KR100203790B1 - 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

유동상 반응기 (예컨데 순환유동상 반응기)에서 입자들은 반응기챔버(10)로부터 배출된 다음 처리챔버(16)에서 냉각된다. 열은 이들로부터 회복된다.
이것은 제1수준의 반응기챔버로부터 비계적인 실 또는 분류벽을 통하여 리프팅챔버(14)로 입자들을 배출시킴으로써 특히 이로운 방법으로 달성된다. 리프팅챔버에서 상방으로 유동하는 가스는 입자를 부유시켜 이들을 처리챔버로 상승시킨다. 이들을 처리한후, 처리챔버의 입자는 제1수준보다 높은 수준의 반응기챔버로 복귀되고, 이 위치에서 처리챔버의 압력은 반응기챔버의 압력보다 높다. 입자는 리프팅챔버의 바닥(38)으로부터 더 큰 입자를 배출하면서 소정크기보다 작은 고체입자를 처리챔버로 이송시키기 위해 유동화가스를 이용함으로써 리프팅챔버에서 분류될 수 있다.

Description

[발명의 명칭]
유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법 및 장치
[본 발명의 배경 및 요약]
본 발명은 반응기챔버를 갖고, 상기 반응기챔버의 내부를 한정하는 측벽과 상기 반응기챔버의 하측부에 고체입자의 유동상을 갖는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
몇몇 유동상 처리에 있어서, 반응기챔버(reactor chamber)에서 유동상물질(fluidizing bed material)의 부분을 더욱 처리하기 전에 예컨데 냉각과 같은 독립 처리를 위해 상물질을 형성하는 입자부분을 모으는 것이 바람직하다. 반응기챔버로부터 독립된 처리챔버로 고체입자들을 방출하고(예컨데, 냉각과 같은)처리를 한후, 반응기챔버로 상기 고체입자들을 재순환시키는 것이 제안되었다.
몇몇 처리에 있어서, 특정크기 범위의 입자만을 처리하는 것이 유리하다. 그러나, 예컨데 열 회복이 적합한 작은 크기의 입자는 반응기챔버 하측부분에서의 분류 때문에 종종 큰 입자 또는 다른 큰 물체와 혼합된다. 열전달은 작은 입자층에서 더욱 효과적이기 때문에 상기와 같이 혼합되는 것은 최적 열회복을 방해하기 쉽다. 큰 물체는 또한 예컨데 열전달 표면을 가로막고 또한 기계적 손상을 일으키기 쉽다.
독립 처리챔버에서 입자를 처리할 때 해결되어야 하는 또다른 문제는 반응기 챔버로 부터 처리챔버로 물질을 순환시키고 다시 반응기챔버로 복귀시켜야 한다. 반응기 챔버의 하측부와 처리챔버 사이에 존재하는 압력차는 반응기챔버로부터 처리챔버로 입자를 강제유동시킨다.
그러나, 반응기챔버로 복귀되는 입자의 재순환은 압력차를 극복하도록 기계적 또는 다른 이송수단이 필요하다.
본 발명은 유동상 반응기의 반응기챔버에 연결된 독립처리챔버에서 상물질을 처리하는 개량방법 및 장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 특히 반응기챔버와 독립 처리챔버 사이에 상물질을 재순환시키는 개량방법 및 장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 외측처리챔버를 통하여 소정크기보다 작은크기의 상물질로 재순환시키기 위해 유동상 반응기를 사용하고, 외측 처리챔버에서의 상물질로부터 열을 회복한다.
유동상 반응기챔버에서 상물질을 처리하기 위한 본 발명에 따른 방법은 리프팅 챔버에 연결되고, 차례로 처리챔버에 연결된 반응기챔버로부터 출구덕트를 이용한다.
상기 방법은(a) 유동상의 제1수준에서 반응기챔버의 하측부로부터 출구덕트를 통하여 리프팅챔버로 고체입자를 배출하는 단계, (b) 고체입자를 이송가스로 입자부유물로서, 리프팅챔버의 상방으로 제1수준보다 높은 제2수준으로 그리고 처리챔버로 공압으로 이송하는 단계, (c) 처리챔버에서 고체입자의 유동상 또는 고정상을 형성하는 단게, (d) 처리챔버에서 고체입자를 처리하는 단계, (e) 고체입자를 처리챔버로부터 제1수준보다 높은 제3수준의 반응기챔버로 이송 또는 유동가스로 재순환시키는 단계로 구성되어 있다.
처리된 고체입자는 부가적으로 처리챔버로부터 제3수준보다 낮은 제4수준의 반응기챔버로 재순환된다.
본 발명에 따른 유동상 반응기에서 반응기챔버를 리프팅챔버에 연결하고 상물질을 처리하는 실시장치는 반응기챔버의 하측부에 연결된 리프팅챔버와, 반응기챔버로부터 리프팅챔버로 고체입자를 배출하기 위해 반응기챔버의 제1수준에 배치된다. 출구 덕트와, 리프팅챔버에 연결되고, 고체입자상을 포함하는 처리챔버와 리프팅챔버의 상측부를 처리챔버에 연결하는 연결덕트와, 고체입자를 리프팅챔버로부터 덕트를 통하여 처리챔버로 공압으로 이송하기 위해(공기와 같은) 이송가스를 리프팅챔버로 도입하는 수단과 처리챔버에서 고체입자를 처리하는 수단 및 처리된 고체입자를 이송 또는 유동가스로 처리챔버로부터 반응기챔버로 재순환시키기 위해 처리챔버를 반응기챔버와 연결하고 제1수준보다 높은 제2수준에 배치된 제1입구덕트를 포함한다.
리프팅챔버와 처리챔버는 간단한 장치를 형성하도록 반응기챔버에 인접 배치된 것이 바람직하다. 반응기챔버의 측벽 일부는 리프팅 및 처리챔버를 반응기챔버로부터 격리시킨다.
이와 유사하게 리프팅챔버와 처리챔버는 한 장치(a unit)로 제조되고 격벽에 의해 분리된다.
제1출구덕트는 내화물로 피복된 반응기챔버의 하측부에 그리드(grid)이상의 예컨데 최대 1,000mm 수준의 측벽에 또는 그리드 수준 미만의 연장챔버(extension chamber)에 배치된다. 출구덕트는 반응기챔버에 100kg/m3(고체)이상의 바람직하기는 500 - 1,500kg/m3을 갖는 농한 상구역수준(dense bed zone level) 에 배치된 것이 바람직하다. 그 다음 제1입구덕트는 출구덕트 상부의 500 - 5,000mm의 수준에 배치된 것이 바람직하다.
유동상 반응기에 존재하는 압력은 상의 높이에 따라 변한다. 반응기챔버의 농한 상구역에서 제일 낮은 수준의 압력 P1보다 덜 농한 상구역에서 더 높은 다음 수준의 압력 P2보다 훨씬 높다.
본 발명은 기계적 또는 다른 복잡한 컨베이어를 필요로 하지 않고 고체입자를 농한 상구역의 고압 P1으로부터 처리챔버로 그리고 반응기챔버로 복귀시키는 용이한 재순환 방법을 제공하는 것이다.
고체입자는 압력차에 의해 반응기챔버의 제1수준의 농한 상구역으로부터 리프팅챔버로 배출되고, 리프팅챔버에서의 압력 P3는 반응기챔버의 농한 상구역에서의 압력 P1보다 더욱 낮다.
질 실(gill seal) 또는 엘-밸브와 같은 비메커니컬 실(nonmechanical seal)은 가스가 리프팅챔버로부터 반응기챔버로 유동하는 것을 방지하고 리프팅챔버로 유동하는 고체입자를 제어하기 위하여 출구덕트에 배치된다.
질 실은 다수의 좁은 슬롯, 즉 개구부(opening)로 형성된 슬롯으로 형성되고, 각 슬롯의 상부에 배치된다.
상기 슬롯은 수평으로부터 조금 경사진 것이 바람직하고, 각 슬롯은 비메커니컬 실을 형성한다. 리프팅챔버로 유동되는 상물질의 총량은 비메커니컬 실에 설치된 유동 에어 노즐로 제어된다.
상기 리프팅챔버에서 고체입자는 공압수송에 의해 입자부유물로서 제2의 보다 높은 수준으로 상승된다. 반응기챔버의 상기 제2수준에서 압력 P2는 제1의 보다 낮은 수준의 농한 상구역에서의 압력 P1보다 상당히 낮다. 입자부유물은 또한 이와 같은 제2수준에서 처리챔버로 더욱 이송된다.
상기 제2수준에서 작은압력차만이 반응기챔버와 처리챔버사이에 존재한다. 이송 가스는 제1입구덕트를 통하여 반응기챔버로 강제로 유동되고, 이에따라 반응기챔버로부터 처리챔버로 가스가 역방향으로 유동하는 것을 방지하는 작은 압력차가 생긴다. 리프팅챔버로부터 처리챔버로 이송된 고체입자부분은 이송가스로 제1입구덕트를 통하여 직접 반응기챔버로 복귀 유동된다.
처리챔버에서 고체입자는 유동방향의 변화 때문에 그리고 입자흐름의 형성 때문에 입자부유물로부터 부분적으 분리된다.
분리된 입자는 처리챔버에서 고체입자의 유동상 또는 고정상을 형성한다. 유동가스와 상기 유동가스에 의해 운반된 입자는 제1입구덕트를 통하여 반응기챔버로 유동한다.
제2입구덕트는 압력 또는 중력에 의해 유동상 또는 고정상으로부터 반응기챔버로 대부분의 입자를 재순환시키기 위해 처리챔버에서 낮은수준에 배치된다. 처리챔버의 압력은 반응기챔버의 압력이 변화되는 것과 같이 상의 높이와 밀도에 따라 변화된다.
처리챔버의 압력 P4은 처리챔버의 상밀도 또는 상높이를 증가시킴으로써 상응하는 구준의 반응기챔버의 압력 P2보다 높은 수준으로 유지된다. 상기 압력 P4는 또한 압력 P2가 압력 P4보다 더 작도록 높은 수준으로 처리챔버를 제공함으로써 압력 P2보다 높게 유지된다.
본 발명에 따라서 필요한 경우 반응기챔버의 압력을 극복하기 위해 리프팅챔버에서 고체입자를 공압으로 상당히 높게 상승시키는 것이 가능하다. 처리챔버와 반응기 챔버사이의 압력차는 처리챔버로부터 반응기챔버로 고체입자를 강제 유동시키고 가스가 반응기챔버로부터 처리챔버로 유동하는 것을 방지한다.
제2입구는 출구덕트와 실제 같은 수준에 배치된다. 그러나, 그 다음 처리챔버의 유동상 또는 고정상에서의 압력은 상의 밀도를 증가시킴으로써 또는 상의 높이를 증가 시킴으로서 반응기챔버의 압력을 극복하도록 증가되어야 한다.
본 발명은 반응기챔버, 리프팅챔버와 처리챔버 사이에 고체물질을 재순환시키기 위해 이들 및 압력차를 이용한다. 특히, 한편으로는 반응기챔버와 리프팅챔버 사이의 압력차가 이용되고, 다른 한편으로는 반응기챔버와 처리챔버 사이의 압력차가 이용된다.
처리챔버에서 처리될 상물질은 출구덕트의 입구를 가로지르는 장벽(barrier) 또는 분류벽(classifying wall)을 제공함으로써 반응기챔버로 도입되기 전에 분류되어왔다. 상기 장벽은 소정크기보다 더 큰 크기의 입자가 이를 통하여 출구덕트로 유동하는 것을 방지하는 개구부 또는 슬롯을 갖는 격벽이다.
이와달리 상물질의 분류가 리프팅챔버에서 발생될 수 있다. 상기 리프팅챔버의 바닥에 배치된 유동 에어 노즐은 상향으로 유동하고 덕트를 통하여 처리챔버로 유동하도록 입자크기를 조절하는데 사용될 수 있다. 작은입자는 큰 물체가 리프팅챔버의 바닥을 통하여 배출되거나 반응기챔버로 기계적으로 재순환 되는 것에 반하여 처리챔버로 공압으로 이송된다.
리프팅챔버는 유동상 연소기(fiuidized bed combustor)로부터 재(ash)를 배출하는데 사용될 수 있다. 그 다음 재는 리프팅챔버에서 분류될 수 있다. 큰 활성 재입자(large inert ash particle)는 상기 장치 (연소기)로부터 배출되고 미세한 분진은 또다른 처리를 위해 처리챔버로 이송된다.
본 발명에 따라 소정크기를 갖는 고체입자의 제어된 분류량만이 처리챔버로 유동되는 것이 허용될 수 있다. 상기 분류량은 반응기챔버로부터 입자를 배출할 때, 또는 리프팅챔버에서 상향으로 고체입자를 상승시킬 때 발생한다. 미세한 고체입자는 그 다음 문제를 일으키는 큰 물체를 갖지 않고 예컨데 열교환기에서 냉각되는 것처럼 처리챔버에서 더욱 처리되는 것이 좋다.
본 발명은 처리챔버에서 열전달표면을 노출시킴으로써 고체입자로부터 열을 회복하는데 사용될 수 있다. 열전달은 처리챔버로 유입되는 유동 에어에 의해 제어될 수 있다. 처리챔버는 가스 처리챔버의 가스분위기가 부식성 가스혼합물이 존재하는 경우에도 매우 작은량만 포함하므로 고온증기를 만드는데 특히 적합하다.
고온처리에서(챔버의 다른 벽들 뿐만 아니라) 반응기챔버와 리프팅챔버 및 처리챔버를 포함하는 하우징 사이의 벽은 물 튜브 패널로 제조될 수 있다. 상기 튜브패널은 내화물로 피복되고 굽혀져서 이들사이에 개구부를 형성한다. 이와달리 물질의 분류가 필요할 경우 장벽을 갖는 출구덕트는 인접 튜브사이의 내화물 피복에 주름을 만들고 상기 두 튜브를 연결하는 핀(fin)을 드러냄으로써 내화물 피복 튜브 패널에 쉽게 배치된다. 소정크기의 원형공 또는 슬롯은 이후 상기 핀에 제조될 수 있다.
질 실은 공간에 질 실을 배치하기에 충분하게 이격된 인접 튜브를 굽힘으로써 내화물 피복 튜브패널에 삽입될 수 있다. 개구부는 다른 방식으로 형성될 수 있다.
본 발명은 외측의 처리챔버에서 상물질을 처리하는 개량방법 및 장치를 제공하는 것이고, 개량방법에서, 반응기챔버로부터 처리챔버를 통하여 물질의 소정분류를 순환시키고 반응기챔버로 복귀된다.
본 발명은 이에 의해 외측 처리챔버에서 다른 온도, 다른조건, 또는 다른 가스분위기로 입자유동상 또는 고정상의 물질을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 본 발명에 따른 리프팅챔버와 처리챔버의 측벽을 상세히 도시하기 위해 절개한 개략사시도.
제2도는 반응기챔버에 결합된 제1도의 리프팅챔버의 개략 단면도.
제3도는 제1도의 처리 및 반응기챔버의 개략 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 리프팅 및 반응기챔버의 다른 실시예의 개략 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 처리 및 반응기챔버의 또다느 실시예의 개략 단면도.
제6도는 본 발명에 다른 리프팅 및 반응기의 또다른 실시예의 또다른 개략 단면도.
[발명의 상세한 설명]
제1도는 유동상 반응기에서의 반응기챔버(10)의 부분과 상기 반응기챔버(10)에 인접배치되고 리프팅챔버(14)와 처리챔버(16)를 포함하는 하우징(12)을 도시하고 있다. 하우징(12)은 반응기챔버(10)의 일측벽과 부분적으로 맞대게 배치되어 있다. 하우징(12)은 반응기챔버(10)의 밑면 아래의 수준으로 일부 연장된다.
출구덕트(20)는 리프팅챔버(14)가 반응기챔버(10) 사이의 공통벽부분(22)의 제1수직수준에 제공된다. 고체입자는 반응기챔버(10)와 리프팅챔버(14) 사이의 압력차 때문에 출구덕트(20)를 통하여 반응기챔버(10)로부터 리프팅챔버(14)로 유동한다. 질 실(24)은 소정크기보다 큰 물체가 반응기 챔버(10)로부터 리프팅챔버(14)로유동하는 것 방지하고 가스가 리프팅챔버(14)로부터 반응기챔버(10)로 유동하는 것을 방지하도록 출구덕트(20)에 배치된다.
출구덕트(20) 대신에, 다수의 작은구멍(도시되지 않음)이 반응기챔버(10)와 리프팅챔버(14) 사이의 벽(18)에 형성될 수 있다. 상기 구멍은 벽(18)을 통하여 소정크기의 입자가 유동할 수 있도록 충분히 커야 하나, 소정크기보다 큰(예컨데 양호한 열교환이 이루어지는 크기보다 큰) 입자가 벽(18)을 통하여 유동하는 것을 방지하기에 충분하도록 작아야 한다.
제1입구덕트(26)는 가스와 고체입자가 반응기챔버(10)로 유동하도록 처리챔버(16)와 반응기챔버(10) 사이의 공통 벽부분(28)의 제1수준보다 높은 제2수준에 배치된다. 제2입구덕트(27)는 제1이구덕트(26) 하측에 설치된다. 입자는 중력 또는 유동성에 의해 처리챔버(16)로부터 제2입구덕트(27)를 통하여 반응기챔버(10)로 유동한다.
질 실(30)(제1도)은 가스와 고체가 반응기챔버(10)로부터 처리챔버(16)로 역으로 유동하는 것을 방지하고 제2입구덕트(27)를 통하여 고체의 유동을 제어하도록 제2입구덕트(27)에 설치된다.
하우징(12)은 격벽(32)에 의해 리프팅챔버(14)와 처리챔버(16)로 분리된다. 리프팅챔버(14)는 단순히 처리챔버(16)의 단면보다 실질적으로 작은 단면을 갖는 리프팅채널이다. 격벽(32)의 상측부에 있는 덕트 또는 개구부(34)는 리프팅챔버(14)의 가스공간을 처리챔버(16)의 가스공간과 연결한다. 덕트(34)의 개구면적은 리프팅챔버(14)의 수평단면과 같다. 그리드(36)의 에어노즐은 리프팅챔프(14)의 바닥(38)에 설치된다. 공기는 입자부유물을 공압으로 리프팅챔버(14)의 상방향으로 그리고 덕트(34)를 통하여 처리챔버(16)로 이송시키기 위해 그리드(36)의 노즐을 통해 유입된다.
에어노즐(40)은 처리챔버(16)에 형성된 입자상(44)을 유동화 시키기 위해 처리챔버(16)의 바닥(42)에 설치된다.
제2도는 반응기챔버(10) 저면에 설치된 리프팅챔버(14)의 단면도이다. 출구덕트(20)는 측벽(18)의 내화물 피복 하측부에 설치되고, 입자가 반응기챔버(10)로부터 리프팅챔버(14)로 유동할 수 있게 한다. 그리드(36)의 에어노즐은 리프팅챔버(14)로 유입된 입자를 유동화시키기 위해 그리고 소정크기보다 작은 입자를 격벽(32)의 덕트(34)를 향하여 상방으로 이송시키기 위해 리프팅챔버(14)의 바닥에 설치된다. 단일에어 입구개구부는 노즐(36)을 갖는 그리드 대신에 리프팅챔버(14)의 바닥에 설치될 수 있다. 유동하는 에어에 의해 이송되지 않은 큰 입자와 물체는 리프팅챔버(14)의 바닥에 설치된 배출출구(46)를 통해 배출된다. 리프팅챔버(14)의 고체밀도는 반응기챔버(10)의 대응하는 수준에서의 고체밀도보다 훨씬 크다. 이와 같은 실시예에서, 그리드(36)는 반응기챔버(10)의 에어 유입 그리드 (52) 하측이 좋다.
제3도는 반응기챔버(10)에 인접설치된 처리챔버(16)의 단면도이다. 제1 및 제2입구덕트(26,27)는 반응기챔버(10)와 처리챔버(16) 사이의 공통 벽부분에 설치된다. 제1입구덕트(26)는 처리챔버(16)의 상부수준 상방에 있고, 제2입구덕트(27)는 고체물질이 입구덕트(27)를 통하여 반응기챔버(10)로 유동하도록 상구역의 하부수준에 있다.
열전달 표면(48)은 처리챔버(16)의 입자상(44)에 배치된다. 처리챔버(16)의 바닥(42)에 있는 에어노즐(40)은 입자상을 유동화시키고 열전달을 제어하는데 사용된다.
제4도 및 제5도의 실시예에서, 제1-3도의 실시예에서의 부품에 상응하는 부품은 단순히 1 만 앞에 첨부한 동일부호로 도시된다.
제4도는 반응기챔버(110)의 그리드(152)와 동일수준에 그리드(136)가 설치된 본 발명에 따른 리프팅챔버(114)의 실시예를 도시한다. 제5도는 반응기챔버(110) 그리드(152)수준 상부의 수준에 그리드(142)가 배치된 본 발명에 따른 처리챔버(116)의 실시예를 도시한다. 반응기챔버(110)는 순환하는 유동상 반응기의 일부일 수 있고, 반응기챔버(110)로부터 배출된 가스로부터 분리된 입자는 제5도에 도관(53)으로 도시된 바와 같이 처리챔버(116)를 통하여 반응기챔버(110)로 재유입될 수 있다.
제6도의 실시예에서, 제4도 및 제5도의 부품에 상응하는 부품은 단순히 2 만앞에 첨부한 동일부호로 도시된다.
제6도의 실시예에서, 리프팅챔버(214)는 적어도 반이 반응기챔버(210) 그리드(252) 수준 아래에 있도록 배치된다. 반응기챔버(210)의 연장부(4)는 또한 그리드(252)로부터 고체물질을 배출하기 위해 그리드(252) 하방에 배치된다. 에어노즐(56)은 굵은 물체로부터 작은입자를 분류하기 위해 연장부(54)의 측벽(58)에 설치된다. 굵은 물체는 출구덕트(60)를 통해 배출된다. 작은 고체입자는 출구덕트(220)를 통하여 연장부(54)에 인접설치된 리프팅챔버(214)로 유동한다.
본 발명은 현재 가장 실용적이고 바람직한 실시예로 여겨지는 것과 관련하여 기술되었으나, 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 제한되지 않음은 물론이고, 이와 달리 첨부된 청구항의 정신 및 범위내에 포함된 다양한 변형 및 동등한 장치를 보호하고자 하는 것이다.

Claims (15)

  1. 반응기챔버의 내부를 한정하는 측벽을 갖춘 반응기챔버와, 반응기챔버의 고체입자 유동상과 반응기챔버로부터 리프팅챔버로 연결되고 차례로 처리챔버에 연결된 출구덕트를 갖는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법에 있어서, 상기 방법이 (a)유동상의 제1수준에서 반응기챔버의 하부로부터 출구덕트를 통하여 리프팅챔버로 고체입자를 배출하는 단계, (c)처리챔버에서 고체입자의 유동상 또는 고정상을 형성하는 단계, (d)처리챔버에서 고체입자를 처리하는 단계, (e)제1수준 보다 높은 제3,4수준의 반응기챔버의 벽을 통하여 처리챔버로부터 반응기챔버로 이송 또는 유동가스로 처리된 고체입자를 재순환시키는 단계로 구성되고, (b)고체입자를 이송가스로 입자부유물로서 리프팅챔버의 상방으로, 제1수준보다 높은 제2수준으로, 처리챔버의 가스공간으로 공압으로 이송하는 단계가 특징인 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, (b)단계는 반응기챔버에서 유동상의 제1수준으로 출구 덕트에 제1압력을 제공함으로써 그리고 제1수준으로 리프팅챔버에 제2압력을 제공함으로써 실행되고, 상기 제2압력은 제1압력보다 낮아서 반응기챔버로부터 리프팅챔버로 입자를 유동시킴을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, (b)단계는 반응기챔버로부터 리프팅챔버로 유체유동을 조절하도록 출구덕트에 유동에어를 유입함으로써 실행됨을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, (e)단계는 처리챔버의 고체입자를 반응기챔버로 과유동시킴으로써 부분적으로만 실행됨을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 반응기챔버에서 제3수준의 압력이 처리챔버에서 제3수준의 압력보다 낮음을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는방법.
  6. 유동상 반응기에서 상물질를 처리하는 장치가 반응기챔버의 내부를 한정하는 측벽을 갖춘 반응기챔버와; 상기 반응기챔버의 하측부의 고체입자 유동상과; 상기 반응기챔버의 하측부에 연결된 리프팅챔버와 상기 반응기챔버를 상기 리프팅챔버에 연결하고, 상기 반응기챔버로부터 상기 리프팅챔버로 고체입자를 배출하기 위해 상기 반응기챔버의 제1수준에 배치된 출구덕트와; 고체입자상을 포함하고 고체입자를 처리챔버에서 처리하기 위한 수단을 포함하는 처리챔버와; 상기 처리챔버를 상기 반응기챔버에 연결하고, 상기 처리챔버로부터 상기 반응기챔버로 이송 또는 유동가스로 처리된 고체입자를 재순환시키기 위해 상기 제1수준보다 높은 제3수준에 배치된 제1입구덕트를 포함하고, 상기 유동상 반응기가 상기 리프팅챔버의 상측부를 상기 처리챔버의 고체입자상 상부의 가스공간으로, 상기 제1수준보다 높은 제2수준으로 연결하는 연결덕트와; 상기 리프팅챔버로부터 상기 연결덕트를 통하여 상기 처리챔버의 가스 공간으로 고체입자를 공압으로 이송하기 위해 상기 리프팅챔버로 이송가스를 유입시키는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리챔버에 제공된 열전달표면을 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반응기챔버와 리프팅챔버를 한정하는 공통벽을 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 리프팅챔버와 처리챔버를 포함하는 공통하우징과, 상기 리프팅챔버를 상기 처리챔버로부터 분리시키는 상기 공통 하우징의 격벽을 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 처리챔버에 배치된 고체입자를 유동시키기 위해 에어노즐을 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 출구덕트에 배치된 비메커니컬 실을 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 비메커니컬 실이 본질적으로 질 실과 엘밸브로 구성된 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  13. 제6항에 있어서, 상기 처리챔버를 상기 반응기챔버에 연결하고, 상기 제1입구덕트 하측에 배치된 제2입구덕트를 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 제2입구덕트에 배치된 비메커니컬 실을 또한 포함함을 특징으로 하는 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
  15. 제6항에 있어서, 상기 유동상 반응기가 순환유동상 반응기를 포함함을 유동상 반응기에서 상물질을 처리하는 장치.
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