KR100226809B1 - 물리적 증착챔버내에서 입자를 감소시키기 위해 실드를 가공하는방법 - Google Patents

물리적 증착챔버내에서 입자를 감소시키기 위해 실드를 가공하는방법 Download PDF

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하임길보아
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Abstract

본 발명은 물리 증착 챔버내에서 사용되는 물리 증착 챔버 공정에 의해 증착부의 부착을 증기시키기 위해 스퍼터링-에지 세척되는 실드를 준비하는 방법을 개시한다. 스퍼터링-에지 세척은 확산장벽을 형성하여 증착부가 실드에 결함되지 못하도록 하는 오염물을 느슨하게 하는 역할을 한다. 또한 스터링-에지 세척은 높은 정도의 미세 거실기를 만든다. 이 거실기는 계면 긍극의 형성을 최소화하는 핵생성 자리를 증가시킨다. 실드는 스퍼터링-에지 세척 이외에 비이드 블라스팅된다. 비이드 블라스팅은 실드 표면을 불규칙하게 만든다. 이것은 증착된 새료의 계면균열을 미세 규모로 강화시켜 각리를 감소시킨다.

Description

물리적 챔버내에서 입자를 감소시키기 위해 실드를 가공하는 방법
제1도 는 스퍼터 증착 공정에 사용된 물리적 증착 챔버를 단순하게 도시한 블록선도.
제2도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분해된 물리적 증착 챔버의 사시도.
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실드를 스퍼터 에칭 세척하기 위해 배열된 물리적 증착 챔버를 도시한 도면.
제4도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 물리적 챔버내에서 실드의 사용을 위한 준비로 실드를 별도로 세척하기 위해 DC 전력공급원을 이용하는 시스템의 블록선도.
제5도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 물리적 증착 챔버내에서 실드의 사용을 위한 준비로 실드를 별도로 세척하기 위해 RF 전력공급원을 이용하는 시스템의 블록선도.
제6도는 RF 전럭 신호가 본 발명의 또다른 실시예에 클램프링 및 실드의 시투(in situ) 반응 또는 비반응 플라즈마 처리를 위해 리드상에 배치되는 물리적 증착 챔버를 도시한 도면.
제7도는 플라즈마가 본 발명의 또다른 실시예에 따른 특정 상류 챔버내에서 발생되는 경우에, 물리적 증착 챔버내에서 실드의 사용을 위한 준비로 실드를 별도로 또는 인 시투로 플라즈마 처리를 행하는 시스템의 블록선도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 절연체링 12, 51, 66 : 고주파 웨이퍼 바이어스 회로
13 : 직류 웨이퍼 바아어스 회로 14 : PVD 챔버
16 : 클램프링 17 : 실드
18 : 라인 20 : 공급원
21 : 직류 공급원 22 : 타켓
24 : 가동성 웨이퍼 테이블 25 : 진공 펌프
26, 56 : 가스 제어 회로 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 69 : 포트
46 : 덮개판 67 : 독립형 챔버
70 : 상류 플라즈마 준비챔버
본 발명은 물리적 증착 챔버내에서 실드에 대한 부착강도를 증가시켜 입자 감소를 달성하기 위해 실드를 가공하는 방법에 관한 것이다.
물리적 증착(PVD) 공정에서, 티타늄 텅스텐과 같은 타켓 재료는 아르곤 이온과 같은 가스화 이온에 의해 충격이 가해진다. 타켓으로부터 원자가 튀어나와 가공물에 스퍼터링된다. 가공물은 통상적으로 반도체 웨이퍼이지만 자성디스크 또는 평판 패널 디스플레이 일 수도 있다.
PVD 챔버는 통상적으로 웨이퍼의 매우 가까운 영역에 실드를 구비하고 있다. 실드는 타켓으로부터의 과도한 재료 스퍼터링이 PVD 챔버의 나머지부를 오염시키는 것을 방지시킨다.
여러 형태의 스퍼터링 재료에 있어서 실드상에 과도한 재료의 형성은 결국 박리(flaking)를 초래한다. 이 관점에서, 보통 실드를 교체한으로써 PVD 챔버를 보수 및 유지 시킬 필요가 있다. 만일 필드 교체가 타켓 교체와 거의 동시에 될 필요가 있다면 실드의 보수 및 유지가 조작시간의 소비없이 행해질 수 있다. 하지만 만일 실드가 타켓보다 더 자주 교체될 경우, 이것은 생산 효율을 해질 수 있는 시간 낭비를 초래시킨다. 따라서, 박리를 감소시켜 실드 교체 사이의 시간을 연장시키는 방법을 제공함이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의해 물리적 증착 공정에 이용하기 위한 실드를 가공하는 방법이 제공된다. 실드가 스퍼터 에칭 세척되어 물리적 증착공정의 증착 부착강도를 증가시킨다. 스퍼터 에칭 세척은 실드재료 산화물과 같은 오염물을 느슨하게 하는 역할을 하여 확산장벽을 형성시키고 증착부가 실드에 결합되지 못하도록 할 수 있게 한다. 또한 스퍼터 에칭 세척은 높은 정도의 표면 거칠기를 만든다. 이 거칠기가 스퍼터링된 막의 기능을 증가시켜 이 막이 실드에 기계적으로 부착될 수 있게 한다.
스퍼터 에칭 세척에 더하여, 실드는 처음으로 비이드 블라스팅 될 수 있다. 비이드 블라스팅은 실드 표면을 불규칙하게 만든다. 이것은 아주 작은 크기로 규소로 증착된 재료의 경계 균열 전파를 증가시키고 증착된 재료의 박리를 방지한다. 그 이유는 표면의 불규칙성으로 인해 약한 평면을 따라 파쇄력이 전파되어 종종 방향이 바꾸어 지거나 더 강한 구역을 통과하기 때문이다.
제 1 도에서, 물리적 증착(PVD)챔버는 가동성 웨이퍼 테이블(24)을 구비하고 있다. 처리과정 동안에, 가공물, 즉 웨이퍼(36)가 웨이퍼 테이블(24)위에 놓여진다. 웨이퍼 테이블(24)은 클램프 링(16)과 실드(17)를 통해 처리 위치로 상승된다. 고주파(RF) 웨이퍼 바이어스 회로(12)는 고주파(RF) 바이어스 전압을 웨이퍼에 공급시킨다. 직류 웨이퍼 바이어스 회로(13)는 직류 바이어스를 라인(18)을 통해 웨이퍼에 공급한다.
가스제어회로(26)가 챔버(14)내외로의 가스 흐름을 제어한다. 진공프(25)는 웨이퍼의 처리단계동안 PVD 챔버(14)내를 진공으로 하기 위하여 사용된다.
전력공급원(20)은 예를들어 티타늄-텅스텐 합금으로 이루어진 스퍼터 링 타켓(22)을 가진다. 전력공급원(20)은 절연체 링(10)에 의해 실드(17)와 PVD 챔버(14)의 나머지 부분으로부터 절연된다. DC 전력공급원(21)은 실드(17)와 공급원(20) 사이에 전압 전위를 형성한다. 웨이퍼가 처리될때, DC 전력공급원(21)의 마이너스 단자를 타켓(22)에 연결시키고 플러스 단자는 PVD 챔버(14)에 접지시킨다. 이 동작 모드가 사용되는 이유는 플라즈마로 부터의 가스이온이 전력공급원(21)의 마이너스 단자에 연결된 표면쪽으로 가속화될 것이기 때문이다. 그러므로 증착 플라즈마의 이온은 타켓이 충돌되어 웨이퍼 테이블(24)상의 웨이퍼 위에 티타늄-텅스텐의 스퍼터링을 행하게 된다.
제 2 도는 PVD 챔버(14), 실드(17) 및 클램프 링(16)을 도시한 도면이다. 챔버(14)는 포트(27, 28, 29, 30, 31, 32 및 33)를 구비하고 있다. 포트(30)는 예를 들이 진공 펌프(25)나 진공을 형성하기 위하여 초기 펌핑을 위한 거친 펌프(roughing pump)에 의해 사용될 수 있다. 포트(27)는 예를들어 잔류 가스분석기에 의해 사용될 수 있다. 포트(28)는 예를들어 PVD 챔버내로 전력라인이 가능하도록 하기 위해 그리고 PVD에 사용되는 램프에 전력을 가하기 위해 사용될 수 있다. 포트(33)는 예를들어 가스를 배출하기 위해 사용될 수 있다. 포트(29)는 예를들어 창으로 사용될 수 있다. 포트(32)는 아르곤가스 및 반응가스를 챔버(14)내로 공급하기 위해 사용될 수 있다. 웨이퍼를 자동화 기계(도시않음)에 의해 개구부(31)를 통해 PVD 챔버(27)내에 놓여진다.
웨이퍼상에 스퍼터링 증착하는 동안, 과도한 티타늄 텅스텐(TiW) 재료가 실드(17) 및 클램프 링(16)상에 증착된다. 이 재료는 형성되어 결국에는 박리하기 시작한다. 이 박리는 PVD 챔버(14)를 오염시키는 원하지 않는 입자를 생기게 한다. 본 발명은 실드에 대한 과도한 재료의 부착 강도를 증가시키기 위해 실드(17) 표면을 가공하는 것에 관한 것이다.
TiW의 부착 강도는 제조된 실드의 재료와 TiW 사이의 결합강도에 따라 결정되고 또한 실드(17)와 TiW 사이 경계 구역의 미세 조직에 따라 결정된다.
부착 강도를 증가시키기 위해, 실드는 사용하기 전에 스퍼터 에칭 세척될 수 있다. 스퍼터 에칭 세척은 확산 장벽을 형성하여 TiW가 실드(17)에 결합되지 않도록 오염을 느슨하게 한다. 또한 스퍼터 에칭 세척은 고밀도의 미세 표면 거칠기를 형성한다. 이 결함은 경계 공극의 형성을 최소화 시키는 핵생성 위치를 증가시킨다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 실드가 챔버내에서 스퍼터 에칭 세척되고 그로인해 전력공급원(20)이 제거된다. 제 3 도에 도시한 바와같이, 전력공급원(20)은 알루미늄합금, 스테인레스강 및 다른 진공에 적합한 금속재료로 제조된 평탄 덮개판(46)으로 대체된다. 덮개판의 중앙에는 직경이 챔버 리드 사이즈와 1/2을 넘지 않은 영구자석(34) 장치가 설치된다. 에칭 공정동안, 덮개판(46)은 +300 볼트와 +1000 볼트 사이의 양의 값으로 바이어스된다. 그러므로 덮개판은 진공 챔버내에서 글로우 방전의 애노드가 된다. 50 내지 500와트의 전력이 덮개판(46)에 가해진다. 전력공급원(21)의 마이너스 단자는 PVD 챔버(14), 실드(17) 및 클램프 링(16)에 접지된다. 바람직한 동작 분위기는 3 내지 12 밀리트로(0.5 내지 2 Pa)의 아르곤이다.
이 공정이 접지된 실드(17) 및 클램프링(16)을 에칭하는데 가장 효과적인 경우, 낮은 동작압력으로 플라즈마 동작을 유지시키기 위해 자석조립체(34)가 사용된다. 실드 에칭 플라즈마를 발생시키는 대체 수단은 50 내지 500 밀리토르(7 - 70Pa) 범위의 고압을 순간적으로 인가하고 고전압 직류 또는 교류를 순간적으로 인가한다. 2가지 형태의 전력공급원이 플라즈마를 유지시키기 위해 사용될 수 있다. 제 1 형태는 정격 1000 볼트와 1 킬로와트의 정격을 갖는 정전압 전력 공급원이다. 제 2 형태는 고전력 안정저항기(35)에 연결되어 사용되는 1000 볼트의 정전압 전력 공급원이다.
실드(17)는 몇분간의 에칭 공정후에 실드(17)를 통상적으로 250 와트의 방전 전력으로 만족할만한 정도로 세척될 수 있다.
부착 강도를 증가시키기 위해 실드의 스퍼터 에칭 세척전에 실드(17)를 비이드 플라스팅시킨다. 산화 알루미늄 연마 분말로 실드(17) 및 클램프 링(16)에 충격을 가함으로써 비이드 블라스팅이 행해진다. 비이드 블라스팅은 바람직한 샌드 (sand)블라스팅 챔버내에서 행해질 수 있다.
비이드 블라스팅은 실드(17) 표면을 불규칙하게 만든다. 미세 규모의 불규칙 표면은 나중에 실드(17)상에 증착되는 TiW 재료의 경계 균열 전파를 향상시킬 것이다. 표면 불규칙성은 증착된 막을 박리 치수에 대해 작은 부분으로 파괴시킬 것이다.
에칭과 비이드 블라스팅을 통해 실드(17) 표면을 거칠게 하면 순수 기계효과로 인해 부착 강도가 증가된다. 거친 표면은 더 큰 표면 구역을 제공한다. 또한 거친 표면은 응력을 분배시킨다. 즉 리지(ridge)의 한 측면이 인장응력에 있을때 리지의 다른 측면은 압축용력에 있게 된다.
실드(17) 및 클램프 링(16)에 대한 재료의 선택은 부착을 최대화하는데 중요하다. 알루미늄 막; 알루미늄 또는 몰리브덴으로 덮힌 스테인레스강이나 티타늄으로 제조된 실드는 만족스러운 부착 강도를 제공한다. 과도 한 TiW 재료가 증착된 부분위에 표면을 최대화 하기위한 실드(17) 및 클램프 링(16)의 형성은 증착부의 두께를 감소시킨다. 비록 바람직한 실시예에서 실드(17)에 대한 TiW 재료의 부착을 증가시키는데 초점을 맞추었지만, 본 발명은 물리적 증착 챔버에 사용된 다른 재료의 부착을 증가시키는데 적용될 수 있다. 예를들면, 본 발명은 질화티타늄의 반응증착 또는 순수 텅스텐의 증착으로부터의 과도재료로부터 부착 강도를 증가시키기 위해 사용될 수 있다.
대안으로, 상기한 바와같이, 아르곤으로 인 시투 스퍼터 에칭 세척하기 위해서, 실드(17)를 PVD 챔버 외부의 독립형 챔버(67)에서 가공할 수 있다. 이것은 실드(17)와 클램프 링(16)이 독립형 챔버(67)내 절연 고정구(68)위에 놓여있는 제 4 도에 의해 설명된다. 스퍼터링 세척 공정에서, 실드(17) 및 클램프 링(16)은 스퍼터 에칭 플라즈마의 캐소드에 만들어진다. 이것은 예를 들어 전력공급원(21)의 마아너스 단자를 실드(17) 및 클램프 링(16)에 연결시키고 전력 공급원(21)의 플러스 단자를 독립형 챔버(67)에 접지시킴으로써 행해진다. 가해진 전력은 예를들어 50 내지 500 와트일 수 있다. 동작압력은 예를들어 2 내지 8 밀리토르일 수 있다. PVD 챔버(14)내에서 처리하는 동안 스피터 증착부를 받아들이는 실드(17) 및 클램프 링(16)의 측면만을 에칭하기 위해 스퍼터 증착부를 받아들이지 않는 실드(17) 및 클램프 링(16)의 부분이 절연 고정구(68)에 기대어 지지된다.
제 5 도는 RF 전력 신호가 전력공급원(66)에 의해 실드(17) 및 클램프 링(16)에 가해지도록 제 4 도의 시스템을 변형한 것이다. RF 전력신호의 주파수는 13.56 메가헤르츠 또는 예를들어 27.12 또는 40.68 메가 헤르츠인 어느 다른 산업 과학 또는 의학(ISM)주파수이다. 동작압력이 2 내지 8 밀리토르이고 동작 전럭이 50 내지 500 와트일때, 수 분내에 적당한 에칭이 달성될 수 있다.
대안으로 스퍼터 에칭 세척을 위해, 실드(17) 및 클램프 링(16)은 어떠한 실드 에칭재료도 물리적으로 제거되지 않는 경우 처리조건하에 임계치 아래에서 플라즈마의 느린 충격(플라즈마 세척)에 의해 세척될 수 있다. 예를들면, 클램프 링(16)과 실드(17)의 표면은 어떤 스퍼터링된 재료가 쉽게 부착되는 산화물 조각(scale)을 의도적으로 생성하기 위하여 산소 플라즈마에 반응될 수 있다. 대안으로, 실드(17) 및 클램프 링(16)상의 산화물 조각은 수소 플라즈마의 작용을 통해 스퍼링된 금속원자의 방출없이 제거될 수 있다. 이러한 반응공정은 PVD 챔버(14)내에서 인 시투로 행해지거나 또는 대안으로 독립형 챔버(67)내에서 별도로 행해질 수 있다.
제 6 도에는 플라즈마 세척을 용이하게 하기 위해 변형된 PVD 챔버(14)가 도시되어 있다. RF 전력공급원(66)에 의해 PVD 챔버(14)의 판 (46)을 덮기위해 ISM 주파수(13.56 메가헤르츠)로 RF 전력 신호를 인가한다. 통상적으로 플라즈마 세척을 위하여, PVD 챔버(14) 내부의 압력은 20 밀리토르 내지 2 토르이고 RF 전력 신호는 50 내지 200 와트의 전력을 발생시킨다. 이와같이 상승된 압력에서, 충돌은 실드(17) 및 클램프 링(16)으로부터 금속의 스퍼터 방출을 지연시킨다.
플라즈마 세척이 제 5 도에 도시한 바와같이 독립형 챔버(67)내에서 행해질때, 예를들어 독립형 챔버(67) 내부의 압력은 20 밀리토르 내지 2 토르일 수 있고 RF 전력 신호가 50 내지 200 와트의 전력을 발생시킬 수 있다.
대안으로 스퍼터링 및 플라즈마 세척을 위해 비반응 탈착 세척 공정을 사용하여 실드(17) 및 클램프 링(16)을 세척시킬 수 있다. 예를들면, 실드(17) 및 클램프 링(16)이 스퍼터링이 행해지는 에너지 임계치 이하의 에너지로 아르곤에 의해 충격이 가해질 수 있다. 이러한 비반응 탈착 세척은 실드(17) 및 클램프 링(16)을 세척시킨후 남은 흡착된 물 및 잔류 액체나 고체 오염물을 실드(17) 및 클램프 링(16)으로부터 축출시키는데 유용하다.
PVD 챔버가 제 6 도에 도시한 바와같이 배치될때, 비반응 탈착 세척을 예를들어 PVD 챔버내에서 인 시투로 행할 수 있다. RF 전력동급원(66)에 의해 PVD 챔버(14)의 판(46)을 덮기위해 ISM 주파수(13.56 메가헤르츠)로 RF 전력 신호를 인가한다. PVD 챔버 내부는 아르곤과 같은 불활성 기체 분위기이다. 또한 헬륨, 네온 또는 크립톤이 아르곤 대신에 이용될 수 있다. PVD 챔버(14) 내부의 압력이 20 밀리토르 내지 2 토르이고 RF 전력 신호가 50 내지 500 와트의 전력을 발생시킬때, 충분한 충돌은 플라즈마 이온을 늦추게하여 고밀도가 10 전자 볼트 이하의 에너지로 형성될 수 있게 한다. 실드(17) 및 클램프 링(16)에서의 플라즈마 이온의 충돌은 물리 흡착증을 탈착시킨다.
대안으로, 비반응 탈착세척은 예를들어 독립형 챔버(67)내에서 별도로 형성된다. RF 전력공급원(66)에 의해 ISM 주파수(13.56 메가헤르츠)로 RF 전력 신호를 실드(17) 및 클램프 링(16)에 인가된다. 독립형 챔버(67) 내부는 아르곤과 같은 불활성 가스 분위기이다. 또한 독립형 챔버내부에 헬륨, 네온 또는 크립톤이 아르곤 대신에 사용될 수 있다. 독립형 챔버(67) 내부의 압력이 20 밀리토르 내지 2 토르이고 RF 전력 신호가 50 내지 500 와트의 전력을 발생시킬때, 충분한 충돌은 플라즈마 이온을 늦추게 하여 고밀도가 10 전자 볼트 이하의 에너지로 형성될 수 있게 한다. 실드(17) 및 클램프링(16)에서 플라즈마 이온의 충돌은 물리 흡착증(physisorbed species)을 탈착시킨다. 어떠한 금속도 실드(17) 또는 클램프 링(16)으로부터 증착되지 않을때, 절연고정구(68)의 사용은 선택적이다.
반응 플라즈마 공정에 사용된 플라즈마는 별도의 상류 플라즈마 준비 챔버내에서 반응종을 발생시킴으로써 발생할 수도 있다. 이 방법의 한가지 이점은 상류 플라즈마 준비챔버가 처리된 부분보다 상당히 작을 수 있다는 것이다. 플라즈마 에칭이 PVD 챔버내에서 인 시투로 행해지거나 독립형 챔버내에서 별도로 행해지더라도, 반응 플라즈마의 상류 횔성화는 이루어질 수 있다.
제 7 도는 챔버(71)내에 놓여진 실드(17) 및 클램프 링(16)을 도시한 도면이다. 플라즈마가 포트(69)를 통해 챔버(71)로 펌핑되기 전에, 플라즈마는 상류 플라즈마 준비챔버(70)내에서 활성화된다. 전럭공급원(51)은 DC 전력신호 또는 RF 전력 신호를 상류 플라즈마 준비챔버(70)에 공급한다. 수소원자(H2), 산소원자(O2) 또는 불소원자(NF3)와 같은 유출물울 연결부(69)를 통해 챔버(71)내에 있는 실드(17) 및 클램프 링(16)을 통과한다. 상류 플라즈마 준비챔버(70) 내부의 압력이 10 밀리토르 내지 1 토르이고 RF 전력공급원(51)이 50 내지 500 와트의 전력을 공급할때, 상류 플라즈마 준비챔버(70)는 통상적으로 다량의 반응 원자종을 생성할 수 있다.

Claims (25)

  1. 물리적 증착공정에 시용되는 실드의 수명을 증가시키기 위한 방법에 있어서, 물리적 증착공정에서 상기 실드를 사용하기 전에, (a) 상기 실드를 비이드 블라스팅하는 단계, 및 (b) 상기 실드를 스퍼터 에칭 세척시키는 단계를 포함하며, 이것에 의해 상기 실드의 표면에 거칠게 되고 그 표면영역이 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비이드 블리스팅은 산화 알루미늄 연마 분말로 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실드는 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실드는 올리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실드의 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실드는 알루미늄으로 덮힌 스테인레스 강을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 애노드판에 인가된 전력은 DC 전력신호인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 애노드판에 안기된 전력은 RF 전력신호인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 애노드판에 인가된 전력을 RF 전력신호인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터 에칭 세척은 상기 물리적 증착공정을 수행하는데 사용되는 물리적 증착챔버내에서 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 싱기 스퍼터 에칭 세척은 상기 물리적 증착공정에 사용되지 않는 독립형 챔버내에서 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 물리적 증착공정에 사용되는 실드의 수명을 증가시키기 위한 방법에 있어서, 물리적 증착공정에서 상기 실드를 사용하기 전에, (a) 상기 실드를 비이드 블라스팅하는단계, 및 (b) 상기 실드를 반응 플라즈마 세척시키는 단계를 포함하며, 이것에 의해 상기 실드의 표면이 거칠게 되고 그 표면영역이 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 비이드 블라스팅은 산화 알루미늄 연마 분말로 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 플라즈마는 상류 활성화 챔버내에서 활성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 플리즈마는 상기 실드가 반응 플라즈마 세척되는 챔버내에서 활성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 플라즈마는 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 플라즈마는 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제12항에 있어서, 상기 실드는 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 실드는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 실드는 물리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제12항에 있어서, 상기 실드는 알루미늄막으로 덮힌 스테인레스 강을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 물리적 증착공정에 사용되는 실드의 수명을 증가시키기 위한 방법에 있어서, 물리적 증착공정에서 상기 실드를 사용하기 전에, (a) 상기 실드를 비이드 블라스팅하는 단계, 및 (b) 상기 실드를 비반용 플라즈마를 이용하여 세척시키는 단계를 포함하며, 이것에 의해 상기 실드의 표면이 거칠게 되고 그 표면영역이 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 비이드 블라스팅은 산화 알루미늄 연마 분말로 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 플라즈마는 불활성 가스 분위기를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 불활성 가스는 이르곤인 것을 특징으로 하는 방법.
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