KR100229790B1 - Actuated mirror array - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 관한 것으로서, 특히, 최적의 광 효율을 유지하도록 한 쌍의 박막형 유전체가 각 박막형 액츄에이티드 미러의 상부에 형성된 투사형 화상 표시 장치용 M × N 개의 박막형 액츄에이티드 미러의 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이며, M × N 개의 박막형 액츄에이티드 미러의 어레이는 구동기판, 구동 구조의 어레이 및 다층 박막형 유전체의 M × N 개의 어레이를 다층을 포함하며, 상기 각 구동 구조는 탄성 부재, 박막형 제2전극, 박막형 일렉트로디스플레시브 부재 및 박막형 제1전극을 포함한다. 각 구동 구조의 상부에 형성된 박막형 유전체의 다층은 빛을 반사하는 거울로서 작용하는 박막형 제1전극에 화학적 물리적 침해를 방지할 뿐만 아니라 각 박막형 액츄에이티드 미러에 빛의 임의의 파장대에서 최고의 반사율을 공급함으로 인해 박막형 액츄에이티드 미러의 어레이의 최적의 광 효율을 유지시켜 준다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection type image display device, and more particularly, to an M × N thin film type active mirror for a projection type image display device in which a pair of thin film type dielectrics are formed on top of each thin film type active mirror to maintain optimum light efficiency. And an array of M × N thin film actuated mirrors comprising a multilayer of a driving substrate, an array of drive structures, and an M × N array of multilayer thin film dielectrics, wherein each drive structure It includes an elastic member, a thin film type second electrode, a thin film type electro-dispassive member, and a thin film type first electrode. The multilayer of thin film dielectric formed on top of each drive structure prevents chemical physical intrusion into the thin film first electrode, which acts as a mirror for reflecting light, and provides the highest reflectance at any wavelength of light to each thin film actuated mirror. This maintains the optimum light efficiency of the array of thin film actuated mirrors.
Description
제1a도 내지 제1g도는 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 종래 기술에 따른 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 2개의 액츄에이티드 미러 어레이의 제조 과정을 도시한 공정 순서도.1A to 1G are process flowcharts showing a manufacturing process of two actuated mirror arrays employed in a thin film type optical path control device according to the prior art having N × M actuated mirror arrays.
제2도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 1개의 박막형 액츄에이티드 미러 어레이를 일예로서 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing, as an example, one thin film actuated mirror array employed in a thin film type optical path adjusting apparatus having N × M actuated mirror arrays according to a preferred embodiment of the present invention.
제3a도 내지 제3f도는 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 1개의 박막형 액츄에이티드 미러 어레이의 제조 과정을 도시한 공정 순서도.3A to 3F are process flowcharts showing a manufacturing process of one thin film actuated mirror array employed in the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention having N × M actuated mirror arrays.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
201 : 액츄에이티드 미러 210 : 구동 기판201: Actuated Mirror 210: Driving Substrate
212 : 기판 214 : 접속 단자212: board 214: connection terminal
220 : 박막형 희생층 225 : 접접 부재220: thin film type sacrificial layer 225: contact member
230 : 탄성층 235 : 탄성 부재230: elastic layer 235: elastic member
240 : 박막형 제2층 245 : 박막형 제2전극240: thin film type second layer 245: thin film type second electrode
250 : 박막형 일렉트로디스플레시브(electrodisplacive)층250: thin film electrodisplacive layer
255 : 박막형 일렉트로디스플레시브(electrodisplacive)부재255 thin film type electrodisplacive member
260 : 박막형 제1층 265 : 박막형 제1전극260 thin film type first layer 265 thin film type first electrode
270, 280 : 박막형 유전층 311 : 보호된 액츄에이티드 미러270, 280: thin film dielectric layer 311: protected actuated mirror
321 : 미완성 액츄에이티드 미러 330 : 신호 입력 부분321: unfinished actuated mirror 330: signal input portion
335 : 빛 반사 부분 341 : 미완성 구동 구조335: light reflection portion 341: unfinished drive structure
400 : 박막형 유전체 부재400: thin film dielectric member
본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 관한 것으로, 특히 최적의 광 효율을 유지하도록 다층의 박막형 유전체가 각 박막형 액츄에이티드 미러의 상부에 형성된 투사형 화상 표시 장치로 이용하기에 적합한 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection type image display device, and more particularly, to a thin film type optical path control device suitable for use as a projection type image display device having a multilayer thin film dielectric formed on top of each thin film activated mirror so as to maintain an optimum light efficiency, and to manufacture the same. It is about a method.
화상 표시 장치는 표시 방법에 따라 직시형 화상 표시 장치와 투사형 화상 표시 장치로 구분되는데, 투사형 화상 표시 장치는 큰화면에서도 고화질을 나타내는 특징을 갖는다. 이런 투사형 화상 표시 장치에서 광원으로부터의 광속이 일률적으로 M×N 개의 액츄에이티드 미러에 비춰지는데, 이 액츄에이티드 미러에는 각 거울들이 각각의 액츄에이터에 결합되어 있고, 액츄에이터는 인가되는 전계에 의해 변형을 일으키는 전왜 또는 압전 물질로 만들어진다.Image display apparatuses are classified into a direct view type image display apparatus and a projection type image display apparatus according to a display method. Projection type image display apparatuses are characterized by high image quality even on a large screen. In such a projection-type image display device, the light flux from the light source is uniformly projected on M × N actuated mirrors, each mirror being coupled to each actuator, and the actuator is deformed by an applied electric field. It is made of a piezoelectric or piezoelectric material that causes it.
각 거울로부터 반사된 광속은 광학 배플(baffle)의 구멍에 입사되어지고, 각 액츄에이터에 전기 신호가 인가되면 각 거울의 전반적인 위치(즉, 반사각)가 바뀌게되고, 각 거울로부터 반사되는 광속의 광로가 바뀌게 된다. 따라서, 각각 반사되는 광속의 광로가 바뀌게 됨에 따라 광학 장치의 구멍을 통과하는 광속의 양이 변하게되어 빛의 세기를 조절하게 된다. 이때, 구멍을 통과한 광속은 투사 렌즈와 같은 적당한 광학 장치를 통해 투사면에 투사되어 그 위에 상을 나타낸다.The light beam reflected from each mirror is incident on the hole of the optical baffle, and when an electric signal is applied to each actuator, the overall position of each mirror (i.e., the reflection angle) is changed, and the light path of the light beam reflected from each mirror is changed. Will change. Therefore, as the light paths of the luminous fluxes are respectively changed, the amount of luminous flux passing through the hole of the optical device is changed to adjust the intensity of light. At this time, the light beam passing through the hole is projected onto the projection surface through a suitable optical device such as a projection lens to display an image thereon.
제 1a 도 내지 제 1g 도는 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 종래 기술에 따른 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 2개의 액츄에이티드 미러 어레이의 과정을 도시한 공정 순서도로써, 이러한 구조의 액츄에이티드 미러 어레이는 "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY"의 명칭으로 미합중국에 출원되어 계류중인 미합중국 특허 제 08/430,628 호에 잘 개시되어 있다. 여기에서 N과M은 정수이다.1A to 1G are process flow charts showing the process of two actuated mirror arrays employed in a thin film type optical path adjusting device according to the prior art having N × M actuated mirror arrays. Tied mirror arrays are well described in pending US patent application Ser. No. 08 / 430,628, filed in the United States under the name "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY". Where N and M are integers.
먼저, 어레이(10)를 제조하는 공정은, 기판(22), N×M개의 트랜지스터(transistors)의 어레이(도시생략) 및 N×M개의 접속 단자(24)를 포함하는 구동 기판(20)의 준비로 시작한다.First, the process of manufacturing the array 10 includes a substrate 22, an array of N × M transistors (not shown), and a drive substrate 20 including N × M connection terminals 24. Start with preparation.
이때, 구동 기판(20)의 상부 표면에 박막형 희생층(40)이 형성되는데, 이러한 박막형 희생층(40)은, 금속을 이용하는 경우 스퍼터링(sputtering) 방법 또는 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있고, PSG(phosphor silicate glass)를 이용하는 경우 스핀코팅(spin coating)이나 화학 기상 침적(CVD) 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 다결정 실리콘을 이용하는 경우 화학 기상 침적(Chemical Vapor Deposition)방법을 이용하여 형성할 수 있다.In this case, the thin film sacrificial layer 40 is formed on the upper surface of the driving substrate 20. The thin film sacrificial layer 40 may be formed using a sputtering method or a deposition method when using a metal. PSG (phosphor silicate glass) can be formed using spin coating or chemical vapor deposition (CVD), and polycrystalline silicon can be formed using chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition). can do.
다음에, 박막형 희생층(40)에 의해 감싸지는 M×N개의 지지부(30)의 어레이를 포함하는 지지층(15)이 형성되는데, 이러한 지지층(15)은 박막형 희생층(40)에 포토리쏘그래피(photolithography) 방법을 이용하여 접속 단자(24)의 주위에 위치하는 M×N개의 빈 구멍(도시되지 않음)의 어레이를 형성하는 공정과, 각각의 빈 구멍에 스퍼터링 또는 화학 기상 침적법을 이용하여 지지부(30)를 형성하는 공정에 의해, 일예로서 제 1a 도 도시된 바와같이, 형성되어진다. 여기에서, 지지부(30)는 절연 물질로 만들어진다.Next, a support layer 15 is formed that includes an array of M × N supports 30 wrapped by the thin film sacrificial layer 40, which is then photolithographically formed on the thin film sacrificial layer 40. a photolithography method to form an array of M × N hollow holes (not shown) located around the connection terminal 24, and sputtering or chemical vapor deposition on each of the holes. By the process of forming the support part 30, 1a is formed as an example as shown. Here, the support 30 is made of an insulating material.
또한, 지지층(15)의 상부에 지지부(30)와 동일한 절연 물질로 만들어진 탄성층(70)을 졸겔(SolGel), 스퍼터링 또는 화학 기상 침적 법 등을 이용하여 형성한다.In addition, an elastic layer 70 made of the same insulating material as the support part 30 is formed on the support layer 15 by using sol gel, sputtering or chemical vapor deposition.
다음으로, 금속으로 만들어진 접점 부재(35)가 각 지지부(30)에 형성되어지는데, 이러한 접점 부재(35)는 먼저 에칭 방법을 이용하여 탄성층(70)의 상부로부터 접속 단자(24)의 상부까지 관통하는 M×N개의 구멍(도시생략)의 어레이를 형성하는 공정과, 구멍에 금속을 채우는 공정에 의해, 일예로서 제 1b 도에 도시된 바와같이, 형성된다.Next, a contact member 35 made of metal is formed on each support portion 30, which is first contacted with an etching method from the top of the elastic layer 70 using the etching method. As an example, as shown in FIG. 1B, a process of forming an array of M × N holes (not shown) that penetrates up to and a process of filling metal with holes is provided.
이어서, 전기적 특성이 좋은 물질로 만들어진 박막형 제2층(60)이 스퍼터링 방법을 이용하여 접점 부재(35)를 포함하는 탄성층(70)의 상부에 형성된다. 여기에서, 박막형 제2층(60)은 지지부(30)에 형성된 접점 부재(35)를 통해 구동 기판(20)내에 형성된 트랜지스터에 전기적으로 연결된다. 또한, 박막형 제2층(60)의 상부에는, 제 1c 도에 도시된 바와같이, PZT(lead zirconium titanate)등의 압전 물질로 만들어진 박막형 일렉트로디스플레시브층(80)이, 졸겔, 스퍼터링 또는 화학 기상 침적법을 이용하여 형성된다.Subsequently, a thin film-shaped second layer 60 made of a material having good electrical characteristics is formed on the elastic layer 70 including the contact member 35 using a sputtering method. Here, the thin film-type second layer 60 is electrically connected to a transistor formed in the driving substrate 20 through the contact member 35 formed in the support part 30. Further, on the upper side of the thin film-like second layer 60, as shown in FIG. 1C, a thin film-type electrodispassive layer 80 made of a piezoelectric material such as lead zirconium titanate (PZT) is sol-gel, sputtered or chemical vapor phase. It is formed using the deposition method.
다음에, 박막형 일렉트로디스플레시브층(80), 박막형 제2층(60) 및 탄성층(70)은, 포토리쏘그래피 또는 레이저 절단법을 이용하는 패터닝 공정을 통해, 제 1d 도에 도시된 바와같이, 각각 M×N개의 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(85)의 어레이, M×N개의 박막형 제2전극(65)의 어레이 및 M×N개의 탄성 부재(75)의 어레이로 각각 패터닝되며, 이때 패터닝 공정은 지지층(15)의 상부가 노출될 때까지 수행된다. 여기에서, 각 박막형 제2전극(65)은 각 지지부(30에 형성된 접점부재(35)를 통해 구도 기판(20)내의 각 트랜지스터에 전기적으로 연결되므로써, 박막형 액츄에이티드 미러(11)에서 신호(signal) 전극으로써 기능한다.Next, as shown in FIG. 1D, the thin film type electro-dispassive layer 80, the thin film type second layer 60, and the elastic layer 70 are subjected to a patterning process using photolithography or laser cutting. Each of the patterns is patterned into an array of M × N thin film electro-disposable members 85, an array of M × N thin film second electrodes 65, and an array of M × N elastic members 75, respectively. This is done until the top of the support layer 15 is exposed. Here, each of the thin film-shaped second electrodes 65 is electrically connected to each transistor in the composition substrate 20 through the contact member 35 formed in each of the supporting portions 30, thereby providing a signal in the thin film-type actuated mirror 11. signal) function as an electrode.
이어서, 상 전이를 위해 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(85)를 열처리하는 공정을 수행하며, 이때 압전 물질로 만들어진 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(85)가 충분히 얇아 박막형 액츄에이티드 미러(11)의 구동시에 인가되는 전기 신호에 의해 분극 될 수 있기 때문에 그것을 따로 분극을 할 필요는 없다.Subsequently, a process of heat-treating the thin film type electro-displaced member 85 is performed for phase transition, wherein the thin film type electro-displaced member 85 made of piezoelectric material is sufficiently thin and applied when the thin film type active mirror 11 is driven. There is no need to polarize it separately because it can be polarized by an electrical signal.
그런다음, 제 1e 도에 도시된 바와같이, 전기적 특성이 좋고 빛을 반사하는 물질로 만들어진 박막형 제1전극층(50)을 스퍼터링 방법을 이용하여 열처리된 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(85)의 상부에 형성한 후에, 에칭 공정을 수행하여 제1전극층(50)의 일부를 선택적으로 제거함으로써 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(85)의 각 상부에 제1전극(55)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 1E, a thin film type first electrode layer 50 made of a material having good electrical properties and reflecting light is formed on the thin film type electro-displaced member 85 heat-treated using a sputtering method. Afterwards, a portion of the first electrode layer 50 is selectively removed by performing an etching process to form the first electrode 55 on each of the thin film electro-dispassive members 85.
따라서, 제 1f 도에 도시된 바와같이, M×N개의 액츄에이티드 미러 구조(95)의 어레이(90)을 형성하게 되는데, 각 액츄에이티드 미러 구조(95)는 상부 표면 및 4개의 측면을 포함한다. 이때, 각각의 박막형 제1전극(55)은 박막형 액츄에이티드 미러(11)에서 바이어스(bias) 전극 뿐만 아니라 거울로서 작용한다.Thus, as shown in FIG. 1F, an array 90 of M × N actuated mirror structures 95 is formed, each actuated mirror structure 95 having a top surface and four sides. Include. At this time, each of the thin film first electrodes 55 functions as a mirror as well as a bias electrode in the thin film actuated mirror 11.
다음에, 각 액츄에이티드 미러 구조(95)의 상부 표면 및 4개의 측면을 박막형 보호층(도시생략)에 의해 완전히 감싼 후, 에칭법을 이용하여 지지층(15)의 박막형 희생층(40)을 제거하고, 이어서 에칭액을 이용해 박막형 보호층을 제거함으로써, 제 1g 도에 도시된 바와같이, M×N개의 박막형 액츄에이티드 미러(11)의 어레이(10)가 완성된다.Next, the upper surface and four side surfaces of each actuated mirror structure 95 are completely wrapped by a thin film type protective layer (not shown), and then the thin film type sacrificial layer 40 of the support layer 15 is removed by etching. By removing and then removing the thin film type protective layer using an etching solution, as shown in FIG. 1G, the array 10 of MxN thin film type activated mirrors 11 is completed.
그러나, 상술한 바와같은 과정을 통해 박막형 광로 조절 장치용 액츄에이티드 미러 어레이를 제조하는 종래 방법은, 액츄에이티드 미러 어레이의 구조를 완성한 후에 액츄에이티드 미러 구조를 둘러싸고 있는 박막형 보호층을 제거할 때 사용되는 에칭액에 의해 박막형 액츄에이티드 미러에서 거울로써 기능하는 박막형 제1전극(55)이 화학적으로 침해되므로써, 박막형 액츄에이터 미러 어레이의 광효율이 저하되는 큰 문제점을 갖는다.However, the conventional method of manufacturing the actuated mirror array for the thin film type optical path adjusting device through the above-described process is to complete the structure of the actuated mirror array and then to remove the thin film type protective layer surrounding the actuated mirror structure. Since the thin film type first electrode 55 functioning as a mirror in the thin film type actuated mirror is chemically impaired by the etching liquid used at the time, the optical efficiency of the thin film type actuator mirror array has a large problem.
따라서, 본 발명의 목적은 에칭액에 의한 보호층의 제거시에 야기되는 반사 거울의 화학적 및 물리적 손상을 차단함으로써, 반사 거울에서의 광효율을 최적 상태로 유지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a thin film type optical path control apparatus and a method for manufacturing the same, which can keep the optical efficiency of the reflective mirror at an optimum state by blocking chemical and physical damage of the reflective mirror caused when the protective layer is removed by the etching solution. To provide.
상기 목적을 달성하기 위한 일관점에 따른 본 발명은, N×M개의 트랜지스터와 각 트랜지스터에 전기적으로 각각 연결되는 N×M개의 접속 단자를 갖는 구동 기판과, 도전성 물질로 된 각 접점 부재를 통해 상기 각 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상기 각 액츄에이티드 미러 어레이 각각이, 상기 구동 기판내 대응하는 접속 단자와 전기적으로 연결되는 접점 부재를 포함하는 탄성 부재; 상기 탄성 부재의 상부에 형성되어 상기 접점 부재와 연결되는 박막형 제2전극; 상기 박막형 제2전극의 상부에 형성되며, 상기 구동 기판내 대응 트랜지스터를 통해 제공되는 전기 신호에 의해 변형되는 박막형 일렉트로디스플레시브 부재; 상기 박막형 일렉트로디스플레시브 부재의 상부에 형성되어 공통 전극 및 거울로써 기능하는 박막형 제1전극; 및 상기 박막형 제1전극의 및 반사 부분 상부에 형성되며, 소정의 두께와 소정의 굴절 계수를 각각 갖는 다수의 박막형 유전층으로 이루어진 박막형 광로 조절 장치를 제공한다.The present invention according to a consistent point to achieve the above object is a drive substrate having N × M transistors and N × M connection terminals electrically connected to the respective transistors, and through each contact member made of a conductive material. A thin film type optical path adjusting device having N × M actuated mirror arrays electrically connected to respective transistors, wherein each of the actuated mirror arrays is electrically connected to a corresponding connection terminal in the driving substrate. An elastic member comprising a; A thin film type second electrode formed on the elastic member and connected to the contact member; A thin film type electro-dispassive member formed on the thin film type second electrode and deformed by an electrical signal provided through a corresponding transistor in the driving substrate; A thin film type first electrode formed on an upper portion of the thin film type electro-dispassive member and functioning as a common electrode and a mirror; And a plurality of thin film dielectric layers formed on the thin film first electrode and on the reflective portion, the thin film dielectric layers each having a predetermined thickness and a predetermined refractive index.
상기 목적을 달성하기 위한 다른 관점에 따른 본 발명은, N×M개의 트랜지스터와 각 트랜지스터에 전기적으로 각각 연결된 N×M개의 접속 단자를 갖는 구동 기판과, 도전성 물질로 된 각 접점 부재를 통해 상기 각 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 박막형 광로 조절 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 구동 기판을 준비하는 공정; 상기 구동 기판의 상부에 박막형 희생층을 침적시키는 공정; 상기 구동 기판내 대응하는 접속 단자의 상부 주위에 위치하는 접점 부재용 구멍을 형성하는 공정; 상기 형성된 구멍을 매립시키는 형태로 상기 박막형 희생층의 상부에 절연 물질을 침적시켜 탄성층을 형성하는 공정; 상기 대응 접속 단자의 상부에 위치하는 상기 탄성층의 일부를 제거하여 상기 대응 접속 단자를 노출시키고, 이 노출된 영역에 도전성 물질을 매립시켜 접접 부재를 형성하는 공정; 상기 접점 부재를 갖는 탄성층의 상부에 도전성 물질로 된 박막형 제2층, 변형 물질로 된 박막형 일렉트로디스플레시브 층, 도전성 및 빛 반사성 물질로 된 박막형 제1층을 순차 침적하는 공정; 상기 박막형 희생층이 노출될 때까지 상기 박막형 제2층, 박막형 일렉트로디스플레시브 층, 박막형 제1층 및 탄성층을 순차 패터닝함으로써, 박막형 제1전극, 박막형 일렉트로디스플레시브 부재, 박막형 제2전극 및 탄성 부재로 된 미완성 액츄에이트드 미러 구조를 형성하는 공정; 상기 미완성 액츄에이티드 미러 구조의 상부의 빛 반사 부분에 소정 두께를 갖는 다수의 박막형 유전층을 순차 형성하는 공정; 상기 미완성 액츄에이티드 미러를 에워싸는 형태로 박막형 보호층을 형성하는 공정; 에칭액을 이용하여 상기 박막형 희생층을 제거하는 공정; 및 다른 에칭액을 이용하여 상기 박막형 보호층을 제거함으로써, 박막형 액츄에이티드 미러 어레이를 완성하는 공정으로 이루어진 박막형 광로 조절 장치 제조 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a driving substrate having N × M transistors and N × M connection terminals electrically connected to the respective transistors, and each contact member made of a conductive material. CLAIMS 1. A method of manufacturing a thin film type optical path control device having N × M actuated mirror arrays electrically connected to transistors, the method comprising: preparing the drive substrate; Depositing a thin-film sacrificial layer on the drive substrate; Forming a hole for a contact member located around an upper portion of a corresponding connection terminal in the drive substrate; Forming an elastic layer by depositing an insulating material on top of the thin film sacrificial layer in a form of filling the formed hole; Removing a portion of the elastic layer located above the corresponding connection terminal to expose the corresponding connection terminal, and embedding a conductive material in the exposed area to form a contact member; Sequentially depositing a thin film-type second layer made of a conductive material, a thin film type electro-disposable layer made of a modifying material, and a thin film-type first layer made of a conductive and light reflective material on top of the elastic layer having the contact member; By sequentially patterning the thin film second layer, the thin film electroless passive layer, the thin film first layer, and the elastic layer until the thin film sacrificial layer is exposed, the thin film first electrode, the thin film electroless passive member, the thin film second electrode, and the elastic layer are sequentially patterned. Forming an unfinished actuated mirror structure of members; Sequentially forming a plurality of thin-film dielectric layers having a predetermined thickness in the light reflecting portion of the upper part of the unfinished actuated mirror structure; Forming a thin film type protective layer in a form of enclosing the unfinished actuated mirror; Removing the thin film sacrificial layer using an etching solution; And removing the thin film protective layer using another etching solution, thereby providing a method of manufacturing a thin film type optical path control device, comprising a step of completing a thin film type activated mirror array.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제 2 도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 1개의 박막형 액츄에이티드 미러 어레이를 일예로서 도시한 단면도이다. 따라서, 하기에서는 설명의 편의와 이해의 증진을 위해, 일예로서 단지 하나의 액츄에이티드 미러 어레이의 구조 및 그 제조 과정에 대하여 설명한다.2 is a cross-sectional view showing, as an example, one thin film actuated mirror array employed in a thin film type optical path adjusting apparatus having N × M actuated mirror arrays according to a preferred embodiment of the present invention. Therefore, in the following description, for the sake of convenience and understanding of the description, the structure and manufacturing process of only one actuated mirror array will be described as an example.
제 2 도를 참조하면, 하나의 액츄에이터 미러 어레이(200)는, 크게 구분해 볼 때, 구동 기판(210), 접점 부재(225), 구동 구조(300) 및 다층으로 된 박막형 유전체 부재(400)를 포함한다. 여기에서, 구동 기판(210)은 기판(212), 접속 단자(214) 및 트랜지스터(도시생략)를 포함하며, 접속 단자(214)는 트랜지스터에 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 2, one actuator mirror array 200 may be classified into a driving substrate 210, a contact member 225, a driving structure 300, and a multilayer thin film dielectric member 400. It includes. Here, the driving substrate 210 includes a substrate 212, a connection terminal 214, and a transistor (not shown), and the connection terminal 214 is electrically connected to the transistor.
또한, 구동 구조(300)는 신호 입력 부분(330)과 빛 반사 부분(335)으로 구성되어, 탄성 부재(235), 박막형 제2전극(245), 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(255) 및 박막형 제1전극(265)을 포함한다. 전기적 특성이 좋은 물질로 만들어진 접점 부재(225)는 박막형 제2전극(245)의 하부에 연결되어 트랜지스터에 전기적으로 연결된 접속 단자(214)간을 접속함으로써, 박막형 제2전극(245)이 박막형 액츄에이티드 미러(201)에서 신호 전극으로써 기능하도록 한다. 전기적 특성이 좋고 빛을 반사하는 물질로 만들어진 박막형 제1전극(265)은 접지되어 박막형 액츄에이티드 미러(201)에서 바이어스 전극 뿐만 아니라 거울로써 기능한다.In addition, the drive structure 300 is composed of a signal input portion 330 and the light reflection portion 335, the elastic member 235, the thin film type second electrode 245, the thin film type electro-dispassive member 255 and the thin film type One electrode 265 is included. The contact member 225 made of a material having good electrical characteristics is connected to a connection terminal 214 electrically connected to a lower portion of the thin film-type second electrode 245 so that the thin film-type second electrode 245 is a thin film type actuator. It acts as a signal electrode in the activated mirror 201. The thin film type first electrode 265 made of a material having good electrical characteristics and reflecting light is grounded to function as a mirror as well as a bias electrode in the thin film type actuated mirror 201.
한편, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 액츄에이티드 미러 어레이는, 종래의 박막형 광로 조절 장치내 액츄에이티드 미러 어레이의 구조에서 박막형 보호층을 에칭액으로 제거할 때 에칭액에 의해 박막형 제1전극이 화학적으로 침해되는 것을 방지하기 위하여, 반사 부분(335)에서 거울로써 기능하는 박막형 제1전극(265)의 상부에 다수의 박막형 유전층(예를들면, 두 개의 박막형 유전층 : 270, 280)을 포함한다.On the other hand, the actuated mirror array employed in the thin film type optical path adjusting device according to the present invention has a thin film type first by an etching solution when the thin film type protective layer is removed with the etching liquid in the structure of the actuated mirror array in the conventional thin film type optical path adjusting device. In order to prevent the electrode from being chemically impaired, a plurality of thin film dielectric layers (for example, two thin film dielectric layers: 270 and 280) are disposed on top of the thin film first electrode 265 which functions as a mirror in the reflective portion 335. Include.
이와같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치내 액츄에이티드 미러 어레이에 채용되는 박막형 유전층(270, 280)은 박막형 보호층(제 3e 도의 290)을 에칭액으로 제거할 때 에칭액에 의해 박막형 제1전극(265)이 화학적으로 침해되는 것을 방지할 뿐만 아니라 후속하는 공정중에 박막형 제1전극(265)이 물리적으로 침해되는 것을 방지, 즉 화학적 및 물리적 침해로부터 박막형 제1전극(265)을 보호한다.As described above, the thin film dielectric layers 270 and 280 employed in the actuated mirror array in the thin film type optical path adjusting device according to the present invention have a thin film type first electrode 265 by the etching solution when the thin film protective layer 290 of FIG. 3e is removed with the etching solution. ) Not only prevents chemical intrusion, but also prevents physical intrusion of the thin film first electrode 265 during the subsequent process, that is, protects the thin film first electrode 265 from chemical and physical intrusion.
더욱이, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치내 액츄에이티드 미러 어레이에 채용되는 박막형 유전층(270, 280)은 박막형 액츄에이티드 미러(201)의 반사율이 빛의 임의의 파장대에서 최대가 되도록 하여 액츄에이티드 미러 어레이(200)의 박막형 액츄에이티드 미러(201)가 최적의 광 효율을 유지갖도록 한다.Furthermore, the thin film dielectric layers 270 and 280 employed in the actuated mirror array in the thin film type optical path control apparatus according to the present invention allow the reflectivity of the thin film type active mirror 201 to be maximized in any wavelength band of light. The thin-film actuated mirror 201 of the tilted mirror array 200 is to maintain the optimum light efficiency.
잘 알려진 바와같이, 가시 영역에서 순수 금속의 반사율은 특별한 유전층을 이용함으로 증가시킬 수 있다.As is well known, the reflectance of pure metals in the visible region can be increased by using a special dielectric layer.
즉, 정상 상태 대기 중에서 한 수직 입사의 반사율 R은 다음의 식(1)과 같이 표현할 수 있다.That is, the reflectance R of one vertical incidence in the steady state atmosphere can be expressed by the following equation (1).
상기한 식(1)에서 n과 k는 각각 금속의 굴절 계수 및 빛 소멸 계수를 나타낸다.In the above formula (1), n and k represent the refractive index and the light extinction coefficient of the metal, respectively.
일예로서, 금속이 n₂ 및 n₁의 굴절 계수를 갖는 물질로 순차적으로 각각(λ는 빛의 한 파장)의 두께로 덮혀진다면, 정상 상태 대기 중에서 수직입사의 반사율 R은,As an example, the metal is a material having a refractive index of n 2 and n 순차적 sequentially (λ is one wavelength of light), the reflectance R of vertical incidence in a steady state atmosphere is
으로 나타낼 수 있다.It can be represented as
만약, if,
이 만족되도록,So that it is satisfied,
또는 or
이라고 하면, 상기한 식(2)의 반사율은 식(1)에서 구해진 순수 금속의 반사율보다 크게 된다.In this case, the reflectance of the above formula (2) is larger than the reflectance of the pure metal obtained by the formula (1).
상기한 식(4)에 따라서, 금속에 (n₁/n₂)가 1보다 크거나 같음을 만족하는 n₂ 및 n₁의 굴절 계수를 갖는 박막형 유전층을 순차적으로 형성함으로써 금속의 반사율을 증가시킬 수 있다. 여기에서, 비율이 높아질수록, 반사율은 더 커지게 된다.According to Equation (4) above, the reflectance of the metal can be increased by sequentially forming a thin film dielectric layer having a refractive index of n2 and n₁ satisfying that (n₁ / n₂) is greater than or equal to 1. Here, the higher the ratio, the larger the reflectance.
예로서, 순수 알루미늄의 반사율은 정상 상태에서 550nm의 파장을 갖는 빛에 대해 91.6% 이다.As an example, the reflectivity of pure aluminum is 91.6% for light having a wavelength of 550 nm at steady state.
만약, 알루미늄에 1.38의 굴절 계수를 갖는 불화 마그네슘과 2.35의 굴절 계수를 갖는 황화 아연을 순차적으로 각각두께로 (λ=550nm)덮게 되면 (n₁/n₂)²=2.9가 되므로, 상기한 식(3)에 의해 반사율이 96.9%로 증가하게 된다.If in aluminum, magnesium fluoride having a refractive index of 1.38 and zinc sulfide having a refractive index of 2.35 are sequentially When (λ = 550 nm) is covered by the thickness, (n₁ / n₂) ² = 2.9, the reflectance is increased to 96.9% by Equation (3).
따라서, 본 발명에 따른 액츄에이티드 미러 어레이(200)에 있어서, 박막형 액츄에이티드 미러(201)의 반사율은 박막형 유전체 부재(400)를 구성하는 박막형 유전층(270, 280)의 두께 및 굴절 계수, 박막형 유전층의 수 및 입사하는 빛의 입사각을 효과적으로 조정함으로써 빛의 임의의 파장대에서 최대가 될 수 있다.Accordingly, in the actuated mirror array 200 according to the present invention, the reflectance of the thin film actuated mirror 201 is determined by the thickness and refractive index of the thin film dielectric layers 270 and 280 constituting the thin film dielectric member 400. By effectively adjusting the number of thin-film dielectric layers and the incident angle of incident light, it can be maximized in any wavelength band of light.
즉, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치내 액츄에이티드 미러 어레이에 채용되는 박막형 유전층(270, 280)은 박막형 제1전극(265)이 화학적 및 물리적으로 침해되는 것을 방지할 뿐만 아니라 박막형 액츄에이티드 미러 어레이(201)의 반사율이 빛의 임의의 파장대에서 최대가 되도록하여 액츄에이티드 미러 어레이(200)의 박막형 액츄에이티드 미러(201)가 최적의 광 효율을 유지갖도록 한다.That is, the thin film dielectric layers 270 and 280 employed in the actuated mirror array in the thin film type optical path control device according to the present invention not only prevent the thin film first electrode 265 from being chemically and physically impaired, but also the thin film type actuator. The reflectance of the mirror array 201 is maximized in any wavelength band of light so that the thin-film actuated mirror 201 of the actuated mirror array 200 maintains optimum light efficiency.
다음에, 상술한 바와같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치내 액츄에이티드 미러 어레이를 제조하는 과정에 대하여 설명한다.Next, a process of manufacturing the actuated mirror array in the thin film type optical path adjusting device according to the present invention having the structure as described above will be described.
제 3a 도 내지 제 3f 도는 N×M개의 액츄에이티드 미러 어레이를 갖는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 채용되는 1개의 박막형 액츄에이트드 미러 어레이의 제조 과정을 도시한 공정 순서도이다.3A to 3F are process flowcharts showing a manufacturing process of one thin film actuated mirror array employed in the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention having N × M actuated mirror arrays.
먼저, 어레이(10)를 제조하는 공정은, 기판(212), N×M개의 트랜지스터 어레이(도시생략) 및 N×M개의 접속 단자(24)를 포함하는 구동 기판(20)의 준비로 시작한다. 여기에서, 구동 기판(212)은 실리콘 웨이브(Siwafer)등의 절연 물질로 만들어진다.First, the process of manufacturing the array 10 begins with the preparation of the drive substrate 20 including the substrate 212, N × M transistor arrays (not shown), and N × M connection terminals 24. . Here, the driving substrate 212 is made of an insulating material such as silicon wave (Siwafer).
다음에, 구리 또는 니켈 등의 금속, PSG 또는 다결정 실리콘으로 만들어지고 0.12μm의 두께를 갖는 박막형 희생층(220)을 구동 기판(210)의 상부에 형성한다. 여기에서, 박막형 희생층(220)은 금속으로 선택한 경우 스퍼터링(sputtering) 방법 또는 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있고, PSG로 선택한 경우 스핀 코팅(spin coating)이나 화학 기상 침적(CVD) 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 다결정 실리콘으로 선택한 경우 화학 기상 침적(Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 형성할 수 있다.Next, a thin film sacrificial layer 220 made of a metal such as copper or nickel, PSG or polycrystalline silicon and having a thickness of 0.1 μm 2 μm is formed on the driving substrate 210. In this case, the thin-film sacrificial layer 220 may be formed using a sputtering method or a deposition method when the metal is selected, and using a spin coating or chemical vapor deposition (CVD) method when the PSG is selected. If the polycrystalline silicon is selected, it may be formed using a chemical vapor deposition method.
이어서, 포토리쏘그래피 방법을 이용하여 박막형 희생층(220)의 소정부분, 즉 접속 단자(214)의 상부측에 후속하는 공정을 통해 형성될 제2전극(즉, 신호 전극)과 접속 단자(214)를 전기적으로 연결하는 접점 부재를 형성하기 위한 구멍을 형성한다.Subsequently, a second electrode (ie, a signal electrode) and a connection terminal 214 to be formed through a process subsequent to a predetermined portion of the thin-film sacrificial layer 220, that is, the upper side of the connection terminal 214 using a photolithography method. ) To form a hole for forming a contact member for electrically connecting.
또한, 졸겔, 스퍼터링 또는 화학 기상 침적 방법을 이용하여, 구멍을 포함하는 박막형 희생층(220)의 상부에 질화 실리콘 등의 절연 물질로 구성되어 대략 0.12μm의 두께를 갖는 탄성층(230)을 형성한다.In addition, by using a sol-gel, sputtering or chemical vapor deposition method, an elastic layer 230 formed of an insulating material such as silicon nitride is formed on the thin-film sacrificial layer 220 including a hole to have a thickness of approximately 0.12 μm. do.
다음에, 제 3a 도에 도시된 바와같이, 탄성층(230)의 일부, 즉 접속 단자(214)의 상부에 텅스텐 등의 금속으로 채워 탄성부재(225)를 형성하는데, 이러한 탄성 부재(225)는 먼저 에칭 방법을 이용하여 탄성층(230)의 상부로부터 접속 단자(214)의 상부까지 관통하는 M×N개의 구멍(도시생략) 어레이를 형성하는 공정과, 스퍼터링 방법을 이용하여 형성된 구멍에 금속을 채우는 공정에 의해 형성된다.Next, as shown in FIG. 3A, a part of the elastic layer 230, that is, an upper portion of the connection terminal 214 is filled with a metal such as tungsten to form the elastic member 225, which is the elastic member 225. First, an M x N hole (not shown) array penetrates from the top of the elastic layer 230 to the top of the connection terminal 214 by using an etching method, and the metal formed in the hole formed by the sputtering method. It is formed by the process of filling.
계속해서, 스퍼터링 또는 진공 증착 법을 이용하여 탄성 부재(225)를 갖는 탄성층(230)의 상부에 Pt또는 Pt/Ti 등의 전기적 특성이 좋은 물질로 만들어지고 0.12μm의 두께를 갖는 박막형 제2층(240)을 형성한다.Subsequently, a thin film-type second having a thickness of 0.12 μm and made of a material having good electrical properties such as Pt or Pt / Ti on the elastic layer 230 having the elastic member 225 by sputtering or vacuum deposition. Form layer 240.
다음으로, PZT(lead zirconium titanate) 등의 압전 물질 또는 PMN(lead magnesium niobate)등의 전왜 물질로 만들어지고 0.12μm의 두께를 갖는 박막형 일렉트로디스플레시브 층(250)을 스퍼터링 또는 진공 증착법을 이용하여 박막형 제2층(240)의 상부에 형성한다. 여기에서, 박막형 일렉트로디스플레시브 층(250)은 상 전이를 일으키도록 열처리된다.Next, a thin film type electro-dispassive layer 250 made of a piezoelectric material such as lead zirconium titanate (PZT) or an electrostrictive material such as lead magnesium niobate (PMN) and having a thickness of 0.12 μm using sputtering or vacuum deposition The upper layer is formed on the second layer 240. Here, the thin film electro-dispassive layer 250 is heat treated to cause a phase transition.
또한, 제 3b 도에 도시된 바와같이, A1또는 Ag등의 전기적 특성이 좋고 빛을 반사하는 물질로 만들어지고 0.12μm의 두께를 갖는 박막형 제1층(260)을 스퍼터링 또는 진공 증착법을 이용하여 박막형 일렉트로디스플레시브 층(250)의 상부에 형성하며, 이때 반사 금속의 두께로 빛의 투과가 거의 없게 소정의 두께 이상으로 해야한다.In addition, as shown in FIG. 3B, the thin film-type first layer 260 made of a material having good electrical properties such as A1 or Ag and reflecting light and having a thickness of 0.12 μm using a sputtering or vacuum deposition method It is formed on the upper portion of the electro-dispassive layer 250, and at this time, the thickness of the reflective metal should be greater than or equal to a predetermined thickness so that light is hardly transmitted.
이어서, 박막형 희생층(220)을 종말점으로하는 패터닝 공정(즉, 패터닝을 위한 에칭 공정)을 수행하여 박막형 제1층(260), 박막형 일렉트로디스플레시브 층(250), 박막형 제2층(240) 및 탄성층(230)을 순차 에칭함으로써, 제 3c 도에 도시된 바와같이, 미완성 구동 구조(341)의 어레이(340)을 형성한다. 여기에서, 미완성 구동 구조(341)는 박막형 제1전극(265), 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(255), 박막형 제2전극(245) 및 탄성 부재(235)를 포함한다. 미완성 구동 구조(341)의 박막형 제2전극(245)은 탄성부재(225) 및 접속 단자(214)를 통해 도시 생략된 트랜지스터에 전기적으로 연결되어 박막형 액츄에이티드 미러(201)의 전극으로써 기능하며, 박막형 제1전극(265)은 박막형 액츄에이티드 미러(201)에서 바이어스 전극 및 거울로써 기능한다.Subsequently, a patterning process (ie, an etching process for patterning) having the thin film-type sacrificial layer 220 as an end point is performed to perform the thin film-type first layer 260, the thin film-type electro-dispassive layer 250, and the thin film-type second layer 240. And sequentially etching the elastic layer 230 to form an array 340 of unfinished drive structures 341, as shown in FIG. 3C. In this case, the unfinished driving structure 341 includes a thin film type first electrode 265, a thin film type electro passive member 255, a thin film type second electrode 245, and an elastic member 235. The thin film type second electrode 245 of the unfinished driving structure 341 is electrically connected to a transistor (not shown) through the elastic member 225 and the connecting terminal 214 to function as an electrode of the thin film type activated mirror 201. The thin film type first electrode 265 functions as a bias electrode and a mirror in the thin film type actuated mirror 201.
여기에서, 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(255)는 충분히 얇기 때문에 일렉트로디스플레시브 부재(255)가 압전 물질로 만들어 졌다면 박막형 액츄에이티드 미러(201)의 구동시에 인가되는 전기 신호에 의해 분극 될 수 있기 때문에 그것을 따로 분극을 할 필요가 없다.Here, since the thin-film electro-dispassive member 255 is sufficiently thin, if the electro-dispassive-member 255 is made of piezoelectric material, it can be polarized by an electrical signal applied when the thin-film actuated mirror 201 is driven. There is no need to polarize it separately.
다음에, 스퍼터링 또는 진공 증착 법을 이용하여 노출된 박막형 희생층(220)의 상부 및 미완성 구동 구조(341)의 상부에 다수의 박막형 유전체 물질(예를들면, 2층의 박막형 유전체 물질)을 순차 침적한다. 여기에서, 박막형 유전체 물질은 소정의 두께와 굴절 계수를 갖는다.Next, a plurality of thin film dielectric materials (e.g., two layers of thin film dielectric materials) are sequentially placed on top of the unfinished driving structure 341 on top of the thin film sacrificial layer 220 exposed by sputtering or vacuum deposition. To be deposited. Here, the thin film dielectric material has a predetermined thickness and a refractive index.
이어서, 포토리쏘그래피 또는 레이저 절단 방법을 이용하여 박막형 희생층(220)이 재 노출될 때까지 2층의 박막형 유전체 물질을 패터닝함으로써, 제 3d 도에 도시된 바와같이, 미완성 액츄에이티드 미러(321)의 빛 반사 부분(335)에 위치하는 박막형 제1전극(265)의 상부에 2층의 박막형 유전층(270, 280)을 형성한다.The unfinished actuated mirror 321 is then patterned by using a photolithography or laser cutting method to pattern the two layers of thin film dielectric material until the thin film sacrificial layer 220 is reexposed. Two layers of thin film dielectric layers 270 and 280 are formed on the thin film first electrode 265 positioned at the light reflection portion 335.
즉, 미완성 액츄에이티드 미러(321)는 신호 입력 부분(330) 및 빛 반사 부분(335)으로 구성되고, 접점 부재(225)는 미완성 액츄에이티드 미러(321)의 신호 입력 부분(330)에 위치하며, 박막형 유전체 부재를 이루는 박막형 유전층(270, 280)은 미완성 액츄에이티드 미러(321)의 빛 반사 부분(335)에 위치한다. 또한, 미완성 액츄에이티드 미러(321)는 박막형 유전층(270, 280), 박막형 제1전극(265), 박막형 일렉트로디스플레시브 부재(255), 박막형 제2전극(245) 및 탄성 부재(235)를 포함한다.That is, the unfinished actuated mirror 321 is composed of a signal input portion 330 and a light reflecting portion 335, and the contact member 225 is connected to the signal input portion 330 of the unfinished actuated mirror 321. And the thin film dielectric layers 270 and 280 constituting the thin film dielectric member are positioned at the light reflecting portion 335 of the unfinished actuated mirror 321. In addition, the unfinished actuated mirror 321 may include the thin film dielectric layers 270 and 280, the thin film first electrode 265, the thin film electroless passive member 255, the thin film second electrode 245, and the elastic member 235. Include.
다음에, 제 3e 도에 도시된 바와같이, 미완성 액츄에이티드 미러(321)를 박막형 보호층(290)으로 완전히 감싸므로써, 보호된 액츄에이티드 미러(311)의 어레이(310)을 형성한 다음, 에칭법을 이용하여 박막형 희생층(220)을 제거한 후 박막형 보호층(290)을 에칭액으로 제거함으로써, 제 3f 도에 도시된 바와같이, 박막형 액츄에이티드 미러(201)의 어레이(200)을 완성한다.Next, as shown in FIG. 3E, the unfinished actuated mirror 321 is completely wrapped with the thin-film protective layer 290, thereby forming an array 310 of protected actuated mirrors 311. After the thin film type sacrificial layer 220 is removed using an etching method, the thin film type protective layer 290 is removed with an etching solution, thereby removing the array 200 of the thin film type activated mirror 201 as shown in FIG. 3F. Complete
이때, 본 발명에 따라 박막형 액츄에이티드 미러를 제조하는 과정에서 에칭액으로 박막형 보호층(290)을 제거할 때 박막형 제1전극(265)의 상부에 형성된 다수의 유전층(270, 280)이 에칭액으로부터 박막형 제1전극(265)을 보호하기 때문에, 종래 방법에서와 같이, 보호층을 제거할 때 사용되는 에칭액에 의해 박막형 제1전극(265)이 화학적 및 물리적으로 침해되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.At this time, when the thin film type protection layer 290 is removed with the etching solution in the process of manufacturing the thin film type active mirror according to the present invention, a plurality of dielectric layers 270 and 280 formed on the thin film type first electrode 265 are formed from the etching solution. Since the thin film type first electrode 265 is protected, it is possible to reliably prevent the thin film type first electrode 265 from being chemically and physically impaired by the etching solution used when removing the protective layer as in the conventional method. .
상술한 실시예에서는 박막형 액츄에이티드 미러(201)를 유니모프(unimorph)구조로 하는 것으로하여 설명하였으나, 본 발명은 더 많은 일렉트로디스플레시브 층 및 전극층의 형성을 갖는 바이모프(bimorph) 구조를 갖는 박막형 액츄에이티드 미러의 어레이를 제조하는데도 동일하게 적용될 수 있다.In the above-described embodiment, the thin-film actuated mirror 201 is described as having a unimorph structure. However, the present invention has a bimorph structure having more electro-active layers and electrode layers. The same can be applied to fabricating an array of thin film actuated mirrors.
또한, 본 발명에 따른 박막형 액츄에이티드 미러 제조 방법은 다른 기하학적 구조를 갖는 박막형 액츄에이티드 미러 어레이를 제조하도록 변경될 수도 있다.In addition, the method of manufacturing a thin film actuated mirror according to the present invention may be modified to produce a thin film actuated mirror array having a different geometry.
상술한 바와같이 본 발명은 바람직한 실시예를 중심으로 설명 및 도시하였으나, 본 기술 분야의 숙련자라면 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범주내에서 다양하게 변형 실시될 수 있음을 알 수 있을 것이다.As described above, the present invention has been described and illustrated with reference to the preferred embodiments, but it will be understood by those skilled in the art that various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
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