KR100233786B1 - 소형 형광 램프를 동작시키기 위한 회로 장치 - Google Patents

소형 형광 램프를 동작시키기 위한 회로 장치 Download PDF

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타실로 다우너
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Abstract

2개의 능동적인 전기 스위치(T1,T2), 예를 들면 MOSFET를 포함하는 자려 발진기에 피드백 회로를 제공하는 포화 또는 에어갭 인덕턴스에 대한 필요성을 제거하기 위해, 보조 권선(HW1,HW2,…HW11)은 방전램프(LP)를 위해 회로내에 있는 공진 인덕턴스(L2)에 유도적으로 커플링된다. 펄스 정형-이상 회로망(R3,C3;R4,C4…)은 고유 공진없이 보조 권선을 능동 스위칭 소자에 연결시킨다. 펄스 정형-이상 회로망은 보조 권선과 능동 스위칭 소자의 제어 입력, 예를 들면 게이트 사이에 직렬로 연결된 일단 또는 다단 RC 저역 회로로 형성되어 있다. RC 네트워크는 가변소자, 예를 들면 PTC 저항을 포함하여, 배리스터 또는 그와 같은 것들로 구성될 수 있고, 제너 다이오드를 포함하는 전압 피크에 대해 보호하는 전류원, 보호회로를 포함할 수 있다. 램프가, 접속된 공진 회로의 여러 곳의 질을 저하시키는 비교적 낮은 저항을 가질지라도, 펄스 정형-이상 회로망의 저역 특성은 점화를 확실하게 하는 최대 전류에서 능동 반도체 스위치의 스위칭을 허락한다.

Description

소형 형광 램프를 동작시키기 위한 회로 장치
제1도는 발진기 부분이 MOSFET 트랜지스터를 가지는 푸시 풀 컨버터로서 구성된 동작 회로 장치의 회로도.
제2도는 펄스 형성 및 이상 회로의 한 실시예를 나타내는 도면.
제3도는 펄스 형성 및 이상 회로의 다른 실시예를 나타내는 도면.
제4도는 가변 이상기를 가진 회로를 나타내는 도면.
제5도는 가변 이상기를 가진 회로를 나타내는 도면.
제6도는 능동 이상기를 가진 회로를 나타내는 도면.
제7도는 부가의 펄스 형성 네트워크를 가진 회로의 한 실시예를 나타내는 도면.
제8도는 제7도에 따른 회로의 다른 실시예를 나타내는 도면.
제9도는 전자 스위칭 소자 중 어느 하나에 대한 부가의 전하 캐리어 클리어링(clearing) 네트워크를 가진 본 발명에 따른 회로를 나타내는 도면.
제10도는 전하 캐리어 클리어링 네트워크의 다른 실시예를 나타내는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
LP : 소형 형광 램프 GL : 정류기
SI : 퓨즈 C1 : 평활 커패시터
L1 : 간섭 억압 쵸크
[발명의 분야]
본 발명은 형광 램프와 같은 저압 방전 램프를 동작시키는 회로, 특히 소형 형광 램프에 대한 동작 회로 장치에 관한 것이다.
[배경]
형광 램프는 전력 주파수에서 보다 더 높은 주파수에서 더욱 효율적으로 동작한다. 형광 램프에 대한 회로 장치는 트랜지스터와 같은 능동 스위칭 소자를 가지는 자기 여자 발진 회로를 종종 이용한다. 이 트랜지스터는 바람직한 동작 주파수에서 상태를 바꾸는 능동 스위치를 제어하는 제어 신호, 또는 제어 에너지를 공급받는다. 그와 같은 저압 방전 램프를 공급하는 회로는 포화 전류 변압기로서 또는 에어갭을 가지는 변압기로서 구성된 독립형 전류 변압기를 종종 이용한다. 그와 같은 별도의 전류 변압기는 미리 정해진 전압-시간 적분이 행해진 후 제어 신호를 제공하는 것을 중단하도록 구성된다. 스위칭 펄스 사이의 갭에서 충분한 시간은 스위칭 소자가 분리될 수 있도록 전하 캐리어의 베이스 또는 게이트 회로를 명확히 하는데 이용된다. 이러한 종류의 회로는 카스틀, 특허 5,008,596호 등; 추흐트리겔, 제4,710,682호, 및 특히 추흐트리겔, 미국 제4,4,38,372호에 기재되어 있다. 지멘스에 의해 간행된, 월터(Walter Hirschmann)저, 전자 회로(Elektronikschaltungen)의 “새로운 형광 램프용 전자 보조 장치”, PP 147-151의 내용은 추흐트리겔, 특허 제4,438,372호에 기재된 회로에 대한 일반적인 참고 자료이다.
이러한 종류의 회로는 능동 스위칭 소자를 제어하기 위하여 전류 변압기를 필요로 한다. 그와 같은 전류 변압기 또는 유사 소자는 비교적 비싼데, 별도의 권선이나 감긴 구조를 필요로 하기 때문이다. 페라이트 코어는 변압기 권선에 이용된다. 이와 같은 페라이트 코어는 포화된 변압기에 이용될 때 동작 변수에 바람직하지 않게 영향을 미치는 제조 허용 오차를 가지고 있다.
[발명]
본 발명의 목적은 인용된 특허에 기재된 일반적인 종류의 회로를 제공하는 것이지만, 포화 변압기 또는 별도의 변압기 소자를 이용할 필요가 없다. 회로는 저렴하게 제조되도록 간단하여야 한다.
요약하면, 적어도 하나의 능동 스위칭 소자, 바람직하게는 필드 효과 트랜지스터일 수 있는 두 개의 트랜지스터를 가지는 자기 여자 발진 회로는 피드백 회로에 연결되도록 제공된다. 적어도 하나의 공진 인덕턴스와 적어도 하나의 공진 용량성 소자를 가지는 공진 회로는 발진 회로의 일부를 형성하도록 제공된다. 본 발명에 따라, 자기 여자 발진 회로를 제어하는 피드백 회로는 공진 인덕턴스와 유도적으로 커플링된 적어도 하나의 보조 권선에 의해 형성되고, 능동 스위칭 소자에 보조 권선을 커플링시키고, 고유 공진이 없는 펄스 형성 및 이상 네트워크를 갖는다. 바람직하게는, 펄스 형성 및 이상 네트워크는 RC 저역 회로에 의해 형성되고, 이는 일단 또는 다단 저역 회로일 수 있다.
고유 공진이 없도록 구성된 펄스 형성 및 이상 네트워크와 결합되어 회로에서 어떤 식이로든 필요로 하는 공진 및 전류 제한 인덕턴스상의 보조 권선으로부터 전자적 능동 스위치를 제어하므로 별도의 전류 변압기를 제거할 수 있다. 펄스 형성 및 이상 네트워크는 각각의 극점을 가지지 않는데, 즉, 이는 고유의 자기 공진 효과를 형성하지 않는다. 능동 스위칭 소자, 또는 바람직하게는 2개의 능동 스위칭 소자의 제어는 부하 회로의 공진에 의해 얻어지고, 상기 회로의 고유 주파수는 공진 인덕턴스 또는 공진 쵸크 및 결과 커패시턴스에 의해 부분적으로 정해진다. 회로의 능동 스위칭 부분은 자기 여자 발진 스위칭 모드 파워 서플라이, 예를 들면 단일 트랜지스터 플라이 백 또는 순방향 컨버터, 푸시풀 컨버터, 대칭 또는 비대칭 하프-브리지 컨버터 또는 풀-브리지 컨버터의 어느 종류라도 이용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 특징에 따라, 발진 회로는 하나 또는 다수의 전압 제어 반도체, 예를 들면 MOSFET, 또는 IGBT를 이용한다. 그와 같은 전압 제어 스위칭 소자가 이용되는 경우, 펄스 형성 및 이상 네트워크는 일단 또는 다단 RC 저역 회로에 의해 형성된다. RC 저역 회로는 보조 권선과 각각의 능동 스위칭 소자의 게이트 또는 베이스의 사이에 직렬로 연결되어 있다.
펄스 형성 및 이상 네트워크의 이상 부분은 가변의 이상 부분이 될 수 있거나 또는 능동 이상 회로로서 형성되어 증가된 주파수가 저압 방전 램프의 필라멘트를 예열시키는데 이용될 수 있도록 구성된다. 알맞은 펄스 형성을 얻기 위해 저항, 다이오드 또는 배리스터와 같은 부가의 회로 소자가 이용될 수 있다.
몇가지 회로에서, 예를 들어서 이상기와 각각의 스위칭 소자 사이에 연결된 보조 트랜지스터를 이용하는 능동 또는 수동 전하 캐리어 클리어링 네트워크를 이용하는 것이 바람직하다. 그 결과, 능동 스위치 또는 능동 스위칭들의 턴 오프가 가속된다. 보호 소자, 예를 들면 제너 다이오드는 능동 스위칭 소자 또는 소자들의 게이트 또는 베이스를 보호할 수 있다.
몇가지 회로들은 집적된 절연 또는 절약형 변압기를 갖는다. 그와 같은 회로에서, 공진 인덕턴스는 표유 또는 누설 인덕턴스에 의해 커플링된 변압기로 집적될 수 있다. 보조 권선 역시 제2차 변압기에 커플링될 수 있다.
[상세한 설명]
제1도는 소형 형광 램프(LP)를 동작시키는 푸시-풀 하프-브리지 발진기를 가지는, 예를 들면 20W의 정격을 가지는 회로도이다.
정류기(GL)는 퓨즈(SI)를 통해 전원, 예를 들면 110V, 60Hz의 단자에 연결된다. 정류기(GL)로부터의 출력은 평활 커패시터(C1) 및 전원 회로의 양극 단자에 대한 간섭 억압 쵸크(L1)에 연결된다. 커패시터의 음극 단자는 전원 회로의 음극 단자에 직접 연결된다. 커패시터(C2)는 양극 및 음극 단자 사이를 가로질러 연결되며 평활 커패시터(C1)와는 평행하다.
자기 여자 발진 회로는 MOSFET 트랜지스터(T1,T2)에 의해 형성된 2개의 능동 스위칭 소자를 갖는다. 역류 다이오드(D1,D2)는 FET 트랜지스터(T1,T2)의 소스-드레인 단자를 가로질러 연결된다. 저항(R1,R2), 커패시터(C5), 다이오드(D3) 및 다이악(diac)(DC)을 갖는 제어 회로가 제공된다. 램프(LP)에 의해 형성된 부하의 제1전극의 한 단자는 커패시터(C7) 및 공진 인덕턴스(L2)를 통하여 2개의 트랜지스터(T1,T2) 사이의 중앙 단자와 연결된다. 제2전극의 한 단자는 회로의 양극 단자, 즉, 정류기(GL)로부터의 출력에 연결된다. 공진 인덕턴스(L2), 커플링 커패시터(C7) 및 2개의 공진 커패시터(C8,C9)에 의해 형성된 직렬의 공진 회로가 제공된다. 2개의 공진 커패시터(C8,C9)는 램프(LP)의 필라멘트의 가열 회로에 직렬 연결되어 있다. 양의 온도 계수(PTC) 컨덕터(KL1)는 커패시터(C9)를 가로질러 연결되어 있다. 트랜지스터의 부하를 줄이기 위해, 저항(R2) 및 커패시터(C6)에 의해 형성된 직렬 회로는 트랜지스터(T2)의 스위칭 경로에 병렬로 연결된다.
본 발명에 따라, 트랜지스터(T1,T2)는 보조 권선(HW1,HW2)에 의해 발진되도록 제어된다. 이 권선(HW1,HW2)은 공진 인덕턴스 또는 쵸크(L2)에 제공되는, 즉, 동일 코어에 감겨 있다. 부가적으로, 능동 스위치, 즉, 트랜지스터(T1,T2)에의 게이트 또는 베이스 접점은 저항-커패시터 조합물(R3,C3 및 R4,C4)을 각각 가지는 RC 저역 회로의 형태로 펄스 형성 및 이상 네트워크를 통해 각각의 권선(HW1,HW2)에 커플링된다.
[동작]
이 회로는 다이악(DC)에 의해 발진되도록 트리거된다. 트랜지스터(T1)는 도전될 것이고, 적당하게 극화된 보조 권선(HW1)에 의해 제어 전압을 받으며 공진 쵸크(L2)의 코어에 감긴다. 사인 곡선으로 발생하는 전류는 쵸크(L2) 및 일 군의 커패시터(C7 내지 C9)를 통해 흐르고 램프(LP)는 거기에 연결된다. 쵸크(L2)에 걸친 그리고 보조 권선(HW1)에 걸친 전압은 다음의 관계식에 따라 감소된다.
u(t) = -L × di/dt ............... (1)
전압은 쵸크 전류의 사인-최대값에서 제로 크로스 오버에 도달한다.
위상 이동 없는, 즉, RC 회로(R3,C3,R4,C4) 없는 동작은 다음과 같다; 트랜지스터(T1)의 제어 전압은 쵸크 전류가 사인 최대값에 도달하기 전에 트랜지스터(T1)의 임계 전압 아래로 떨어져 트랜지스터(T1)를 끊는다. 쵸크(L2)에서의 전류는 트랜지스터(T1)가 블록되기 때문에 반전시키도록 쵸크(L2)에 걸친 전압을 발생시킨다. 또한, 이는 프리-휠링 또는 병렬 다이오드(D2)에 걸쳐 흐른다. 다이오드(D1,D2)는 각각의 트랜지스터에 집적될 수 있고, 또한 다이오드(D2)는 트랜지스터(T2)에 집적될 수 있다. 저장된 에너지가 이용되고 영으로 될 때까지 상기 전류는 부하에 병렬로 연결된 커패시터(C7 또는 C9)를 통해 흐른다. 쵸크(L2) 및 보조 권선(HW1 및 HW2)에 걸친 전압의 반전시, 트랜지스터(T1)는 음의 게이트 전압에 의해 블록되거나 오프(off)로 제어된다. 트랜지스터(T2)는 병렬 또는 프리휠링 다이오드(D2)의 동작동안 온으로 제어된다. 영으로 된 후, 쵸크(L2)에서의 전류는 영을 통해 음의 영역(T2를 통해 양의)으로 통과한 후, 보조 권선(HW2)에 걸친 제어 전압이 사인 최대값이 되기 전에 트랜지스터(T2)의 임계 전압 아래로 통과할 때까지 발진하므로 트랜지스터(T2)는 다시 단절된다. 쵸크(L2)와 보조 권선(HW1과 HW2)을 통한 반전 전압은 도전되거나 온이 되는 트랜지스터(T1)를 제어한다. 전류는 쵸크(L2)로부터 각각의 병렬 다이오드(D1)를 통해 계속 흐를 수 있다. 전술한 사이클은 반복된다.
동작 주파수는 공진 회로의 약 2배의 고유 주파수가 된다. 그러나, 이것은 충분히 높은 점화 전압을 얻을 수 있도록 하지 않고 및/또는 충분히 커진 동작 전압(반파 브리지 전압에 대하여)을 부하, 즉, 램프에 제공할 수 없게 만든다.
그러므로, 본 발명에 따라, RC 저역 회로(R3,C3 및 R4,C4)는 보조 권선(HW1과 HW2)과 트랜지스터(T1,T2)에 대한 게이트 입력 사이에 연결된다. 이 회로의 기능과 효과는 게이트상의 제어 전압이 위상 이동되고, 턴 오프 임계치는 공진 쵸크(L2)에서 전류의 최대값 다음에서만 도달된다. 결과적으로, 제어 전압은 각각의 트랜지스터를 온으로 바꾸는 것을 지연한다. 그러나, 이는 전술한 바처럼, 전류가 처음에 병렬 접속된 각각의 다이오드를 통해 흐르기 때문에 불리하지 않다.
이 위상 이동에 더하여, RC 네트워크는 스위칭 동안 공진 쵸크(L2)에서 발생하는 전압 피크에 관하여 트랜지스터의 게이트를 보호한다. 자연적으로 결과한 위상이 이동되고, 저역 회로 및 고유 결과 위상 이동은 공진 회로의 고유 주파수의 방향 아래쪽으로 동작 주파수를 이동시킨다.
그 결과, 점화를 위한 고유 공진의 효과적인 트리거가 이루어진다. 저항 부하가 높더라도 과잉의 공진 효과없이 동작될 수 있다.
트랜지스터(T1,T2)의 턴 오프 순시값은 점화를 위해 스로틀(throttle) 또는 쵸크 전류의 정해진 위상각으로 세팅되어, 공진 최대값은 높은 점화 전압이 되게 정확하게 부응한다. 전류 공급 네트워크가 예를 들면 높은 저항 램프에서 작은 램프 전류로 약하게 하므로 규정 레벨 이하일지라도, 동작은 제한된 공진 상승에 의해 안정된다. 정상 동작에서 또는 네트워크의 과잉 전압에서 및 낮은 저항 램프의 높은 램프 전류로, 공진 커패시터(C8,C9)에 병렬로 연결된 소형 형광 램프(LP)는 공진 쵸크(L2)에서의 전류가 서서히 감쇠한다. 결론적으로, 어떠한 과잉 공진 효과가 감쇠되는, 즉, 회로의 전체 질이 줄어들어 고유 주파수가 낮은 레벨로 효과적으로 이동한다.
120V, 60Hz ac 네트워크에 연결된, 20W 소형 형광 램프에 대한 전형적인 회로는 다음과 같은 컴포넌트(component)를 갖는다;
제2도는 제1도에 따른 회로의 일부, 특히 트랜지스터(T1,T2) 중 어느 하나에 대한 제어 회로를 나타낸다. 또한, 제2도에는 MOSFET 트랜지스터(T3)와, 권선(HW1,HW2) 중 어느 하나에 상응하는 보조 권선(HW3)과, 다중 저역 회로가 직렬로 연결된 저항(R10,C10,R11,C11)에 의해 형성된 다중 저역 회로가 도시되어 있다. 이 회로는 트랜지스터에 대한 제어 전압과 90°의 스로틀 전류의 최대값 사이에 위상 이동을 제공한다. 단 하나의 RC 회로가 제공되면, 이동은 90°이하로 된다. 90°이상의 이동이 바람직하면, 제2도의 회로가 추천될 만하다.
제3도는 능동 소자가 IGBT 트랜지스터(T4)인 회로를 나타낸다. 물론, 또한 2개 또는 그 이상의 트랜지스터는 발진기 회로에서도 이용될 수 있다. 펄스 형성 및 이상 네트워크는 보조 권선(HW4)과 IGBT 트랜지스터(T4) 사이에 직렬로 연결된 RC 회로에 의해 형성된다.
제4도는 저항이 저항(R3 또는 R4)과 비슷하게 보조 권선(HW5) 및 커패시터(C13)에 연결되는 PTC 저항(KL2)인 펄스 형성 및 이상을 나타낸다. 트랜지스터는 MOSFET(T5)이다.
제5도는 저항(R13) 및 커패시터(C14)에 의해 형성된 RC 저역 회로에 더하여, PTC 저항(KL3) 및 저항(R14)에 의해 형성된 병렬 회로가 보조 권선(HW6)과 저항(R13) 사이에 연결된 회로를 나타낸다. 제1도에 도시된 바와 같이, 발진 회로가 하프-브리지 회로인 경우, 제2트랜지스터(T7)는 펄스 형성 및 이상 네트워크를 가진 제어 회로를 가질 필요가 없다. 트랜지스터(T6)는 필요한 제어를 제공할 수 있다. MOSFET 트랜지스터는 P-채널 트랜지스터이어야 하며, 트랜지스터(T6)는 N-채널 트랜지스터이어야 한다. 이와 같은 방법으로 2개의 트랜지스터(T6,T7)의 게이트의 직접적인 연결이 가능하다. 게이트는 역으로 극화된 2개의 제너 다이오드(Z1,Z2)에 의해 램프의 점화 동안 과전압에 대해 보호받을 수 있다.
PTC 저항(KL2,KL3) 각각은 공진 트리거링 없이 증가된 주파수에서 형광 램프의 필라멘트를 예열시킨다; 주파수는 각각 PTC 저항(KL2,KL3)의 가열 때문에 동작 주파수로 이동한다. 제5도에서 트랜지스터(T6,T7) 사이의 접속은 회로의 도시 및 설명을 쉽게 하기 위해 단선으로 표시되어 있고, 트랜지스터(T6,T7)는 각각 반대의 종류임을 나타낸다.
펄스 형성 및 이상 네트워크의 이상 소자는 능동 소자가 될 수 있다. 제6도는 능동의 이상기를 가지는 네트워크를 나타낸다. RC 저역 회로의 저항은 다이오드(D4,D5,D6,D7), NPN 트랜지스터(TR1), 커플링 저항(R15,R16) 및 전류원 다이오드(D8,D9)에 의해 형성된 브리지 정류기를 포함하는 전류원에 의해 형성된다.
전류원은 보조 권선(HW7)과 커패시터(C15) 사이에 MOSFET 트랜지스터(T8)에 대한 RC 네트워크의 저항에 상응하게 접속되어 있다. 이와 같은 전류원은 직접 회로 소자로서 구성될 수 있다.
펄스 형성은 제7도 및 제8도에 도시된 바처럼, 부가의 펄스 형성 소자에 의해 얻어진다.
제7도에는 보조 권선(HW8)과 MOSFET 트랜지스터(T9) 사이의 네트워크로서 접속된 저항(R17)과 커패시터(C16)에 의해 형성된 RC 저역 회로가 도시되어 있다. 저항(R19)과 다이오드(D10)에 의해 형성된 네트워크 및 다른 저항(R18)은 트랜지스터(T9)의 게이트 입력과 저항(R17,C16)에 의해 형성된 RC 회로 사이에 연결된다. 다이오드(D10)는 dc 전류 차단 방향으로 극이 바뀐다. 회로에 의해 얻어진 펄스 형상은 스위칭 트랜지스터(T9)의 데드 타임을 증가시키고 그의 턴-오프 동작을 개선한다.
제8도에는 보조 권선(HW9)과 MOSFET 트랜지스터(T10)의 게이트 입력 사이에 접속된 배리스터(V1)와 저항(R20)에 의해 형성된 RC 저역 회로가 도시되어 있다. 배리스터의 기생 용량은 이상 네트워크의 용량으로서 이용된다. 배리스터는 게이트의 보호에 제공된다.
그와 같은 회로에서 부가의 전하 캐리어 클리어링 네트워크를 제공하는 것이 바람직하다. 제9도에는 MOSFET 트랜지스터(T11)에 대한 저항(R21) 및 커패시터(C17)에 의해 형성된 RC 저역 회로의 커패시터(C17)애 병렬로 접속된 컬렉터-에미터 경로를 가지는 PNP 트랜지스터(TR2)에 의해 형성된 클리어링 네트워크(A)가 도시되어 있다. 그와 비슷하게, 제10도의 회로는 MOSFET 트랜지스터(T12)에 대한 저항(R23) 및 커패시터(C18)에 의해 형성된 저역 회로의 커패시터(C18)에 병렬로 접속된 컬렉터-에미터 경로를 가지는 PNP 트랜지스터(TR3)를 포함한다. 트랜지스터(TR2,TR3) 각각의 게이트 입력은 각각의 저항(R21,R23) 및 각각의 커패시터(C17,C18)와의 접점과 연결된다. 각각의 다이오드(D11,D12)는 상기 접점과 각 트랜지스터(TR2,TR3)의 에미터 입력 사이에 연결된다.
회로의 동작은 동일한 효력을 갖는다. 각각의 트랜지스터(TR2,TR3)는 MOSFET 트랜지스터(T11,T12)를 급속히 턴 오프시킨다. 부가적으로, 네트워크(A)는 제너 다이오드의 형태인 게이트 보호 소자를 포함한다. 제너 다이오드(Z3,Z4)는 제9도와 제10도에 도시된 것처럼, 각각의 전하 클리어링 트랜지스터(TR2,TR3)의 컬렉터-에미터 경로에 병렬로 연결될 수 있다. 가능하다면, 다른 제너 다이오드(Z5)가 트랜지스터(TR3)의 컬렉터와 기준 전위 사이에 제공될 수 있다.
여러 가지 변경과 수정이 이루어질 수 있고, 실시예 중 어느 하나와 관련하여 기술된 어떤 특징이라도 발명의 개념의 범위내에서 다른 어느 것과도 함께 이용될 수 있다.

Claims (18)

  1. dc 출력 전기 에너지를 제공하기 위한 필터(C1)를 가진 전력 네트워크 정류기(GL)와; 적어도 하나의 능동 스위칭 소자(T1,T2)와 피드백 회로 수단을 가지는 자기 여자 발진 회로와; 적어도 하나의 공진 인덕턴스(L2)와 적어도 하나의 용량 소자(C8,C9)를 가지는 공진 회로를 포함하며, 램프, 특히 저압 방전 램프(LP)의 고주파 동작을 위한 회로 장치에 있어서, 상기 피드백 회로 수단은 공진 인덕턴스(L2)에 유도적으로 커플링된 적어도 하나의 보조 권선(HW1,HW2,…HW11)과; 상기 보조 권선을 상기 능동 스위칭 소자에 커플링시키는 고유 공진이 없는 펄스 형성-이상 네트워크(R3,C3;R4,C4;R10,C10;R11,C11;R12,C12)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저압 방전 램프의 고주파 동작을 위한 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고유 공진이 없는 펄스 형성-이상 네트워크는 적어도 하나의 회로단을 가지는 저역 RC 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 RC 저역 회로는 다수의 저역 회로단을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 RC 펄스 형성 및 이상 네트워크는 보조 권선(HW1…HW11) 및 적어도 하나의 능동 스위칭 소자의 제어 입력과 관련하여 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스위칭 소자는 전계 효과 트랜지스터, 선택적으로는 금속 산화 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 또는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크는 적어도 하나의 가변 임피던스 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크는 저항 컴포넌트와 커패시터 컴포넌트 네트워크를 포함하며, 상기 저항 컴포넌트는 적어도 부분적으로 양의 온도 계수(PTC) 저항(KL2,KL3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크의 저항 컴포넌트는 보조 권선(HW6)과 직렬로 연결된 저항(R13)과, 상기 옴 저항(14)과, 이 옴 저항(R14)에 병렬로 접속된 PTC 저항(KL3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크의 저항 컴포넌트는 능등 소자(TR1) 및 상기 능동 소자에 연결된 회로 소자(D4-D9,R16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크는 확대된 펄스 형성 회로와, 상기 보조 권선(HW8)과 직렬로 연결된 저항(R17), 및 상기 저항(R17)과 상기 보조 권선의 직렬 접점을 가로질러 접속된 커패시터(C16)를 포함하며; 상기 추가의 펄스 형성 네트워크는 상기 커패시터(C16)와 상기 저항(R17) 사이의 접점에 연결된 다른 저항(R18)을 포함하고; 직렬 회로는 상기 접점으로부터 떨어진 추가의 저항(R18) 단자와, 상기 저항(R17)과 보조 권선 사이의 접점 사이에 연결된 부가의 저항(R19)과 다이오드(D10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크는 상기 보조 권선(HW9)과 직렬 연결된 저항(R20)과, 상기 저항과 보조 권선에 의해 형성된 직렬 회로를 가로질러 연결된 배리스터(V1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  12. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 능동 스위칭 소자(T11,T12)에 커플링되어 있는 전하 캐리어 클리어링 네트워크(A)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 펄스 형성-이상 네트워크는 저항 소자-커패시터 소자 회로를 포함하며; 상기 전하 캐리어 클리어링 네트워크(A)는 펄스 형성 및 이상 네트워크(R21,C17;R23,C18)의 커패시터 소자(C17,C18)에 병렬로 연결된 컬렉터-에미터 경로를 가지는 트랜지스터(TR2,TR3)를 포함하며, 커패시터 소자(C17,C18)와 능동 스위칭 소자(T11,T12)의 제어 입력 사이에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  14. 제1항에 있어서, 능동 스위칭 소자의 제어 단자에 연결된 보호 회로 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 능동 스위칭 소자는 트랜지스터(T6,T7,T11,T12)를 포함하며, 상기 제어 단자는 트랜지스터의 게이트 또는 베이스 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 보호 회로 소자는 제너 다이오드(Z1-Z5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 회로 장치가 절연 변압기 또는 경제적인 저젼력 동작 변압기를 포함하며, 상기 공진 인덕턴스(L2)는 상기 절연 또는 경제적 동작 변압기에 유도적으로 연결되고, 보조 권선(HW1…HW11)은 제2차 변압기에 커플링되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 공진 인덕턴스(L2)는 상기 변압기와 같은 구조를 물리적으로 집적되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
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