 상기 반도체 기판의 회전력에 의해 상기 반도체 기판 상의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액은 반도체 기판의 주연 부위로 밀려나고, 이에 따라, 포토레지스트 막이 형성된다.Generally, the photoresist film is formed as follows. First, the semiconductor substrate is placed on a rotary chuck, then a photoresist solution is supplied to a center portion on the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is rotated. The photoresist solution supplied to the center portion on the semiconductor substrate by the rotational force of the semiconductor substrate is pushed to the peripheral portion of the semiconductor substrate, whereby a photoresist film is formed.

이때, 상기 반도체 기판의 중심 부위 및 에지 부위에 포토레지스트 막이 형성된다. 상기 반도체 기판의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막은 후속 공정에서 박리될 수 있으며, 상기 에지 부위의 포토레지스트 막의 박리에 의해 발생된 파티클과 같은 오염 물질에 의해 기판의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염이 발생될 수 있다.In this case, a photoresist film is formed on the center portion and the edge portion of the semiconductor substrate. The photoresist film formed on the edge portion of the semiconductor substrate may be peeled off in a subsequent process, and contamination of the substrate or contamination of the manufacturing process equipment may be caused by contaminants such as particles generated by peeling the photoresist film on the edge portion. Can be.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판을 회전시키면서 상기 반도체 기판의 에지 부위에 시너(thinner)를 분사하여 상기 에지 부위의 포토레지스트 막을 제거하는 EBR(edge bead removal) 공정이 사용될 수 있다.In order to solve such a problem, an edge bead removal (EBR) process of removing a photoresist film of the edge portion by spraying thinner on the edge portion of the semiconductor substrate while rotating the semiconductor substrate on which the photoresist layer is formed may be used. have.

다른 방법으로는, 상기 반도체 기판의 에지 부위를 노광시키고, 상기 노광된 부위의 포토레지스트 막을 현상 공정을 통해 제거하는 방법이 있다. 이러한 방법을 수행하기 위한 기판 에지 노광 장치를 살펴보면, 상기 반도체 기판을 지지하여 회전시키기 위한 척과, 상기 포토레지스트 막을 노광하도록 소정의 파장의 광을 가지고 상기 반도체 기판의 상부에 이격되어 설치된 광원과, 상기 광원에서 조사된 광 이 통과하여 상기 반도체 기판의 에지 부위 일부로 상기 광이 조사되는 슬릿을 포함한다.As another method, there is a method of exposing the edge portion of the semiconductor substrate and removing the photoresist film of the exposed portion through a developing process. Looking at a substrate edge exposure apparatus for performing this method, a chuck for supporting and rotating the semiconductor substrate, a light source spaced apart on the semiconductor substrate with light of a predetermined wavelength to expose the photoresist film, The light emitted from the light source includes a slit through which the light is irradiated to a portion of the edge portion of the semiconductor substrate.

상기와 같은 기판 에지 노광 장치를 이용하여 상기 반도체 기판의 에지 부위를 노광하는 방법을 살펴보면, 소정의 막을 패턴으로 형성하기 위한 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판을 척 상에 로딩하는 단계와, 상기 반도체 기판의 외주를 따라 구동하며 상기 반도체 기판의 에지 부위를 노광하는 단계와, 상기 반도체 기판을 척으로부터 언로딩하는 단계를 포함한다.Looking at the method of exposing the edge portion of the semiconductor substrate using the substrate edge exposure apparatus as described above, the step of loading a semiconductor substrate having a photoresist film for forming a predetermined film in a pattern on the chuck, and Exposing an edge portion of the semiconductor substrate while driving along an outer periphery, and unloading the semiconductor substrate from a chuck.

상기 광원으로부터 조사된 광은 상기 반도체 기판의 회전에 따라 상기 반도체 기판의 에지 부위 전체로 제공된다. 따라서 상기 광을 이용하여 상기 반도체 기판의 에지 부위를 충분히 노광하기 위하여 상기 반도체 기판이 충분히 저속으로 회전하여야 하며, 이는 에지 노광 공정의 시간을 증가시키는 요인이 된다.Light irradiated from the light source is provided to the entire edge portion of the semiconductor substrate as the semiconductor substrate rotates. Therefore, in order to sufficiently expose the edge portion of the semiconductor substrate using the light, the semiconductor substrate should be rotated at a sufficiently low speed, which increases the time of the edge exposure process.

이에 더하여, 상기 반도체 기판의 사이즈가 증가하거나, 노광되는 에지 부위가 넓은 경우에 에지 노광 공정의 시간은 더 증가하게 된다. In addition, when the size of the semiconductor substrate is increased or when the edge portion to be exposed is large, the time of the edge exposure process is further increased.

또한, 상기 회전하는 동안 상기 반도체 기판의 위치가 틀어지거나, 원래부터 회전 중심이 부정확하게 설정되어 상기 반도체 기판 에지 부위가 좌우 또는 상하가 비대칭으로 노광될 수 있다. In addition, during the rotation, the position of the semiconductor substrate is displaced, or the rotation center is originally set incorrectly, so that the edge portion of the semiconductor substrate may be exposed asymmetrically.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 노광 시간을 단축시킬 수 있으며, 일정한 크기의 노광 영역을 구현할 수 있는 기판 에지 노광 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention for solving the above problems is to provide a substrate edge exposure apparatus that can shorten the exposure time, and can implement an exposure area of a constant size.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시에에 따른 기판 에지 노광 장치는 상면에 포토레지스트 막이 형성된 기판을 지지하기 위한 척을 구비한다. 그리고 상기 기판의 상부에 이격되어 설치되며, 상기 포토레지스트 막을 노광하기 위한 광을 제공하는 광원을 구비한다. 그리고 상기 광원과 상기 기판 사이에 설치되며, 상기 기판의 에지 부위에 형성된 상기 포토레지스트 막을 노광하기 위하여 상기 기판의 중심 부위로 조사되는 광을 차단하고 상기 에지 부위의 노광 영역을 조절하는 광 차단부를 구비한다. A substrate edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is provided with a chuck for supporting a substrate on which a photoresist film is formed. And a light source spaced apart from the top of the substrate and providing light for exposing the photoresist film. And a light blocking unit disposed between the light source and the substrate to block the light irradiated to the center portion of the substrate and to adjust the exposure region of the edge portion to expose the photoresist film formed on the edge portion of the substrate. do.

여기서 상기 광 차단부는 상기 노광 영역을 조절하는 다수개의 날개를 구비한다. 그리고 상기 다수개의 조리개 날개와 결합되어 상기 다수개의 날개를 지지하는 지지대를 구비한다. 그리고 상기 다수개의 날개와 결합되어 상기 다수개의 날개를 정, 역의 방향으로 구동시키는 모터를 구비한다. The light blocking unit includes a plurality of vanes for adjusting the exposure area. And it is coupled to the plurality of aperture blades and has a support for supporting the plurality of wings. And a motor coupled with the plurality of blades to drive the plurality of blades in the forward and reverse directions.

그리고 상기 광원은 광을 발생시키는 램프를 구비한다. 그리고 상기 램프의 상부에 설치되며, 상기 램프로부터 조사되는 상기 광을 반사시켜 반도체 기판 상부로 전사시키기 위한 반사경를 구비한다. 그리고 상기 램프에서 발생된 광과 상기 반사경에 반사된 광의 경로를 개폐하는 셔터를 구비한다. 그리고 상기 셔터를 통과한 광을 평행 광으로 형성하는 콜리메이터 렌즈를 구비한다.The light source includes a lamp for generating light. And a reflector disposed above the lamp and configured to reflect the light emitted from the lamp and to transfer the light onto the semiconductor substrate. And a shutter for opening and closing a path of the light generated by the lamp and the light reflected by the reflector. And a collimator lens for forming the light passing through the shutter as parallel light.

그리고 상기 광원은 광을 발생시키는 램프를 구비한다. 그리고 상기 램프의 상부에 설치되며, 상기 램프로부터 조사되는 상기 광을 반사시켜 반도체 기판 상부로 전사시키기 위한 반사경를 구비한다. 그리고 상기 램프에서 발생된 광과 상기 반사경에 반사된 광의 경로를 개폐하는 셔터를 구비한다. 그리고 상기 셔터를 통과한 광을 외측으로 모아주고, 평행 광으로 형성하는 미러 유닛을 구비한다. The light source includes a lamp for generating light. And a reflector disposed above the lamp and configured to reflect the light emitted from the lamp and to transfer the light onto the semiconductor substrate. And a shutter for opening and closing a path of the light generated by the lamp and the light reflected by the reflector. And a mirror unit which collects the light passing through the shutter to the outside and forms parallel light.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 노광 시간을 단축시킬 수 있으며, 일정한 크기의 에지 부위의 노광 영역을 구현할 수 있다.  According to the present invention as described above, it is possible to shorten the exposure time, it is possible to implement the exposure area of the edge portion of a constant size.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 기판 에지 노광 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate edge exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 에지 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a substrate edge exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 기판 에지 노광 장치(100)는 챔버(10), 척(18), 광원(22) 및 광 차단부(30)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate edge exposure apparatus 100 includes a chamber 10, a chuck 18, a light source 22, and a light blocking unit 30.

구체적으로, 챔버(10)는 반도체 기판(14)의 에지 부위만 노광시키기 위한 공정이 이루어지도록 구비된다. Specifically, the chamber 10 is provided so that a process for exposing only the edge portion of the semiconductor substrate 14 is performed.

그리고 상기 척(18)은 상면에 포토레지스트 막(도시하지 않음)이 형성된 반도체 기판(14)을 지지하도록 구비된다. 여기서 상기 반도체 기판(14)은 실리콘 웨이퍼(W)인 것이 바람직하다. The chuck 18 is provided to support the semiconductor substrate 14 on which a photoresist film (not shown) is formed. In this case, the semiconductor substrate 14 is preferably a silicon wafer (W).

그리고 상기 광원(22)이 상기 반도체 기판(14)의 상부에 이격되어 설치되며, 상기 포토레지스트 막을 노광하기 위한 광(26)을 제공하도록 구비된다. The light source 22 is spaced apart from the upper portion of the semiconductor substrate 14 and provided to provide light 26 for exposing the photoresist film.

그리고 상기 광 차단부(30)가 상기 광원(22)과 상기 반도체 기판(14) 사이에 설치되며, 상기 반도체 기판(14)의 에지 부위에 형성된 상기 포토레지스트 막을 노 광하기 위하여 상기 기판의 중심 부위로 조사되는 광을 차단하고 상기 에지 부위의 노광 영역을 조절하도록 구비된다.In addition, the light blocking unit 30 is disposed between the light source 22 and the semiconductor substrate 14, and the center portion of the substrate is exposed to expose the photoresist film formed at the edge portion of the semiconductor substrate 14. It is provided to block the light irradiated to and to adjust the exposure area of the edge portion.

도 2는 도 1에 도시된 광원(22)의 일 실시예를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for describing an embodiment of the light source 22 illustrated in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 상기 광원(22)은 램프를 이용한 광원은 광을 발생시키고 확장시키고 평행한 광으로 형성하기 위한 공간인 하우징(34)과, 광을 발생시키는 램프(38)와, 상기 광을 반사시켜 반도체 기판 상부로 전사시키기 위한 반사경(42)과, 상기 램프에서 발생된 광과 상기 반사경에 반사된 광의 경로를 개폐하는 셔터(46)와, 상기 셔터를 통과한 광을 평행 광으로 형성하기 위한 콜리메이터 렌즈(collimator lens, 50)등을 포함한다.Referring to FIG. 2, the light source 22 includes a housing 34 which is a space for generating and expanding light and forming light in parallel with the lamp, a lamp 38 for generating light, and the light. A reflector 42 for reflecting the light and transferring the upper portion of the semiconductor substrate, a shutter 46 for opening and closing a path of light generated by the lamp and the light reflected by the reflector, and light passing through the shutter as parallel light. Collimator lens (50) and the like.

도 3은 도 1에 도시된 광원(22)의 다른 실시예를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.3 is a schematic cross-sectional view for describing another embodiment of the light source 22 shown in FIG. 1.

도 3을 참조하면, 상기 광원(22)은 램프를 이용한 광원은 광을 발생시키고 확장시키고 평행한 광으로 형성하기 위한 공간인 하우징(34)과, 광을 발생시키는 램프(38)와, 상기 광을 반사시켜 반도체 기판 상부로 전사시키기 위한 반사경(42)과, 상기 램프에서 발생된 광과 상기 반사경에 반사된 광의 경로를 개폐하는 셔터(46)와, 상기 셔터를 통과한 광을 외측으로 모아주고, 평행 광으로 형성하기 위한 미러 유닛(mirror unit, 54)등을 포함한다.Referring to FIG. 3, the light source 22 includes a housing 34 which is a space for generating and expanding light and forming light in parallel with the lamp, a lamp 38 for generating light, and the light. A reflector 42 for reflecting the light and transferring the upper portion of the semiconductor substrate, a shutter 46 for opening and closing a path of the light generated by the lamp and the light reflected by the reflector, and collecting the light passing through the shutter to the outside. And a mirror unit 54 for forming in parallel light.

도 4는 도 1에 도시된 광 차단부(30)를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 4 is a schematic diagram illustrating the light blocking unit 30 shown in FIG. 1.

도 4를 참조하면, 상기 광 차단부(30)는 다수개의 조리개 날개(60), 지지대 (64) 및 모터(68)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the light blocking unit 30 includes a plurality of aperture blades 60, a support 64, and a motor 68.

구체적으로, 상기 다수개의 조리개 날개(60)는 상기 기판의 에지 부위의 노광 영역을 조절하도록 구비된다. 여기서 상기 다수개의 조리개 날개(60)의 모양은 반도체 기판(14)의 모양과 유사하도록 형성된다. Specifically, the plurality of aperture blades 60 are provided to adjust the exposure area of the edge portion of the substrate. The shape of the plurality of aperture blades 60 is formed to be similar to the shape of the semiconductor substrate 14.

그리고 상기 지지대(64)는 상기 다수개의 조리개 날개(60)와 결합되어 상기 다수개의 날개(60)를 지지하도록 구비된다. The support 64 is coupled to the plurality of aperture blades 60 to support the plurality of blades 60.

그리고 상기 모터(68)는 상기 다수개의 날개(60)에 연결되어 상기 다수개의 날개를 정, 역의 방향으로 구동시키면서 상기 반도체 기판의 에지 부위의 노광 영역(A)을 조절하도록 구비된다.The motor 68 is connected to the plurality of blades 60 to drive the plurality of blades in the forward and reverse directions while adjusting the exposure area A of the edge portion of the semiconductor substrate.

이로써, 종래의 경우에는 반도체 기판의 에지 부위의 노광은 상기 반도체 기판을 회전시키면서 슬릿을 이용하여 광을 상기 에지 부위에 조사시켜 이루어진다. 이러한 노광 방법은 종래기술에서 상술한 바와 같이, 에지 노광 공정의 시간을 증가시키고, 상기 반도체 기판 에지 부위가 좌우 또는 상하가 비대칭으로 노광될 수 있는 문제점을 갖고 있다. Thus, in the conventional case, exposure of the edge portion of the semiconductor substrate is performed by irradiating light to the edge portion using a slit while rotating the semiconductor substrate. Such an exposure method has a problem in that the time of the edge exposure process is increased as described above in the prior art, and the edge portion of the semiconductor substrate can be exposed asymmetrically to the left or right.

그러나 본 발명의 일 실시예의 경우에는 상기 반도체 기판(14)을 회전시키지 않고, 상기 광 차단부(30)를 이용하여 상기 반도체 기판(14)의 중심 부위에 조사되는 광을 차단하고, 상기 에지 부위의 노광 영역을 조절한 후, 노광을 일회 실시하여 상기 반도체 기판의 에지 부위를 노광함으로 노광 시간을 단축시킬 수 있고, 상기 반도체 기판의 에지 부위의 노광 영역을 일정한 크기로 유지할 수 있다. However, in the exemplary embodiment of the present invention, the light emitted from the semiconductor substrate 14 is blocked by using the light blocking unit 30 to block the light irradiated to the central portion of the semiconductor substrate 14 and the edge portion is not rotated. After the exposure area is adjusted, exposure is performed once to expose the edge portion of the semiconductor substrate, thereby reducing the exposure time, and maintaining the exposure region of the edge portion of the semiconductor substrate at a constant size.

이하에서는, 상기 구성을 갖는 기판 에지 노광 장치(100)를 이용하여 상기 반도체 기판(14)에 형성된 포토레지스트 막의 에지 노광 방법을 상술한 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.Hereinafter, an edge exposure method of the photoresist film formed on the semiconductor substrate 14 using the substrate edge exposure apparatus 100 having the above configuration will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

먼저, 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판(14)을 상기 기판 에지 노광 장치(100)에 구비되는 상기 척(14)에 로딩시킨다.First, a semiconductor substrate 14 on which a photoresist film is formed is loaded onto the chuck 14 provided in the substrate edge exposure apparatus 100.

이어서 기 설정된 노광 영역을 맞추기 위하여 상기 모터(68)를 이용하여 상기 조래개의 날개를 조절한다. 이 때, 상기 모터(68)를 이용하여 상기 다수개의 날개를 정, 역의 방향으로 구동시킬 수 있다. Subsequently, the blade of the claw is adjusted by using the motor 68 to match the preset exposure area. At this time, the plurality of blades can be driven in the forward and reverse directions using the motor 68.

계속하여, 상기 광원(22)을 이용하여 상기 반도체 기판의 에지 부위에 광(26)을 조사한다. 이 때, 상기 광 차단부(30)에 의하여 상기 반도체 기판의 중심 부위에 조사되는 광(26)은 차단되고, 상기 에지 부위로 조사되는 광을 통과시킨다. Subsequently, light 26 is irradiated to the edge portion of the semiconductor substrate using the light source 22. At this time, the light 26 irradiated to the center portion of the semiconductor substrate is blocked by the light blocking portion 30 and passes the light irradiated to the edge portion.

이러한 일련의 과정을 통하여 상기 반도체 기판의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막을 노광한다. Through this series of processes, the photoresist film formed on the edge portion of the semiconductor substrate is exposed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반도체 기판을 회전시키지 않고, 광 차단부(30)를 이용하여 상기 반도체 기판의 중심 부위에 조사되는 광을 차단하고, 상기 에지 부위의 노광 영역을 조절한 후, 노광을 일회 실시하여 상기 반도체 기판의 에지 부위를 노광한다. 이로써, 노광 시간을 단축시킬 수 있고, 상기 반도체 기판의 에지 부위의 노광 영역을 일정한 크기로 유지할 수 있다. As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, the light irradiation portion 30 blocks the light irradiated to the center portion of the semiconductor substrate without rotating the semiconductor substrate, and exposes the exposure region of the edge portion. After adjusting, exposure is performed once to expose the edge portion of the semiconductor substrate. Thereby, exposure time can be shortened and the exposure area | region of the edge part of the said semiconductor substrate can be kept to a fixed magnitude | size.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (4)

상면에 포토레지스트 막이 형성된 기판을 지지하기 위한 척;A chuck for supporting a substrate on which a photoresist film is formed; 상기 기판의 상부에 이격되어 설치되며, 상기 포토레지스트 막을 노광하기 위한 광을 제공하는 광원; 및 A light source spaced apart from the top of the substrate and configured to provide light for exposing the photoresist film; And 상기 광원과 상기 기판 사이에 설치되며, 상기 기판의 에지 부위에 형성된 상기 포토레지스트 막을 노광하기 위하여 상기 기판의 중심 부위로 조사되는 광을 차단하고 상기 에지 부위의 노광 영역을 조절하는 광 차단부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 에지 노광 장치.A light blocking unit disposed between the light source and the substrate, the light blocking unit blocking light emitted to a center portion of the substrate and adjusting an exposure area of the edge portion to expose the photoresist film formed at an edge portion of the substrate; Substrate edge exposure apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 광 차단부는,The method of claim 1, wherein the light blocking unit, 상기 노광 영역을 조절하는 다수개의 날개; A plurality of wings for adjusting the exposure area; 상기 다수개의 조리개 날개와 결합되어 상기 다수개의 날개를 지지하는 지지대; 및A support coupled to the plurality of aperture blades to support the plurality of wings; And 상기 다수개의 날개와 결합되어 상기 다수개의 날개를 정, 역의 방향으로 구동시키는 모터를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 에지 노광 장치.And a motor coupled to the plurality of vanes to drive the plurality of vanes in the forward and reverse directions. 제1항에 있어서, 상기 광원은,The method of claim 1, wherein the light source, 광을 발생시키는 램프;A lamp for generating light; 상기 램프의 상부에 설치되며, 상기 램프로부터 조사되는 상기 광을 반사시 켜 반도체 기판 상부로 전사시키기 위한 반사경;A reflector disposed above the lamp and configured to reflect the light emitted from the lamp and to transfer the light onto a semiconductor substrate; 상기 램프에서 발생된 광과 상기 반사경에 반사된 광의 경로를 개폐하는 셔터; 및A shutter that opens and closes a path of light generated by the lamp and light reflected by the reflector; And 상기 셔터를 통과한 광을 평행 광으로 형성하는 콜리메이터 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 에지 노광 장치.And a collimator lens for forming the light passing through the shutter into parallel light. 제1항에 있어서, 상기 광원은,The method of claim 1, wherein the light source, 광을 발생시키는 램프;A lamp for generating light; 상기 램프의 상부에 설치되며, 상기 램프로부터 조사되는 상기 광을 반사시켜 반도체 기판 상부로 전사시키기 위한 반사경;A reflector disposed above the lamp and configured to reflect the light emitted from the lamp and to transfer the light onto a semiconductor substrate; 상기 램프에서 발생된 광과 상기 반사경에 반사된 광의 경로를 개폐하는 셔터; 및A shutter that opens and closes a path of light generated by the lamp and light reflected by the reflector; And 상기 셔터를 통과한 광을 외측으로 모아주고, 평행 광으로 형성하는 미러 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 에지 노광 장치.And a mirror unit which collects the light passing through the shutter to the outside and forms parallel light.
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