KR100204307B1 - 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 에폭시 수지 조성물로서 노블락형 에폭시 수지와 페놀수지계경화제를 기본으로 하고 여기에 1,2-폴리부타디엔과 일반식(1)의 비스말레이미드계 화합물과의 반응물과 일반식(2)의 비스아마이드계 화합물을 포함하는 구성이며 내열충격성 및 내습성이 우수한 것이다.

(상기식에서, R₁은 수소기 또는 메틸기를 의미하며, Z는 2관능성 방향족 기를 의미하며, R₂는 탄소소 15 내지 25의 1관능성 포화 탄화 수소기를 의미하며, R₃은 수소기, 메틸기 또는 에틸기를 의미하며, R₄는 2관능성 벤젠환 또는 사이클로 헥산환을 의미하며, n은 1 내지 3의 정수를 의미한다.)

Description

에폭시 수지 조성물

본 발명은 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 내열성, 내열충격성 및 내습성이 우수한 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.

본 발명의 에폭시 수지 조성물은 경화물이 유연성을 지녀, 성형중 또는 사용시 온도변화에 의해 발생하는 열응력을 극소화하여 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있다.

에폭시 수지는 전기절연특성, 기계적 특성등이 우수하여 IC, VLSI, 트랜지스터, 다이오드등의 반도체 장치의 봉지재료로서 광범위하게 응용되어 왔다.

그러나, 최근에 들어서는 전자부품이 소형화, 경량화됨에 따라 반도체 소자는 대용량화, 고집적화되고, 봉지형태는 반도체 소자의 크기에 비해 상대적으로 축소되고 있다. 이에 따라 봉지재료는 내열성, 내습성등의 특성은 물론 반도체 장치의 신뢰성 향상을 위해 저응력화가 강력하게 요구되게 되었다.

봉지재료의 저응력화를 위해서는 봉지재료의 탄성율의 저하, 선팽창계수의 저하, 유리전이온도의 저하등이 요구되나, 고온에서의 동작특성, 내열충격성등의 문제로 유리전이온도는 일정수준을 유지하여야 한다.

이러한 요구에 부응하기 위한 종래의 기술로서는 일본국 공개 특허공보 소 제58-166,747호에서 제안된 실리콘 오일을 첨가하는 방법 및 일본국 공개 특허공보 소 제 58-121,653호에서 특허청구된 합성고무를 배합하는 방법등이 알려져 있다.

그러나, 실리콘오일을 배합하는 경우에는 봉지재료의 경화물과 반도체 소자 및 리드 프레임 등과의 접착력이 저하되어 반도체 장치의 신뢰성이 불량한 문제가 있으며, 합성고무를 배합하는 경우에는 봉지재료의 내열성, 기계적 특성 및 합성고무의 분산불량에 의한 표면특성의 불량 등의 문제가 있었다.

본 발명은 종래 기술의 이러한 문제점을 해결한 것으로서, 내열성, 내열충격성, 내습성 등이 우수하며, 특히 경화물이 유연성을 지녀, 성형중 또는 사용시 온도변화에 의해 발생하는 열응력을 극소화하여, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공하는데 있다.

본 발명에서는 노블락형 에폭시 수지와 페놀 수지계 경화제를 기본 성분으로 하는 에폭시 수지 조성물에 1,2-폴리부타디엔과 다음 일반식(1)의 비스말레이미드계 화합물의 반응물과 다음 일반식(2)의 비스아미드계 화합물을 배합하여, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.

[일반식 1]

[일반식 2]

(상기식에서, R₁은 수소기 또는 메틸기를 의미하며, Z는 2관능성 방향족 기를 의미하며, R₂는 탄소수 15 내지 25의 1관능성 포화 탄화 수소기를 의미하며, R₃은 수소기, 메틸기 또는 에틸기를 의미하며, R₄는 2관능성 벤젠환 또는 사이클로 헥산환을 의미하며, n은 1 내지 3의 정수를 의미한다.)

본 발명에서의 1,2-폴리부타디엔과 비스말레이미드계 화합물의 반응물은 비스말레이미드의 내열성과 1,2-폴리부타디엔의 유연성이 이상적으로 결합되어 내열성의 저하 없이 유연성 향상에 의한 저응력화가 가능하며, 1,2-폴리부타디엔 단독첨가에 따르는 표면특성의 불량 문제가 없다. 또한, 일반식(2)의 비스아미드계 화합물은 성형시의 유동특성, 경화물의 내습성, 이형성의 향상 등에 기여하며, 1,2-폴리부타디엔과 비스말레이미드계 화합물의 분산성 향상에 기여한다.

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제조하는데 사용할 수 있는 노블락형 에폭시 수지는 페놀노블락 에폭시 수지 및 크레졸 노블락 에폭시 수지로서 연화점이 60℃ 내지 120℃의 범위인 것이 적당하다. 연화점이 60℃이하인 경우에는 성형재료의 제조작업성과 내습성이 불량할 우려가 있으며, 연화점이 120℃ 이상인 경우에는 성형시 유동특성이 불량할 우려가 있다.

페놀수지계 경화제는 페놀, 크레졸, 레조시놀, 클로로페놀, 페닐 페놀, 비스페놀-A중 1종 또는 2종이상의 혼합물과 포름알데히드 또는 파라포름 알데히드를 산 촉매의 존재하에서 반응시켜 수득한 화합물로서 1분자에 2개이상의 페놀성 수산기를 갖는 화합물인데, 본 발명의 목적상 미반응 단량체가 적은 것일수록 유리하다.

1,2-폴리부타디엔과 비스말레이미드의 반응물의 제조에 이용되는 1,2-폴리부타디엔으로서는 분자량이 80,000 내지 120,000인 것으로 1,2 결합의 함량이 90%이상인 것이 유리하다.

비스말레이미드는 일반식(1)의 Z가

[일반식 1]

화합물이며, 특히 N,N'-(메틸렌-디-P-페닐렌)디말레이미드, N,N'-2,4틀릴렌디말레이미드, N,N'-2,6-틀릴렌-디말레이미드, N,N'- m - 페닐렌 - 디말레이미드, N,N'- P - 페닐렌 - 디말레이미드 등이 바람직하다.

두 화합물의 반응물을 제조하기 위한 배합비는 비스말레이미드계 화합물 55 내지 85중량%와 1,2-폴리부타디엔 45 내지 15중량%의 범위가 적당하다. 1,2폴리부타디엔의 양이 증가하면, 조성물의 내열성이 저하될 우려가 있으며, 비스말레이미드계 화합물의 양이 증가하면 저응력화의 효과가 감소된다.

반응물의 제조는 클로로포름, 디메틸포름아미드(DMF)등의 용매에 1,2-폴리부타디엔을 가하여 투명한 용액을 제조한 다음, 소정양의 비스말레이미드를 가하고, 잘 혼합한 다음, 건조시켜 담황색 분말의 반응물을 수득한다.

1,2-폴리부타디엔과 비스말레이미드계 화합물의 반응물을 배합하는 양은 에폭시 수지 100중량부에 대하여 5 내지 25중량부의 범위가 적당하며 이러한 범위 이하에서는 저응력화의 효과가 불충분하며, 당해 범위보다 많은 경우에는 기계적 특성과 가공성이 불량한 문제가 있다.

또한, 일반식(2)의 비스아미이드계 화합물에는, 다음 구조식의 화합물이 포함된다.

첨가량은 전체 조성물에 대하여 0.5 내지 5.0 중량%의 범위가 적당하며, 0.5 중량% 이하인 경우에는 이형성, 유동특성, 내습성 등이 불량하며, 5.0중량%이상인 경우에는 기계적 특성, 전기적 특성 및 내열성 등에 악영향을 끼칠 우려가 있다.

또한, 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에는 3급 아민계 화합물, 이미다졸계 화합물, 포스핀계 화합물 및 BF₃-아민착염계 화합물 등의 경화촉매, 실리키, 수산화알루미늄, 산화알루미늄, 탄산칼슘등의 무기물 충진제, 실란계 화합물, 티탄계 등의 무기물 표면처리제와 카본 블랙 등의 착색제를 임의로 첨가할 수 있다.

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제조하는 방법은 가열 가능한 혼합용 롤을 이용하는 방법 및 연속식 혼련장치를 이용하는 방법 모두가 적용 가능하며, 이때 온도는 에폭시 수지의 조성과, 특성에 따라 다를 수 있으나, 70℃ 내지 110℃의 범위가 적당하다.

본 발명의 에폭시 수지 조성물의 성형방법은 이송성형, 압축성형, 사출성형등의 방법이 적용 가능하며 성형조건은 이송성형의 경우에는 150℃ 내지 185℃의 온도 및 50 내지 150㎏/㎠의 압력으로, 60내지 180초 동안 성형한 다음, 160℃ 내지 200℃에서 5 내지 15시간 동안 후 경화시켜 목적하는 성형품을 수득할 수 있다.

다음의 실시예에서 본 발명의 구체적인 적용방법과 효과에 대하여 설명한다.

그러나, 다음의 실시예가 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

[실시예]

* 1,2-폴리부타디엔과 비스말레이미드의 반응물 제조

분자량이 100,000인 1,2-폴리부타디엔(이중결합중 1,2형태가 92%)을 클로로포름에 용해시켜 투명한 용액을 제조한 다음 표 1의 조성에 따라 N,N'-(메틸렌-디 -P-페닐렌)디말레이미드를 가하여 혼합하고, 건조시켜 담황색 분말의 반응물을 수득한다.

표 1의 변성제와 기타 화합물을 표 2의 조성에 따라 배합하여 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제조한다.

에폭시 당량 220, 연화점 70℃의 크레졸 노블락형 에폭시 수지 100중량부, 수산기 당량 105의 페놀 수지 50중량부, 이미다졸계 경화촉진제 1,5중량부, 용융 실리카분말, 250중량부 및 실란계 무기물 표면처리제 2중량부를 배합하고 표 2의 조성에 따르는 첨가제를 배합하여 조성물을 수득한다.

위의 조성물을 이용하여 이종성형 방법으로 신뢰성 평가용 MOS형 I·C소자를 함유하는 반도체 장치 및 굴곡탄성율 측정용 시편을 제조한다.

시제품의 평가는 내열성 평가를 위한 유리전이온도 측정, PCT(고온.고습도시험), 고온, 저온의 반복처리에 의한 열충격성 시험을 실시하여 반도체 장치의 신뢰성을 평가하며, 수지 조성물의 저응력화 정도는 굴곡탄성율을 측정하여 평가한다.

시험조건 및 시험결과는 표 3에 표시하였다.

1) D.S.C 법

2) 121℃, 2㎏/㎠ 수중기압에서 시험제품 100개중 고장발생수.

3) -95℃, +165℃의 조건으로 각 온도에서 3분씩 방치; 500회 반복후 시제품 50개중 고장발생수

표 3의 평가 결과로부터 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 내열성, 내열충격성이 우수하며, 유연성을 지녀 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있음을 알 수 있다.

Claims (1)

1. 노블락형 에폭시 수지와 페놀 수지계 경화제를 기본 성분으로 하는 에폭시 수지 조성물로서, 1,2-폴리부타디엔 45 내지 15 중량%와 일반식(1)의 비스말레이미드계 화합물 55 내지 85중량%를 반응시킴으로써 제조된 반응물과 일반식(2)의 비스아마이드계 화합물을 포함하되, 상기 1,2-폴리부타디엔과 일반식(1)의 비스말레이미드의 반응물을 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 25 중량부 포함함을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.

   (상기 식에서, R₁은 수소기 또는 메틸기를 의미하며, Z은 2관능성 방향족 기를 의미하며, R₂는 탄소수 15 내지 25의 1관능성 포화 탄화 수소기를 의미하며, R₃은 수소기, 메틸기, 또는 에틸기를 의미하며, R₄는 2관능성 벤젠환, 또는 사이클로 헥산환을 의미하며, n은 1 내지 3의 정수를 의미한다.)