KR100240917B1 - 트랜스듀서, 메모리 기억 장치 및 유도성 신호 감소 방법 - Google Patents

트랜스듀서, 메모리 기억 장치 및 유도성 신호 감소 방법 Download PDF

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KR100240917B1
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조디에 앤 크리스트너
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포만 제프리 엘
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Abstract

본 발명의 자기 헤드(magnetic head)는 실드(shields)간에 낮은 자기 저항 경로(low reluctance path)를 내장하는 실딩된(shielded) MR 소자를 포함하여, 실드의 유도성 판독에 의해 픽업되는 간섭이 감소되도록 한다. 낮은 자기 저항 경로 MR 소자와 이와 연관된 리드를 포함하는 전도성 재료 루프 외부에 제공된다.
낮은 자기 저항 경로는 두 실드 사이에 자기 단락(magnetic short)을 포함할 수 있다.

Description

트랜스듀서, 메모리 기억 장치 및 유도성 신호 감소 방법
본 발명은 자기 저항성(magneto-resistive : MR)헤드에 관한 것으로, 특히, MR 헤드의 실드(shields) 사이에 선택적으로 배설(配設)된 낮은 자기 저항 경로(low reluctance path)를 갖는 MR 헤드에 관한 것이다.
최근의 메모리 기억 장치는 자기 디스크와 같은 자기 매체로/로부터 데이터를 기록 및 판독하는 데 MR 소자(즉, MR 헤드)가 구비된 헤드를 사용해 왔다. 전형적인 MR 헤드는 보통 박막 헤드로서 형성된 기록 소자와, MR 소자를 구비한 판독소자를 포함한다. 또한, 이러한 유형의 MR 헤드는 외부 자계로부터 MR 소자를 격리시키고, MR 소자에 의해 검출되는 판독 펄스를 제한(narrow)하고, 기록 헤드로부터의 자기 선속(magnetic flux)을 MR 소자로부터 떨어진 다른 곳으로 발산시켜 MR 소자가 신뢰성 있게 동작하도록, MR 소자 주변에 실딩(shielding)을 포함한다.
실드된 MR 헤드를 사용하는 통상적인 메모리 기억 장치의 일부 중, MR 헤드를 사용하여 메모리 기억 장치 내에 배치된 자기 매체로부터 판독되는 신호에서 바람직하지 않은 간섭 현상이 검출되는 경우가 있었다. 기억 장치의 작동 주파수(operating frequency)가 증가됨에 따라 간섭 현상도 더욱 심해진다. 많은 경우, 간섭은 기억 장치의 성능에 악영향을 끼친다. 따라서, 가능한 한 MR 헤드에 의해 픽업되는 신호 내의 이러한 간섭을 줄이는 것이 바람직하다.
전반적으로, 본 발명은 향상된 실딩 특성을 갖는 자기 저항성 헤드를 제공한다. 특정 일 실시예에서, 본 발명은 매체로부터 정보를 판독하는 트랜스듀서(transducer)형태로 구현된다. 본 발명의 트랜스듀서는 제1 실드(first shield), 제2 실드(second shield), 제1 실드와 제2 실드간의 갭(gap) 내에 배설되는 자기 저항성(MR) 소자를 포함한다. MR 소자는 각각 제1 및 제2 리드(lead)에 접속되며, 이들은 총체적으로 전도성 재료의 실효 루프(effective loop)를 형성한다. 실효 루프 밖에는, 제1 실드를 제2 실드에 결합시키는 낮은 자기 저항 선속 경로(low reluctance flux path)가 배설된다. 트랜스듀서는 메모리 기억 장치 내에 탑재될 수 있다.
전술한 본 발명의 개요는 본 발명의 각각의 실시예 또는 모든 특성을 제공하도록 의도된 것은 아니다. 또한, 본 발명은 도면 및 이와 연관된 이하의 설명을 참조하면 이해될 것이다.
본 발명은 첨부된 도면과 함께 이하의 본 발명의 여러가지 실시예의 상세한 설명을 참조하면 더욱 명확하게 이해될 것이다.
본 발명은 여러가지 변경 및 다른 형태로 이루어질 수 있으며, 이하 도면에서 예로 도시된 본 발명은 상세하게 기술될 것이다. 그러나, 본 발명은 도시된 특정 실시예로 한정되지 않음에 유의하여야 한다. 한편, 본 발명은 첨부된 특허 청구 범위로 정의된 바와 같이, 본 발명의 정신 및 영역내에서 여러가지 변경, 등가 및 대체가 가능하다.
제1도는 통상적인 디스크 드라이브 장치의 일부를 도시한 도면.
제2도는 통상적인 헤드 서스펜션 어셈블리를 도시한 도면.
제3도는 통상적인 병합 MR 헤드의 기능적 구성 요소를 도시한 도면.
제4도는 제3도에 도시된 통상적인 MR 헤드의 다른 측면을 도시한 도면.
제5도는 통상적인 MR 헤드와 디스크 상에 제공된 정보간의 관계를 도시한 도면.
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 MR 헤드를 도시한 도면.
제7도는 본 발명의 실시예에 따른 MR 헤드의 다른 측면을 도시한 도면.
제8도는 본 발명의 실시예에 따른 다른 MR 헤드를 도시한 도면.
제9도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 디스크 102 : 액츄에이터
103, 300, 600 : MR 헤드 104A : 소보 섹터
104B : 서보 패턴 105 : 트랙
107 : 하우징 200 : 헤드 서스펜션 어셈블리
201 : 만곡형 암 202 : 자기 헤드 어셈블리
203 : 슬라이더 301, 601, 801 : 제1 실드
303, 603, 803 : 제2 실드 302, 605, 805 : MR 소자
401A, 401B, 405A, 405B, 807A, 807B : 리드
409A, 409B : 리드선 411 : 전치증폭기 모듈
615 : 공기 베어링 703 : 절연층
705A, 705B, 705C, 705D : 자기 유동성 재료
901, 903 : 실드
도 1에서, 본 발명의 다양한 실시예를 기술하기 위해 디스크 기억 장치의 각 구성 요소를 도시하였다. 그러나, 이하 기술된 여러 실시예를 참조하면 이해되듯이, 본 발명은 실드로부터 유도성 간섭을 픽업하는 실드형 MR 헤드를 사용하는 어떠한 메모리 기억 장치에서도 구현될 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명은 MR 판독 헤드를 사용하고 트랙을 가로질러 배열되는 서보 전이(servo transitions)를 갖는 복수의 트랙 테이프(multiple-track tape)에 제공될 수도 있다.
도 1에는 자기 디스크(101) 및 회전형 액츄에이터(102)가 도시되어 있다.
디스크(101) 및 액츄에이터(102)는 디스크 드라이브의 다른 표준적인 소자(도시되지 않음)와 함께 하우징(107)내에 장착된다. 회전형 액츄에이터(102)는 음성 코일 모터(voice coil motor)(도시되지 않음)에 의해 회전되며, 디스크(101)로/로부터 정보를 기억/기록하기 위한 MR 헤드(103)를 디스크 상에 형성된 트랙(105)위에 위치시킨다. 디스크(101)는 컴퓨터 데이터, 비디오 데이터, 오디오 데이터 등과 같이 데이터를 기억시키는데 사용될 수 있다. 트랙(105)은 디스크(101)주위에 동심형 형태로 뻗어 있다. 트랙(105)은 복수의 동심형 원 또는 하나 이상의 연속적인 동심형의 나선형 트랙으로서 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 회전형 액츄에이터(102)는 MR 헤드(103)를 디스크(101)상의 원하는 트랙 위치에 이동시켜, 정보가 트랙으로/로부터 기록 및 /또는 판독될 수 있도록 한다. MR 헤드(103)는 디스크(101)의 표면을 가로질러 디스크(101)의 내부 및 외부 직경 사이에서 일반적으로 방사상 방향으로 이동한다. 액츄에이터(102)의 회전 운동으로 인해, 헤드(103)의 실제움직임은 아크(arc)(106)를 따른다.
전형적으로 메모리 기억 장치는, 흔히 기억 매체 내에 매립된 서보 정보를 사용하여, 원하는 트랙에 판독 및/또는 기록 헤드를 위치시킨다. 디스크 드라이브에서, 예를 들어, 판독/기록 헤드는 서보 필드내에 포함된 서보 패턴을 판독하여, 디스크에 대한 판독/기록 헤드의 각위치(radial position) 및 원주 위치(circumferential position)를 결정한다. 고밀도 트랙의 디스크를 사용할 때는 극도로 정확한 서보 제어가 특히 중요하다. 예를 들어, 전형적인 디스크 드라이브는 2000 TPI(track per inch : 인치당 트랙 수)를 초과하는 디스크(101)를 사용하여, 원하는 트랙 위치에 헤드를 위치시키기 위해 극도로 정확한 제어를 필요로 할 수도 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 전형적으로 디스크 기억 장치는 복수의 서보 섹터(104A)를 포함한다. 각각의 서보 섹터(104A)의 개시부에는 서보 정보를 포함하는 서보 패턴(104B)(예를 들어, 섹터 식별 패턴)이 제공된다. 서보 패턴(104B)은 전형적으로 디스크 주위에서 트랙(105)의 방향을 따라 디스크(101) 상에 동일하게 이격된 간격으로 형성된다. 일반적으로 서보 패턴(104B)은, 헤드(103)가 아크(106)를 따라 어떤 위치에서라도 판독할 수 있도록, 방사상의 방향으로 디스크(101)의 내경에서 외경으로 (혹은 디스크 상의 한 그룹의 트랙에 걸쳐) 실질적으로 연속적으로 형성되어 있다. 전형적으로, 디스크(101) 상에는 서보 패턴(104B)외에도 다른 서보 패턴이 또한 제공된다. 예를 들어, 디스크(101)상에는 전형적으로 그레이 코드 패턴(Gray code patterns)이 형성된다. 그레이 코드는 복수의 트랙(105)에 걸쳐 방사상 방향으로 뻗어 있다. 다른 서보 패턴들과 마찬가지로, 그레이 코드는 이 코드가 에워싸는 트랙에 걸쳐 방사상 방향으로 연속적이며, 전형적으로 복수의 위상 정렬된 전이로 형성된다.
도 2에는 전형적인 헤드 서스펜션 어셈블리(200)가 도시되어 있다. 헤드 서스펜션 어셈블리(200)는 자기 헤드 어셈블리(202)를 탑재한 만곡형 암(flexure arm)(201)을 포함한다. 자기 헤드 어셈블리(202)는 헤드 어셈블리(202)가 기억 디스크(101)의 표면(도 1) 위로 부상(浮上)하는데 충분한 공기 역학적 특성(aerodynamic properties)을 갖는 슬라이더(203)를 포함한다. 전형적으로, 만곡형암(201)에는 스프링이 부착되어 있고, 슬라이더(203)가 제공하는 공기 역학적 상승을 억제함으로써 디스크 표면 상에서 원하는 부상 높이로 헤드 어셈블리(202)를 유지시킨다.
본 발명의 여러 특징을 더욱 명료하게 이해시키고자, 통상적인 MR 헤드에 대한 설명을 개략적으로 제공하고자 한다. 도 3에는 전형적인 병합 MR 헤드(300)의 주요 소자의 개괄 레이아웃이 도시되어 있다. 도면은 실체 축적대로 도시된 것은 아니며, 여러 MR 헤드 소자의 상대적인 배열을 나타내도록 되어 있다. MR 헤드는 한쌍의 실드(301, 303)를 포함한다. MR 소자(302)는 실드(301, 303) 사이에 위치한다. MR 소자(302)는 MR 헤드(300)의 판독 소자로서 동작한다.
소자(304)와 함께 소자(303)는 박막 자기 헤드를 형성하며, MR 헤드(300)에 대한 기록 소자로서 가능하다. 소자(303, 304)는 제각기 박막 기록 소자의 제1 및 제2 자기 폴(first and second magnetic poles)로서 동작한다. 소자(303)의 이중(二重)기능(즉, 기록소자의 제1 폴로서, 또한 제2 실드로서 동작)으로 인해, MR 헤드(300)의 병합 특성이 생긴다. MR 헤드(300)의 여러 소자들 사이에는 전형적으로 유리와 같은 자기 절연층(간단히 하기 위해 도시하지 않음)이 형성된다.
예를 들어, 전형적인 MR 헤드는 다음과 같은 치수로 구성될 수 있다. 제1 폴/제2실드(303)는 약 100마이크로미터(㎛)의 폭을 가질 수 있다. 일반적으로 제2폴(304)는 약 5㎛의 폭을 갖는다. 제1실드(301)는 전형적으로 200㎛를 초과하는 폭을 갖는다. MR 소자(302)는 약 300 옴스트롬(Å)두께를 가지며, 제1 실드(301) 및 제1폴/제2실드(303) 사이에 제공된 갭(305)내에 배설된다. 갭(305)은 약 0.4㎛이고, MR 소자(302)를 에워싸는 절연 재료로 채워진다.
전형적인 MR 헤드(300)의 단면도가 도 4에 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 제1실드(301), MR 소자(302), 제2 실드(303)는 디스크(101)의 표면(101A)으로부터 제각기 수직면 방향으로 위로 돌출되어 있다. 제2폴(304)은 간단히 하기위해 도시하지 않았다. 소자들의 평면은 지면의 방향과 평행한 방향으로 도시되어 있다. 도면에서, 제1폴/제2실드(303)의 평면이 가장 가깝고, 이어서 MR 소자(302)가 있으며, 제1실드(301)는 멀리 떨어져 있다. 또한, 도 4에는 각각의 네거티브 및 포지티브 MR리드(401A, 401B)가 도시되어 있다. 이들 리드는 제1실드(301) 및 제1폴/제2 실드(303) 사이의 평면 내에 형성된다. 리드(401A, 401B)는 잘 알려진 방식으로 MR 소자(302)와 전기적으로 접속되어 있으며, 통상의 방식으로 동작한다. 리드(405A, 405B)에는 제각기, 확장 리드(401A, 401B)가 접속되어 있다. 확장 리드(405A, 405B)는 접속 포인트(407A, 407B)를 가지며, 접속 포인트(407A, 407B)는 리드선(409A, 409B)에 접속되고, 이들은 다시 전치증폭기 모듈(411)에 각각 접속되어 있다.
도 3 및 도 4를 참조하여, 도시된 유형의 전형적인 병합 MR 헤드(300)를 사용하여 기억 매체로부터 판독되는 신호에서 검출되는 바람직하지 않은 간섭 현상의 원인을 기술하고자 한다. MR 헤드(300)의 구조에 의하면, MR 헤드(300)의 제1 실드(301)와 제1폴/제2 실드(303) 사이에 자기 선속의 누설(leakage)이 생긴다.
두 실드(301, 303)간의 누설이 자기 선속에 대한 실효 폐쇄(effective closure)를 형성하는데 충분하면, 실드 구조는 (이하, "유도성 판독 헤드"로 일컬어지는) 실효 "일회권선(one turn)" 박막 유도성 판독 헤드를 형성한다. MR 소자(302)에 대한 접속은 헤드의 "일회권선"을 형성한다. 본질적으로, 실효 유도성 판독 헤드의 폭은 제2실드(303)의 폭(예를 들어 , 약 100㎛)을 갖는다.
통상적인 MR 헤드의 전술한 실효 유도성 헤드는 트랙 밀도에 따라 약 18개이상의 트랙을 가로질러 뻗어 있다. 실효 판독 헤드 아래의 모든 트랙이 위상 정렬되어 있을때, 바람직하지 않은 간섭 현상이 가장 심화된다. 이 경우, 유도성 픽업은 내부 직경(ID) 트랙에서는 상당히 낮지만, 외부 직경(OD) 트랙에서는 MR 서보 신호의 30％ 가량의 크기까지 될 수 있다.
흔히 서보 패턴은 위상 정렬된 서보 전이를 사용한다. 그 결과, 디스크로부터 서보 정보를 판독할 때, 실딩된 MR 구조를 사용하는 디스크 기억 장치는 실효 유도성 판독 헤드에 의해 판독된 신호에서 발생된 간섭에 특히 민감하다. 많은 경우, 전술한 간섭은 서보 에러를 발생시킬 수 있을 정도로 크다.
통상적인 방안에 따라 서보 패턴을 판독할 때 전형적으로 발생되는 판독 신호의 큰 간섭 성분은, 도 5에 도시된 바와 같이 유도성 판독 헤드의 갭의 서보 전이들이 정렬됨으로써 야기된다. 도 5에는 화살표(503)로 도시된 트랙 방향을 따라 번갈아 나타나는 복수위 네거티브(501)(직선)와 포지티브(502)(점선)의 극성 전이가 도시되어 있다. 도 5를 참조하면 이해하듯이, 통상적인 MR 헤드의 실드(301, 303)간의 갭은 극성 전이의 라인(예를 들어, 라인(501A)를 따라 뻗어 있는 포지티브 극성의 전이)을 따라 정렬된다. 그 결과, 실효 유도성 판독 헤드로 인해 최대 진폭 간섭 신호가 판독될 것이다.
전형적인 MR 소자 설계에서, 유도성 판독 신호는 MR 소자에 의해 발생되는 신호와는 반대되는 극성일 것이며, 그 결과 모든 주파수에서 전체 진폭을 감소시키는 경향이 있다. 그러나, 유도성 판독 헤드에 의해 픽업된 간섭(간섭 신호)은 MR 소자를 사용하여 판독된 신호(MR 신호)보다 약간 낮은 해상도를 갖는다. 그 결과, MR 신호의 하위 고조파는 MR 신호의 상위 고조파보다 높은 비율로 감소된다. 이것이 판독 신호의 외관 해상도를 증가시키는 효과를 가져오고, 펄스에 인접한 오버슈트(overshoot)를 야기시킨다. 이것이 다시, 신호 베이스라인에서의 외관 링(apparent ring)을 발생시키고, 그 결과 서보 섹터 식별(SID) 패턴의 검출시 여분의 비트가 발생될 수 있다. 특정 트랙이 라인을 벗어나 지터(jitter)되면, 평균 간섭 신호는 주 MR 신호 펄스로부터 오프셋된 베이스라인 내에 현저한 홀(holes)을 발생시킬 수 있다. 이로 인해, SID 패턴 검출이 크게 열화될 수 있다.
서보 필드에서 검출된 바와 같이, 일정 위상 패턴의 열화가 가장 심하지만, 데이터 필드 내에 신호의 통계적 열화가 또한 존재한다. 관심의 대상이 되는 트랙옆의 복수의 데이터 트랙이 유사한 패턴을 가질 때 짧은 시간 주기를 가지면, 유도성 간섭이 관심의 대상이 되는 트랙으로부터 판독된 신호에 합산되거나 혹은 판독된 신호로부터 감산된다. 이로 인해, 신호에서 위상 쉬프트가 또한 야기될 수 있으며, 그 결과 평균 에러율이 증가되고, 소정의 섹터에서 에러율이 더욱 증가될 수 있다.
도 4를 참조하면, MR 소자(302), 리드(401A, 401B), 확장 리드(405A, 405B), 리드선(409A, 409B) 및 전치증폭기 모듈(411)에 의해 전도성 재료의 "루프"가 형성될 수 있음에 유의해야 한다. 이 루프는 전류 흐름의 중심을 통과하는 라인(403)으로서 근사화할 수 있다. 자기 매체(예를 들어, 디스크(101))로부터, 100㎛의 실효폭(즉, 제2실드(303)의 폭)을 갖는 유도성 판독 헤드에 의해 픽업된 전체 자기선속 중에서, 80％ 정도의 자기 선속이 루프의 내부를 통해 흐를 수 있다. 이는, 약 80％ 이상의 제2실드가 루프에 의해 에워싸인 영역 위에 있기 때문이다.
도 6에는 본 발명의 실시예에 따른 MR 헤드가 도시되어 있다. MR 헤드(600)는 제1실드(601)와, 제2 실드(603)와, 포지티브 리드(607) 및 네거티브 리드(609)에 전기적으로 접속된 MR 소자(605)를 포함한다. 확장 리드 및 리드선은 간단히 하기 위해 도시되지 않았다. 도 6에 도시된 MR 헤드는 디스크(101)의 표면(101A) 위에 위치한 MR 헤드(600)의 측면도를 나타낸다.
제2실드(603)는 제2 실드(603)의 하부 근처까지 돌출되어 있는 부분(603A, 603B)(즉, 디스크 표면(101A)과 헤드(600)의 하부 사이에 형성된 공기 베어링(615) 근처의 실드(603)의 부분)을 갖는다. 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 제2 실드(603)와 제1 실드(601)의 바깥으로 돌출된 부분들 사이에 자기 단락(magnetic short)이 생겨, 실드(601, 603)에 의해 픽업되는 자기 선속에 대해 낮은 자기 저항 경로를 제공하도록 한다. 이러한 낮은 자기 저항 경로로 인해, 자기 선속이 유도성 재료의 루프 외부 영역의 실드(601, 603)사이에 흐르게 된다.
예시된 실시예에서, MR 헤드(600)의 실드(601, 603)에 의해 픽업된 전체 선속의 크기가 감소되도록 제2 실드(603)의 폭은 공기 베어링(615) 근처에서 감소됨에 유의하여야 한다. 대체 실시예에서, 제2 실드(603)의 폭이 감소되지 않을 수도 있다. 이 실시예에서, 자기 단락은 모든 간섭을 실질적으로 제거하는데 충분히 낮은 자기 저항 선속 경로를 제공하여, 제2실드(603) 폭의 영향이 없어질 수 있도록 한다. 이러한 실시예에서,제2 실드(603)의 폭이 증가하게 되면, 루프 외부에 형성된 제2 실드(603)의 영역이 증가하며, 이로 인해 실드간의 낮은 자기 저항 선속 경로 생성시 사용될 더많은 표면 영역을 만들어 낸다. 이러한 방식으로, 전체 자기 저항이 더욱 낮아져서 실드(601, 603)에 의해 픽업된 간섭이 더욱 줄어들도록 할 수 있다.
실드(601, 603) 사이에서, 리드(607, 609)와 MR 소자(605)에 의해 에워싸인 루프 외부 장소에 자기 단락이 생긴다. 자기 단락이 MR 소자(605)에 근접하게 위치하도록, 리드(607, 609)의 크기가 감소될 수 있으며, 이렇게 하면 전도성 재료의 실효 루프가 줄어든다. 그러나, 리드(607, 609)의 크기에 의해 에워싸인 실드의 크기가 감소되면, MR 헤드 출력 신호의 효율성이 또한 감소된다. 따라서, 루프 외부에 보다 낮은 자기 저항 경로를 제공하여 간섭을 줄인다는 것과, 적절한 신호 효율성을 위해 충분히 낮은 리드 저항을 제공한다는 것 사이에서 절충이 행하여진다.
도 7은 도 6의 라인 7-7을 따라 취해진 예시적인 실시예의 밑면 단면도를 나타낸 것이다. 도 7의 구성 요소들은 동일 축적으로 도시된 것은 아니며, 본 발명의 상호 관련적 특징의 보다 향상된 관점을 제공하도록 주어진다. 도 7에서 유리와 같은 절연층(703)이 제1실드(601)및 제2실드(603)사이에 제공된다. 절연층(703)은 리드(607, 609)를 에워싼다. 기록 소자의 제2폴(701)은 또한 도시되어 있다.
절연층(703)을 통해 비아 홀(via holes)이 형성되고, 자기 유도성 재료(705A, 705B, 705C, 705D)로 채워져서, 제1 실드(601)와 제2실드(603)사이에 낮은 자기 저항 경로를 제공한다. 이러한 방식으로, 제1실드(601)와 제2실드(603) 사이에 낮은 자기 저항 선속 경로가 제공된다.
도 8에서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기 헤드의 측면도 및 밑면도가 도시되어 있다. 헤드는 제1실드(801) 및 제2실드(803)를 포함한다. MR 소자(805)는 리드(807A, 807B)에 접속되며, 이들 리드는 전치증폭기 모듈(도시되지 않음)에 도 4에 도시된 것과 유사한 방식으로 접속된다. 제2실드(803)의 부분(809)은 디스크 표면을 향해 아래로 돌출되어 있으며, 실드(801, 803)에 의한 유도성 픽업에 대해 실효 폭을 형성한다. 실드(801, 803) 사이에는 유리와 같은 자기 절연층(811)이 형성되고, 실드(801, 803)로부터 MR 소자(805)와 리드(807A, 807B)를 절연시킨다.
제2 실드(803)의 리세스(recess)된 영역(813)은 제2 실드(803)를 형성하기 전에 절연층(811) 내에 형성된 홀에 대응한다. 이러한 방식으로, 제2실드(803)의 부분(815)은 제1실드(801)에 접속되어, 전도성 재료의 루프 외부에 있는 낮은 자기 저항 경로 사이의 두 실드(801, 803)를 형성한다.
전술한 실시예에서, 낮은 자기 저항 경로는 서로 실드를 직접 단락(direct short)시킴으로써 형성된다. 그러나, 두 실드의 직접적인 단락이 반드시 필요한 것은 아니다. 전도성 재료의 루프 외부에 위치한 비교적 낮은 자기 저항 경로라면 어느 것이든 MR 소자에 의해 픽업된 신호의 유도성 간섭을 줄이는데 사용될 수 있다. 도 9는 낮은 자기 저항 경로를 갖는 MR 헤드의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 9에서, 제2실드(903)는 전도성 재료 루프를 지나 밖으로 돌출되어 있는 부분(예를 들어, 션트(shunts)(905A, 905B)을 포함한다. 이들 부분들은 실드(901, 903)에 의해 픽업된 선속이, 밖으로 돌출되어 있는 부분(905A, 905B)의 위치에 있는 갭을 흐르는 자기 선속의 결과, 이들 실드 사이에서 흐를 수 있도록 한다. 전도성 루프 밖에 있는 실드(903)의 부분의 상대적 면적이 증가함에 따라, 실드(901, 903)에 의해 픽업된 선속 중 보다 많은 부분이 전도성 루프의 밖에 제공된 비교적 낮은 자기 저항 경로를 통해, 한 쪽 실드로부터 다른 쪽 실드로 전도될 것이다.
따라서, 전체 간섭이 감소된다.
전술한 바와 같이, MR 헤드의 실드 구조내에 자기 저항 경로를 내재하면, 전형적인 MR 헤드의 사용과 연관된 간섭 현상이 상당히 줄어든다. 전술한 여러 실시예는 단지 예시적으로 제공된 것이며, 본 발명을 한정하지 않는다. MR 헤드 실딩의 유도성 판독 헤드와 연관된 간섭의 크기를 줄이는 다른 메카니즘은 전술한 설명을 다시 참조하면 용이하게 이해될 것이다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명은 본 명세서에 예시되고 기술된 예시적인 실시예 및 응용을 제한하지 않고 이하의 특허 청구 범위에서 정의된 본 발명의 정신 및 영역을 벗어나지 않고, 여러가지 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 명백하게 이해될 것이다.

Claims (14)

  1. 매체로부터 정보를 판독하는 트랜스듀서에 있어서,
    (a) 제1실드와,
    (b) 상기 매체를 향해 아래쪽으로 돌출된 제1폭의 좁은 연장부(elongated portion)를 갖는 제2실드와,
    (c) 상기 제1실드 및 상기 제2실드 사이의 갭 내에 배설되어 있으며, 각 각 제1 및 제2리드에 접속되어 있는 자기 저항성(magneto-resistive; MR) 소자-상기 MR 소자 및 상기 제1 및 제2 리드는 전도성 재료의 실효 루프(effective loop)를 형성함-와,
    (d) 상기 제1 실드를 상기 제2실드에 결합시키는 낮은 자기 저항(reluctance)의 선속 경로(flux path)를 가지며, 상기 제2실드는, 상기 제1 및 제2실드에 의해 픽업되는 선속을 감소시키도록, 감소된 제2폭을 갖는 감폭부(reduced-width portion)와, 상기 좁은 연장부로부터 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 결합폭(combined width)의 제1및 제2측부를 가지되, 상기 제1 및 제2 측부의 상기 결합폭은 상기 매체 근처에서 상기 제1 폭 및 제2폭에 비해 넓고, 상기 제1 및 제2 측부에서의 상기 제1 및 제2 실드 사이의 선속 흐름의 픽업을 증가시키도록 상기 제1 및 제2 측부가 상기 실효 루프를 벗어나 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 트랜스듀서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이의 상기 갭 내에 배설되고, 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이에 상기 낮은 자기 저항 선속 경로를 형성하도록, 자기 전도성 재료로 채워진 복수의 비아 홀(a plurality of via holes)을 포함하는 전기 절연층을 더 포함하는 트랜스듀서.
  3. 제1항에 있어서,
    (e) 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이의 상기 갭 내에 배설되고, 상기 제1리드, 상기 제2리드, 상기 MR 소자를 실질적으로 에워싸는 전기 절연층과,
    (f) 상기 제1리드 및 상기 제2 리드로부터 이격되어 상기 전기 절연층내에 배설된 복수의 비아 홀들(via holes)을 더 포함하되, 상기 비아 홀들은 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이에 상기 낮은 자기 저항 경로를 형성하도록 자기 전도성 재료(a magnetically conductive material)로 채워져 있는 트랜스듀서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실효 루프 밖으로 돌출된 상기 제2 실드의 상기 제2측부가 상기 낮은 자기 저항 선속 경로를 제공하는 트랜스듀서.
  5. 제2항에 있어서, 상기 비아 홀 내에 형성된 상기 자기 전도성 재료는 상기 제2실드의 일부를 포함하는 트랜스듀서.
  6. 메모리 기억 장치(a memory storage device)에 있어서,
    (a) 정보를 기억하는 디스크와,
    (b) 상기 디스크에 대해 트랜스듀싱 관계(transducing relation)로 배설되어 있는 트랜스듀서-상기 트랜스듀서는,
    ① 제1실드와,
    ② 상기 디스크를 향해 아래쪽으로 돌출된 제1폭의 좁은 연장부와,
    ③ 상기 제1실드 및 상기 제2실드 사이의 갭 내에 배설되어 있으며, 각각 제1 및 제2리드에 접속되어 있는 자기 저항성(MR)소자와,
    ④ 상기 제1실드 및 상기 제2실드의 상기 실효 루프 밖의 한 부분에서, 상기 제1실드를 상기 제2 실드에 결합시키는 낮은 자기 저항 선속 경로를 구비하며, 상기 MR소자 및 상기 제1 및 제2리드는 전도성 재료의 실효 루프를 형성함-와,
    (c) 상기 트랜스듀서가 장착되어, 상기 디스크에 인접하게끔 상기 트랜스듀서를 이동시키도록 상대적 움직임을 제공하는 액츄에이터를 포함하고, 상기 제2실드는, 상기 제1및 제2실드에 픽업되는 선속을 감소시키도록, 감소된 제2폭을 갖는 감폭부(reduced-width portion)와, 상기 좁은 연장부로부터 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 결합폭(combined width)의 제1 및 제2측부를 가지되, 상기 제1 및 제2 측부의 상기 결합폭은 상기 매체 근처에서 상기 제1 폭 및 제2폭에 비해 넓고, 상기 제1 및 제2 측부에서의 상기 제1 및 제2 실드 사이의 선속 흐름의 픽업을 증가시키도록 상기 제1 및 제2 측부가 상기 실효 루프를 벗어나 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 메모리 기억 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 디스크는, 상기 디스크 중심에 대해 전반적으로 방사상 방향으로 뻗어 있으며, 상기 디스크 상에 배설된 복수의 원형 정보 트랙에 걸쳐 뻗어 있는 복수의 서보 패턴(a plurality of servo patterns)을 포함하고, 상기 서보 패턴은 위상 정렬된 전이(phase aligned transitions)로 형성되는 메모리 기억 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 트랜스듀서는, 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이의 상기 갭 내에 배설되고, 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이에 낮은 자기 저항 선속 경로가 형성되도록 자기 전도성 재료로 채워져 있는 복수의 비아 홀을 갖는 전기 절연층을 더 포함하는 메모리 기억장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 트랜스듀서는,
    (d) 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이의 상기 갭 내에 배설되고, 상기 제1리드, 상기 제2 리드, 상기 MR 소자를 실질적으로 에워싸는 전기 절연층과,
    (e) 상기 제1리드 및 상기 제2리드로부터 이격되어 상기 전기 절연층내에 배설되어 있으며, 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이에 상기 낮은 자기 저항 선속 경로가 형성되도록 자기 전도성 재료로 채워져 있는 복수의 비아 홀을 더 포함하는 메모리 기억 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 실효 루프의 밖으로 돌출된 상기 제2실드의 상기 제2측부가 상기 낮은 자기 저항 선속 경로를 제공하는 메모리 기억 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 비아 홀 내에 형성된 상기 자기 전도성 재료가 상기 제2실드의 일부를 포함하는 메모리 기억 장치.
  12. 제1 및 제2실드 사이의 갭 내에 배설되어 있으며, 매체 상에 기록된 신호를 검출하는 자기 저항성(MR) 소자를 포함하는 트랜스듀서 내에서 픽업되는 유도성 신호(inductive signal)를 감소시키는 방법에 있어서, 상기 MR 소자는 상기 제1 및 제2리드에 각각 접속되어 있으며, 상기 MR 소자 및 상기 제1 및 제2리드는 전도성 재료의 실효 루프를 형성하며, 상기 방법은,
    (a) 제1실드를 제공하는 단계와,
    (b) 상기 매체를 향해 아래쪽으로 돌출된 제1폭의 좁은 연장부를 갖는 제2실드를 제공하는 단계-상기 제2 실드는, 상기 제1 및 제2실드에 의해 픽업되는 선속을 감소시키도록, 감소된 제2폭을 갖는 감폭부(reduced-width portion)와, 상기 좁은 연장부로부터 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 결합폭(combined width)의 제1및 제2측부를 가지되, 상기 제1 및 제2 측부의 상기 결합폭은 상기 매체 근처에서 상기 제1 폭 및 상기 제2폭에 비해 넓고, 상기 제1 및 제2 측부에서의 상기 제1 및 제2 실드사이의 선속 흐름의 픽업을 증가시키도록 상기 제1 및 제2 측부가 상기 실효 루프를 벗어나 밖으로 돌출되어 뻗어 있음-와,
    (c) 상기 전도성 재료의 실효 루프의 밖에서, 상기 제1 및 제2 실드 사이에 낮은 자기 저항 선속 경로를 제공하는 단계를 포함하는 유도성 신호 감소 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제공 단계는 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이에 자기 단락(amagnetic short)이 형성되도록, 상기 제1실드와 상기 제2실드 사이에 자기 전도성 경로를 제공하는 단계를 포함하는 유도성 신호 감소 방법.
  14. 메모리 기억 장치에 있어서,
    (a) 정보를 기억하는 기억 매체와,
    (b) 트랜스듀서 및 상기 기억 매체 사이에 상대적인 움직임을 제공하도록 위치한 트랜스듀서-상기 트랜스듀서는,
    ① 제1실드와,
    ② 상기 디스크를 향해 아래쪽으로 돌출된 제1폭의 좁은 연장부와,
    ③ 상기 제1실드 및 상기 제2실드 사이의 갭 내에 배설되어 있으며, 각각 제1 및 제2리드에 접속되어 있는 자기 저항성(MR)소자와,
    ④ 상기 제1실드 및 상기 제2실드의 상기 실효 루프 밖의 한 부분에서, 상기 제1실드를 상기 제2실드에 결합시키는 낮은 자기 저항 선속 경로를 구비하며, 상기 MR 소자 및 상기 제1 및 제2리드는 전도성 재료의 실효 루프를 형성함-를 포함하며, 상기 제2실드는, 상기 제1 및 제2실드에 의해 픽업되는 선속을 감소시키도록, 감소된 제2폭을 갖는 감폭부(reduced-width portion)와, 상기 좁은 연장부로부터 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 결합폭(combined width)의 제1및 제2측부를 가지되, 상기 제1 및 제2 측부의 상기 결합폭은 상기 매체 근처에서 상기 제1 폭 및 제2폭에 비해 넓고, 상기 제1 및 제2 측부에서의 상기 제1 및 제2 실드 사이의 선속 흐름의 픽업을 증가시키도록 상기 제1 및 제2 측부가 상기 실효 루프를 벗어나 밖으로 돌출되어 뻗어 있는 메모리 기억 장치.
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