KR100226469B1 - 미스얼라인 판독형 저항성버어니어 - Google Patents

미스얼라인 판독형 저항성버어니어 Download PDF

Info

Publication number
KR100226469B1
KR100226469B1 KR1019910024090A KR910024090A KR100226469B1 KR 100226469 B1 KR100226469 B1 KR 100226469B1 KR 1019910024090 A KR1019910024090 A KR 1019910024090A KR 910024090 A KR910024090 A KR 910024090A KR 100226469 B1 KR100226469 B1 KR 100226469B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion implantation
vernier
measuring
misalignment
implantation region
Prior art date
Application number
KR1019910024090A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930013744A (ko
Inventor
신종욱
Original Assignee
김영환
현대반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019910024090A priority Critical patent/KR100226469B1/ko
Publication of KR930013744A publication Critical patent/KR930013744A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100226469B1 publication Critical patent/KR100226469B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 저항성 버어니어를 이용한 미스얼라인(misalign) 측정 방법에 관한 것으로서, 이온 주입 공정 후 PR을 제거한 후에도 미스얼라인 정도를 저항만 측정하고도 판독이 가능하도록 한 미스얼라인 측정방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 제 1, 제 2 및 제 3 측정용 패드와, 제 1 측정용 패드와 제 3 측정용 패드 사이에 형성되는 제 1 적층이온 주입영역과, 상기 제 1 적층이온 주입영역에 수직으로 교차하여 제 1 측정용 패드로부터 멀어질수록 이온주입 영역이 작아지도록 형성되는 제 2 적층이온주입영역으로 이루어지며, 제 1 측정용 패드와 제 3 측정용 패드 사이에 저항을 측정하므로 제 1 적층이온 주입 영역의 미스얼라인 정도를 측정하는 미스얼라인 판독형 저항성 버어니어.

Description

미스얼라인 판독형 저항성 버어니어
제1도는 종래의 이온주입 및 테스트 공정도
제2도는 본 발명의 저항성 버어니어
제3도는 웨이퍼 상에서 본 발명의 저항성 버어니어 형성 위치를 도시한 도면
제4도는 본 발명의 저항측정 회로도
제5도는 정합대 저항휼 상관도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
E1 : 제 1 적층이온주입영역 E2 : 제 2 적층이온주입영역
n1 : 제 1 적층이온주입영역의 이온농도
n2 : 제 2 적층이온주입영역의 이온농도
본 발명은 미스얼라인(misalign) 측정을 위한 저항성 버어니어를 관한 것으로서, 특히, 이온 주입 공정 후 PR을 제거한 후에도 미스얼라인 정도를 저항만 측정하고도 판독이 가능하도록 한 미스얼라인 측정에 관한 것이다.
종래 기술에서는 제 1 도에 도시된 플로우챠트와 같이, 먼저 이온주입을 하기위한 사진식각공정을 실시하고, 버어니어를 확인하여 기준 내에 들어올 경우 이온주입공정을 실시한다. 이온 주입공정이 완료되면 PR을 제거하고 웨이퍼 공정을 완료한 후, 프로브 테스트(probe test)를 실시한다. 프로브 테스트 실시후 불량 분석을 실시할 때 이온주입공정에서 미스얼라인(misalign)이 발행한다 해도 PR이 제거된 이후에는 버어니어가 남아있지 않으므로 미스얼라인 정도 판독이 불가능하다. 따라서 불량 분석시에 반도체칩의 불량 분석 및 재발 방지책 수립이 불가능하다.
본 발명을 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 첨부도면 제 2 도 내지 제 5 도를 참조하여 상술하면 다음과 같다.
제 2 도에 도시된 바와 같이, 본 발명의 저항성 버어니어는 측정용 패드(1, 2, 3), 제 1 적층 이온주입영역(E1) 및 제 2 적층 이온주입 영역(E2)으로 되어 있다.
저항성 버어니어는 마스크 제작시 도안하여 제작되어야 하며, 실리콘 웨이퍼내에서 소자가 구성되지 않는 부분에 제작이 가능하다. 제 3 도는 웨이퍼에서 저항성 패턴이 형성되는 부분을 도시하고 있다.
제 2 도에서, 제 1 적층이온 주입영역(E1)의 농도를 n1으로 하고 제 2 적층이온 주입영역(E2)의 농도는 n2이며 S1, S3는 이온주입영역(E1) 및 (E2)가 서로 교차하지 않는 부분의 면적이며, S2는 (E1) 및 (E2)가 서로 교차하지 않는 부분의 면적이며, S2는 E1 및 E2가 이온주입시 교차하는 부분의 면적이라고 할때, 제 3 도와 같은 방법으로 저항을 측정하면 저항값은 다음과 같다. 즉, R ∝ Rsk(1/S1·S2·S3) (!)
여기서 Rsk = 면저항(/)
S1, S2, S3 = S1, S2, S3의 면적(㎠)
1 = E1 이온주입 부위의 길이
따라서 미스얼라인이 없을 경우(즉 X = O㎛ ) 의 저항을 R이라고 하고, 미스얼라인이 X측으로 △X 만큼 일어났을 경우 저항을 R2라고 하면, R1R2라고 할 수 있다.
이와 같은 방법으로 X축으로 -△X 만큼 미스얼라인이 발생한 경우 저항값을 R3라고 하면, R3 R1 이 된다.
따라서 미스얼라인 정도에 따른 저하값을 제 4 도와 같이 측정하면, 이온주입 공정 완료후 PR 값이 제거되고 나도 정합정도(Overlay Accuracy)를 확인할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 저항성 버어니어를 사용하므로, 이온 주입 공정시 불량 유명이 용이하고, 불량발생 공정 및 장비에 대한 재발 방지책이 용이하며, 제품 불량 발생시 소요되는 시간을 최소화할 수 있다.

Claims (3)

  1. 저항을 측정하기 위한 제1, 제2 및 제3패드와, 상기 제1측정용 패드와 상기 제3측정용 패드사이에 연결되어 형성된 제1불순물영역과, 상기 제2측정용 패드와 연결되고 상기 제1불순물 영역과 교차하여 원호 형태를 갖도록 형성된 제2불순물영역으로 이루어진 미스 얼라인 판독형 저항성 버어니어.
  2. 제1항에 있어서, 상기 원호 형태의 제2불순물 영역은 상기 제2측정용 패드에서 멀어질수록 좁아지는 형태로 이루어진 미스얼라인 판독형 저항성 버어니어.
  3. 제1항에 있어서, 상기 원호 형태의 제2불순물영역은 상기 제2측정용 패드에서 멀어질수록 넓어지는 형태로 이루어진 미스 얼라인 판독형 저항성 버어니어.
KR1019910024090A 1991-12-24 1991-12-24 미스얼라인 판독형 저항성버어니어 KR100226469B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910024090A KR100226469B1 (ko) 1991-12-24 1991-12-24 미스얼라인 판독형 저항성버어니어

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910024090A KR100226469B1 (ko) 1991-12-24 1991-12-24 미스얼라인 판독형 저항성버어니어

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930013744A KR930013744A (ko) 1993-07-22
KR100226469B1 true KR100226469B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19325771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910024090A KR100226469B1 (ko) 1991-12-24 1991-12-24 미스얼라인 판독형 저항성버어니어

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100226469B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR930013744A (ko) 1993-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0370834B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
EP0466335B1 (en) Process of manufacturing semiconductor devices
US20010048145A1 (en) Photomask including auxiliary mark area, semiconductor device and manufacturing method thereof
US6221681B1 (en) On-chip misalignment indication
US4571538A (en) Mask alignment measurement structure for semiconductor fabrication
US20230101900A1 (en) Structure of semiconductor device
US20050168740A1 (en) Method of evaluating reticle pattern overlay registration
US6357131B1 (en) Overlay reliability monitor
KR100226469B1 (ko) 미스얼라인 판독형 저항성버어니어
US6867109B2 (en) Mask set for compensating a misalignment between patterns and method of compensating a misalignment between patterns using the same
US5928820A (en) Method for measuring pattern line width during manufacture of a semiconductor device
US5780316A (en) Linewidth control apparatus and method
KR960011264B1 (ko) 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법
JP2002124447A (ja) リソグラフィー条件のマージン検出方法および半導体装置の製造方法
KR0179172B1 (ko) 확산평가용 테스트패턴을 이용한 테스트방법
KR20100117799A (ko) 오버레이 패턴 및 이를 이용한 오버레이 측정방법
KR100255087B1 (ko) 더미셀이 형성된 스테퍼용 레티클
KR100262015B1 (ko) 테스트 패턴
JPH08321533A (ja) 合わせマークの位置ずれ検査方法
JPH05299491A (ja) 導電パターンの位置ずれ検出モニター
JPS6170735A (ja) 電気測定用アライメントマ−クを有するウエハまたはチツプ
JPS61111531A (ja) 半導体装置のマスク合わせ精度検出方法
KR19990085682A (ko) 셀 영역내에 경계 표시자를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
KR20080060635A (ko) 반도체 이온주입공정의 모니터링 패턴 형성 방법
JPH0442923A (ja) 半導体装置の配線パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070622

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee