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Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3659621B2 (ja) * 1999-02-08 2005-06-15 株式会社東芝 窒化物系半導体レーザ装置の製造方法
JP3588285B2 (ja) * 1999-09-29 2004-11-10 三洋電機株式会社 半導体素子の製造方法
JP3747807B2 (ja) * 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
JP2003051636A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Sony Corp 半導体素子及びその製造方法
JP2004336040A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh 複数の半導体チップの製造方法および電子半導体基体
JP2008252069A (ja) * 2007-03-06 2008-10-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
JP2010177390A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 素子の移載方法および表示装置の製造方法
JP4638958B1 (ja) * 2009-08-20 2011-02-23 株式会社パウデック 半導体素子の製造方法
US9362715B2 (en) * 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9520697B2 (en) * 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
WO2019055936A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 The Regents Of The University Of California METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE USING A CLEAVAGE TECHNIQUE
JP2019134101A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法
EP3794632A4 (en) * 2018-05-17 2022-06-01 The Regents of the University of California PROCEDURE FOR SHARING A BAR FROM ONE OR MORE DEVICES
CN112204754B (zh) * 2018-05-30 2024-08-13 加利福尼亚大学董事会 从半导体衬底移除半导体层的方法
US12146237B2 (en) * 2018-10-31 2024-11-19 The Regents Of The University Of California Method of obtaining a smooth surface with epitaxial lateral overgrowth
CN113767452B (zh) * 2019-03-12 2025-02-21 加利福尼亚大学董事会 使用支撑板移除一条的一个或多个装置的方法
US10903623B2 (en) * 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
US11228158B2 (en) * 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
JP7314269B2 (ja) * 2019-06-26 2023-07-25 京セラ株式会社 積層体および積層体の製造方法
US20220406641A1 (en) * 2019-06-28 2022-12-22 Kyocera Corporation Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body
JPWO2021221055A1 (https=) * 2020-04-28 2021-11-04
KR20230028782A (ko) * 2020-06-19 2023-03-02 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 반도체 디바이스를 실현하기 위한 이송 프로세스
JP6986645B1 (ja) * 2020-12-29 2021-12-22 京セラ株式会社 半導体基板、半導体デバイス、電子機器
US20240283219A1 (en) * 2021-06-17 2024-08-22 Kyocera Corporation Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device
JP7638382B2 (ja) * 2021-07-30 2025-03-03 京セラ株式会社 半導体デバイスの製造方法、テンプレート基板、半導体デバイス、電子機器、および半導体デバイスの製造装置
KR20240037325A (ko) * 2021-08-27 2024-03-21 교세라 가부시키가이샤 반도체 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치
US20250112439A1 (en) * 2022-01-27 2025-04-03 Kyocera Corporation Manufacturing method and manufacturing apparatus for laser element, laser element, and electronic device

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