KR100253097B1 - 반도체소자제조용폐가스정화시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버로부터 배출되는 폐가스를 습식정화용 폐가스와 건식정화용 폐가스로 분리하는 가스분리장치; 상기 가스분리장치로부터 배출된 습식정화용 폐가스를 정화하기 위하여 상기 가스분리장치에 연결된 습식정화장치; 상기 가스분리장치로부터 배출된 건식정화용 폐가스를 정화하기 위하여 상기 가스분리장치에 연결된 건식정화장치 및 상기 습식정화장치 및 건식정화장치를 통과한 폐가스에 잔류하는 미정화가스를 정화하기 위하여 상기 습식정화장치 및 건식정화장치에 연결된 물분무장치를 구비하여 이루어진다.
따라서, 여러 종류의 화학적 성질을 가진 다종의 폐가스를 종래에 습식정화장치와 건식정화장치를 각각 수행하는 정화방법에서 상기 습식정화장치와 건식정화장치를 하나의 장비로 통합하여 정화를 함으로써 상기 정화장치의 구입비용 절감 및 여러 부대비용을 절감하는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템{Purifier of waste gas for semiconductor device fabricating}
본 발명은 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 여러 종류의 화학적 성질을 가지고 있는 반도체소자 제조 후 배기된 가스를 하나의 장비로 동시에 정화할 수 있는 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템에 관한 것이다.
반도체소자의 제조는 통상 증착공정, 이온주입공정, 사진공정 및 식각공정 등의 공정들을 수행하여 이루어진다.
상기 각각의 공정은 반도체용 특수가스를 사용한다. 그러므로 상기 공정들에 사용한 반응가스 및 미반응 가스를 포함하는 폐가스는 독성, 폭팔성 및 부식성 등을 함유하고 있어, 이러한 독성을 제거하고 대기중으로 배출하여야 한다.
상기 폐가스를 정화하는 방법에는 일반적으로 습식(Wet)정화방법 및 건식(Dry)정화방법으로 나눌 수 있다.
상기 습식(Wet)정화방법은 주로 산과 알칼리의 중화반응 및 가스의 물에 대한 용해도를 이용하는 정화방법이다. 반면, 상기 건식(Dry)정화방법은 독성제거용 물질과 폐가스의 화학반응에 의한 분해를 통한 정화방법이다.
상기 폐가스에는 여러 종류의 가스를 포함하고 있으며, 화학적 특징 또한 다르다. 그러므로 상기 반도체소자 제조공정에서 발생하는 폐가스를 정화하기 위하여 다양한 정화장비가 필요하다.
즉, 종래에는 상기 정화장비는 상기 폐가스의 종류에 따라 다른 정화장비를 설치하여 사용해 왔다.
상기와 같이 다양한 정화장비가 필요함에 따라 상기 정화장비의 구입 비용 및 여러 부대비용 등의 원가상승의 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 여러 종류의 가스를 포함하며, 서로 다른 화학적 성질을 갖고 있는 폐가스를 하나의 장비로 동시에 정화할 수 있는 반도체소자 제조 후 배기되는 폐가스의 정화장비를 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템을 나타내는 개략적인 구성도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템의 가스분리장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템의 건식정화장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 ; 압축기 2 ; 레귤레이터
3 ; 엠에프시(MFC) 4 ; 유입구
5 ; 습식정화분리구 6 ; 건식정화분리구
7 ; 멤브레인 8 ; 가스분리장치
10 ; 습식정화장치 12 ; 분리막
14 ; 레밸센서 16 ; 산도센서
18 ; 수산화칼륨 저장탱크 20 ; 제 1 자동밸브
22 ; 드레인관 24 ; 제 2 자동밸브
26 ; 건식정화장치 28 ; 소다라임
30 ; 가스관 32 ; 열전기 온도계
34 ; 송풍장치 36 ; 송풍팬
38 ; 제 1 체크밸브 40 ; 제 2 체크밸브
42 ; 물 분무장치 44 ; 물 분무기
46 ; 배기관 48 ; 리턴관
50 ; 독성감지센서 52 ; 제 4 자동밸브
54 ; 제 3 자동밸브
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템는 공정챔버로부터 배출되는 폐가스를 습식정화용 폐가스와 건식정화용 폐가스로 분리하는 가스분리장치, 상기 가스분리장치로부터 배출된 습식정화용 폐가스를 정화하기 위하여 상기 가스분리장치에 연결된 습식정화장치, 상기 가스분리장치로부터 배출된 건식정화용 폐가스를 정화하기 위하여 상기 가스분리장치에 연결된 건식정화장치 및 상기 습식정화장치 및 건식정화장치를 통과한 폐가스에 잔류하는 미정화가스를 정화하기 위하여 상기 습식정화장치 및 건식정화장치에 연결된 물분무장치를 구비하여 이루어진다.
상기 가스분리장치는 상기 폐가스를 구성하는 각 가스의 입자크기를 기준으로 상기 습식정화용 폐가스와 건식정화용 폐가스로 분리할 수 있는 멤브레인으로 구성할 수 있다.
상기 가스분리장치 전단에는 상기 폐가스를 가압할 수 있는 압축기가 더 부착될 수 있다.
상기 압축기와 상기 가스분리장치 사이에 상기 가압된 폐가스의 압력을 조절하기 위한 레귤레이터가 부착될 수 있다.
상기 레귤레이터와 상기 가스분리장치 사이에는 상기 폐가스의 유량을 조절하기 위한 유량조절계가 부착될 수 있다.
상기 유량조절계는 플로우미터(Flowmeter) 또는 엠에프시(MFC : Mass Flow Controller )일 수 있다.
상기 습식정화장치는 폐가스정화용 케미컬이 수용되는 배쓰의 형태로써 복수개의 케미컬 분리막이 배쓰의 바닥 및 천정으로부터 엇갈려 일정 길이만큼 연장형성되어 폐가스가 상기 케미컬을 통과할 수 있도록 구성될 수있다.
상기 습식정화장치에는 케미컬 저장탱크가 자동밸브를 개재하여 연결되었으며, 상기 배쓰에는 레벨센서가 구비되어 있으며 상기 케미컬이 배쓰내에 항상 일정범위의 양을 유지할 수 있도록 상기 레벨센서의 신호에 의해 제어되는 자동밸브에 의해 상기 케미컬이 자동공급될 수 있다.
상기 배쓰의 하단부에는 드레인관이 형성될 수 있다.
상기 습식정화용 폐가스는 강산성을 띠는 HCl, BCl3, HBr, Cl 또는 Br 등인 폐가스를 정화할 수 있다.
상기 습식정화장치에 수용되는 케미컬은 수산화칼륨(KOH)일 수 있다.
상기 배쓰에는 상기 케미컬의 산도(PH)를 측정하는 산도센서가 더 부착되어 있으며, 상기 산도센서에서 측정된 산도값과 설정값 10과 비교판단하여 상기 케미컬 저장탱크와 배쓰 사이의 자동밸브의 개폐를 제어할 수 있다.
상기 산도센서에서 측정된 산도를 표시할 수 있는 표시장치가 더 설치될 수 있다.
상기 배쓰에는 지시약인 페놀프탈레인을 이용하여 상기 지시약의 색상변화에 따라 상기 케미컬의 산도를 알 수 있다.
상기 건식정화장치는 특정 용기내에 상기 건식정화용 폐가스를 건식정화할 수 있는 충진물을 포함될 수 있다.
상기 건식정화용 폐가스는 하이드라이드(Hydride) 계통의 가스인 SiH4, PH3, AsH3또는 B2H6것 일 수 있다.
상기 충진물은 소다라임(SODA LIME : 탄산칼슘) 일 수 있다.
상기 건식정화장치에는 열전기 온도계(Thermocouple)가 길이방향을 따라 복수개 장착되어 있어, 상기 폐가스와 상기 충진물과의 화학반응의 온도를 감지하여 전기적인 출력신호로 증폭기에 의하여 증폭되고, 아날로그 또는 디지탈 변환장치 등에 의하여 표시장치로 표시될 될 수 있다.
상기 건식정화장치는 상기 폐가스가 통과하는 가스관이 스프링 형태로 되어 상기 충진물속에 내재되어 있으며 상기 폐가스와 상기 건식정화 충진물과의 화학반응면적을 확장하기 위하여 다수의 미세구멍이 형성될 수 있다.
상기 습식정화장치 및 상기 건식정화장치 다음에는 상기 습식정화장치 및 상기 건식정화장치에 양방으로 연결되며, 상기 양방에는 가스의 역류를 방지하는 체크밸브가 설치되어 있으며, 상기 폐가스를 상기 물 분무장치로 불어내는 팬이 내장된 송풍장치가 설치될 수 있다.
상기 물 분무장치는 상기 폐가스가 통과하면서 잔류하는 암모니아(NH3) 같은 미반응 강 알칼리성 가스가 정화될 수 있도록 천정에 다수의 물 분무기가 설치될 수 있다.,
상기 물 분무장치 다음에는 단부에 자동밸브를 개재한 배기관이 형성되어 있으며, 상기 배기관 일측에는 자동밸브가 개재한 리턴관이 형성될 수 있다.
상기 물 분무장치와 상기 리턴관 사이에는 상기 정화된 폐가스의 정화수준을 감지하는 독성감지센서가 부착되어 있어 독성감지에 따라 상기 배기관의 자동밸브에 신호를 주어 자동으로 닫고, 상기 리턴배관의 자동밸브를 열어 상기 폐가스를 상기 리턴배관으로 흘러가게 할 수 있다.
상기 독성감지센서는 측정한 독성수준을 아날로그 또는 디지탈 변환장치 등에 의하여 표시장치로 표시될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템을 나타내는 개략적인 구성도이다.
도1에서 보는 바와 같이 공정챔버(표기안함)로부터 반도체소자 제조공정을 수행하고 배출되는 폐가스는 압축기(1)에 의해 압축되어 가스분리장치(8)로 유입된다. 상기 유입되는 폐가스는 레귤레이터(2)에 의하여 압력이 조절되며, 상기 유입되는 유량은 엠에프시(3)에 의하여 조절되어 상기 가스분리장치(8)로 유입된다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템의 가스분리장치의 모습을 나타내는 도면이다.
도2에서 보는 바와 같이 상기 가스분리장치(8) 내에는 상기 폐가스를 분리하는 멤브레인(7)이 있으며, 유입구(4)로 유입된 상기 폐가스는 상기 멤브레인(7)에 의하여 입자의 크기에 따라 입자가 큰 폐가스는 상기 멤브레인(7)에서 반응되어 건식정화분리구(6)를 통해 건식정화장치(26)로 흘러가고, 입자가 작은 폐가스는 습식정화분리구(5)를 통해 바로 습식정화장치(10)로 흘러간다.
상기 가스분리장치(8)를 통과한 상기 폐가스는 상기 습식정화장치(10)에서 폐가스정화용 케미컬인 수산화칼륨(11)이 분리막(12)에 의해 분리되어 담겨있는 배쓰를 통과한다. 상기 폐가스는 다수의 상기 수산화칼륨(11) 분리막(12)이 형성되어 있어 다수번 상기 수산화칼륨(11)을 통과하며 중화된다.
이때 상기 습식정화장치(10)는 상기 폐가스 내에 포함되어 있는 HCl, BCl3, HBr, Cl 또는 Br 등과 같은 강산성 물질이 중화된다. 상기 습식정화장치(10)의 배쓰에는 수산화칼륨(11)의 산도를 측정할 수 있는 산도감지센서(16)가 부착되어 있다. 상기 산도감지센서(16)는 상기 폐가스를 중화함에 따라 변하는 상기 수산화칼륨(11)의 산도를 측정하여, 미리 설정하여 놓은 설정값과 비교판단하여 산도가 10 이상 되면, 상기 배쓰 하단부에 위치한 드레인관(22)의 제 2 자동밸브(24)가 열리면서 폐 수산화칼륨(11)은 배출되고 상기 배쓰 상단부에 위치한 수산화칼륨 저장탱크(18)에 신호를 주어 제 1 자동밸브(20)가 열리면서 상기 배쓰 내로 새로운 수산화칼륨(11)이 공급된다. 상기 자동밸브는 전기적인 신호에 따라 작동하는 솔레노이드밸브를 사용한다.
상기 배쓰에는 상기 수산화칼륨(11)의 내재량을 측정하는 레밸센서(14)가 부착되어 있어 항상 일정한 상기 수산화칼륨(11)을 배쓰 내로 공급할 수 있다.
또한 상기 배쓰에는 페놀프탈렌 같은 지시약을 이용하여 상기 수산화칼륨의 산도를 표시하는 장치(표시안함)가 부착되어 있어 상기 지시약의 색깔변화를 확인하여 항상 상기 수산화칼륨(11)의 산도의 정도를 알 수 있다. 또한 상기 산도센서(16)는 측정한 산도를 아날로그 또는 디지탈 변환장치 등에 의하여 표시장치(표시안함)인 LED로 표시하여 멀리서도 확인할 수 있다.
상기 가스분리장치(8)를 통과한 상기 폐가스는 상기 건식정화장치(26)에서 소다라임(SODA LIME : 탄산칼슘) 같은 충진물(28)이 내장된 용기를 통과한다.
상기 소다라임은 SiH4, PH3, AsH3또는 B2H6등과 같은 하이브리드 계통의 가스를 고형(Solid)의 생성물, 수분(H2O) 및 수소(H2)로 분해시킨다.
상기 건식정화장치(26)의 상단부에는 상기 폐가스와 상기 소다라임의 분해반응에 의한 열을 감지하는 열전기 온도계(32)가 있어 상기 소다라임(28)의 교체시기를 알려준다. 즉, 상기 소다라임(28)이 장시간 동안 상기 분해화학반응을 수행하면 상기 소다라임(28)의 성능이 감소하여 상기 분해반응이 잘 일어나지 않아 열이 발생하지 않는다. 그러므로 상기 열전기 온도계(32)가 측정한 온도를 보고 상기 소다라임(28)의 교체시기를 알 수 있다.
상기 소다라임(28)은 상기 반응관의 전체에서 상기 분해반응이 일어나기 때문에 상기 열전기 온도계(32)는 상기 소다라임(28)의 여러 위치에서 상기 분해반응 온도를 측정하기 위하여 둘 이상의 복수개가 길이방향을 따라 일정한 간격으로 위치하고 있다. 상기 열전기 온도계(32)에 의하여 측정된 온도는 아날로그 또는 디지탈 변환장치 등에 의하여 표시장치(표시안함)인 LED로 표시하여 멀리서도 확인할 수 있다. 또한 상기 건식정화장치(26)는 수직형태로도 만들 수 있다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템의 건식정화장치의 모습을 나타내는 개략적인 도면이다.
도3에서 보는 바와 같이 상기 용기 내부에 위치한 가스관(30)은 스프링 형태로 구성되어 있으며, 상기 가스관(30)에는 상기 폐가스와 상기 소다라임(28)의 분해반응 면적을 확장하기 위하여 다수의 미세구멍(29)들이 형성되어 있다. 즉, 상기 다수의 미세구멍(29)이 형성되어 있는 가스관(30)은 상기 소다라임(28)의 가스흐름방향으로 2/3 지점까지 연장형성되어 있어 상기 폐가스와 상기 소다라임(28)과의 반응을 원활하게 하고 반응공간을 넓게한다.
상기 습식정화장치(10) 또는 건식정화장치(26)를 통과한 상기 폐가스는 상기 습식정화장치(10) 또는 건식정화장치(26)에 양방으로 연결되며 역류방지 제 1 체크밸브(38) 및 제 2 체크밸브(40)가 부착되어 있는 송풍장치(34)를 통과한다. 그러므로 상기 습식정화장치(10) 또는 건식정화장치(26)를 통과한 상기 폐가스는 역류되지 않고 다음 물 분무장치(42)로 흘러간다.
상기 송풍장치(34)에는 팬(36)이 형성되어 있어 상기 폐가스를 물 분무장치(42)로 신속하게 불어낸다.
상기 물 분무장치(42)의 상단부에는 다수의 물 분무기(44)가 설치되어 있어 상기 물 분무장치(42)를 통과하는 상기 폐가스 위로 물을 분무한다. 상기 물 분무장치(42)는 상기 습식정화장치(10) 또는 건식정화장치(26)에서 정화하지 못한 용해성이 강한 암모니아(NH3) 같은 강알칼리성가스를 정화한다. 상기 물 분무장치(42)에는 배기관(46)이 형성되어 있어, 상기 정화장치를 통과한 정화된 가스를 대기중으로 배출한다. 상기 배기관(46)에는 독성감지센서(50)가 부착되어 있어 상기 습식정화장치(10), 건식정화장치(26) 및 물 분무장치(42)를 통과하여 정화된 폐가스의 독성을 감지한다.
상기 독성감지센서(50)에 독성이 감지되면 상기 배기관(46)에 형성되어 있는 제 3 자동밸브(54)를 차단하고 리턴관(48)에 형성되어 있는 제 4 자동밸브(52)를 열어 상기 폐가스를 흐르게 한다.
상기 리턴관(48)은 상기 정화된 폐가스를 상기 독성감지센서(50)가 독성을 감지했을 때 상기 폐가스를 재 정화하기 위하여 상기 폐가스가 다시 상기 맴브레인을 통과하도록 하여 재 정화공정을 수행한다.
따라서, 본 발명에 의하면 상술한 바와 같이 반도체소자 제조공정을 수행한 여러 종류의 화학적 성질을 가진 다종의 폐가스를 종래에 습식정화장치 또는 건식정화장치를 통해 각각 수행하는 정화방법에서 상기 습식정화장치 와 건식정화장치를 하나의 장비로 통합하여 정화를 함으로써 상기 정화장치의 구입 비용 절감 및 여러 부대비용을 절감하는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (26)

  1. 반도체소자 제조공정의 수행에 의해서 발생한 폐가스 정화시스템에 있어서,
    공정챔버로부터 배출되는 폐가스를 구성하는 각 가스의 입자크기를 기준으로 습식정화용 폐가스와 건식정화용 폐가스로 분리하는 멤브레인을 구비한 가스분리장치;
    폐가스 정화용 케미컬이 수용되는 배쓰의 형태로써 복수개의 케미컬 분리막이 배쓰의 바닥 및 천장으로부터 엇갈려 일정 길이만큼 연장형성되어 상기 가스분리장치로부터 배출된 상기 습식정화용 폐가스가 케미컬을 통과하도록 구성된 습식정화장치;
    상기 건식정화용 폐가스가 통과하는 스프링 형태로 이루어지고, 표면에 상기 건식정화용 폐가스가 방출되는 복수의 미세구멍이 형성된 가스관과 상기 가스관 주변부에 충진되어 상기 미세구멍을 통해서 방출되는 상기 건식정화용 폐가스를 정화할 수 있는 충진물을 구비하는 건식정화장치; 및
    상기 습식정화장치 및 건식정화장치를 통과한 폐가스에 잔류하는 미정화가스를 정화하기 위하여 상기 습식정화장치 및 건식정화장치에 연결된 물 분무장치;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스분리장치 전단에는 상기 폐가스를 가압할 수 있는 압축기가 더 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 압축기와 상기 가스분리장치 사이에 상기 가압된 폐가스의 압력을 조절하기 위한 레귤레이터가 부착된 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 레귤레이터와 상기 가스분리장치 사이에는 상기 폐가스의 유량을 조절하기 위한 유량조절계가 부착된 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 유량조절계는 플로우미터(Flowmeter) 또는 엠에프시(MFC : Mass Flow Controller )인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 습식정화장치에는 상기 폐가스 정화용 케미컬이 저장된 케미컬 저장탱크가 자동밸브를 개재하여 연결되고, 상기 배쓰에는 레벨센서가 구비되어 상기 폐가스 정화용 케미컬이 배쓰내에 항상 일정범위의 양을 유지할 수 있도록 상기 폐가스 정화용 케미컬의 양을 센싱하여 상기 자동밸브를 제어하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 배쓰의 하단부에는 드레인관이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 습식정화용 폐가스는 강산성을 띠는 것임을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 강산성 폐가스는 HCl, BCl3, HBr, Cl 또는 Br 등인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 습식정화장치에 수용되는 케미컬은 수산화칼륨(KOH)인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 배쓰에는 상기 케미컬의 산도(PH)를 측정하는 산도센서가 더 부착되어 있으며, 상기 산도센서에서 측정된 산도값과 설정값을 비교판단하여 상기 케미컬 저장탱크와 배쓰 사이의 자동밸브의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 산도의 설정값은 9 내지 11인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 산도센서에서 측정된 산도를 표시할 수 있는 표시장치가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 배쓰에는 지시약을 이용하여 상기 지시약의 색상변화에 따라 상기 케미컬의 산도를 알 수 있도록 하는 장치를 부착한 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 지시약은 페놀프탈레인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식정화용 폐가스는 하이드라이드(Hydride) 계통의 가스인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 하이드라이드 계통의 가스는 SiH4, PH3, AsH3또는 B2H6등인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 충진물은 소다라임(SODA LIME : 탄산칼슘) 인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식정화장치에는 열전기 온도계(Thermocouple)가 길이방향을 따라 복수개 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 열전기 온도계는 상기 폐가스와 상기 충진물과의 화학반응의 온도를 감지하여 전기적인 출력신호로 증폭기에 의하여 증폭되고, 아날로그 또는 디지탈 변환장치 등에 의하여 표시장치로 표시됨을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 습식정화장치 및 상기 건식정화장치 다음에는 상기 습식정화장치 및 상기 건식정화장치에 양방으로 연결되며, 상기 양방에는 가스의 역류를 방지하는 체크밸브가 설치되어 있으며, 상기 폐가스를 상기 물 분무장치로 불어내는 팬이 내장된 송풍장치가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 물 분무장치는 상기 폐가스가 통과하면서 잔류하는 미정화 강 알칼리성 가스가 정화될 수 있도록 천정에 다수의 물 분무기가 설치되어 있는 용기임을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 강 알칼리성 가스는 암모니아(NH3) 인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 물 분무장치 다음에는 단부에 자동밸브를 개재한 배기관이 형성되어 있으며, 상기 배기관 일측에는 자동밸브가 개재된 리턴관이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 물 분무장치와 상기 리턴관 사이에는 상기 정화된 폐가스의 정화수준을 감지하는 독성감지센서가 부착되어 있어 독성감지에 따라 상기 배기관의 자동밸브에 신호를 주어 자동으로 닫고, 상기 리턴배관의 자동밸브를 열어 상기 폐가스를 상기 리턴배관으로 흘러가게 하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 독성감지센서는 측정한 독성수준을 아날로그 또는 디지탈 변환장치 등에 의하여 표시장치로 표시됨을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 폐가스 정화시스템.
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