JPWO2021172032A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 5
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Description
上記目的を達成するために、本発明に係る弾性波デバイスは、圧電基板と、前記圧電基板に接するよう設けられた電極と、前記圧電基板および／または前記電極に接するよう設けられた音響多層膜とを有し、前記音響多層膜は、弾性表面波の共振特性のうち、オーバートーンを励振し、前記オーバートーンを利用することを特徴とする。
Claims (17)
- 圧電基板と、
前記圧電基板に接するよう設けられた電極と、
前記圧電基板および／または前記電極に接するよう設けられた音響多層膜とを有し、
前記音響多層膜は、弾性表面波の共振特性のうち、オーバートーンを励振し、
前記オーバートーンを利用することを
特徴とする弾性波デバイス。 - 前記オーバートーンの弾性表面波は、音速９０００ｍ／ｓ以上に相当することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
- 前記音響多層膜は、低音響インピーダンス膜と高音響インピーダンス膜とが交互に積層されていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
- 前記音響多層膜は、低音響インピーダンス膜と高音響インピーダンス膜とが交互に連続して３層以上２０層以下で積層された音響膜を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
- 前記音響多層膜の各低音響インピーダンス膜および／または各高音響インピーダンス膜は、Ｍｇ合金、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、Ａｌ、Ｙ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、ＺｎＯ、ＳｉｘＮｙ（ここで、ｘおよびｙは正の実数）、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｇ、ＺｒＯ２、Ｈｆ、Ｃｕ、ＴｉＯ２、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｔ、およびＷのうちの少なくとも１つを含む膜、または、これらのうちの少なくとも１つを含む酸化膜、窒化膜、炭化膜もしくはヨウ化膜から成ることを特徴とする請求項３または４記載の弾性波デバイス。
- 前記音響多層膜の各低音響インピーダンス膜および各高音響インピーダンス膜のうち、少なくとも３層の各厚みが、それぞれ前記弾性表面波の０．０１２波長～０．１１８波長、０．１０５波長～０．２波長、または、０．２１６波長～０．２７５波長であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
- 前記音響多層膜の各低音響インピーダンス膜のうち少なくとも１層の厚みが、前記弾性表面波の０．０１２波長～０．１１８波長であり、各高音響インピーダンス膜のうち少なくとも１層の厚みが、前記弾性表面波の０．０１５波長～０．１０８波長、０．１０９波長～０．１２波長、または、０．２１６波長～０．２７５波長であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
- 前記音響多層膜の各高音響インピーダンス膜のうち少なくとも１層の厚みが、前記弾性表面波の０．０１５波長～０．１０８波長であり、各低音響インピーダンス膜のうち少なくとも２層の各厚みが、それぞれ前記弾性表面波の０．０１５波長～０．１１８波長、０．１１９波長～０．２波長、または、０．２１６波長～０．２７５波長であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３の単結晶から成ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
- 前記電極は、前記圧電基板の一方の表面に設けられたすだれ状電極から成り、
前記音響多層膜は、前記圧電基板の他方の表面に接するよう設けられ、
前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３結晶から成り、オイラー角が（－３０°～３０°，６０°～１０３°，－１５°～１５°）および（９０°±６°，９０°±６°，－２０°～４８°）のいずれか一方、または、これらのいずれか一方と結晶学的に等価なオイラー角であることを
特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。 - 前記電極は、前記圧電基板の一方の表面に設けられたすだれ状電極と、前記圧電基板の他方の表面を覆うよう設けられた浮き電極とを有し、
前記音響多層膜は、前記浮き電極の前記圧電基板とは反対側の表面に接するよう設けられ、
前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３結晶から成り、オイラー角が（－３０°～３０°，６４°～９８°，－１５°～１５°）および（９０°±６°，９０°±６°，－４°～５６°）のいずれか一方、または、これらのいずれか一方と結晶学的に等価なオイラー角であることを
特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。 - 前記圧電基板は、厚みが前記弾性表面波の０．００２～５波長であることを特徴とする請求項１０または１１記載の弾性波デバイス。
- 前記電極は、前記圧電基板の一方の表面に設けられたすだれ状電極から成り、
前記音響多層膜は、前記圧電基板の他方の表面に接するよう設けられ、
前記圧電基板は、ＬｉＴａＯ３結晶から成り、オイラー角が（－３０°～３０°，５５°～１００°，－１５°～１５°）、（９０°±６°，９０°±６°，－５°～６１°）および（９０°±６°，９０°±６°，８３°～９３°）のいずれか一つ、または、これらのいずれか一つと結晶学的に等価なオイラー角であることを
特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。 - 前記電極は、前記圧電基板の一方の表面に設けられたすだれ状電極と、前記圧電基板の他方の表面を覆うよう設けられた浮き電極とを有し、
前記音響多層膜は、前記浮き電極の前記圧電基板とは反対側の表面に接するよう設けられ、
前記圧電基板は、ＬｉＴａＯ３結晶から成り、オイラー角が（－３０°～３０°，６５°～９４°，－１５°～１５°）および（９０°±６°，９０°±６°，－４°～５６°）のいずれか一方、または、これらのいずれか一方と結晶学的に等価なオイラー角であることを
特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。 - 前記圧電基板は、厚みが前記弾性表面波の０．００２～２．４波長であることを特徴とする請求項１３または１４記載の弾性波デバイス。
- 前記すだれ状電極は、メタライジェイション比をＭＲとし、前記弾性表面波の波長をλとすると、密度が１８００ｋｇ／ｍ３以上６０００ｋｇ／ｍ３未満で、厚みが（０．０１λ～０．０４５λ）×０．５／ＭＲもしくは（０．１λ～０．２１λ）×０．５／ＭＲ、または、密度が６０００ｋｇ／ｍ３以上１００００ｋｇ／ｍ３未満で、厚みが（０．０１λ～０．０３３λ）×０．５／ＭＲもしくは（０．０６λ～０．２λ）×０．５／ＭＲ、または、密度が１００００ｋｇ／ｍ３以上１５０００ｋｇ／ｍ３未満で、厚みが（０．００８λ～０．０３λ）×０．５／ＭＲもしくは（０．０５５λ～０．１９λ）×０．５／ＭＲ、または、密度が１５０００ｋｇ／ｍ３以上２５０００ｋｇ／ｍ３未満で、厚みが（０．００５λ～０．０２λ）×０．５／ＭＲもしくは（０．０６２λ～０．１６５λ）×０．５／ＭＲであることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
- 前記すだれ状電極は、メタライジェイション比が０．３５以上であることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020034101 | 2020-02-28 | ||
| PCT/JP2021/005129 WO2021172032A1 (ja) | 2020-02-28 | 2021-02-12 | 弾性波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021172032A1 JPWO2021172032A1 (ja) | 2021-09-02 |
| JPWO2021172032A5 true JPWO2021172032A5 (ja) | 2023-11-20 |
Family
ID=77491467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022503254A Pending JPWO2021172032A1 (ja) | 2020-02-28 | 2021-02-12 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230361752A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2021172032A1 (ja) |
| CN (1) | CN115176416A (ja) |
| WO (1) | WO2021172032A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11220352A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Seiko Epson Corp | ３次オーバートーンｓａｗ共振子 |
| FR2947398B1 (fr) * | 2009-06-30 | 2013-07-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif resonant a ondes acoustiques guidees et procede de realisation du dispositif |
| FI123640B (fi) * | 2010-04-23 | 2013-08-30 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Laajakaistainen akustisesti kytketty ohutkalvo-BAW-suodin |
| JP5648695B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-01-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US9596546B2 (en) * | 2012-12-12 | 2017-03-14 | Epcos Ag | Electroacoustic components and methods thereof |
| WO2016047255A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 国立大学法人東北大学 | 弾性波装置 |
| KR20210145804A (ko) * | 2019-04-03 | 2021-12-02 | 도호쿠 다이가쿠 | 고차 모드 표면 탄성파 디바이스 |
-
2021
- 2021-02-12 JP JP2022503254A patent/JPWO2021172032A1/ja active Pending
- 2021-02-12 WO PCT/JP2021/005129 patent/WO2021172032A1/ja active Application Filing
- 2021-02-12 CN CN202180017384.6A patent/CN115176416A/zh active Pending
- 2021-02-12 US US17/801,886 patent/US20230361752A1/en active Pending
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