JPWO2024116933A5 - - Google Patents

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JP2008294384A (ja) * 2007-04-27 2008-12-04 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2013161941A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP6475918B2 (ja) * 2014-02-05 2019-02-27 ローム株式会社 パワーモジュール
JP6338937B2 (ja) * 2014-06-13 2018-06-06 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
JP6810279B2 (ja) * 2017-10-26 2021-01-06 新電元工業株式会社 電子部品
JP7088132B2 (ja) * 2019-07-10 2022-06-21 株式会社デンソー 半導体装置及び電子装置

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