KR100192881B1 - 집중 파라메타 평형 불평형 변성기 - Google Patents

집중 파라메타 평형 불평형 변성기 Download PDF

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KR100192881B1 KR1019960032412A KR19960032412A KR100192881B1 KR 100192881 B1 KR100192881 B1 KR 100192881B1 KR 1019960032412 A KR1019960032412 A KR 1019960032412A KR 19960032412 A KR19960032412 A KR 19960032412A KR 100192881 B1 KR100192881 B1 KR 100192881B1
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알. 에이펠 토마스
이. 페이지 챠알스
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라 영 배
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Abstract

자기 결합을 사용하지 않고 모노리식 마이크로파 집적 회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit)에 쉽게 일체로 형성되는 평형 불평형 변성기는 집중 파라메타 유도 회로 소자와 용량 회로 소자로 형성된다. 하나의 실시예에 도시된 종단 회로는 공통 모드 신호의 반사를 방지하기 위해 사용된다.

Description

집중 파라메타 평형 불평형 변성기
본 발명은 전자 장치의 평형단과 불평형단을 인터페이스하기 위한 방법 또는 그 장치에 관한 것으로서, 특히 위상이 180°벗어난 출력 신호를 제공하는 평형 입력단과 싱글 엔드(single ended) 입력 신호에 의하여 구동되는 불평형 부하를 인터페이스하기위한 장치 또는 그 방법에 관한 것이다.
전력 증폭기는 전압 또는 전류에 대한 제한 대신에 전력면에서 고려되는 출력을 갖는 증폭기이다. 모터를 작동시키거나 확성스피커(loudspeaker) 혹은 안테나를 구동하거나 또는 다른 유사한 작업을 수행하기 위해 증폭기가 사용될 때 비교적 고전력이 요구된다.
증폭기에 의하여 출력되는 전력은 효과적으로 부하에 전달되어야 한다.
많은 경우에 있어서, 부하가 필요로 하는 전력은 트랜지스터와 같은 단일 증폭 소자에 의하여 발생되는 전력보다 더 많다. 전력을 증가시키기 위하여 하나 이상의 증폭 소자들을 연결시키기 위한 효과적인 방법은 제1도에 도시된 푸시풀 구성을 하는 것이다.
도 1에서 평형 푸시풀 증폭기는 두 개의 증폭 소자들((12a,12b) 예컨대, 소오스들은 접지되고 각 게이트는 180° 위상이 다른(기수 모드 여기) 제1 입력 신호와 제2 입력 신호를 각각 받아들이도록 연결된 NPN트랜지스터들을 포함하고 있다. 저주파용 푸시풀 증폭기들에서 변성기(14)는 일반적으로 평형 푸시풀 증폭기(10)를 불평형 부하(16)에 연결시키기 위하여 이용된다. 따라서 상기 변성기(14)는 평형 불평형 변성기(BALUN)의 기능을 수행한다. 즉, 평형 또는 차동 신호원을 불평형 또는 싱글 엔드 부하에 연결하는 기능을 한다.
위상외(out-of phase) 입력 신호들을 푸시풀 증폭기에 제공하는 여러 입력단들 예컨대, 차동 쌍(differential pair)을 갖는 활성 분리기(active splitter)는 공지된 기술이다. 변성기는 또한 이와같은 불평형 내지 평형 입력 기능을 제공할 수 있다. 실제적으로, 상기 입력단들은 또한 푸시풀 증폭기의 양 입력들에 동위상(위상내 또는 우수 모드 여기)을 갖는 공통 모드 신호를 제공할 수도 있다. 예를 들면, 바이어스 전압은 종종 공통 모드 전압 신호로서 인가된다.
회로 설계자들은 공통 모드 신호들은 거부하고 동등한 평형 단자 전류와 전압 및 불평형 단자 전류와 전압을 제공하는 평형-불평형 변성기를 필요로 한다. 또한 후속되는 단으로부터 직류 전압 레벨의 공급을 단절시키는 것이 요구된다.
평형-불평형 변성기의 기능은 전형적으로 자기 결합을 이용함으로써 달성된다. 자기적으로 결합된 삼선(tri-filar) 평형-불평형 변성기를 이용하는 방법이 도 2A와 도 2B에 도시되어있으며, 여기에는 자동 변성기(auto-transformer) 실행이 묘사되어 있다.
도 3A와 도 3B는 각각 동일 평형 단자 전류와 불평형 단자 전류를 공급하는 동안 자기 결합이 우수 모드 여기와 평형 여기의 전송을 어떻게 거부하는지를 나타내고 있다.
비록 자기적으로 결합된 구조가 평형 불평형 변성기로서 그 기능을 잘 수행한다 할지라도 상기 구조를 반도체 집적 회로에 일체로 형성하는 것은 어렵다. 따라서, 모노리식 마이크로파 집적 회로(MMIC ;Monolithic Microwave Integrated Circuit)의 크기 축소 및 유리한 특성은 자기 결합을 이용하는 평형 불평형 변성기에 의해서는 쉽사리 실현되지 못한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성할 수 있는 집중 파라메타를 이용한 평형 불평형 변성기 인터페이스를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성하기에 적합한 집중 파라메타를 이용한 평형 불평형 변성기 인터페이스의 형성 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 불평형 부하를 구동하는 푸시풀 증폭단의 회로도.
도 2A와 도 2B는 자기 결합을 이용하는 평형 불평형 변성기를 도시한 회로도.
도 3A와 도 3B는 우수 모드 여기(even-mode excitation)와 기수 모드 여기(odd-mode excitation)에 대한 상기 도 2B의 회로가 어떻게 응답하는지를 도시한 회로도.
도 4는 일반적인 평형 불평형 변성기의 블록도.
도 5는 본 발명의 원리에 따라 구성된 평형 불평형 변성기의 일 실시예의 회로도.
도 6은 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성된 상기 도 5의 회로의 개략도.
도 7은 일반적인 시그마(SIGMA)/델타(DELTA) 4-포트(port) 하이브리드(hybrid)의 블록도.
도 8은 본 발명의 원리에 따라 구성된 시그마/델타 4-포트 하이브리드로서 평형 불평형 변성기의 다른 실시예의 회로도.
본 발명은 평형 불평형 변성기 인터페이스 회로 및 평형 불평형 변성기 기능을 수행하기 위해 집중 파라메타 회로 소자들을 이용하는 회로를 사용하는 방법에 관한 것이다. 자기 결합이 필요치 않으므로 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성함이 용이해진다.
본 발명의 한 태양에 따르면, 유도 소자는 직렬로 연결된 제1 인덕터, 제2 인덕터, 제3 인덕터 및 용량 소자를 포함한다. 유도 소자들과 용량 소자는 병렬 LC 회로를 형성하도록 연결된다. 각 인덕터와 캐패시터는 각각 제1 단자와 제2 단자를 가지고 있다. 상기 제1 인덕터의 제1 단자는 제1 노드에서 캐패시터의 제1단자에 연결되고, 제1 인덕터의 제2 단자와 제2 인덕터의 제1 단자는 제2 노드에서 연결되고, 제2 인덕터의 제2단자와 제3 인덕터의 제1 단자는 제3 노드에서 연결되고, 제3 인덕터의 제2 단자와 용량 소자의 제2 단자는 제4 노드에서 연결된다. 회로의 동작시, 평형 입력 신호는 제1 노드와 제3 노드에 인가되고, 제2 노드는 접지되며, 제4 노드는 싱글 엔드 출력 신호를 제공하기 위하여 연결된다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 종단 회로는 제2 노드가 접지되고 수신된 공통 모드 신호들의 반사를 예방하기 위해 공통 모드 에너지를 흡수한다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 유도 소자와 용량 소자는 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성된다. 유도 소자는 도체 형태로 모노리식 마이크로파 집적 회로의 표면에 배열되고, 용량 소자는 모노리식 마이크로파 집적 회로에 층 구조로 일체로 형성된다.
본 발명의 다른 장점 및 특징은 이하 상세한 설명과 첨부된 도면에 잘 나타나 있다.
도 4는 입력 단자들(22,24)을 통하여 평형 입력 신호들을 수신하고, 불평형 부하를 구동하기 위하여 출력 단자(26)를 통하여 싱글 엔드 출력 신호를 제공하는 일반적인 평형 불평형 변성기(20)의 블록도이다. 도시된 바와 같이, 기수 여기(odd excitation)를 위하여 제1 포트(22)와 제2 포트(24)의 순간적인 전압은 각각 V(t)와 -V(t)와 같고, 출력 포트의 전압은 2V(t)와 같아서 평형 입력 포트들(22,24)의 양단에 걸리는 전압 레벨과 불평형 부하에 걸리는 전압 레벨은 동일하다. 부가적으로, 전류 I(t)의 값은 모든 포트들에서 동일하다.
도 5는 본 발명의 원리에 따라 구성된 평형 불평형 변성기(20)의 회로도이다. 그 회로는와 동일한 공진 주파수 f0의 특성을 갖는 LC 병렬 공진 회로의 일반적인 형태이다. 도 5에서 제1 인덕터(30), 제2 인덕터(32) 및 제3 인덕터(34)는 각각 L1, L2, L3의 인덕턴스(inductance)를 가지고 있다. 그래서 전체 인덕턴스 L=(L1+L2+L3)가 된다.
도 5에서 제1 인덕터(30)의 제1 단자는 제1 노드(40)에, 제2 단자는 제2 노드(42)에 연결되어있다. 제2 인덕터(32)의 제1 단자는 제2 노드(42)에, 제2 단자는 제3 노드(44)에 연결되어있다. 제3 인덕터(34)의 제1 단자는 제3 노드(44)에, 제2 단자는 제4 노드(46)에 연결되어있다. 따라서 제1 인덕터(30), 제2 인덕터(32) 및 제3 인덕터(34)는 전체 인덕턴스 L을 갖는 직렬 유도 회로(48)를 형성한다.
C와 동일한 용량을 갖는 캐패시터(50)의 제1 단자는 제1 노드(40)에 연결되고, 제2 단자는 제4 노드(46)에 연결되어있다. 따라서 직렬 유도 회로(48)와 캐패시터(50)는 병렬 공진 회로를 형성한다.
제1 입력 신호는 제1 평형 불평형 변성기 입력 포트(22)로서 역할하는 제1 노드(40)에 연결되고, 제2 입력 신호는 제2 평형 불평형 변성기 입력 포트(24)로서 역할하는 제3 노드(44)에 연결된다. 이들 역위상 구동 신호들은 순환하는 전류가 공진 회로 내에서 흐르도록 한다. 불평형 부하는 평형 불평형 변성기 출력 포트(26)로서 역할하는 제4 노드(46)와 접지단(52) 사이에 연결된다. 제2 노드(42)는 접지단(52)과 연결된다. 제1 평형 불평형 변성기 입력 포트(22)와 제2 평형 불평형 변성기 입력 포트(24) 및 평형 불평형 변성기 출력 포트의 전압은 접지 전압이다
도 5에 도시된 회로의 동작을 설명하기로 한다. 첫째, 인덕터들의 임피던스(impedance)는 저주파수에서는 매우 낮기 때문에 직류 전압은 상기 평형 불평형 변성기를 통과한다. 이것은 증폭기 회로들의 트랜지스터들에 바이어스를 제공하는데 유리하다. 도 5에서 직류 전압과 고주파(RF) 접지는 제2 노드(42)에서 이루어진다. 제2 노드(42)가 큰 캐패시터를 통하여 접지로 바이패스(bypass)될 때, 직류 바이어스는 평형 불평형 변성기를 통과할 수 있다.
둘 째, f0에 근접한 주파수일 경우, 공진 회로의 유도 소자들의 일부가 탭(tap)된다면 즉, 부하가 공진 회로의 유도 소자의 일부에만 연결된다면, 탭된 인덕터를 지나서 부하에 인가된 신호는 1차측이 공진 회로의 전체 인덕턴스 L과 병렬로 연결된 이상적인 변성기의 2차측에 위치한 동일 부하에 의하여 모델링(modeling)될지도 모른다는 것은 알려져 있다.
따라서, 도 5에서, 공진 상태에서 회로의 불평형 출력 포트의 전압 레벨과 포트 전류의 크기는 부하가 제2인덕터(32)와 제3인덕터(34)에 연결되는 것으로 간주하고 1차측이 복합 유도 회로(48)와 병렬로 연결된 이상적인 변성기의 2차측에 위치한 동일한 부하에 의하여 그 부하를 모델링함으로써 분석될 수 있다. 평형 불평형 변성기의 출력 포트(26)의 포트 전류의 크기와 전압 레벨은 이상적인 변성기의 권선비를 결정하기 위하여 L1, L2 및 L3의 값을 선택함으로써 조절될 수 있다.
유사한 방식으로, 회로의 차동 입력 포트들(22,24)에서 포트 전류의 크기는 평형 입력이 제1 인덕터(30)와 제2 인덕터(32)에 연결되는 것으로 간주하고 2차측이 복합 유도 회로(48)와 병렬로 연결된 이상적인 변성기의 1차측에 위치한 동일한 입력에 의하여 평형 입력을 모델링함으로써 공진 상태에서 분석될 수 있다.
도 5의 회로는 공진 회로의 Q가 높거나 또는 적정한 경우, 즉, 순환 공진 전류가 포트 전류 I(t)보다 크기에 있어서 큰 상태인 경우 잘 동작한다. 따라서, 공진은 바람직한 전압과 임피던스관계를 유지하기 위해 이용된다.
도 5의 회로를 시뮬레이션(simulation)해봄으로써 공진 근처에서 기수 여기 신호들을 위한 전송비와 우수 여기 신호들을 위한 거부비가 높다는 것을 알 수 있다.
기수 모드 여기의 경우, 제2 인덕터(32)를 통한 포트 전류는 접지단(52)과 제2 입력 포트(24) 사이에 흐르는 입력 포트 전류와 접지단(52)과 출력 포트(26) 사이에 흐르는 출력 포트 전류의 합이다. 이들 포트 전류들은 반대 방향으로 흐르며 서로 감쇄시키는 성질이 있다. 따라서 공진 해결 방법은 L2의 값을 L1과 L3보다 높게 함으로써 보다 나은 대역폭을 얻도록 보상될 수 있다.
약 0.8[GHz]의 주파수에서 동작하도록 설계된 도 5에 도시된 회로의 바람직한 실시예에서 여러 파라메타들의 값은 대략 다음과 같다.
L1 = 3.3 [μH]
L2 = 4.7 [μH]
L3 = 5.3 [μH]
C = 4.2 [pF]
도 6은 도 5의 회로의 일체로 형성된 실시예를 도시한다. 도 6을 참조하면, 마이크로파 모놀리식 집적 회로의 표면에 제1 인덕터(30), 제2 인덕터(32) 및 제3 인덕터(34)가 직사각형의 나사 구조로 도시되어있고, 캐패시터(50)가 금속-절연체-금속(MIM) 캐패시터의 구조로 도시되어있다.
도 7은 제1 입력 신호와 제2 입력 신호를 수신하기 위한 제1 입력 포트(82)와 제2 입력 포트(84)를 가지며, 싱글 엔드 델타 출력 포트(86)와 싱글 엔드 시그마 출력 포트(88)를 갖는 일반적인 4-포트 하이브리드(80)를 나타내고 있다. 일반적인 결합 소자는 델타 출력 포트(86)를 통하여 제1 입력 신호와 제2 입력 신호의 크기의 차이와 동일한 크기를 갖는 델타 또는 차동 신호를 제공하고, 또 시그마 출력 포트(88)를 통하여 제1 입력 신호와 제2 입력 신호의 크기의 합과 동일한 크기를 갖는 시그마 또는 공통 모드 신호를 공급한다.
도 5의 평형 불평형 변성기 회로의 공진 응답은 평형 단의 출력 신호들을 수신하기 위해 연결된 제1 입력 포트와 제2 입력 포트 및 불평형 부하에 연결된 델타 출력 포트(84)를 갖는 시그마/델타 4-포트 하이브리드 소자의 세 포트들의 응답과 유사하다. 유사한 방식으로 제2 노드(42)는 시그마 포트(88)에 대응하고 평형 불평형 변성기 출력 포트(26)는 델타 포트(86)에 대응한다. 따라서, 도 5의 평형 불평형 변성기 회로는 우수 모드 여기를 거부하기 때문에 우수 모드 여기로부터 발생된 에너지는 평형 입력단으로 되반사된다. 만일 시그마 출력 포트가 에너지 흡수 소자에 의해 종단 접속된다면, 우수 모드 여기는 흡수될 것이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예로서 우수 모드 여기의 반사를 예방하는 종단 회로를 포함하고 있다. 도 8을 참조하면, 제2 노드(42)는 종단 회로(90)를 통하여 접지단과 연결되어있다. 도 8에서 종단 회로는 회로에서 발생된 동일 진폭의 역상 신호 때문에 상쇄를 실행하는 병렬 LC 회로이다. 상기 종단 회로(90)의 임피던스의 값은 우수 모드 여기 에너지가 종단 회로에 의해 흡수되도록 선택된다. 따라서, 도 8의 시그마/델타 4-포트 하이브리드 실시예는 공통 모드 또는 합산 모드를 위해 추가된 절연 단자를 갖는 것 외에는 도 5의 3-포트 평형 불평형 변성기와 기본적으로 동일하다.
약 0.8[GHz]의 주파수에서 동작하도록 설계된 도 8의 바람직한 실시예에서, 여러 가지 회로 파라메타들의 값은 대략 다음과 같다.
L1 = 12 [μH]
L2 = 15 [μH]
L3 = 12 [μH]
C = 2.7 [pF]
그리고 종단 회로(90)의 회로 소자들의 값은 다음과 같다.
R = 50 [Ω]
C = 5.7 [pF]
본 발명은 지금까지 바람직한 실시예를 통하여 설명되었다. 본 발명은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 변형되거나 치환될 수 있음은 명백하다. 따라서, 본 발명은 청구항에 기재된 발명 외에 달리 한정하고자 하는 것은 아니다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 저가 결합을 이용하지않는 평형 불평형 변성기 인터페이스 회로를 형성할 수 있으며, 자기 결합을 이용하지 않음으로써 본 발명의 평형 불평형 변성기 인터페이스 회로를 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성할 수 있다.

Claims (5)

  1. 제1 출력단자와 제2 출력단자를 갖는 평형 입력단과 접지 전압 레벨에 대하여 하나의 전압 레벨을 갖는 싱글 엔드 입력 신호를 수신하기 위한 싱글 엔드 입력 단자를 갖는 불평형 출력단 사이에 평형 불평형 변성기 인터페이스를 형성하는 방법에 있어서,
    각각 제1 단자와 제2 단자를 가지며 각각 L1, L2, 및 L3의 인덕턴스를 가지고 서로 분리되어 직렬 연결된 적어도 제1 인덕터, 제2 인덕터 및 제3 인덕터를 구비하여 L의 인덕턴스를 갖는 유도 소자와, 제1 단자와 제2 단자를 가지며 상기 유도 소자에 병렬로 연결되고 C의 용량을 갖는 용량 소자를 포함하는 집중 파라메타 LC 병렬 공진 회로를 제공하는 단계로서 여기서, 상기 제1 인덕터의 제1 단자는 제1 노드에서 용량 소자의 제1 단자에 연결되고 제2 단자는 제2 노드에서 제2 인덕터의 제1 단자에 연결되며, 상기 제3 인덕터의 제1 단자는 제3 노드에서 제2 인덕터의 제2 단자에 연결되고 제2 단자는 제4 노드에서 용량 소자의 제2 단자에 연결되며, 병렬 LC 회로는 {1/(2π√LC)}와 동일한 공진 주파수에 의해 특징지어지는 바의 단계와;
    병렬 LC 회로의 제2 노드를 접지단에 연결하는 단계와;
    상기 제1 노드와 제3 노드를 상기 평형 입력단의 출력 단자에 연결하여 평형 입력단에 의해 제공되고 공진 주파수 근처에 집중된 입력 신호 밴드폭을 갖는 평형 불평형 변성기 입력 신호를 받아들이는 단계로서, 여기서 상기 평형 불평형 변성기 입력 신호는 상기 제1 노드와 제3 노드의 입력 신호 전압 레벨이 접지 전압 레벨에 대하여 동일 크기 및 반대 극성을 갖는 기수 모드 여기와, 상기 제1 노드와 제3 노드의 입력 신호 전압 레벨이 접지 전압 레벨에 대하여 동일 극성을 갖는 우수 모드 여기에 의해 특징지어지는 바의 단계; 및
    기수 모드 여기 평형 불평형 변성기 입력 신호가 수신될 때 거의 동일한 평형 및 불평형 포트 전류 크기와 전압 크기를 강요하는 LC 병렬 공진 회로의 공진 상태를 싱글 엔드 평형 불평형 변성기 출력 신호에 제공하기 위해, 또 우수 모드 여기 평형 불평형 변성기 입력 신호가 수신될 때 싱글 엔드 입력에 제공되는 전압과 전류를 감쇄시키기 위해 불평형 출력단의 싱글 엔드 입력 단자에 제4 노드를 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평형 불평형 변성기 인터페이스 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 L2는 L1 또는 L3보다 더 큰 것을 특징으로 하는 평형 불평형 변성기 인터페이스 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 평형 불평형 변성기 인터페이스 형성 방법은 제1 단자와 제2 단자를 가지며 입력 신호 밴드폭 내의 주파수들을 위한 공통 모드 에너지를 흡수하는 종단 소자를 제공하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제2 노드를 연결하는 단계는 상기 제2 노드를 상기 종단 소자의 제1 단자에 연결하는 단계; 및
    상기 종단 소자의 제2 단자를 상기 접지 전압 레벨에 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평형 불평형 변성기 인터페이스 형성 방법.
  4. 평형 출력 신호를 제공하는 하나의 평형 입력단 및 싱글 엔드 입력 신호를 수신하는 하나의 출력단과, 평형 입력단으로부터 전송된 상기 평형 출력 신호를 수신하는 제1 입력 포트와 제2 입력 포트를 가지며 상기 불평형 싱글 엔드 입력 신호를 불평형 출력단에 제공하는 하나의 출력 포트를 갖는 평형 불평형 변성기 인터페이스를 포함하며, 평형 출력 신호와 싱글 엔드 입력 신호의 전압 레벨이 접지 전압 레벨에 참조되는 장치에 있어서,
    각각 제1 단자와 제2 단자를 가지며 각각 L1, L2, 및 L3의 인덕턴스를 가지고 서로 분리되어 직렬 연결된 적어도 제1 인덕터, 제2 인덕터 및 제3 인덕터를 구비하는 L의 인덕턴스를 갖는 유도 소자로서, 제1 인덕터의 제1 단자는 제1 노드에 연결되고 제2 단자는 제2 노드에 연결되며, 제2 인덕터의 제1 단자는 제2 노드에 연결되며, 제3 인덕터의 제1 단자는 제3 노드에 연결되고 제2 단자는 제4 노드에 연결되는 바의 유도 소자; 및
    제1 단자 및 제2 단자를 가지며 C의 용량을 갖고, 유도 소자와 병렬로 연결되며, 제1 단자는 상기 제1 노드에 연결되고 제2 단자는 상기 제4 노드에 연결된 용량 소자를 구비하며,
    상기 유도 소자와 용량 소자는 ｛1/(2π√LC)｝와 동일한 공진 주파수의 특성을 갖는 병렬 LC 회로를 구비하며, 상기 제1 노드 및 제3 노드는 상기 평형 출력 신호를 수신하고, 상기 제2 노드는 접지 전압에 연결하며, 상기 제4 노드는 상기 싱글 엔드 입력 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 평형 불평형 변성기 인터페이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 평형 불평형 변성기 인터페이스는 주 표면을 갖는 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성되고, 상기 제1 인덕터, 제2 인덕터 및 제3 인덕터는 모노리식 마이크로파 집적 회로의 주 표면에 배열된 도전체로 형성되며, 상기 캐패시터는 상기 모노리식 마이크로파 집적 회로에 일체로 형성된 층 구조인 것을 특징으로 하는 평형 불평형 변성기 인터페이스.
KR1019960032412A 1995-09-25 1996-08-02 집중 파라메타 평형 불평형 변성기 KR100192881B1 (ko)

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US8/533,294 1995-09-25
US08/533,294 1995-09-25
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