KR100190640B1 - 다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상발진기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 디지탈 타입의 온도 보상 발진기에 관한 것으로, 특히 하나의 칩으로 다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상 발진기에 관한 것이다. 본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기는 주변온도를 검출하는 온도센서와, 상기 온도센서의 출력신호인 전압을 어드레스데이타로 변환하는 아날로그-디지탈변환기와, 주변 온도에 따른 보상데이타를 저장하고 있으면서 상기 아날로그-디지탈변환기로부터 출력되는 디지탈데이터를 어드레스로 입력받아 해당 어드레스에 저장된 온도 보상데이타를 출력하는 기억장치와, 상기 기억장치로부터 출력되는 디지탈 데이타를 아날로그 신호로 변환하는 디지탈-아날로그 변환기와, 상기 디지탈-아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 신호인 제어전압에 따른 주파수를 발진시키는 전압제어 크리스탈 발진기와, 상기 크리스탈 발진기로부터 출력된 주파수를 128 분주시키는 분주기와, 온도에 비교적 안정하고 일정기간 10㎑를 게이트 회로에 공급하는 단안정 멀티바이브레이터와, 상기 단안정 멀티바이브레이터의 펄스가 하이인 동안에만 상기 분주기로부터 출력된 주파수를 출력시키는 게이트회로와, 상기 게이트회로의 출력 펄스의 수를 세고 상기 기억장치에 펄스의 수를 공급하는 주파수카운터를 구비하여, 디지탈 온도 보상 발진기에 다양한 크리스탈 부착이 가능할 수 있다.

Description

다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상 발진기

본 발명은 디지탈 타입의 온도 보상 발진기에 관한 것으로, 특히 여러 주파수를 보상할 수 있도록 데이터를 여러롬(ROM:Read Only Memory)에 저장한후 크리스탈의 주파수를 내부적으로 계산하여 가장 알맞는 롬을 선택하여 사용하게 되면 각 크리스탈에 따라 달리 보상회로 칩(CHIP)을 만들 필요없이 하나의 칩으로 다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상 발진기에 관한 것이다.

제1도는 종래의 디지탈 온도 보상 발진기의 일실시예를 도시한 블록도로써, 종래의 디지탈 온도 보상 발진기는 주변온도에 따라서 그 출력전압이 변하는 온도센서(11)와, 상기 온도센서(11)로부터의 출력전압을 디지탈 데이타로 변환하는 아날로그-디지탈변환기(12)와, 상기 아날로그-디지탈변환기(12)로부터 출력되는 8비트의 디지탈 신호를 어드레스신호로 받아들여 해당 어드레스에 저장된 데이타를 출력하는 기억장치(ROM)(13)와, 상기 기억장치(13)로부터 출력되는 디지탈데이타를 아날로그신호로 변환하는 디지탈-아날로그변환기(14)와, 상기 디지탈-아날로그변환기(14)로부터 출력되는 아날로그신호(즉, 전압)에 따라서 그 캐패시턴스가 변하는 버렉터다이오드(15)와, 상기 버렉터다이오드(15)의 캐패시턴스와 내부 크리스탈의 인덕턴스에 따른 주파수를 발생시키는 크리스탈발진기(16)과, 상기 크리스탈발진기(16)로부터 출력되는 발진신호를 소정레벨로 증폭하여 출력하는 증폭기(17)를 구비한다.

상기한 구성에 따른 동작은 다음과 같이 이루어진다.

상기 기억장치(13)는 롬(ROM:Read Only Memory)으로써, 주변온도에 따라 크리스탈 발진기(16)의 온도특성을 보상할 수 있는 데이타를 저장하고 있어서, 아날로그-디지탈변환기(12)는 상기 온도센서(11)로부터 출력되는 주변온도에 따른 출력전압을 상기 기억장치(13)내의 해당 주변온도에 부합되는 설정데이타가 저장되어 있는 어드레스로 변환하도록 이루어져 있다. 그러므로, 상기 아날로그-디지탈변환기(12)로 부터 출력되는 어드레스데이타에 의하여 상기 기억장치(13)로부터 출력된 데이타는 디지탈-아날로그변환기(14)에 의하여 아날로그신호(전압)으로 변환된다. 그리고, 이 디지탈-아날로그변환기(14)로부터 출력되는 전압은 버렉터다이오드(15)에 인가되어 버렉터다이오드(15)의 캐패시턴스를 상기 크리스탈발진기(16)의 온도특성을 보상하는 값으로 가변시키게 된다.

이와같은 종래의 디지탈 온도 보상 발진기의 롬(ROM)는 하나의 크리스탈에 대해서만 주파수 보상을 할 수 있어 다른 크리스탈에 대해서는 다른 보상 데이터를 갖는 롬이 필요하므로 새로운 칩을 만들어야 하는 번거로움이 있었다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하고자 개선점을 달성하기 위해 안출한 것이다.

따라서, 본 발명의 목적은 별도의 칩(CHIP)이 필요없이 하나의 칩으로 다양한 주파수의 크리스탈을 부착할 수 있도록 하기 위하여 데이터를 여러 롬(ROM:Read Only Memory)에 저장한후 크리스탈의 주파수를 내부적으로 계산하여 가장 알맞는 롬을 선택하여 사용하게 하는 다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상 발진기를 제공하는데 있다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기는 주변온도를 검출하는 온도센서와, 상기 온도센서의 출력신호인 전압을 어드레스데이타로 변환하는 아날로그-디지탈변환기와, 주변온도에 따른 보상데이타를 저장하고 있으면서 상기 아날로그-디지탈변환기로부터 출력되는 디지탈데이터를 어드레스로 입력받아 해당 어드레스에 저장된 온도 보상데이타를 출력하는 기억장치와, 상기 기억장치로부터 출력되는 디지탈 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 디지탈-아날로그 변환기와, 상기 디지탈-아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 신호인 제어전압에 따른 주파수를 발진시키는 전압제어 크리스탈 발진기와, 상기 크리스탈 발진기로부터 출력된 주파수를 128 분주시키는 분주기와, 온도에 비교적 안정하고 일정기간 10㎑를 게이트 회로에 공급하는 단안정 멀티바이브레이터와, 상기 단안정 멀티바이브레이터의 펄스가 하이인 동안에만 상기 분주기로부터 출력된 주파수를 출력시키는 게이트회로와, 상기 게이트회로의 출력 펄스의 수를 세고 상기 기억장치에 펄스의 수를 공급하는 주파수카운터를 구비하여, 디지탈 온도 보상 발진기에 다양한 크리스탈 부착이 가능할 수 있다.

제1도는 종래의 디지탈 온도 보상 발진기를 도시한 블록도이다.

제2도는 본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기를 도시한 블록도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

21 : 온도센서 22 : 아날로그-디지탈변환기

23 : 기억장치 24 : 디지탈-아날로그변환기

25 : 전압제어 크리스탈 발진기 26 : 분주기

27 : 단안정 멀티바이브레이터 28 : 게이트회로

29 : 주파수 카운터

이하, 본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기를 수행하기 위한 장치의 구성을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

제2도는 본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기를 도시한 블록도이다.

본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기는 주변온도를 검출하는 온도센서(21)와, 상기 온도센서(21)의 출력신호인 전압을 어드레스데이타로 변환하는 아날로그-디지탈변환기(22)와, 주변온도에 따른 보상데이타를 저장하고 있으면서 상기 아날로그-디지탈변환기(22)로부터 출력되는 디지탈데이터를 어드레스로 입력받아 해당 어드레스에 저장된 온도 보상데이타를 출력하는 기억장치(23)와, 상기 기억장치(23)로 부터 출력되는 디지탈 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 디지탈-아날로그 변환기(24)와, 상기 디지탈-아날로그 변환기(24)로부터 출력되는 아날로그 신호인 제어전압에 따른 주파수를 발진시키는 전압제어 크리스탈 발진기(25)와, 상기 크리스탈 발진기(25)로부터 출력된 주파수를 128 분주시키는 분주기(26)와, 온도에 비교적 안정하고 일정기간 10㎑를 게이트 회로에 공급하는 단안정 멀티바이브레이터(27)와, 상기 단안정 멀티바이브레이터(27)의 펄스가 하이인 동안에만 상기 분주기(26)로부터 출력된 주파수를 출력시키는 게이트회로(28)와, 상기 게이트회로(28)의 출력 펄스의 수를 세고 상기 기억장치(23)에 펄스의 수를 공급하는 주파수카운터(29)로 구성된다.

이와같이 구성된 본 발명의 회로에 따른 동작을 첨부도면 제2도에 의거하여 하기에 상세히 설명한다. 제2도는 본 발명에 의한 디지탈 온도 보상 발진기를 도시한 블록도이다. 온도센서(21)는 주변온도를 검출하여 출력신호인 전압을 아날로그-디지탈변환기(22)에 인가하여 상기 아날로그-디지탈 변환기(22)는 전압을 디지탈 데이터로 변환하여 기억 장치(23)에 어드레스로써 인가한다. 기억장치(23)는 주변온도에 따른 보상데이타를 저장하고 있으면서 상기 아날로그-디지탈변환기(22)로부터 출력되는 디지탈데이타를 어드레스로 입력받아 해당 어드레스에 저장된 온도 보상데이타를 아날로그-디지탈변환기(24)에 출력한다. 상기 디지탈-아날로그변환기(24)는 상기 기억장치(23)로부터 출력되는 디지탈 데이터를 아날로그 신호로 변환하고 전압제어 크리스탈 발진기(25)는 상기 디지탈-아날로그변환기(24)로부터 출력되는 아날로그 신호인 제어전압에 따른 주파수를 발진시켜 온도에 영향받지 않는 일정한 주파수를 발진시킬수 있다. 상기 크리스탈 발진기(25)로부터 출력된 주파수는 크리스탈에 따라 10㎑~20㎑ 사이에 있다. 이를 분주기(26)에서 128 분주시키면 78.1㎑~156.3㎑가 되어 게이트 회로에 공급하고, 단안정 멀티바이브레이터(27)는 온도에 비교적 안정하고 일정기간 10㎑를 게이트 회로에 공급한다. 게이트회로(28)는 상기 단안정 멀티바이브레이터(27)의 펄스가 하이인 동안에만 상기 분주기(26)로 부터 출력된 주파수(78.1㎑~156.3㎑)를 출력시켜 주파수카운터(29)에서 상기 게이트회로(28)의 출력 펄스의 수(7개~15개)를 세고 상기 기억장치(23)에 펄스의 수를 출력한다. 상기 기억장치(23)는 다양한 크리스탈의 주파수를 보상할 수 있도록 여러 온도 보상데이터를 저장한 후 상기 주파수 카운터(29)의 펄스 수를 이용해서 크리스탈의 주파수를 계산하여 가장 알맞는 온도 보상 데이타를 선택하여 다양한 크리스탈에 대해서도 사용할 수 있는 디지탈 온도 보상 발진기가 가능하다.

본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용하였다.

상술한 바와같은 본 발명에 따르면, 하나의 칩으로 다양한 주파수의 크리스탈을 부착할 수 있게 하여 다른 주파수의 출력을 내기 위한 디지탈 온도 보상 발진기(DTCXO)를 제작하기 위해 별도의 칩이 필요없는 효과가 있다.

이상의 설명은 단지 본 발명의 일실시예에 대한 설명에 불과하며, 본 발명은 구 구성과 기술적 사상의 범위내에서 다양한 변경 및 개조가 가능하다.

Claims (2)

1. 디지탈 온도 보상 발진기에 있어서,

   주변온도를 검출하는 온도센서(21)와,

   상기 온도센서(21)의 출력신호인 전압을 어드레스데이타로 변환하는 아날로그-디지탈변환기(22)와,

   주변온도에 따른 보상데이타를 저장하고 있으면서 상기 아날로그-디지탈변환기(22)로부터 출력되는 디지탈데이타를 어드레스로 입력받아 해당 어드레스에 저장된 온도 보상데이타를 출력하는 기억장치(23)와,

   상기 기억장치(23)로부터 출력되는 디지탈 데이타를 아날로그 신호로 변환하는 디지탈-아날로그 변환기(24)와,

   상기 디지탈-아날로그변환기(24)로부터 출력되는 아날로그 신호인 제어전압에 따른 주파수를 발진시키는 전압제어 크리스탈 발진기(25)와,

   상기 크리스탈 발진기(25)로부터 출력된 주파수를 128 분주시키는 분주기(26)와,

   온도에 비교적 안정하고 일정기간 10㎑를 게이트 회로에 공급하는 단안정 멀티바이브레이터(27)와,

   상기 단안정 멀티바이브레이터(27)의 펄스가 하이인 동안에만 상기 분주기(26)로 부터 출력된 주파수를 출력시키는 게이트회로(28)와,

   상기 게이트회로(28)의 출력 펄스의 수를 세고 상기 기억장치(23)에 펄스의 수를 공급하는 주파수카운터(29)를 구비하는 것을 특징으로 하는 다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상 발진기.
2. 제1항에 있어서, 상기 기억장치(23)는 다양한 크리스탈의 주파수를 보상할 수 있도록 여러 온도 보상데이터를 저장한 후 상기 주파수 카운터(29)의 펄스 수를 이용해서 크리스탈의 주파수를 계산하여 가장 알맞는 온도 보상 데이터를 선택하여 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 다양한 크리스탈 부착이 가능한 디지탈 온도 보상 발진기.