JPS60202332A - Ｉｃｐ分析装置用高周波電源装置 - Google Patents
Ｉｃｐ分析装置用高周波電源装置Info
- Publication number
- JPS60202332A JPS60202332A JP59060371A JP6037184A JPS60202332A JP S60202332 A JPS60202332 A JP S60202332A JP 59060371 A JP59060371 A JP 59060371A JP 6037184 A JP6037184 A JP 6037184A JP S60202332 A JPS60202332 A JP S60202332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transformer
- winding
- output
- input
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ・ 産業上の利用分野
本発明は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析（工ＣＰ
と略記）装置における半導体化された高周波電力発生回
路に関する。
と略記）装置における半導体化された高周波電力発生回
路に関する。
口・従来技術
■ＣＰ分析用高周波電力発生回路を半導体増幅素子で構
成する場合、出力増幅段は一個の半導体増幅素子では出
力が足シないので複数個の半導体増幅素子を並列運転す
る必要がある。しかし、複数の半導体素子を並列接続し
て用いる場合、各半導体素子間の負荷負担率が不揃いに
なり、半導体素子間の発熱量が不同となる。半導体素子
は温度力 上昇に対する附加が真空管に比し大へん低いので、上述
したような場合、発熱の最も犬なる素子が安全であるよ
うに出力を決めることになシ、所定の出力を得ようとす
ると素子数が多くなり、一層各素子均等に負荷を割当て
ることが困難になる。
成する場合、出力増幅段は一個の半導体増幅素子では出
力が足シないので複数個の半導体増幅素子を並列運転す
る必要がある。しかし、複数の半導体素子を並列接続し
て用いる場合、各半導体素子間の負荷負担率が不揃いに
なり、半導体素子間の発熱量が不同となる。半導体素子
は温度力 上昇に対する附加が真空管に比し大へん低いので、上述
したような場合、発熱の最も犬なる素子が安全であるよ
うに出力を決めることになシ、所定の出力を得ようとす
ると素子数が多くなり、一層各素子均等に負荷を割当て
ることが困難になる。
ＩＣｐ分析用高周波電力発生回路は負荷インピーダンス
の変動範囲が数Ωから■までと大へん大きく、回路は成
る負荷に対して最大効率となるように設計するので、そ
れ以外の負荷の場合、回路素子の発熱が増大する。真空
管は発熱に対する耐力が大で、一時的な過負荷にもよく
耐え得る本が、半導体素子は熱に弱く過負荷に対する耐
力が低いので、ＩＣＰ用高同高周波電力発生回路従来専
ら真空管が用いられて来た。しかし真空管を用いると装
置が大型になシ、発熱も大きいので、半導体化が望まし
いが、現在の所実現されていない。
の変動範囲が数Ωから■までと大へん大きく、回路は成
る負荷に対して最大効率となるように設計するので、そ
れ以外の負荷の場合、回路素子の発熱が増大する。真空
管は発熱に対する耐力が大で、一時的な過負荷にもよく
耐え得る本が、半導体素子は熱に弱く過負荷に対する耐
力が低いので、ＩＣＰ用高同高周波電力発生回路従来専
ら真空管が用いられて来た。しかし真空管を用いると装
置が大型になシ、発熱も大きいので、半導体化が望まし
いが、現在の所実現されていない。
ハ、目 的
本発明はＩＣＰ分析装置用高周波電源を半導体化するこ
とを目的とし、特に出力増幅段で半導体増幅素子を並列
運転するときの負荷負担率の均等化を目的とするもので
ある。
とを目的とし、特に出力増幅段で半導体増幅素子を並列
運転するときの負荷負担率の均等化を目的とするもので
ある。
こ＼で並列半導体増幅素子の均等化と云うのは、半導体
素子を並列にして用いる場合、一方の素子に多くの電流
が流れると、その素子の方が温度が上シ、温度が上ると
その素子の電流がますます増加してアンバランスが増大
して行くと云う通常の静的アンバランス現象に対する対
策ではなくて、高周波を扱う場合の個有の問題である。
素子を並列にして用いる場合、一方の素子に多くの電流
が流れると、その素子の方が温度が上シ、温度が上ると
その素子の電流がますます増加してアンバランスが増大
して行くと云う通常の静的アンバランス現象に対する対
策ではなくて、高周波を扱う場合の個有の問題である。
通常高周波回路は電源と負荷とのインピーダンスが整合
した状態で作動せしめられるので、こ＼で云うような問
題は生じない。ＩＣｐ分析の場合、負荷の変動が大きく
、一時的にインピーダンス不整合の状１態が比較的多く
、そのような場合、高周波回路には反射波が返って来る
が、各増幅素子毎に反って来る反射波の位相が異って負
荷の負担率の不同を生じるのである。
した状態で作動せしめられるので、こ＼で云うような問
題は生じない。ＩＣｐ分析の場合、負荷の変動が大きく
、一時的にインピーダンス不整合の状１態が比較的多く
、そのような場合、高周波回路には反射波が返って来る
が、各増幅素子毎に反って来る反射波の位相が異って負
荷の負担率の不同を生じるのである。
令弟１図のような回路を考えて、二つのトラン粕
ジスタＱｌ、Ｑ２は同じ特性であシ、同期の励振入力が
印加されているとし、供給されている直流電源電圧をＶ
ａとする。Ｌは負荷であり、図の出力回路とは同軸ケー
ブルにでつながれている。こ＼で反射波が返ってくると
、直流電源電圧Ｖｄ、に重畳して各トランジスタＱｌ、
Ｑ２のソースドレイン間に印加される。この反射波は励
振入力と同周波数で位相が異る。判シ易いため一つの極
端な例として、Ｑｌでは励振入力と反射波とが反対位相
であり、Ｑ２では９ｏ０のずれがあるとする。
印加されているとし、供給されている直流電源電圧をＶ
ａとする。Ｌは負荷であり、図の出力回路とは同軸ケー
ブルにでつながれている。こ＼で反射波が返ってくると
、直流電源電圧Ｖｄ、に重畳して各トランジスタＱｌ、
Ｑ２のソースドレイン間に印加される。この反射波は励
振入力と同周波数で位相が異る。判シ易いため一つの極
端な例として、Ｑｌでは励振入力と反射波とが反対位相
であり、Ｑ２では９ｏ０のずれがあるとする。
そうするとＱｌでは見掛上負荷は純抵抗で反射波がない
場合より負荷抵抗が増加したのに相当し、高周波出力は
鳴動に負荷に吸収されている仁とになシ、無効電力のＱ
ｌ内での消費はない。これに対してＱ２では反射波は励
振入力と９０″位相がずれているので、見掛上負荷かり
アクタンス成分を含んだのと同じになシ、高周波出力の
成る分は無効電力となっている。Ｑ２の出力電流中、高
周波出力電圧と９０°位相のずれた分は結局Ｑ２で無駄
な発熱を生じさせるととになる。本発明はこのような動
的なアンバランスの解消を目的としている。
場合より負荷抵抗が増加したのに相当し、高周波出力は
鳴動に負荷に吸収されている仁とになシ、無効電力のＱ
ｌ内での消費はない。これに対してＱ２では反射波は励
振入力と９０″位相がずれているので、見掛上負荷かり
アクタンス成分を含んだのと同じになシ、高周波出力の
成る分は無効電力となっている。Ｑ２の出力電流中、高
周波出力電圧と９０°位相のずれた分は結局Ｑ２で無駄
な発熱を生じさせるととになる。本発明はこのような動
的なアンバランスの解消を目的としている。
二・構 成
本発明■ＣＰ分析装置用高周波電源装置は、その電力増
幅段が複数の半導体増幅素子で構成され、これらの増幅
素子は二個ずつ対になり、６対は入力側が互にトランス
結合され、出力側も互にトランス結合され、上記入力側
トランスの一方の巻線の一端が入力端子、上記出力側ト
ランスの一方の巻線の一端が出力端子となり、このよう
な増幅素子の対になった構成が更に二組対になって夫々
の入力端子が互にトランス結合され、出力端子が互にト
ランス結合されると云う結合様式が所要段階繰返され、
最終的な入カドランスの巻線の他端を励振入力端子、同
じく出力側トランスの巻線の他・端を高周波電力出力端
子としだものである。
幅段が複数の半導体増幅素子で構成され、これらの増幅
素子は二個ずつ対になり、６対は入力側が互にトランス
結合され、出力側も互にトランス結合され、上記入力側
トランスの一方の巻線の一端が入力端子、上記出力側ト
ランスの一方の巻線の一端が出力端子となり、このよう
な増幅素子の対になった構成が更に二組対になって夫々
の入力端子が互にトランス結合され、出力端子が互にト
ランス結合されると云う結合様式が所要段階繰返され、
最終的な入カドランスの巻線の他端を励振入力端子、同
じく出力側トランスの巻線の他・端を高周波電力出力端
子としだものである。
ホ・実施例
第２図は本発明の一実施例の回路の要部を示す。
ｌは高周波発振回路、２が高周波電力増幅回路で、これ
が本発明に係る部分であシ、３は出力同調回路、Ｋは同
軸ケーブル、Ｌは負荷である。Ｑ１〜Ｑ８は高周波電力
増幅を行うＦＥＴである。各ＦＦ１Ｔは図で上から順に
二個ずつが対をなすように結合されている。即ちＱｌ、
Ｑ２が対をなし、夫々のゲートはトランスＴ１によって
互に結合され、トランスＴ１の一方の巻線の一端が入力
端子ｌとなシ、他方の巻線の一端はアースされる。又Ｑ
１＋ Ｑ２夫々のドレインがトランスＴ２によって互に
結合され、トランスＴ２の一方の巻線の一端が出力端子
０となり、他方の巻線の一端はアースされる。各ドレイ
ンとトラレスＴ２の巻線との間には直流分をカットする
コンデンサＣが挿入しである。以下Ｑ３ＦＱ４〜Ｑ ７
ｔ ’Ｑ ８の６対も同じ結合がなされている。今夫々
の対を上から順にＦｌ、Ｆ２．＝Ｆ４とする。
が本発明に係る部分であシ、３は出力同調回路、Ｋは同
軸ケーブル、Ｌは負荷である。Ｑ１〜Ｑ８は高周波電力
増幅を行うＦＥＴである。各ＦＦ１Ｔは図で上から順に
二個ずつが対をなすように結合されている。即ちＱｌ、
Ｑ２が対をなし、夫々のゲートはトランスＴ１によって
互に結合され、トランスＴ１の一方の巻線の一端が入力
端子ｌとなシ、他方の巻線の一端はアースされる。又Ｑ
１＋ Ｑ２夫々のドレインがトランスＴ２によって互に
結合され、トランスＴ２の一方の巻線の一端が出力端子
０となり、他方の巻線の一端はアースされる。各ドレイ
ンとトラレスＴ２の巻線との間には直流分をカットする
コンデンサＣが挿入しである。以下Ｑ３ＦＱ４〜Ｑ ７
ｔ ’Ｑ ８の６対も同じ結合がなされている。今夫々
の対を上から順にＦｌ、Ｆ２．＝Ｆ４とする。
ＦｌとＦ２とが対となり、夫々の入力端子ｉがトランス
Ｔ３によって結合され、同トランスの一方の巻線の一端
が入力端子工となシ他方の巻線の一端はアースされる。
Ｔ３によって結合され、同トランスの一方の巻線の一端
が入力端子工となシ他方の巻線の一端はアースされる。
またＦｌ、Ｆ２両対の夫々の出力端子Ｏがまだ互にトラ
ンスＴ４によって結合され、同トランスの一方の巻線の
一端が出力端子ＯＵＴとなり、他方の巻線の一端はアー
スされる。Ｆ３．Ｆ４も上述と全く同じ様式で互に結合
される。
ンスＴ４によって結合され、同トランスの一方の巻線の
一端が出力端子ＯＵＴとなり、他方の巻線の一端はアー
スされる。Ｆ３．Ｆ４も上述と全く同じ様式で互に結合
される。
このようにして構成されたＦｌ、Ｆ２の対ＦＦｌとＦ３
．Ｆ４の対ＦＦ２の夫々の入力端子工が互にトランスＴ
５によって結合され、同トランスの一方の巻線の一端が
同軸ケーブルの心線に接続され、他方の巻線の一端がア
ースされて電力増幅段２が筒周波発振回路１と結合され
る。ＦＦＩ。
．Ｆ４の対ＦＦ２の夫々の入力端子工が互にトランスＴ
５によって結合され、同トランスの一方の巻線の一端が
同軸ケーブルの心線に接続され、他方の巻線の一端がア
ースされて電力増幅段２が筒周波発振回路１と結合され
る。ＦＦＩ。
ＦＦ２の夫々の出力端子ＯＵＴが互にトランスＴ６によ
って結合され、各巻線の一端が同調回路３に接続される
。この回路構成で、高周波出力の電力調節は励振入力の
振幅を変えても可能であるが、直流電源電圧Ｖｄを変え
ることによっても調節で、きる。
って結合され、各巻線の一端が同調回路３に接続される
。この回路構成で、高周波出力の電力調節は励振入力の
振幅を変えても可能であるが、直流電源電圧Ｖｄを変え
ることによっても調節で、きる。
へ・効 果
本発明回路は上述したような構成で出力側から見た各Ｎ
ＥＴは高周波的に全く対称的であり、励振側から見ても
対称的であるので、励振入力と反射波の位相が各増幅素
子によって異っていると云った問題が起らず、各素子は
均等な負荷負担で作動することになり、複数の増幅素子
の許容限度一杯まで出力を上げることが可能となるから
、無闇に余裕を大きくとった回路設計としなくてもよく
、回路構成がコンパクトにできると云う半導体化の効果
が充分に得られる。
ＥＴは高周波的に全く対称的であり、励振側から見ても
対称的であるので、励振入力と反射波の位相が各増幅素
子によって異っていると云った問題が起らず、各素子は
均等な負荷負担で作動することになり、複数の増幅素子
の許容限度一杯まで出力を上げることが可能となるから
、無闇に余裕を大きくとった回路設計としなくてもよく
、回路構成がコンパクトにできると云う半導体化の効果
が充分に得られる。
第１図は本発明の詳細な説明する回路図、第２図は本発
明の一実施例の要部回路図である。 １・・・高周波発振器、２・・・電力増幅段、３・・・
同調回路、Ｋ・・・同軸ケーブル、Ｌ・・・負荷。 代理人 弁理士 縣 浩 介
明の一実施例の要部回路図である。 １・・・高周波発振器、２・・・電力増幅段、３・・・
同調回路、Ｋ・・・同軸ケーブル、Ｌ・・・負荷。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 電力増幅段が複数個の半導体増幅素子で構成され、これ
らの増幅素子は二個ずつ対となって、入力側が互にトラ
ンス結合され、出力側も互にトランス結合され、上記入
力側トランスの一方の巻線の一端が入力端子、上記出力
側トランスの一方の巻線の一端が出力端子となり、この
ような増幅素子の対構成が更に二組対になシ、互の入力
端子がトランス結合され、互の出力端子がトランス結合
されると云う結合様式が所要段数繰返され、最終的な入
カドランスの巻線の他端を高周波発振器に、同じく化カ
ドランスの巻線の他端を高周波電力出力端子としたＩＣ
Ｐ分析装置用高周波電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060371A JPS60202332A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | Ｉｃｐ分析装置用高周波電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060371A JPS60202332A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | Ｉｃｐ分析装置用高周波電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202332A true JPS60202332A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0562291B2 JPH0562291B2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=13140204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060371A Granted JPS60202332A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | Ｉｃｐ分析装置用高周波電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956474A (en) * | 1985-04-01 | 1990-09-11 | Mochida Pharmaceutical Co., Ltd. | Intermediates of cephalosporin compounds |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59060371A patent/JPS60202332A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956474A (en) * | 1985-04-01 | 1990-09-11 | Mochida Pharmaceutical Co., Ltd. | Intermediates of cephalosporin compounds |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562291B2 (ja) | 1993-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6535037B2 (en) | Injection locked frequency multiplier | |
| JP4625138B2 (ja) | 差動電流信号を単一終結信号に変換する回路 | |
| US6259325B1 (en) | Single-ended signals to differential signals converter | |
| US4677692A (en) | Frequency conversion apparatus | |
| KR100192881B1 (ko) | 집중 파라메타 평형 불평형 변성기 | |
| JPS62110306A (ja) | マイクロ波受信機 | |
| EP3577756A1 (en) | A broadband frequency tripler | |
| US3327220A (en) | Balanced mixer circuit and inductive device usable therein | |
| US4176332A (en) | Frequency multiplier | |
| US6124742A (en) | Wide bandwidth frequency multiplier | |
| JPS60202332A (ja) | Ｉｃｐ分析装置用高周波電源装置 | |
| JP2004072517A (ja) | ミキサ | |
| US5060299A (en) | Radio frequency mixer circuit utilizing interface transformers and switching diodes | |
| US5442323A (en) | Broad-band power amplifier | |
| Bohn et al. | Ultra-Wideband Frequency Doubler with Differential Outputs in SiGe BiCMOS | |
| JP4071549B2 (ja) | 多段増幅器 | |
| US3264488A (en) | Balanced current pumped parametric converter | |
| US20240223168A1 (en) | Broadband Frequency Multiplier with Harmonic Suppression | |
| KR100345446B1 (ko) | 결합된 인덕터를 이용한 단일신호 및 차동신호 간의상호변환회로 | |
| JPH0221685B2 (ja) | ||
| WO1985004063A1 (en) | Balanced mixer having increased signal handling capability | |
| KR20230089181A (ko) | 차동 lc 네트워크 및 그를 포함하는 전자 회로 | |
| Huang et al. | A Double-Balanced I/Q Mixer with a Fully Differential Transformer-Based Quadrature Generation Network in CMOS Technology | |
| JPS62210708A (ja) | 二重平衡形の周波数変換器 | |
| SU1617624A1 (ru) | Смеситель |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |