KR100278345B1 - 비가역 회로소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 정합회로의 자성체 손실이 증가하지 않으면서, 제조공정이 간단한 저렴한 비가역 회로소자를 제공한다. 이 비가역 회로소자는, 제 1 페로자성체 및 제 2 페로자성체로 이루어진 일체소성된 페로자성체를 포함한다. 제 1 페로자성체에서는, 중심도체가 서로 전기적으로 절연된 상태로 교차하여 배치된다. 제 1 페로자성체보다 포화자화가 낮은 제 2 페로자성체에서는, 정합회로를 형성하는 용량전극 및 접지전극이 형성된다.

Description

비가역 회로소자

본 발명은 휴대전화 등의 이동체통신 장치에 사용하는 비가역 회로소자에 관한 것으로, 특히, 마이크로파대 등의 고주파대에서 서큘레이터(circulator) 또는 아이솔레이터(isolator)로 사용하는 비가역 회로소자에 관한 것이다.

최근에, 이동체통신에서는, 고주파장치의 소형화 및 일반화가 급속히 진행되고 있으며, 또한, 이런 장치에 사용되는 비가역 회로소자의 소형화 및 가격 절감이 강하게 요구되고 있다.

알려진 비가역 회로소자는, 예를 들면 전기적으로 절연된 상태에서 서로 교차하여 배치된 다수의 중심전극, 다수의 중심전극의 상부 및 하부에 설치된 마이크로파 자성체, 및 다수의 중심전극에 직류자기장을 가하는 영구자석을 포함하는, 집중정수형 비가역 회로소자(lumped-parameter nonreciprocal circuit device)이다. 이러한 집중정수형 비가역 회로소자는, 예를 들면 서큘레이터 또는 아이솔레이터로 사용된다.

도 1은 종래 서큘레이터의 한 예를 도시하는 부분 사시도이다. 이 서큘레이터의 소형화를 위해서, 페로자성체(ferromagnetic body) 1에 다수의 중심도체를 서로 전기적으로 절연된 상태로 교차하여 배치한다. 즉, 도 2의 분해사시도에 도시된 바와 같이, 페로자성체 1은 다수의 페로자성체층 1a∼1e를 적층한 구성으로 구성된다. 페로자성체층 1b, 1c 및 1d의 상면에는, 중심도체 2a, 2b, 중심도체 2c, 2d, 및 중심도체 2e, 2f가 각각 형성된다. 다시 말해, 페로자성체층 1b∼1d의 각 상면에는, 한쌍의 중심도체가 배치된다.

중심도체 2a, 2b, 중심도체 2c, 2d, 및 중심도체 2e, 2f는, 적층된 상태로 서로 교차하는 배치되며, 페로자성체층 1c 및 1d에 의해 전기적으로 절연된다.

페로자성체층 1a 및 1e의 상면에는, 접지전극 3a 및 3b가 형성된다.

도 1에 도시된 페로자성체 1은, 측면에 외부전극 4a, 4b 및 4c가 형성된다. 또한, 외부전극 4a∼4c는, 접지전극 3a 및 3b와 공통으로 접속되며, 중심도체쌍 2a∼2f 중 한 단부에 전기적으로 접속된다.

도 1에서, 페로자성체 1의 상부에는, 유전체 5가 고착된다. 유전체 5는 유전체 세라믹을 포함하며, 그 내부에는 정합회로를 형성하는 커패시터가 설치되어 있다. 다시 말해, 도 3의 분해사시도에 도시된 바와 같이, 유전체 5는 유전체층 5a 및 5b를 적층한 구조로 구성된다. 유전체층 5a의 상면에는, 용량전극 6a, 6b 및 6c가 형성된다. 유전체층 5b의 상면에는, 접지전극 7이 형성된다. 그러므로, 용량전극 6a∼6c가 접지전극 7 및 접지전극 3b와 유전체층 5a 및 5b를 통해서 겹쳐지는 각 부분에, 커패시터가 형성된다.

도 1에서, 유전체층 5의 측면에는, 외부전극 8a, 8b 및 8c가 형성된다. 이 외부전극 8a∼8c는 용량전극 중의 하나 또는 접지전극 중의 하나와 전기적으로 접속된다.

다시 말해, 페로자성체 1 및 유전체 5는 중앙에서 원통형 오목부 9a가 형성된 단자판 9에 수납된다. 단자판 9에는, 입출력단자를 구성하는 도체패턴(conductor pattern) 10a∼10c 및 접지전위에 접속되 도체패턴 10d, 10e 및 10f가 형성된다.

페로자성체 1의 측면에 형성된 외부전극 4a∼4c 및 유전체 5의 측면에 형성된 외부전극 8a∼8c가, 단자판 9의 오목부 9a 내에 수납되며, 도체패턴 10a∼10f에 적절하게 접속된다.

도 1에서, 페로자성체 1 내에서 중심도체들이 서로 교차하는 부분에 자기장을 가하기 위해, 영구자석 11을 설치한다. 또한, 도 1에 도시된 비가역 회로소자는 금속요크(metallic yoke) 12 및 13을 더 포함한다. 요크 12와 13 사이에서 단자판 9 및 영구자석 11을 지지한다. 요크 12, 13은 영구자석 11과 함께 자기장을 가하는 자기회로를 구성한다.

도 1∼도 3에 도시된 비가역 회로소자에서, 다수의 중심도체 2a∼2f가 전기적으로 절연된 상태로 서로 교차하는 부분을, 페로자성체 1을 사용하여 일체적으로 구성하므로, 소형의 비가역 회로소자를 용이하게 제조할 수 있다.

그러나, 페로자성체 1 및 유전체 5를 개별적으로 소성한 다음에 함께 접합하므로, 그 측면의 외부전극 4a∼4c 및 외부전극 8a∼8c를 납땜 등으로 전기적으로 접속해야만 한다. 그러므로, 접속점의 수가 증가하여, 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생한다. 또한, 페로자성체 1 및 유전체 5를 개별적으로 소성하므로, 다수의 소성공정을 실행해야만 하므로, 성가신 조립작업이 필요하게 되어, 제조가를 절감하는 것이 어렵게 된다.

그러므로, 페로자성체 1 및 유전체 5를 동시에 소성하여, 상기의 문제점들을 해결할 수 있다. 즉, 페로자성체 1를 구성하는 그린시트 및 유전체 5를 구성하는 그린시트를 적층한 다음에 동시에 소성하는 방법으로, 상술한 문제점들을 해결할 수 있다.

그러나, 페로자성체 1 및 유전체 5는, 소성조건이 서로 다르다. 따라서, 한쪽의 소성조건에 부합하여 소성을 행하는 경우에는, 다른쪽의 소성이 충분히 진행되지 않게 되며, 또한, 양자 소성조건의 중간조건으로 소성을 행하는 경우에는, 페로자성체 1 및 유전체 5가 적당하게 소성되지 않는 문제점이 발생한다.

부가하여, 페로자성체 1 및 유전체 5를 동시에 소성시킬 수 있다하더라도, 원료 조합공정에서 동일 라인(line)을 사용할 수 없으므로, 제조가의 절감이 어렵다.

그러므로, 상술한 문제점을 해결하는 방법으로, 중심도체의 배치부분 및 정합회로를 구성하는 커패시터 형성부분을 동일한 페로자성체 내에 형성하는 방법이 제안되고 있다. 이 방법을 도 4 및 도 5을 참조하여 설명할 것이다.

도 4는 종래 비가역 회로소자의 다른 예를 설명하는 분해 사시도이다. 도 4에 도시된 페로자성체 15에, 다수의 중심도체 및 정합회로를 배치한다. 페로자성체 15 내의 전극구조를 도 5의 분해 사시도에 도시한다.

페로자성체 15에 페로자성체층 15a∼15e가 적층된다. 페로자성체층 15b∼15d의 상면에는, 도 2에 도시된 페로자성체 1의 경우와 유사한, 다수의 중심도체 16a∼16f가 형성된다. 이 구조에서, 중심도체 16a 및 16b의 단면이, 페로자성체층 15b의 상면에서 용량전극 17a에 전기적으로 접속된다. 유사하게, 중심도체 16c 및 16d의 단면이, 페로자성체층 15c의 상면에서 그 위에 형성된 용량전극 17b에 접속되며, 중심도체 16e 및 16f의 단면이, 페로자성체 15d의 상면에서 그 위에 형성된 용량전극 17c에 전기적으로 접속된다.

페로자성체층 15a 및 15e의 상면에는, 접지전극 18a 및 18b가 형성된다. 그러므로, 페로자성체층 15a∼15e를 적층하여, 그 층을 일체소성하여 형성된 페로자성체 15 내에는, 다수의 중심도체 16a∼16f 뿐만 아니라, 정합회로를 구성하는 용량전극 17a∼17c가 배치된다. 이 용량전극 17a∼17c는 접지전극 18a 및 18b와 겹쳐져서 커패시터를 형성한다.

도 4를 참조하면, 페로자성체 15를 단자판 9의 오목부 9a에 삽입하여, 그 위에 영구자석 11을 배치하며, 금속요크 12와 13 사이에서 지지하여 비가역 회로소자를 구성한다.

도 4에 도시된 비가역 회로소자는, 페로자성체 15를 사용하여 다수의 중심도체를 배치한 부분 및 정합회로를 포함한다. 그러므로, 조립공정의 간단화를 이룰 수 있으며, 원료 조합공정에서 다수의 라인을 사용할 필요가 없게 되어, 제조가를 절감할 수 있게 된다. 또한, 중심도체와 정합회로를 땜납 등으로 접합할 필요가 없어, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

그러나, 정합회로를 구성하는 커패시터가 상기한 페로자성체 15에 의해 구성되므로, 페로자성체의 자기손실에 의한 정합회로의 손실이 증가될 수 있으므로, 이에 따라 비가역 회로소자의 삽입손실도 증가될 수 있다.

본 발명은, 상술한 종래의 문제점을 해결하여, 이러한 삽입손실로 인한 비가역 회로소자의 특성을 약화시키지 않으면서, 소형화 및 제조공정의 간단화를 이룬 신뢰성이 우수한 비가역 회로소자를 제공하는 것이다.

본 발명의 폭 넓은 특징에 따르면, 본 발명은 제 1 페로자성체; 제 1 페로자성체에 형성되며, 서로 전기적으로 절연된 상태로 교차하여 배치되는 다수의 중심도체; 제 1 페로자성체에 고착된 제 2 페로자성체; 및 제 2 페로자성체에 형성되며, 다수의 중심도체에 전기적으로 접속되는 정합회로를 포함하여, 제 1 및 제 2 페로자성체의 포화자화가 서로 다른 특징이 있는, 비가역 회로소자를 제공한다.

이 비가역 회로소자에서, 제 1 페로자성체 및 제 2 페로자성체를 일체화로 형성하며, 제 1 페로자성체에 다수의 중심도체를 배치하며, 제 2 페로자성체에 정합회로를 설치한다. 따라서, 다수의 중심도체가 배치되는 부분 및 정합회로를 구성하는 부분이, 페로자성체를 포함함에 따라, 원료 조합공정에서 동일한 라인을 사용할 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 페로자성체의 포화자화가 서로 다르므로, 예를 들면, 제 2 페로자성체의 포화자화가 제 1 페로자성체의 포화자화에 비해 작은 경우, 및 제 2 페로자성체의 포화자화가 제 1 페로자성체의 포화자화에 비해 큰 경우 모두에서, 자성체 손실을 절감시킬 수 있다.

또한, 바람직하게, 제 1 페로자성체에는, 직류자기장을 가하기 위한 자기회로를 설치한다. 이 경우에, 직류자기장을 가하는 자기회로는, 중심도체가 배치되는 부분과 일체화되므로, 조립공정이 한층 더 간단화될 수 있다.

본 발명의 특정 특징에 따르면, 정합회로는 제 2 페로자성체의 자성체층들 사이를 지지하도록 형성된 복수쌍의 용량전극과 접지전극을 포함한다. 이 경우에, 각 용량전극쌍이 다수의 중심도체에 전기적으로 접속되는 커패시터를 형성한다.

또한, 바람직하게는, 제 1 및 제 2페로자성체가 동시에 소성되어 일체화되는 것이다. 그 결과, 제 1 및 제 2 페로자성체의 고착공정을 생략하게 되어, 중심도체와 정합회로 사이의 전기적 접속의 신뢰성을 높일 수 있다.

도 1은 종래 비가역 회로소자의 한 예를 설명하는 분해사시도이다.

도 2는 도 1에 도시된 페로자성체의 분해사시도이다.

도 3은 도 1에 도시된 유전체의 내부구조를 설명하는 분해사시도이다.

도 4는 종래 비가역 회로소자의 다른 예를 설명하는 분해사시도이다.

도 5는 도 4에 도시된 비가역 회로소자에서 페로자성체의 내부구조를 설명하는 분해사시도이다.

도 6은 본 발명의 한 구현예에 따른 비가역 회로소자를 설명하는 분해사시도이다.

도 7은 본 구현예에 사용된 페로자성체를 설명하는 분해사시도이다.

도 8은 본 구현예에 사용된 페로자성체의 외관을 설명하는 분해사시도이다.

도 9는 본 구현예의 비가역 회로소자에서, 자성체 손실을 절감하는 이유를 설명하는 도면으로서, 외부 자기장과 양의 원통편파의 투자율의 허수부 μ+"와의 관계를 도시하는 도면이다.

<도면의 주요 부호에 대한 설명>

11 : 영구자석 12, 13 : 요크

25 : 페로자성체 25A : 제 1 페로자성체

25B : 제 2 페로자성체 25a∼25g : 페로자성체층

26a∼26f : 중심도체 27a∼27c : 접지전극

28a∼28c : 용량전극

이하, 본 발명의 비가역 회로소자의 구조예를 설명한다.

도 6은 본 발명의 구현예에 따른 비가역 회로소자의 분해사시도이다. 도 6에 도시된 구성은, 페로자성체 25의 구조를 제외하고는, 도 4에 도시된 종래 비가역 회로소자와 유사하다.

페로자성체 25 내에 형성된 중심도체 및 정합회로를 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은, 페로자성체 25의 분해사시도이다.

페로자성체 25는, 페로자성체층 25a∼25g를 적층하여, 일체소성한 구조를 갖는다. 페로자성체층 25a∼25d는 제 1 페로자성체 25A를, 페로자성체층 25e∼25g는 제 2 페로자성체 25B를 구성한다.

자성체층 25b의 상면에는, 중심도체 26a 및 26b가 형성된다. 또한, 자성체층25c 및 25d의 상면에는, 중심도체 26c, 26d 및 중심도체 26e, 26f가 형성된다. 중심도체 26a와 26b는 서로 평행이다. 유사하게, 중심도체 26c와 26d도 서로 평행으로 형성되며, 중심도체 26e와 26f도 서로 평행으로 형성된다. 즉, 본 구현예에서는, 주어진 방향으로 연장하는 각 중심도체는, 상술한 바와 같이, 한 쌍의 중심도체를 포함한다.

중심도체 26a, 26b, 중심도체 26c, 26d, 및 중심도체 26e, 26f는 중심 근방에 서로 교차하여 배치된다. 또한 중심도체 26a, 26b, 중심도체 26c, 26d, 및 중심도체 26e, 26f는 페로자성체층 25c와 25d 사이에서 서로 배치되어, 전기적으로 절연된다.

페로자성체층 25a, 25e 및 25g의 상면에는, 접지전극 27a, 27b 및 27c가 형성된다. 페로자성체층 25f의 상면에는, 3개의 용량전극 28a, 28b 및 28c가 형성된다. 용량전극 28a∼28c는, 페로자성체층 25f 및 25g를 통해서 접지전극 27b와 27c와 대향하여, 3개의 커패시터를 형성한다.

중심도체 26a∼26f, 접지전극 27a∼27c 및 용량전극 28a∼28c는, 자성체 그린시트의 상면에 도체 페이스트를 도포하여, 그린시트를 적층한 다음에, 그린시트를 일체소성하여 형성된다. 즉, 페로자성체 25는 일체형 소결체를 포함한다.

도 8에 도시된 바와 같이, 페로자성체 25의 측면에는, 외부전극 29a∼29f가 형성된다. 외부전극 29a, 29c 및 29e는 접지전극 27a, 27b 및 27c에 접속된다. 또한, 외부전극 29a는 중심도체 26a 및 26b의 단면에 접속된다. 외부전극 29c는 중심도체 26c 및 26d의 단면에 접속된다. 외부전극 29e는 중심도체 26e 및 26f의 단면에, 즉 접지 전위에 접속되는 단부들에 전기적으로 접속된다.

다시 말해, 외부전극 29b는 중심도체 26e 및 26f의 다른쪽 단면에 접속된다. 또한, 외부전극 29d 및 29f는 중심도체 26a, 26b 및 중심도체 26c, 26d의 다른쪽 단부에 각각 접속된다.

또한, 외부전극 29b, 29c 및 29f는 용량전극 28c, 28b 및 28a에 각각 전기적으로 접속된다.

그러므로, 페로자성체 25에는, 외부전극 29b, 29d 및 29f가 입출력단자에 접속되는 부분을 구성하며, 외부전극 29a, 29c 및 29e가 접지전극에 접속되는 접속다면을 구성한다.

외부전극 29a∼29f는, 일체소성으로 얻어진 페로자성체 25 위에 도체 페이스트를 도포한 다음에, 이 도체 페이스트를 경화 또는 연소하여 형성된다. 또 다른 방법으로는, 소성에 앞서, 자성체 그린시트를 적층하여, 이 적층체의 측면을 도체 페이스트로 도포한 다음에, 일체소성하여, 자성체를 소성하며 외부전극 29a∼29f를 연소하여 완성할 수도 있다.

상술한 바와 같이, 본 구현예의 페로자성체 25는 다수의 중심도체 26a∼26f 및 접지전극 27a, 27b 뿐만 아니라, 정합회로를 구성하는 용량전극 28a∼28c 및 접지전극 27c를 포함한다. 따라서, 중심도체가 배치되는 부분과 정합회로가 형성되는 부분을 접합하는 성가신 작업을 실행할 필요가 없게 된다. 또한, 접합수가 줄어들게 되어, 신뢰성이 향상된다.

부가하여, 정합회로를 구성하는 부분이 페로자성체를 포함하므로, 동일한 라인를 사용하여 원료 조합공정을 할 수 있게 되어, 정합회로의 가격을 절감시킬 수 있다.

또한, 자성체층 25e∼25g를 포함하는 제 2 페로자성체 25B의 포화자화가, 중심도체가 배치되는 부분의 자성체층, 즉 자성체층 25a∼25d를 포함하는 제 1 페로자성체 25A의 포화자화에 비해 낮으므로, 정합회로의 자성체 손실을 줄일 수 있다.

도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는, 정원통편파(positive circularly polarized wave)의 투자율의 허수부 (μ+")의 외부 자기장에 대한 특성을 도시한다. 도 9에서, 실선은 중심도체를 구성하는 자성체의 μ+"를 나타내며, 점선은 정합회로를 구성하는 페로자성체의 저포화자화 μ+"를 나타낸다. 페로자성체의 자성체 손실은, 부원통편파(negative circularly polarized wave)의 투자율의 허수부가 0에 근접하므로, 상기한 정원통편파의 투자율의 허수부 μ+"의 크기에 비례한다.

다시 말해, 일반적으로, 비가역 회로소자를 도 9에 도시된 영역 A에서 작동하도록 형성한다. 따라서, 정합회로를 형성하는 제 2 페로자성체의 포화자화가, 중심도체가 배치되는 부분의 제 1 페로자성체의 포화자화에 비해 작으므로, 정합회로의 자성체 손실을 줄일 수 있다는 것을 알 수 있다.

본 구현예에서, 제 1 및 제 2 페로자성체 25A 및 25B는 예를 들면 이트륨철가닛 또는 칼슘-바나듐 가닛 등과 같은 마이크로파 페라이트(microwave ferrite)를 포함하여, Y₃Fe_5-zAl_zO₁₂또는 {Ca_3-yY_y}[Fe₂](Fe_1.5+0.5y-zAl_zV_1.5-0.5y)O₁₂(0≤z≤1.0, 0≤y≤3.0)으로 표시된다. 제 2 페로자성체 25B는 마이크로파 페라이트에서 Al량(z값)을 상대적으로 증가시켜, 포화자화를 줄일 수 있다.

본 구현예에서는, 제 2 페로자성체의 포화자화가 제 1 페로자성체의 포화자화에 비해 낮았지만, 반대로 제 2 페로자성체의 포화자화가 제 1 페로자성체의 포화자화에 보다 높을 수도 있다. 이것은 또한 자성체 손실을 줄일 것이다. 즉, 비가역 회로소자는, 일반적으로 도 9에 도시된 영역 A에서 작동될 수 있지만, 또한 영역 B에서도 작동될 수 있다. 이 경우에, 상술한 구현예와 유사한 방법으로, 자성체 손실을 감소시킬 수 있다. 다시 말해, 정합회로를 구성하는 페로자성체의 포화자화를 제 1 페로자성체의 포화자화보다 크게 하여, 정합회로의 자성체 손실을 줄일 수 있다. 그러므로, 정합회로를 구성하는 제 2 페로자성체의 μ+"는, 도 9에서 일점쇄선(one-dot chain line)으로 도시되며, 영역 B에서의 자성체 손실이 줄어든다.

상술한 바와 같이, 제 1 및 제 2 페로자성체 중 하나의 포화자화를 증가시킬 수 있다. 두 경우 모두에서, 정합회로의 자성체 손실을 효과적으로 감소시킬 수 있다.

도 6을 참조하면, 본 구현예의 비가역 회로소자는, 단자판 9의 오목부 9a 내에 수납되며, 단자판 9 상에 형성된 도체패턴 10a∼10f에 전기적으로 접속되는 페로자성체 25를 포함한다. 본 구현예의 단자판 9는 도 1에 도시된 단자판 9와 동일하므로, 동일한 부분은 동일한 참조번호로 나타내며, 그의 설명은 생략한다.

페로자성체 25의 상면에는, 영구자석 11이 고착된다. 영구자석 11로는, 페라이트 등을 포함하여 적당한 영구자석을 사용할 수 있다.

또한, 영구자석 11과 공통으로 금속요크 12, 13도 중심도체가 서로 교차하는 부분에 자기장을 가한다.

비록 도면에 도시되진 않았지만, 페로자성체 25는, 중심도체가 서로 교차하는 부분에 자기장을 가하는 자기회로를 포함한다. 예를 들면, 코일 형상의 도체패턴을 페로자성체 내에 일체형성할 수 있으므로, 코일 형상의 도체패턴에 전기를 통하게 하여 자기장을 발생시킬 수 있다.

또한, 본 구현예에서는, 주어진 레벨에 형성된 각 중심도체가, 한 쌍의 중심도체, 도 7에 도시된 바와 같이, 예를 들면 중심도체 26a 및 26b를 포함하지만, 주어진 레벨에서 주어진 방향으로 연장하는 단일 중심도체도 형성될 수 있다.

다수의 중심도체가 제 1 페로자성체에 형성되며, 정합회로가 제 2 페로자성체에 형성되므로, 소성조건이 완벽하게 다른 조건하에서 소성되는 유전체를 사용할 필요가 없게 되어, 제 1 및 제 2 페로자성체를 개별적으로 소성하는 경우에도, 소성조건을 크게 변경할 필요가 없다. 또한, 제공된 원료의 종류를 줄일 수 있으므로, 제조가를 절감하는 것이 가능하다.

또한, 제 1 및 제 2 폐로자성체의 포화자화가 서로 다르므로, 다시 말해 제 2 페로자성체의 포화자화를 상대적으로 작게 하거나, 상대적으로 크게 하므로, 정합회로의 자성체 손실을 줄일 수 있다. 따라서, 삽입손실이 낮은 소형의 저렴한 비가역 회로소자를 제공하는 것이 가능하다.

게다가, 제 1 페로자성체에 직류 자기장을 가하는 자기회로를 일체로 형성하는 경우에는, 중심도체에 자기장을 가하는 수단을 일체로 설치할 수 있으므로, 한층 더 신뢰성이 우수한 소형의 비가역 회로소자를 제공하는 것이 가능하다.

또한, 정합회로를 형성하는 복수쌍의 용량전극을 설치하는 구조에서, 자성체 그린시트 상에서 소성하여 그 위에 용량전극을 형성한다. 제 2 페로자성체 내에서 정합회로를 구성하는 각 커패시터를 세라믹 소성기술로 용이하게 형성할 수 있다.

게다가, 제 1 및 제 2 페로자성체가 동시에 소성되어 일체화되는 구조에서, 제 1 및 제 2 페로자성체를 고착하는 작업이 필요없게 되므로, 신뢰성이 한층 더 향상된 비가역 회로소자를 제공하는 것이 가능하다. 또한, 제 1 및 제 2 페로자성체를 개별적으로 소성할 필요가 없으므로, 제조공정이 상당히 간략화될 수 있으며, 원료 조합공정에서 동일한 라인을 사용할 수 있게 되어, 제조가를 상당히 절감할 수 있다.

Claims (6)

1. 제 1 페로자성체;

   상기한 제 1 페로자성체에 형성되며, 서로 전기적으로 절연된 상태로 교차하여 배치되는 다수의 중심도체;

   상기한 제 1 페로자성체에 고착된 제 2 페로자성체; 및

   상기한 제 2 페로자성체에 형성되며, 상기한 다수의 중심도체에 전기적으로 접속되는 정합회로를 포함하는 비가역 회로소자로서,

   상기한 제 1 및 제 2 페로자성체의 포화자화가 서로 다른 것을 특징으로 하는 비가역 회로소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기한 제 2 페로자성체의 포화자화가, 상기한 제 1 페로자성체의 포화자화에 비해 작은 것을 특징으로 하는 비가역 회로소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기한 제 2 페로자성체의 포화자화가, 상기한 제 1 페로자성체의 포화자화에 비해 큰 것을 특징으로 하는 비가역 회로소자.
4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기한 제 1 페로자성체에 직류 자기장을 가하는 자기회로를 더 포함함을 특징으로 하는 비가역 회로소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기한 정합회로는 상기한 제 2 페로자성체의 자성체층들 사이에 형성된 다수쌍의 용량전극을 구비하고 있으며, 상기한 다수의 중심도체에 전기적으로 접속되는 상기한 각 용량전극쌍을 포함하는 커패시터는 상기한 다수의 중심도체에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 비가역 회로소자.
6. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기한 제 1 및 제 2 페로자성체는 함께 소성되어, 일체화 되는 자성체를 포함함을 특징으로 하는 비가역 회로소자.

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