KR100256626B1 - 광커넥터용 페룰의 제조방법 및 이에 사용되는금형 - Google Patents

Abstract

본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조방법은 금속 기판 상에 리가 공정에 의하여 중앙 표면에 광섬유 정렬홈과 상기 광섬유 정렬홈의 양측에 가이드핀 정렬홈을 갖는 페룰부를 형성하는 단계와, 상기 금속 기판 상에 형성된 페룰부를 가로 및 세로방향으로 구획되게 상기 금속 기판을 절단하는 단계와, 싱기 절단된 금속 기판을 기계가공하여 상기 페룰부의 가이드핀 정렬홈과 일치되고 상기 페룰부를 지지하도록 지지부를 형성하는 단계와, 상기 페룰부 및 지지부 상에 덮개판을 덮는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

광커넥터용 페룰의 제조방법 및 이에 사용되는 금형

본 발명은 광커넥터에 관한 것으로, 특히 광섬유 사이를 연결하는 광커텍터에 이용되는 광커넥터용 페룰의 제조방법 및 상기 광커넥터용 페룰의 제조에 이용되는 금형에 관한 것이다.

일반적으로, 다심의 광섬유를 연결하는 광커넥터는 페룰, 가이드핀 및 하우징으로 구성된다. 이중에서 상기 페룰은 복수개의 광섬유 정렬홈을 가지고 있으며, 이들 광섬유 정렬홈 각각이 국제규격에서 요구하는 정도의 접속손실을 만족시키기 위해서는 광섬유 단면에서의 반사 및 산란에 의한 손실을 무시하더라도 1.5∼2㎛의 정렬 정밀도를 가져야 한다. 더욱이, 광커넥터는 두 커넥터가 결합되는 구조이므로 각 커넥터는 상기 정렬 정밀도의 절반에 해당하는 정렬 정밀도, 즉 1㎛ 이내의 정렬정밀도를 가져야 한다.

종래의 광커넥터용 페룰은 세라믹 기판의 표면에 기계가공에 의해 정교한 V자 형의 홈을 만들고 이를 광섬유 정렬홈 또는 가이드핀 정렬홈으로 이용하여 광섬유를 정렬한다. 그런데, 이러한 광커넥터용 페룰은 직경 125㎛의 광섬유를 위한 여러 개의 광섬유 정렬홈을 정렬하기 위하여 세라믹 기판을 균일한 깊이 및 폭으로 가공해야 하기 때문에 정렬 정밀도를 1㎛ 이하로 조절하는 데 어려움이 많다. 또한, 상기 세라믹 기판을 모두 기계가공 해야 하기 때문에 가격이 비싸지고 수율이나 생산성이 낮아지는 문제점이 있다.

상기 세라믹 기판의 기계가공을 피하기 위한 종래의 다른 광커넥터용 페룰은 실리콘 기판을 습식식각하여 V자형의 광섬유 정렬홈을 만든 후 이를 이용하여 광섬유를 정렬한다. 이러한 광커넥터용 페룰은 종래와 같이 세라믹 기판의 기계가공은 필요없지만 취약한 실리콘 기판을 정교하게 식각하기 위하여 식각액의 조성, 온도 및 식각시간의 정밀한 제어가 요구되기 때문에 양산화하기기 어렵고 실리콘 기판의 식각을 위한 공정장비 및 청정실 등을 구비해야 하는 어려움이 있다.

따라서, 본 발명의 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결할 수 있는 광커넥터용 페룰의 제조방법을 제공하는 데 있다.

또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 상기 광커넥터용 페룰의 제조시 이용되는 금형을 제공하는 데 있다.

도 1은 본 발명에 의한 광커넥터용 페룰을 도시한 사시도이다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 적용된 리가 공정을 설명하기 위한 도면들이다.

도 3 및 도 4는 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법의 제1 실시예를 도시한 도면이다.

도 5 내지 도 8은 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법의 제2 실시에를 도시한 도면들이다.

도 9 내지 도 11은 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법을 제3 실시예를 도시한 도면들이다.

도 12a 내지 12e는 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법의 제4 실시예를 도시한 단면도이고, 도 12f는 도 12e의 사시도이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조방법은 금속 기판 상에 리가 공정에 의하여 중앙 표면에 광섬유 정렬홈과 상기 광섬유 정렬홈의 양측에 가이드핀 정렬홈을 갖는 페룰부를 형성하는 단계와, 상기 금속 기판 상에 형성된 페룰부를 가로 및 세로방향으로 구획되게 상기 금속 기판을 절단하는 단계와, 싱기 절단된 금속 기판을 기계가공하여 상기 페룰부의 가이드핀 정렬홈과 일치되고 상기 페룰부를 지지하도록 지지부를 형성하는 단계와, 상기 페룰부 및 지지부 상에 덮개판을 덮는 단계를 포함하여 이루어진다.

또한, 본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조방법은 금속 기판 상에 페룰 형상과 반대의 형상을 갖는 복수개의 리가 금형을 형성하는 단계와, 상기 복수개의 리가 금형이 구획되게 상기 금속 기판을 절단하는 단계와, 상기 절단된 금속 기판을 기계가공하여 리가 금형의 하부에 기계가공 금형을 형성하는 단계와, 상기 리가 금형 및 기계가공 금형을 덮도록 하우징을 준비하는 단계와, 상기 하우징에 의하여 덮여진 리가 금형 및 기계가공 금형을 이용하여 플라스틱 사출하는 단계를 포함하여 이루어진다.

상기 금속 기판의 절단시 가로 방향 또는 가로방향과 세로방향으로 절단하여 상기 금속 기판 상에 리가 금형을 하나 또는 복수개 형성할 수 있다.

또한, 본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조방법은 기판 상에 제1 PMMA 쉬트를 부착하는 단계와, 상기 제1 PMMA 쉬트에 페룰과 반대 형태가 흡수체로 패터닝되어 있는 X선 마스크를 이용하여 노광하는 단계와, 상기 노광된 제1 PMMA 쉬트를 현상하여 기판의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 노출된 기판 상에 페룰과 반대 형상의 제1 도금층을 형성하는 단계와, 상기 제1 PMMA 쉬트를 제거하는 단계와, 상기 제1 도금층 상에 제2 PMMA 쉬트를 부착하는 단계와, 상기 제2 PMMA 쉬트를 선행단계와 같이 수행하여 제2 도금층을 형성하는 단계와, 상기 제2 도금층 상에 제3 PMMA 쉬트를 부착하는 단계와, 상기 제3 PMMA 쉬트를 선행단계와 같이 수행하여 제3 도금층을 형성함으로써 리가 금형을 완성하는 단계와, 상기 리가 금형을 덮도록 하우징을 준비하는 단계와, 상기 하우징에 의하여 덮여진 리가 금형을 이용하여 하여 플라스틱 사출하는 단계를 포함하여 이루어진다.

상기 기판은 실리콘, 유리, 알루미나 및 금속중에서 선택된 하나로 이루어지진다.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조시 이용되는 금형은 중앙 표면에 광섬유 정렬홈을 사출 할 수 있는 복수의 제1 볼록부와, 상기 제1 볼록부의 양측에 가이드핀 정렬홈을 사출할 수 있는 제2 볼록부를 갖는 리가 금형과, 상기 리가 금형과 대향하여 상기 제1 볼록부와 제2 볼록부를 지지하도록 조립된 기계가공 금형과, 상기 리가 금형 및 기계가공 금형을 둘러싸 플라스틱을 사출할 수 있는 하우징을 포함하여 이루어진다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 광커넥터용 페룰을 도시한 사시도이다.

구체적으로, 본 발명의 광커넥터용 페룰은 중앙 표면에 복수개의 광섬유가 유입되어 정렬되는 광섬유 정렬홈(1)과 상기 광섬유 정렬홈(1)의 양측에 가이드핀 정렬홈(3)을 갖는 페룰부(5)와, 상기 페룰부와 대향하여 상기 가이드핀 정렬홈과 매칭하여 지지하도록 조립된 지지부(7)와, 상기 페룰부(5)와 지지부(7)를 상부에서 덮는 누름판(9)으로 구성된다.

특히, 본 발명의 광커넥터용 페룰의 페룰부(5)는 정밀도가 높이 요구되는 부분이기 때문에 후술되는 바와 같은 리가공정에 의하여 제작되어 정밀도를 높게 하고, 상기 지지부(7) 및 누름판(9)은 정밀도가 좀 낮아도 되므로 일반적인 기계가공에 의하여 제작된다.

다음에, 본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조방법을 설명한다. 먼저, 본 발명에 적용된 리가공정(LIGA: LIgathografie Galvanoformung Abformung)을 도 2a 내지 도 2d를 이용하여 설명한다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 적용된 리가 공정을 설명하기 위한 도면들이다.

일반적으로, 리가공정(LIGA process)은 3차원의 미세구조물을 만드는 데 이용되는데, X-레이를 이용한 사진식각(deep-etch X-ray lithography), 전기도금(electroforming) 및 플라스틱 몰딩(plastic moulding)의 세가지 단계로 이루어진 미세가공기술이다.

구체적으로, 플레이팅 베이스, 예컨대 Ti나 Ti/Ni가 형성된 기판(11) 또는 금속 기판(11) 상에 X선에 반응할 수 있는 PMMA(polymethylmethacrylate) 또는 수지막으로 이루어진 물질막(13)을 형성한다. 이어서, 제작하고자 하는 형상이 패터닝된 X선 마스크(15)를 이용하여 상기 물질막(13)에 X선을 조사하여 노광한다. 상기 X선 마스크에 있어서 X선에 대해 흡수체가 형성된 흡수체 부분은 X선이 투과하지 못하고 흡수체가 없는 부분에는 X선이 투과하여 물질막을 노광시키게 된다 (도 2a 참조).

다음에, 노광된 물질막(13)에 X선이 조사된 부분과 조사되지 않은 부분의 현상속도 차이를 이용하는 현상공정을 수행한다. 이렇게 되면, 기판(11)의 일부분이 노출되도록 패턴들(17)이 형성된다(도 2b 참조).

다음에, 노출된 기판(51) 상에 금속막, 예컨대 Ni나 NiP를 도금한다. 이렇게 되면, 상기 패턴들(17) 사이의 노출된 기판(11) 상에 금속막(19)이 도금된다(도 2c 참조).

계속하여, 상기 물질막(53)을 제거한 후 도금 구조물을 기판에서 분리하면 하나의 리가공정에 의한 3차원 구조물(20)이 완성된다(도 2d 참조).

상기 리가 공정에 의한 3차원 구조물은 X선 마스크의 형태에 의존하게 되므로 리가 공정시 나타나는 오차는 X선 마스크 제조시 나타나는 오차와 직접 관계된다. X선 마스크는 서브 마이크론 단위의 오차를 가지므로, X선 마스크를 이용하여 리가 금형를 제작하면 도금 구조물의 크기를 0.1㎛ 정도까지 조절할 수 있다. 따라서, 다심 광커넥터용 페룰에서 요구되는 1㎛이하의 정밀도를 쉽게 구현할 수 있다. 또한, X선 마스크의 반복 사용이 가능하므로 가공 오차 0.1㎛급의 초정밀 리가 금형의 반복 제작 및 다량 생산이 가능하다.

도 3 및 도 4는 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법의 제1 실시예를 도시한 도면이다.

구체적으로, 금속 기판(21) 상에 상술한 리가 공정에 의하여 복수의 페룰부(5)를 제조한다. 상기 페룰부(5)는 중앙 표면에 광섬유 정렬홈(1)와 상기 광섬유 정렬홈(1)의 양측에 가이드핀 정렬홈(3)을 포함한다. 이어서, 상기 페룰부(5)가 형성된 금속 기판(21)을 화살표로 도시한 바와 같이 가로 및 세로 방향으로 구획되게 절단한다(도 3 참조).

이렇게 되면, 금속 기판(21) 상에 하나의 페룰부(5)가 형성되어 있는 상태가 된다. 이어서, 상기 금속 기판(21)을 기계가공하여 도 1과 같이 가이드핀 정렬홈(3)과 매칭되고 상기 페룰부(5)를 지지하도록 지지부(도 1의 7)를 형성한다. 다음에, 상기 페룰부(5) 및 지지부(도 1의 7) 상에 덮개판(도 1의 9)을 덮으므로써 광커넥터용 페룰이 완성된다 (도 4 참조).

도 5 내지 도 8은 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법의 제2 실시에를 도시한 도면들이다.

구체적으로, 도 5 내지 도 8은 리가 공정을 이용하여 바로 광커넥터용 페룰을 제조하지 않고, 리가 공정을 이용하여 페룰 제조용 금형을 만들고 이를 이용하여 페룰을 제조한다. 여기서는 페룰 제조용 금형의 제조방법에 대하여만 설명한다.

먼저, 금형의 소재가 되는 금속 기판(31) 상에 리가공정을 이용하여 페룰 형상과 반대의 모양을 갖는 리가 금형(33)을 복수개 형성한다. 상기 리가 금형(33)은 중앙 표면에 광섬유 정렬홈을 사출 할 수 있는 복수의 제1 볼록부(35)와, 상기 제1 볼록부(35)의 양측에 가이드핀 정렬홈을 사출할 수 있는 제2 볼록부(37)를 갖는다(도 5 참조).

이어서, 도 5의 화살표로 도시한 바와 같이 상기 리가 금형(33)의 가로 방향으로 상기 리가 금형(33)이 복수개로 구획되게 상기 금속 기판(31)을 절단한다. 이렇게 되면, 금속 기판(31) 상에 리가공정에 의해 제작된 리가금형(33)이 복수개 형성된다. 다음에, 상기 절단된 금속 기판(31)을 기계가공하여 상기 리가 금형(33)의 하부에 기계가공 금형(39)이 제작된다. 상기 기계가공 금형(39)은 상기 리가 금형과 대향하여 상기 제2 볼록부(37)를 매칭되도록 제3 볼록부(41)를 구비한다. 이렇게 되면, 리가 공정에 리가 금형(33)과 기계가공에 의한 기계가공 금형(39)이 일체형으로 된다 (도 6 및 7 참조).

다음에, 상기 리가 금형(33) 및 기계가공 금형(39)을 둘러싸 플라스틱을 사출할 수 있는 하우징(43)을 준비한 후 이를 결합하여 최종적으로 광커넥터 페룰 제조형 금형을 완성한다. 이렇게 완성된 페룰 제조용 금형을 이용하여 플라스틱 사출한다. 이렇게 되면, 도 1과 같은 광커넥터용 페룰이 형성된다 (도 8 참조).

도 9 내지 도 11은 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법을 제3 실시예를 도시한 도면들이다.

도 9 내지 도 11은 리가 공정을 이용하여 바로 광커넥터용 페룰을 제조하지 않고, 리가 공정을 이용하여 페룰 제조용 금형을 만들고 이를 이용하여 페룰을 제조한다. 여기서는 페룰 제조용 금형의 제조방법에 대하여만 설명한다.

특히, 도 5 내지 도 8은 리가 금형이 형성된 금속 기판을 가로방향을 절단하여 복수개의 리가 금형을 제조하였으나, 도 9 내지 도 11은 리가 금형이 형성된 금속 기판을 가로 방향과 세로 방향으로 절단하여 하나의 리가 금형을 제조한다.

구체적으로, 금형의 소재가 되는 금속 기판(51) 상에 리가공정을 이용하여 페룰 형상과 반대의 형상을 갖도록 복수개의 리가 금형(53)을 형성한다. 상기 리가 금형은(53) 중앙 표면에 광섬유 정렬홈을 사출 할 수 있는 복수의 제1 볼록부(55)와, 상기 제1 볼록부(55)의 양측에 가이드핀 정렬홈을 사출할 수 있는 제2 볼록부(57)를 갖는다 (도 9 참조).

이어서, 도 9의 화살표로 도시한 바와 같이 상기 리가 금형(53)의 가로 및 세로 방향으로 상기 리가 금형(53)이 하나로 구획되게 상기 금속 기판(51)을 절단한다. 이렇게 되면 금속 기판(51) 상에 리가공정에 의해 제작된 리가금형(53)이 형성된다 (도 10 참조).

다음에, 상기 절단된 금속 기판(51)을 기계가공하여 기계가공 금형(59)이 제작된다. 상기 기계가공 금형(59)은 상기 리가 금형(53)과 대향하여 상기 제2 볼록부(57)과 매칭되도록 제3 볼록부(61)를 구비한다. 이렇게 되면, 리가 공정에 리가 금형(53)과 기계가공에 의한 기계가공 금형(61)이 일체형으로 된다. 다음에, 상기 리가 금형(53) 및 기계가공 금형(59)을 둘러싸 플라스틱을 사출할 수 있는 하우징(63)를 준비한 후, 이를 결합하여 최종적으로 광커넥터 페룰 제조형 금형이 완성된다. 이렇게 완성된 페룰 제조용 금형을 이용하여 플라스틱 사출한다. 이렇게 되면, 도 1과 같은 광커넥터용 페룰이 형성된다.

도 12a 내지 12e는 리가 공정을 이용한 본 발명의 페룰 제조방법의 제4 실시예를 도시한 단면도이고, 도 12f는 도 12e의 사시도이다.

도 12a 내지 12e는 리가 공정을 이용하여 바로 광커넥터용 페룰을 제조하지 않고 리가 공정을 이용하여 페룰 제조용 금형을 만들고 이를 이용하여 페룰을 제조한다. 여기서는 페룰 제조용 금형의 제조방법에 대하여만 설명한다. 특히, 도 12a 내지 12e는 기계가공을 이용하지 않고 페룰 제조형 금형을 리가 공정에 의해서만 제조한다.

구체적으로, 기판(71), 예컨대 실리콘, 유리, 알루미나 또는 금속으로 이루어진 기판(71) 상에 X선과 반응할 수 있는 제1 PMMA(polymethylmethacrylate) 쉬트(73)를 부착한다(도 12a 참조). 이어서, 페룰 형태와 반대의 흡수체로 패터닝되어 있고 상기 흡수체 주위에 비흡수체가 패터닝된 X선 마스크(75)를 이용하여 상기 제1 PMMA 쉬트(73)에 X선을 조사하여 노광한다. 상기 X선 마스크(75)에 있어서 X선에 대해 흡수체가 형성된 흡수체 부분(77)은 X선이 투과하지 못하고 흡수체가 없는 비흡수체 부분(79)에는 X선이 투과하여 물질막(73)을 노광시키게 된다 (도 12b 참조).

다음에, 노광된 제1 PMMA 쉬트(73)에 X선이 조사된 부분과 조사되지 않은 부분의 현상속도 차이를 이용하는 현상공정을 수행하여 기판의 일부분을 노출시킨다. 다음에, 상기 기판의 노출된 부분에 전기도금을 수행하여 제1 도금층(77)을 형성한 후 상기 제1 PMMA 쉬트(73)를 제거한다(도 12c 참조).

다음에, 상기 제1 도금층(77)이 형성된 기판(71)의 전면에 제2 PMMA 쉬트(79)를 붙인다 (도 12d 참조). 이어서, 상기 선행공정을 수행하여 제2 도금층(81)을 형성한다. 계속하여, 상기 제2 도금막(81)층 상에 제3 PMMA 쉬트(도시 안됨)를 부착한 후 선행 공정을 수행하여 제3 도금층(83)을 형성함으로써 리가공정으로만 형성되는 리가 금형(85)을 완성한다 (도 12e 및 12f 참조). 이어서, 도 11에 도시한 바와 같이 상기 리가 금형(85)을 덮도록 하우징(도시 안됨)을 준비한다. 상기 하우징에 의하여 덮여진 리가 금형으로 플라스틱 사출하여 광커넥터의 페룰을 제조한다.

상술한 바와 같이 본 발명의 광커넥터용 페룰은 리가 공정을 이용하여 제작된 금형을 이용하여 만들기 때문에 1㎛이하의 정밀도를 갖고, 더욱이 상기 금형은 반복하여 제작할 수 있어 저가격, 대량 생산이 가능하다.

또한, 본 발명의 광커넥터용 페룰은 페룰부만을 리가 금형에 의하여 사출하여 제조되기 때문에 손쉽게 종래의 세라믹 기계가공에 의한 페룰 생산을 대체할 수 있다.

Claims (6)

1. 금속 기판 상에 리가 공정에 의하여 중앙 표면에 광섬유 정렬홈과 상기 광섬유 정렬홈의 양측에 가이드핀 정렬홈을 갖는 페룰부를 형성하는 단계;

   상기 금속 기판 상에 형성된 페룰부를 가로 및 세로방향으로 구획되게 상기 금속 기판을 절단하는 단계;

   싱기 절단된 금속 기판을 기계가공하여 상기 페룰부의 가이드핀 정렬홈과 일치되고 상기 페룰부를 지지하도록 지지부를 형성하는 단계; 및

   상기 페룰부 및 지지부 상에 덮개판을 덮는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광커넥터의 페룰 제조방법.
2. 금속 기판 상에 페룰 형상과 반대의 형상을 갖는 복수개의 리가 금형을 형성하는 단계;

   상기 복수개의 리가 금형이 구획되게 상기 금속 기판을 절단하는 단계;

   상기 절단된 금속 기판을 기계가공하여 리가 금형의 하부에 기계가공 금형을 형성하는 단계;

   상기 리가 금형 및 기계가공 금형을 덮도록 하우징을 준비하는 단계; 및

   상기 하우징에 의하여 덮여진 리가 금형 및 기계가공 금형을 이용하여 플라스틱 사출하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광커넥터의 페룰 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 금속 기판의 절단시 가로 방향 또는 가로방향과 세로방향으로 절단하여 상기 금속 기판 상에 리가 금형을 하나 또는 복수개 형성하는 것을 특징으로 하는 광커넥터의 페룰 제조방법.
4. 기판 상에 제1 PMMA 쉬트를 부착하는 단계;

   상기 제1 PMMA 쉬트에 페룰과 반대 형태가 흡수체로 패터닝되어 있는 X선 마스크를 이용하여 노광하는 단계;

   상기 노광된 제1 PMMA 쉬트를 현상하여 기판의 일부를 노출시키는 단계;

   상기 노출된 기판 상에 페룰과 반대 형상의 제1 도금층을 형성하는 단계;

   상기 제1 PMMA 쉬트를 제거하는 단계;

   상기 제1 도금층 상에 제2 PMMA 쉬트를 부착하는 단계;

   상기 제2 PMMA 쉬트를 선행단계와 같이 수행하여 제2 도금층을 형성하는 단계;

   상기 제2 도금층 상에 제3 PMMA 쉬트를 부착하는 단계;

   상기 제3 PMMA 쉬트를 선행단계와 같이 수행하여 제3 도금층을 형성함으로써 리가 금형을 완성하는 단계;

   상기 리가 금형을 덮도록 하우징을 준비하는 단계; 및

   상기 하우징에 의하여 덮여진 리가 금형을 이용하여 하여 플라스틱 사출하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광커넥터의 페룰 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리, 알루미나 및 금속중에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 광커넥터용 페룰의 제조방법.
6. 중앙 표면에 광섬유 정렬홈을 사출 할 수 있는 복수의 제1 볼록부와, 상기 제1 볼록부의 양측에 가이드핀 정렬홈을 사출할 수 있는 제2 볼록부를 갖는 리가 금형;

   상기 리가 금형과 대향하여 상기 제1 볼록부와 제2 볼록부를 지지하도록 조립된 기계가공 금형; 및

   상기 리가 금형 및 기계가공 금형을 둘러싸 플라스틱을 사출할 수 있는 하우징을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광커넥터의 페룰 제조용 금형.

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