KR100192228B1 - 주석 산화물 박막의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 주석 산화물 박막의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 주석 산화물 박막 및 이 박막을 이용하여 제조된 가스 감지용 센서에 관한 것이다. 즉, 메탈 이온 소스와 브로드 가스 이온 소스로 구성되는 하이브리드 이온 빔 소스를 이용하여 Sn metal 증착시 중성의 산소를 실리콘 또는 글라스 기판 주위에 흘려주어 비화학양론적인 주석 산화물 박막을 증착하도록 하고, 가스 이온 소스를 이용하여 이온화된 산소를 불어넣어 주는 리엑티브한 증착법을 이용하여 화학양론을 만족하고 우선축 결정성이 우수한 SnO2(200), SnO2(110) 박막을 제조하였다. 또한 SnO2(200)의 경우에는 표면의 거칠기가 10Å인 박막이었다. 이러한 순수한 SnO2박막의 제조는 SnO2박막에 전기적, 화학적 특성을 증대시키기 위하여 도핑 원소를 첨가하는데 기준이 되는 중요한 제조공정이라 할 수 있다.

Description

주석 산화물 박막의 제조방법
제1도는 본 발명에서 사용된 하이브리드 이온 빔 (금속 이온원 + 가스 이온원)장치의 개략적인 구성도이다.
제2도는 Sn 금속 증착시 이온화 전압 (IP)이 800V, Va가 0∼4kV로 변화할 때, 산소 가스를 시료 주위에 불어넣어 주면서 증착했을 때의 XRD 패턴들과, Va가 0kV 또는 2kV에서 이온화된 산소를 불어넣어 주면서 증착했을 때의 XRD 패턴들을 보인 그래프이다.
제3도는 순수한 SnO2분말과 Va가 2kV에서 이온화된 산소를 불어넣어 주면서 증착된 SnO2(200) 박막과, Va가 1kV에서 중성의 산소를 불어넣어 주면서 증착된 박막에 대한 Sn 결합에너지의 X-선 광전자 스펙트로스코피 스펙트럼이다.
제4도는 순수한 SnO2분말과 Va가 2kV에서 이온화된 산소를 불어넣어 주면서 증착된 SnO2(200) 박막에 대한 산소결합에너지의 X-선 광전자 스펙트로스코피 스펙트럼이다.
제5도는 SnO2(200) 박막에 대한 오제이(Auger) 전자 스펙트로스코피 스펙트럼이다.
제6도는 원자력 현미경으로 관찰된 SnO2(200) 박막의 표면의 형상이다.
본 발명은 주로 투명 전극과 환원성, 가연성 가스(H2, CH4, C3H8등등)의 감지용으로 쓰이는 옵티컬 밴드 갭(optical band gap)이 3.5eV정도를 가지는 것으로 알려진 n형 반도체(n-type semiconductor)의 프로토타입(prototype)인 주석 산화물(Tin Oxide)박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비화학양론/화학양론을 각각 만족시키는 주석 산화물 박막의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 가스 감지용 센서는 박막형태가 아닌 벌크(bulk) 또는 후막 형태로 사용되어 왔다. 이러한 센서의 제조는 분말 형태의 원료 물질을 가압, 성형한 후 고온열처리하는 소결법(sintering) 등의 방법으로 이루어졌다.
그러나, 벌크 또는 후막 형태로 제조하는 경우에는 박막의 형태에 비하여 가스의 감도(sensitivity)가 매우 떨어지고, 대량 생산이 어려우며, 제조단가가 비싼 단점이 있다.
이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명은 실리콘에 제작될 수 있는 수천 Å 정도의 두께의 박막형 센서를 제공함으로써 감도, 재현성, 대량생산성이 향상되고, 사이즈(size)로 인한 전력 분해능 손실(power dissipation loss)등의 문제가 해결되며, 제조단가를 낮추려는데 목적이 있다.
이러한 박막형 센서를 제조하는 방법으로서 응용되는 이온 클러스터 빔 증착법(Ionized Cluster Beam Deposition)은 금속 및 반도체 그리고 산화물의 전영역에 걸쳐 고품위, 고밀도의 결정성이 매우 우수한 박막의 구현이 특히 저온영역 과정에서도 가능하다고 알려져 있는 방법이다 [(S. K. Koh et al, Effect of Residual Gas on Cu Film Deposition by Partially Ionized Beam (Accepted in JVST-A J/AUGA95)].
본 발명에서는 주석 산화 박막을 제조하기 위하여 종래의 이온 클러스터 빔 소스(Ionized cluster beam source) 형태의 메탈 건(metal gun) (B)과 콜드 할로우 캐소드(cold hollow cathode) 형태의 가스 이온 건(gas ion gun) (C)이 부착된 하이브리드 이온 빔 소스(hybrid ion beam source)가 제공된다.
이때, 상기 이온 클러스터 빔 메탈 소스 (B)의 경우에는 이온화 전압(ionization potential)과 이온화 클러스터(ionized cluster)의 가속 전압(acceleration voltage)만을 변화시킴으로써 박막의 결정성과, 다른 여러가지 전기적, 광학적 성질을 폭넓게 조절할 수 있는 장점을 가지고 있다.
또한, 가스 이온 건 (C)의 경우에는 이온화된 이온들의 에너지와 전류 밀도를 조절하여 박막 형성에 필요한 최적의 에너지 관계를 조사할 수 있는 특징을 가지고 있다.
이를 보다 상세히 설명하면, 먼저 상기 가스 이온 건은 5cm 그리드(grid)가 부착된 콜드 할로우 캐소드의 형태로서, 가스 이온 건에서 45cm 정도 이격된 위치, ±6∼8°내의 각도에서 80% 정도의 이온 전류 밀도 균일성(ion current density uniformity)을 보이는 브로드(broad)한 이온 소스(ion source)이다. 이 때의 빔 프로파일(beam profile)은 방전 전류(discharge current), 가속 전압 등을 변화시켜 조절 가능한 것이며, 이온을 2kV까지 가속시킬 수 있다.
또한, 상기 이온 클러스터 빔 소스인 경우에는 가속 전극이 3cm의 직경을 갖는 원통형체로서, 클러스터가 발생하는 도가니의 노즐에서 45cm 떨어진 거리에서 4° 웨이퍼 크기의 시료를 50%의 이온 전류 밀도 균일성을 갖도록 설계되어 있다.
상기한 바와 같은 하이브리드 이온 빔 소스를 이용하여 본 발명에 의한 주석 산화물 박막을 제조하는 방법을 설명한다.
이러한 주석 산화물 박막의 제조방법을 본 발명에서는 두 가지로 제시할 수 있는데, 그 첫번째 방법은 일종의 반응성 ICB(Ionized cluster beam)법을 사용하는 것으로, 순수한 주석(Sn) 메탈(99.995+%)을 ICB 소스 (B)를 이용하여 증착하면서 반응성이 높고, 산화물 박막에 필요한 산소 가스를 이온화하지 않은 상태에서 링형(ring-type)의 멀티 노즐(multi-nozzle)을 이용하여 시료 주위에 불어 넣어주면서 박막을 제조하는 방법이다.
다른 한 방법은 일종의 이온 어시스트 데포지션(IAD: Ion Assist Deposition)법을 사용하는 것으로서, Sn 메탈을 증착하며, 가스 이온 건 (C)을 사용하여 산소를 이온화시킨 후, 이온화된 산소를 기판 주위에 공급하여 주석 산화물 박막을 제조하는 것이다.
제1도는 본 발명에 적용되는 하이브리드 이온 빔 장치의 구성을 개략적으로 보인 것으로, 일반적인 금속 이온원의 작동 원리와 특성은 공지되어 있는 바와 같다. [S. K. Koh et al, Characteristics of an Ionized Cluster Beam Source for Sn Metal in O2Atmosphere (submitted in J. Kor. Appl. Phys.)]
이에 상기 금속 이온원의 작동 방법을 제1도를 참조하며 부연하여 설명하면 다음과 같다.
1) 금속재료(Sn)를 도가니에 넣고 진공을 10-6torr 이하로 유지한다.
2) 이온원과의 거리를 약 45cm 정도로 하여 기판을 설치한다.
3) 5개의 전원 공급장치로 이루어져 있는 전원장치를 켠다.
4) 도가니 필라멘트(CF: Crucible Filament)를 작동시켜 CF로부터 열전자를 방출시키며, 방출되는 열전자를 CF와 도가니 사이에 고전압을 걸어 도가니의 온도를 상승시킴으로써 금속 증기 입자 또는 덩어리(Cluster)를 발생시킨다. 이 때, 도가니 안의 증기 입자의 증기압이 0.1∼1 torr 정도를 유지하도록 도가니의 온도는 1350∼1600℃로 한다.
5) 이와 같이 발생된 금속 입자들을 이온화 필라멘트(IF: Ionization Filament)와 이온화 전압(IP: Ionization Potential)을 이용하여 이온화시킨다.
6) 기판에 걸어 준 가속 전압(AP: Acceleration Potential)을 이용하여 금속 입자에 에너지를 실어 주어 기판에 증착이 이루어지도록 한다.
첨부한 도면 제2도는 상기한 바와 같은 두 가지 방법에 의해 제조된 박막의 X-선 회절 스펙트럼으로서, 반응성 ICB의 경우에는 가속 전압이 증가함에 따라 주로 SnO와 Sn 금속으로 이루어진 박막의 결정성을 보여 주고 있다. 이때, 가속 전압이 2kV에서는 SnO와 Sn 금속 피크 강도비가 박막임에도 불구하고 각각 벌크의 이상적인 값과 일치하고 있으며, 그 이상의 가속전압에서 SnO 상(phase)은 거의 관찰되지 않았다.
그러나 IAD의 경우에는 이온화된 산소를 불어 넣어주고, 가속 전압을 0kV, 2kV를 인가하여 주면 각각 SnO2(200)와 SnO2(110)의 우선축 방향성을 가지는 단일 상의 순수한 주석 산화물 박막을 얻을 수 있었다.
또한, IAD로 얻어진 박막의 조성과 화학적 전자에너지 상태를 확인하고자, X-선 광전자 스펙트로스코피를 이용하여 표준 SnO2분말과 비교하였는 바, 제3도에 도시한 바에서 알 수 있듯이, SnO2(200) 박막의 경우에는 표준 분말의 경우와 완벽하게 일치하는 두 개의 스핀-오비트 커플링 스플릿팅 텀 (spin-orbit coupling splitting term)인 Sn3d5/2, Sn3d3/2피크가 각각 486.7 eV와, 497.2 eV의 결합에너지(binding energy) 위치에서 측정되는 결과로부터 이 박막이 주석을 함유한 상태(stannous state) (Sn4+)임을 확인할 수 있었다.
한편, 반응성 ICB에 의해 박막이 제조된 경우와, 가속 전압 1kV에서 제조된 박막의 경우는 각각 484.5 eV와 485.8 eV의 결합에너지 위치에서 Sn 금속과 SnO(stannic state: Sn2+)의 전자에너지가 관측되고 있음을 알 수 있다.
제4도의 X-선 광전자 스펙트로스코피 스펙트럼은 산소의 결합에너지를 측정한 결과로서, 역시 SnO2분말의 경우와 같이 530.58 eV에서 일치하고 있음을 알 수 있다.
제5도는 SnO2(200) 박막의 오제이 전자 스펙트로스코피 스펙트럼(auger electron spectroscopy spectra)로서 본 발명에 의한 제조방법에 의해 제조된 박막의 경우 O/Sn의 피크-대-피크 비가 0.637로서, 다른 방법 [S. K. Koh et al, Deposition of Tin Oxide Tin Films by Hybrid Ion Beam (to be submitted in J. Mat. Res.)] 으로 제작된 경우와 거의 일치하고 있다.
제6도의 IAD에 의해 제조된 SnO2(200) 박막의 표면 거칠기를 원자력 현미경(atomic force microscope)을 이용하여 측정한 것으로서, 거칠기가 10Å 정도로서 거의 실리콘 기판(silicon substrate)에 상응하는 편평도를 보여주고 있으며, 이는 증착시 이온 도움의 효과를 반영하는 것이라 하겠다.

Claims (2)

  1. 고진공영역에서 주석(Sn)을 이온 클러스터 빔 증착법(ICBD)으로 증착하면서, 시료 주위에 산소(O2)를 불어넣어 줌으로써 제조함을 특징으로 하는 주석 산화물 박막의 제조방법.
  2. 고진공영역에서 주석(Sn)을 이온 어시스트 증착법(IAD)으로 증착하고, 가스 이온 건을 사용하여 산소를 이온화시킨 후, 이온화된 산소를 시표 표면에 공급함으로써 제조함을 특징으로 하는 주석 산화물 박막의 제조방법.
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