KR0154193B1 - 센스 앰프회로 - Google Patents

센스 앰프회로

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KR0154193B1
KR0154193B1 KR1019940039469A KR19940039469A KR0154193B1 KR 0154193 B1 KR0154193 B1 KR 0154193B1 KR 1019940039469 A KR1019940039469 A KR 1019940039469A KR 19940039469 A KR19940039469 A KR 19940039469A KR 0154193 B1 KR0154193 B1 KR 0154193B1
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Abstract

본 발명은 센스앰프 회로에 관한 것으로서, 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군의 비트라인에 별도의 센스앰프 신호를 입력으로 하는 트랜지스터를 병렬로 연결하여 독출시 프로그램된 메모리셀의 전류가 기준 전류값보다 낮을 경우 각 비트라인에 접속된 트랜지스터를 턴온시켜 센싱전류를 높여 주도록 하므로써 메모리셀의 변동되는 문턱전의 영향받지않게 되어 안정된 센싱속도를 증가시키도록 한 센스앰프 회로에 관한 것이다.

Description

센스앰프 회로
제1도는 본 발명에 따른 센스앰프 회로도.
제2도는 제1도에 도시된 제1센스앰프의 상세 회로도.
제3a 내지 제3c도는 본 발명에 따른 센스앰프 회로에서 각 노드의 파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제1센스앰프 2 :제2센스앰프
3 : 메인 메모리셀 군 4 : 레퍼런스 메모리셀 군
본 발명은 센스앰프 회로에 관한 것으로, 특히 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군 각각의 비트라인에 별도의 센스앰프 선택신호를 입력으로 하는 트랜지스터를 병렬로 연결하여 독출시 레퍼런스 메모리셀 전류가 디자인 목표치로 되는 전류값 보다 낮을 경우 각 비트라인에 접속된 트랜지스터를 턴온시켜 센싱전류를 높여 주도록하는 센스앰프 회로에 관한 것이다.
일반적으로 이피롬(EPROM) 메모리셀의 데이터를 독출(Read)함에 있어서, 센싱속도는 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압에 의해 좌우된다. 이러한 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압(VT)의 변동에 영향을 받지 않고 안정된 센싱속도를 필요로 하는 이피롬(EPROM)등에 적용된다.
종래의 센스앰프 회로에서는 본래 메모리셀의 문턱전압(VT)이 공정(process)의 변동으로 인해 변동될 경우가 발생되어 본래의 센싱속도가 변동되므로서 센스앰프 회로를 다시 설계하거나 여러가지 옵션을 사용하여야 하는 단점이 있다.
따라서 본 발명은 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군 각각의 비트라인에 별도의 센스앰프 선택신호를 입력으로 하는 트랜지스터를 병렬로 연결하여 독출시 레퍼런스 메모리셀의 전류가 디자인 목표치로한 전류값보다 낮을 경우 각 비트라인에 접속된 트랜지스터를 턴온시켜 센싱전류를 높여 주도록 하므로써, 상기 한 단점을 해소할 수 있는 센스앰프 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군으로 부터 메인 메모리셀 비트라인 및 레퍼런스 메모리셀 비트라인을 통해 상기 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군에 저장된 데이타를 센싱하기 위한 센스앰프 회로에 있어서, 상기 메인 메모리셀 비트라인 및 접지단자 간에 접속되며 제1센스앰프 출력신호를 입력으로 하는 제1트랜지스터와, 상기 레퍼런스 메모리셀 비트라인 및 접지단자 간에 접속되며 상기 제1센스앰프 출력신호를 입력으로 하는 제2트랜지스터를 포함하여 구성되되, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 독출시 프로그램된 메모리셀의 전류가 기준 전류값 보다 낮을 경우에 고전위상태의 전압을 출력하는 상기 제1센스앰프 출력신호에 따라 턴온되어 상기 메인 메모리셀 비트라인 및 레퍼런스 메모리셀 비트라인 센싱 전류를 높여줄 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
제1도는 본 발명에 따른 센스앰프 회로도, 제2도는 제1도에 도시된 제1센스앰프의 상세 회로도, 제3A 내지 3C도는 본 발명에 따른 센스앰프 회로에서 각 노드의 파형도로서, 제2도 및 제3A 내지 3C도를 통해 본 발명의 동작을 설명하면 다음과 같다.
제2도에서 트랜지스터 Q6은 레퍼런스 메모리 셀이다. 트랜지스터 Q5는 레퍼런스 메모리셀의 디자인 타겟(Design Target)에 해당하는 문턱전압을 갖도록 설계되어 있다. 그리고, 제1도에서 도면부호 1은 제1센스앰프, 2는 센스앰프, 3은 메인 메모리셀 군, 4는 레퍼런스 메모리셀 군을 각각 나타낸다.
먼저 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압이 디자인 타겟과 같거나 낮을 경우, 메모리셀 전류가 목표값과 같거나 더많이 흐르므로 예상한 대로의 센싱속도를 얻거나 더 빠른 센싱속도를 얻을 수 있다. 즉, 제1도에서 제1트랜지스터(Q12) 및 제2트랜지스터(Q13)를 턴온(Turn On)시켜 전류를 더 많이 흘릴 필요가 없다.
회로의 동작을 살펴보면, 칩 인에이블(CE) 및 바이어스 전압(VBias)에 의해 트랜지스터(Q3 내지 Q6)가 턴온되면 트랜지스터(Q5) 보다 트랜지스터(Q6)의 문턱전압이 낮으므로 트랜지스터(Q6)의 전류구동력이 크게된다. 즉, 노드(K2)의 전위가 노드(K1)의 전위보다 더 낮게 된다.
그러므로, 노드(K1, K2)의 전위는 트랜지스터(Q9, Q10)을 각각 구동하게 되어 노드(K4)의 전위가 노드(K3)의 전위보다 더높게 된다(제3A도).
노드(K4)는 충분히 고전위 상태를 유지하므로 반전게이트(I1)을 거쳐 출력단자(SEOUT)로 출력되는 전압은 저전위 상태가 되어 제1도에서 제1트랜지스터(Q12) 및 제2트랜지스터(Q13)를 턴오프시켜서 원래대로 센스앰프를 동작시키게 된다.
그러나, 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압이 디자인 타겟보다 높게 나올경우, 메모리셀의 전류가 목표값보다 적게 흐르므로 예상한대로의 센싱속도를 얻기 위해서는 제1도에서 제1트랜지스터(Q12) 및 제2트랜지스터(Q13)를 턴온시켜서 전류를 더많이 흘려야 한다. 즉, 제2도에서 칩 인에이블(CE) 및 바이어스 전압(VBias)에 의해 트랜지스터(Q3 내지 Q6)가 턴온되면 트랜지스터(Q5)보다 트랜지스터(Q6)의 문턱전압이 높아서 트랜지스터(Q6)의 전류구동력이 작게된다.
즉, 노드(K2)의 전위가 노드(K1)의 전위보다 더 높게 된다. 그러므로, 노드(K1 및 K2)의 전위는 트랜지스터(Q9 및 Q10)을 구동하게 되어 노드(K4)의 전위가 노드(K3)의 전위보다 낮게 된다. 노드(K4)의 전위는 충분히 저전위 상태를 유지하므로 반전 게이트(I1)를 거쳐 출력단자(SEOUT)로 출력되는 전압은 고전위 상태로 된다(제3B도).
상기 출력단자(SEOUT)로 출력된 고전위 상태의 전압은 제1도에서 제1트랜지스터(Q12) 및 제2트랜지스터(Q13)를 턴온시켜서 추가로 전류를 흘려주므로서 메인 메모리셀 비트라인 및 레퍼런스 메모리셀 비트라인의 노드(K5 및 K6) 전압을 내려주어 센싱속도를 개선시켜준다(제3C도).
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군의 비트라인에 별도의 센스 앰프신호를 입력으로 하는 각각의 트랜지스터를 병렬로 연결하여 독출시 프로그램된 메모리셀의 전류가 기준 전류값보다 낮을 경우 각 비트라인에 접속된 트랜지스터를 턴온시켜 센싱전류를 높여주도록 하므로써 메모리셀의 변동되는 문턱전압의 영향을 받지 않게되어 안정된 센싱속도를 얻는데 탁월한 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 메인 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군으로 부터 메인 메모리셀 비트라인 및 레퍼런스 메모리셀 비트라인을 통해 상기 메모리셀 군 및 레퍼런스 메모리셀 군에 저장된 데이타를 센싱하기 위한 센스앰프 회로에 있어서, 상기 메인 메모리셀 비트라인 및 접지단자 간에 접속되며 제1센스앰프 출력신호를 입력으로 하는 제1트랜지스터와, 상기 레퍼런스 메모리셀 비트라인 및 접지단자 간에 접속되며 상기 제1센스앰프 출력신호를 입력으로 하는 제2트랜지스터를 포함하여 구성되되, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 독출시 프로그램된 메모리셀의 전류가 기준 전류값 보다 낮을 경우에 고전위 상태의 전압을 출력하는 상기 제1센스앰프 출력신호에 따라 턴온되어 상기 메인 메모리셀 비트라인 및 레퍼런스 메모리셀 비트라인의 센싱 전류를 높여줄 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스앰프 회로.
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