JPWO2023149037A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 成膜原料のミストとキャリアガスとを含む成膜ミストを流入させる開口であるミスト流入口、
   成膜対象物が載置されるステージ、及び、
   前記成膜ミストを流出させる開口であるミスト流出口、を備える成膜室と、
   前記ステージを加熱するヒーターと、を備え、
   前記成膜室は、前記成膜ミストの流通方向に沿って設けられて、前記ミスト流出口を構成し、前記成膜ミストの流路を狭くする部材であるミスト流絞り部材をさらに備え、
   前記ステージ上を、前記成膜ミストの流通方向に対して直交する断面で切断した切断面における、前記成膜室内の空間の断面積である成膜室内断面積と、
   前記ミスト流出口を前記成膜ミストの流通方向に対して直交する断面で切断した切断面における、前記ミスト流出口の空間の断面積である流出口断面積と、を比較した際に、
   前記流出口断面積が前記成膜室内断面積よりも小さい、ミストＣＶＤ成膜装置。
2. 前記ステージ上における前記成膜室内の空間の高さが１０ｍｍ以下である請求項１に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
3. 前記成膜室内で前記ステージよりも前記ミスト流入口に近い側に位置する部材の熱伝導率が、前記ステージの材料の熱伝導率よりも低い請求項１又は２に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
4. 前記成膜室の天面に位置する部材の熱伝導率が、前記ステージの材料の熱伝導率よりも低い請求項１又は２に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
5. 前記成膜室内で前記ステージよりも前記ミスト流入口に近い側に、前記ミスト流入口側が低く、前記ステージ側が高くなるスロープが設けられている請求項１又は２に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
6. 前記スロープは前記ステージに近い側に平坦面を有している請求項５に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
7. 前記ミスト流出口の空間の高さが、前記ステージ上における前記成膜室内の空間の高さよりも小さい請求項１又は２に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
8. 前記ミスト流出口の空間の幅が、前記ステージ上における前記成膜室内の空間の幅よりも小さい請求項１又は２に記載のミストＣＶＤ成膜装置。
9. 成膜原料のミストとキャリアガスとを含む成膜ミストを流入させる開口であるミスト流入口、
   成膜対象物が載置されるステージ、及び、
   前記成膜ミストを流出させる開口であるミスト流出口、
   を備える成膜室と、
   前記ステージを加熱するヒーターと、を備え、
   前記成膜室は、前記成膜ミストの流通方向に沿って設けられて、前記ミスト流出口を構成し、前記成膜ミストの流路を狭くする部材であるミスト流絞り部材をさらに備え、
   前記成膜室内で前記ステージよりも前記ミスト流入口に近い側に位置する部材の熱伝導率が、前記ステージの材料の熱伝導率よりも低い、ミストＣＶＤ成膜装置。
10. 成膜原料のミストとキャリアガスとを含む成膜ミストを流入させる開口であるミスト流入口、
    成膜対象物が載置されるステージ、及び、
    前記成膜ミストを流出させる開口であるミスト流出口、を備える成膜室と、
    前記ステージを加熱するヒーターと、を備え、
    前記成膜室は、前記成膜ミストの流通方向に沿って設けられて、前記ミスト流出口を構成し、前記成膜ミストの流路を狭くする部材であるミスト流絞り部材をさらに備え、
    前記成膜室の天面に位置する部材の熱伝導率が、前記ステージの材料の熱伝導率よりも低い、ミストＣＶＤ成膜装置。
11. 請求項１、９又は１０に記載のミストＣＶＤ成膜装置の成膜室に、成膜原料のミストとキャリアガスとを含む成膜ミストを流入させ、ステージに載置された成膜対象物に対してミストＣＶＤ法による成膜を行う、成膜方法。