JPH09219349A - Aligner - Google Patents
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- JPH09219349A JPH09219349A JP8023842A JP2384296A JPH09219349A JP H09219349 A JPH09219349 A JP H09219349A JP 8023842 A JP8023842 A JP 8023842A JP 2384296 A JP2384296 A JP 2384296A JP H09219349 A JPH09219349 A JP H09219349A
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- character
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- light
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- Pending
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置製造
に用いる半導体基板を識別するための文字焼き付けとそ
の基板周辺を露光する露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for printing characters for identifying a semiconductor substrate used for manufacturing a semiconductor device and exposing the periphery of the substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置を製造する工程において、用
いる半導体基板,例えば,シリコンウエハを識別するた
めに、そのシリコンウエハ周辺に識別子としてのウエハ
ナンバーを付けるようにしている。このウエハナンバー
は、以下に示すようにして形成している。まず、フォト
レジストが塗布されたシリコンウエハ周辺に、文字の形
状に光を照射する露光装置を用いて文字の型を露光す
る。そして、これを現像して文字形状のレジストパタン
を形成し、この文字(数字)の型のレジストパタンをマ
スクとして、シリコンウエハ周辺の所定の部分をエッチ
ングすることで、ウエハナンバーを形成する。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, in order to identify a semiconductor substrate to be used, for example, a silicon wafer, a wafer number as an identifier is attached to the periphery of the silicon wafer. This wafer number is formed as shown below. First, a character pattern is exposed to the periphery of a silicon wafer coated with a photoresist using an exposure device that irradiates light in the shape of a character. Then, this is developed to form a character-shaped resist pattern, and a predetermined portion around the silicon wafer is etched by using the resist pattern of the character (number) type as a mask to form a wafer number.
【0003】一方、半導体装置の製造のフォトリソグラ
フィ工程において、シリコンウエハにはフォトレジスト
(感光剤)が塗布されるが、シリコンウエハ周辺のフォ
トレジストは、それが残ると以降の工程での発塵の原因
となるため、除去しておく必要がある。フォトレジスト
が光感光により現像液に可溶化するポジ型の場合、この
周辺除去のために、シリコンウエハ周辺に光を照射する
露光装置を用いる。すなわち、この露光装置を用いて、
レジストが塗布されたシリコンウエハ周辺に光を照射し
ておくことで、現像処理時にシリコンウエハの周辺レジ
ストを除去してしまうようにしている。On the other hand, in a photolithography process of manufacturing a semiconductor device, a photoresist (photosensitive agent) is applied to a silicon wafer, but if the photoresist around the silicon wafer remains, dust is generated in subsequent steps. Therefore, it must be removed. When the photoresist is a positive type which is solubilized in a developing solution by photosensitization, an exposure device that irradiates the periphery of the silicon wafer with light is used to remove the periphery. That is, using this exposure apparatus,
By irradiating the periphery of the silicon wafer coated with the resist with light, the peripheral resist of the silicon wafer is removed during the developing process.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来は以上のように構
成されていたので、ウエハナンバーを付けるための露光
装置と、周辺除去のための露光装置との2台の露光装置
を必要としていたために、装置2台分の設置面積を有す
るなどの問題があった。Since the prior art is constructed as described above, it requires two exposure apparatuses, an exposure apparatus for assigning a wafer number and an exposure apparatus for peripheral removal. In addition, there is a problem that it has an installation area for two devices.
【0005】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、半導体製造工程におい
て、装置専有面積をあまり必要とせずに、文字などを付
けるための露光と周辺除去のための露光とを行えるよう
にすることを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and in the semiconductor manufacturing process, exposure and peripheral removal for attaching characters and the like can be performed without requiring a large area occupied by the apparatus. The purpose is to enable exposure for
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明の露光装置は、
光が照射されることで現像液に可溶化する光感光材料が
塗布された半導体基板の露光装置において、半導体基板
周辺に文字の型を露光する文字露光手段を有し、その文
字露光手段の露光する文字の型の中に、所望の大きさの
孔の型を備えるようにした。孔の型を用いれば、半導体
基板周辺の全周への露光が行える。An exposure apparatus according to the present invention comprises:
An exposure apparatus for a semiconductor substrate coated with a photosensitive material which is solubilized in a developing solution when irradiated with light, has a character exposure unit for exposing a character pattern around the semiconductor substrate, and the exposure of the character exposure unit is performed. The mold for the holes having the desired size was provided in the mold for the letters. If the hole type is used, it is possible to expose the entire circumference of the periphery of the semiconductor substrate.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。図1は、この発明の実施の形態にお
ける露光装置の構成を示す構成図である。同図におい
て、1は表面にフォトレジスト(光感光材料)が塗布形
成されているウエハ、2はウエハ1を支持するウエハチ
ャック、3は紫外線を放射する水銀ランプ3aが内包さ
れた光源、4は光源3からの光を集光する集光レンズ、
5はアルファベットや数字などの文字の型の文字孔6が
形成されている文字盤、7は集光レンズ4が集光した光
の照射領域を限定する窓が形成された露光域限定板、8
は文字盤5に形成された貫通孔である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a wafer having a photoresist (photosensitive material) formed on its surface by coating, 2 is a wafer chuck for supporting the wafer 1, 3 is a light source containing a mercury lamp 3a for emitting ultraviolet rays, and 4 is a light source. A condenser lens for condensing light from the light source 3,
Reference numeral 5 is a dial in which character holes 6 of letters such as alphabets and numbers are formed, 7 is an exposure area limiting plate in which a window for limiting the irradiation area of the light condensed by the condenser lens 4 is formed, 8
Is a through hole formed in the dial 5.
【0008】ウエハ1表面に塗布されるフォトレジスト
は、露光光が照射されると現像液に可溶化するポジ型の
感光材料である。ウエハチャック2はウエハ1を真空吸
着することで固定し、自身が回転することでウエハ1を
回転させることができる。ウエハチャック2は、順逆方
向に回転可能であり、かつ、回転速度を連続的に変更す
ることができる。また、光源3には、水銀ランプ3aの
光を一定方向に集めて放射するための楕円ミラー3bが
配置されている。The photoresist applied to the surface of the wafer 1 is a positive type photosensitive material which is solubilized in a developing solution when exposed to exposure light. The wafer chuck 2 can fix the wafer 1 by vacuum suction, and rotate the wafer 1 by rotating itself. The wafer chuck 2 is rotatable in forward and reverse directions, and the rotation speed can be continuously changed. Further, the light source 3 is provided with an elliptical mirror 3b for collecting and emitting the light of the mercury lamp 3a in a certain direction.
【0009】一方、アルファベットなどの文字の型にく
り貫かれた文字孔6が、文字盤5の周辺にならんで形成
されている。その中に、所定の広さの貫通孔8が形成さ
れている。この文字盤5は、順逆方向に回転可能であ
り、かつ、所望の位置で回転を停止することが可能であ
る。また、文字盤5の平面に平行な方向への移動も可能
である。光源3から放射された光は、集光レンズ4で集
光され、露光域限定板7の窓形成部分を照射する。この
露光域限定板7により、不必要な個所への光の漏れを防
げる。そして、照射した光は、露光域限定板7の窓を通
過することで、文字盤5の1文字分の文字孔6が形成さ
れた領域を照射する程度の面積に成形される。On the other hand, a character hole 6 which is hollowed out in the shape of a character such as an alphabet is formed along the periphery of the dial 5. A through hole 8 having a predetermined width is formed therein. The dial 5 is rotatable in forward and reverse directions and can be stopped rotating at a desired position. It is also possible to move the dial 5 in a direction parallel to the plane. The light emitted from the light source 3 is condensed by the condenser lens 4, and irradiates the window forming portion of the exposure area limiting plate 7. The exposure area limiting plate 7 prevents light from leaking to unnecessary portions. Then, the emitted light passes through the window of the exposure area limiting plate 7 to be shaped into an area that illuminates the area of the dial 5 in which the character hole 6 for one character is formed.
【0010】以上の図1に示した構成で、露光域限定板
7の窓下に、例えば、文字盤5の「A」の形状にくり貫
かれた文字孔6を配置し、光源3からの光を照射すれ
ば、その「A」の文字型になった光パタンがウエハ1の
周辺部に露光されることになる。そして、文字盤5を回
転するなどして露光域限定板7の窓下に配置する文字孔
6を替え、その都度ウエハチャック2を回転させて露光
域限定板7の窓下に位置するウエハ1の周辺位置を変更
して露光していけば、所望の組み合わせの文字列形状を
ウエハ1周辺に露光することができる。With the configuration shown in FIG. 1 above, a character hole 6 which is hollowed out in the shape of "A" of the dial 5 is arranged under the window of the exposure area limiting plate 7 so that the light source 3 When the light is irradiated, the letter-shaped light pattern of the letter “A” is exposed on the peripheral portion of the wafer 1. Then, the dial 5 is rotated to change the character hole 6 arranged under the window of the exposure area limiting plate 7, and the wafer chuck 2 is rotated each time, and the wafer 1 positioned under the window of the exposure area limiting plate 7 is rotated. By changing the peripheral position of and exposing, the desired combination of character string shapes can be exposed around the wafer 1.
【0011】一方、文字盤5の貫通孔8を露光域限定板
7の窓下に配置し、ウエハチャック2を回転させなが
ら、その貫通孔8による光の型をウエハ1周辺に照射す
れば、ウエハ1周辺の貫通孔8の大きさで規定される幅
が露光される。この周辺露光により、以降の工程による
現像処理で、不必要なウエハ1周辺のフォトレジストが
除去されることになる。On the other hand, if the through hole 8 of the dial 5 is arranged under the window of the exposure area limiting plate 7 and the wafer chuck 2 is rotated, the light pattern of the through hole 8 is applied to the periphery of the wafer 1. A width defined by the size of the through hole 8 around the wafer 1 is exposed. By this peripheral exposure, unnecessary photoresist around the wafer 1 is removed by the development process in the subsequent steps.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、半
導体基板周辺に文字の型を露光する文字露光手段を有
し、その文字露光手段の露光する文字の型の中に、所望
の大きさの孔の型を備えるようにした。このため、この
発明によれば、ウエハー識別文字など、半導体基板周辺
への文字形状の露光と、半導体基板周辺部の感光材料除
去のための露光とを一つの装置で行え、半導体製造工程
において、装置専有面積をあまり必要としないという効
果がある。As described above, according to the present invention, the character exposure means for exposing the character pattern is provided around the semiconductor substrate, and the desired size is set in the character pattern exposed by the character exposure means. It was equipped with a hole mold. Therefore, according to the present invention, the exposure of a character shape such as a wafer identification character to the periphery of the semiconductor substrate and the exposure for removing the photosensitive material in the peripheral portion of the semiconductor substrate can be performed by one device, and in the semiconductor manufacturing process, This has the effect of not requiring much device-occupied area.
【図1】 この発明の実施の形態における露光装置の構
成を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
1…ウエハ、2…ウエハチャック、3…光源、3a…水
銀ランプ、3b…楕円ミラー、4…集光レンズ、5…文
字盤、6…文字孔、7…露光域限定板、8…貫通孔。1 ... Wafer, 2 ... Wafer chuck, 3 ... Light source, 3a ... Mercury lamp, 3b ... Elliptical mirror, 4 ... Condensing lens, 5 ... Dial, 6 ... Character hole, 7 ... Exposure area limiting plate, 8 ... Through hole .
Claims (2)
る光感光材料が塗布された半導体基板の露光装置におい
て、 前記半導体基板周辺に文字の型を露光する文字露光手段
を有し、 その文字露光手段の露光する文字の型の中に、所望の大
きさの孔の型を備えたことを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus for a semiconductor substrate coated with a photosensitive material which is solubilized in a developing solution when irradiated with light, comprising a character exposure means for exposing a character pattern around the semiconductor substrate, An exposure apparatus characterized in that a pattern of holes having a desired size is provided in the pattern of characters to be exposed by the character exposure means.
らの光の照射領域を限定する露光域限定板と、その露光
域限定板に限定された光に照射される文字の型がくり貫
かれた文字孔と前記孔の型の貫通孔とが配置された文字
盤とから構成されたことを特徴とする露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the character exposure means includes a light source for irradiating light, an exposure area limiting plate for limiting an irradiation area of the light from the light source, and the exposure area limiting plate. An exposure apparatus comprising a character hole in which a character pattern to be irradiated with limited light is hollowed out, and a dial in which a through hole of the hole pattern is arranged.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8023842A JPH09219349A (en) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | Aligner |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8023842A JPH09219349A (en) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | Aligner |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09219349A true JPH09219349A (en) | 1997-08-19 |
Family
ID=12121661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8023842A Pending JPH09219349A (en) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | Aligner |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09219349A (en) |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP8023842A patent/JPH09219349A/en active Pending
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